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1. 发明专利

TW201114062A 高亮度發光二極體及其製作方法 HIGH-BRIGHTNESS LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：高亮度发光二极管及其制作方法 HIGH-BRIGHTNESS LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201114062A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW098133376
申请日：2009-10-01
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：洪梓健 , 沈佳輝 , 馬志邦
IPC分类号： H01L
摘要：一種高亮度發光二極體,包含一承載基板以及一設置於該承載基板上之磊晶複合層。該承載基板包含一金屬材料與一介質,且該介質之熱膨脹係數小於該金屬材料之熱膨脹係數。
简体摘要：一种高亮度发光二极管,包含一承载基板以及一设置于该承载基板上之磊晶复合层。该承载基板包含一金属材料与一介质,且该介质之热膨胀系数小于该金属材料之热膨胀系数。

2. 发明专利

TW201103164A 提高光萃取效率之半導體光電結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC STRUCTURE OF INCREASED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY AND FABRICATED THEREOF 审中-公开
简体标题：提高光萃取效率之半导体光电结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC STRUCTURE OF INCREASED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY AND FABRICATED THEREOF
公开(公告)号：TW201103164A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW098123854
申请日：2009-07-15
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：黃世晟 , 凃博閔 , 吳芃逸 , 林文禹 , 馬志邦 , 洪梓健 , 沈佳輝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22
摘要：本發明為一種提高光萃取效率的半導體光電結構及其製造方法，其特徵在發光層下方形成連續性的孔洞，用以反射發光層發射的光，提高出光面的光強度以及亮度。
简体摘要：本发明为一种提高光萃取效率的半导体光电结构及其制造方法，其特征在发光层下方形成连续性的孔洞，用以反射发光层发射的光，提高出光面的光强度以及亮度。

3. 发明专利

TW201133934A 發光二極體及其製作方法 LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光二极管及其制作方法 LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201133934A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099109645
申请日：2010-03-30
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：沈佳輝 , 洪梓健
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體,其包括一透明基板及多個發光結構單元。每個發光結構單元包括N型半導體層、多量子井活性層、P型半導體層。一凹陷部從P型半導體層延伸到N型半導體層。該凹陷部內填充有金屬材料,且金屬材料覆蓋發光結構單元的表面。本發明藉由在發光結構單元的凹陷部內填充金屬材料,使發光層所產生的熱量能夠迅速傳遞到金屬材料中。本發明還提供了一種發光二極體的製作方法。
简体摘要：一种发光二极管,其包括一透明基板及多个发光结构单元。每个发光结构单元包括N型半导体层、多量子井活性层、P型半导体层。一凹陷部从P型半导体层延伸到N型半导体层。该凹陷部内填充有金属材料,且金属材料覆盖发光结构单元的表面。本发明借由在发光结构单元的凹陷部内填充金属材料,使发光层所产生的热量能够迅速传递到金属材料中。本发明还提供了一种发光二极管的制作方法。

4. 发明专利

TW201121356A 交流驅動多波長發光元件 ALTERATIVE CURRENT MULTI-WAVELENGTH LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：交流驱动多波长发光组件 ALTERATIVE CURRENT MULTI-WAVELENGTH LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201121356A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098142047
申请日：2009-12-09
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：沈佳輝 , 洪梓健 , 馬志邦
IPC分类号： H05B , H01L
CPC分类号： Y02B20/348
摘要：一種交流驅動多波長發光元件，包含有一基材以及複數個設置於該基材上的多波長發光二極體(LED)，該等多波長LED分別包含複數層活性層，而該等活性層所產生的不同顏色光係直接混色形成白光或多波長的混光。該等多波長LED係以串聯與並聯方式相互電性連接形成至少一電橋，使交流驅動多波長發光元件可直接使用於交流電壓。
简体摘要：一种交流驱动多波长发光组件，包含有一基材以及复数个设置于该基材上的多波长发光二极管(LED)，该等多波长LED分别包含复数层活性层，而该等活性层所产生的不同颜色光系直接混色形成白光或多波长的混光。该等多波长LED系以串联与并联方式相互电性连接形成至少一电桥，使交流驱动多波长发光组件可直接使用于交流电压。

5. 发明专利

TW201037763A 分離基板與半導體層的方法 METHOD FOR SEPARATING AN EPITAXIAL SUBSTRATE FROM A SEMICONDUCTOR LAYER 失效
简体标题：分离基板与半导体层的方法 METHOD FOR SEPARATING AN EPITAXIAL SUBSTRATE FROM A SEMICONDUCTOR LAYER
公开(公告)号：TW201037763A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098111612
申请日：2009-04-08
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：凃博閔 , 黃世晟 , 葉穎超 , 林文禹 , 吳芃逸 , 馬志邦 , 洪梓健 , 沈佳輝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L29/2003
摘要：本發明係為一種分離基板與半導體層的方法，其特徵為形成一圖案化二氧化矽層於暫時基板與半導體層之間，再以二次濕式蝕刻的方式由圖案化二氧化矽層將暫時基板分離。
简体摘要：本发明系为一种分离基板与半导体层的方法，其特征为形成一图案化二氧化硅层于暂时基板与半导体层之间，再以二次湿式蚀刻的方式由图案化二氧化硅层将暂时基板分离。

6. 发明专利

TW201005987A 發光二極體及其製程 LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATION THEREOF 失效
简体标题：发光二极管及其制程 LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATION THEREOF
公开(公告)号：TW201005987A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW097127080
申请日：2008-07-17
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：洪梓健 , 沈佳輝 , 馬志邦 , 徐智鵬 , 詹世雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/405 , H01L33/46
摘要：本發明提出一種發光二極體，其包含一金屬反射層，以提高光線在發光二極體內部之反射效率，同時亦可降低電阻，降低功率損耗。再者，上述金屬反射層與半導體之間更包含一緩衝層，此一緩衝層係為金屬與非金屬透明介質之混合結構，以降低半導體與金屬間的應力，減少晶粒崩裂之可能。
简体摘要：本发明提出一种发光二极管，其包含一金属反射层，以提高光线在发光二极管内部之反射效率，同时亦可降低电阻，降低功率损耗。再者，上述金属反射层与半导体之间更包含一缓冲层，此一缓冲层系为金属与非金属透明介质之混合结构，以降低半导体与金属间的应力，减少晶粒崩裂之可能。

7. 发明专利

TW201117440A 具有導熱層之發光二極體晶粒 LED CHIP HAVING THERMAL-CONDUCTIVE LAYERS 失效
简体标题：具有导热层之发光二极管晶粒 LED CHIP HAVING THERMAL-CONDUCTIVE LAYERS
公开(公告)号：TW201117440A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW098137116
申请日：2009-11-02
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：洪梓健 , 沈佳輝 , 馬志邦
IPC分类号： H01L
摘要：一種LED晶粒，包含有一半導體複合層，該半導體複合層包含有一第一表面、一相對之第二表面以及一連接該第一表面與該第二表面之斜面；而該第一表面與該第二表面上分別設置有一第一電極與一第二電極。該LED晶粒更包含一第一導熱層，包覆該半導體複合層之該第一表面與該斜面，且該第一導熱層具有一第一開口，暴露出該第一電極；該LED晶粒更包含一包覆該第一導熱層且與該第一電極接觸之第二導熱層。
简体摘要：一种LED晶粒，包含有一半导体复合层，该半导体复合层包含有一第一表面、一相对之第二表面以及一连接该第一表面与该第二表面之斜面；而该第一表面与该第二表面上分别设置有一第一电极与一第二电极。该LED晶粒更包含一第一导热层，包覆该半导体复合层之该第一表面与该斜面，且该第一导热层具有一第一开口，暴露出该第一电极；该LED晶粒更包含一包覆该第一导热层且与该第一电极接触之第二导热层。

8. 发明专利

TW201115782A 發光二極體及其製作方法 LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：发光二极管及其制作方法 LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201115782A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW098136639
申请日：2009-10-29
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：吳芃逸 , 黃世晟 , 凃博閔 , 林文禹 , 洪梓健
IPC分类号： H01L
摘要：一種製作發光二極體之方法,首先提供一基板,隨後於該基板上形成一凸出圖案層,且該凸出圖案層暴露出部分該基板而形成複數個裸露區域,接下來係於該等裸露區域內分別形成一獨立之島狀半導體複合層。
简体摘要：一种制作发光二极管之方法,首先提供一基板,随后于该基板上形成一凸出图案层,且该凸出图案层暴露出部分该基板而形成复数个裸露区域,接下来系于该等裸露区域内分别形成一独立之岛状半导体复合层。

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