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1. 外观设计

TWD130270S 接觸子有权
简体标题：接触子
公开(公告)号：TWD130270S
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW097303515
申请日：2008-06-17
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
设计人：山本巧 YAMAMOTO, TAKUMI , 奧園博三 OKUZONO, HIROMI , 金子隆 KANEKO, TAKASHI , 赤羽晃彥 AKABANE, AKIHIKO , 子敏博 ZUSHI, TOSHIHIRO , 小池直人 KOIKE, NAOTO
摘要：【物品用途】
本物品係於測定半導體裝置或電路基板等檢查對象之特性時接觸檢查對象之接觸子。
【創作特點】
本物品如參考剖面圖所示,於內部導體1與外部導體3之間設有絕緣體2。絕緣體2具備內側絕緣層4與絕緣肋5與外側絕緣筒6。內側絕緣層4係被設為覆蓋內部導體1之表面。外側絕緣筒6為圓筒形狀,同軸配置於內側絕緣層4之外側。內側絕緣層4與外側絕緣層6之間形成有間隙7。絕緣肋5係設於間隙7。絕緣肋5設有6支,該等絕緣肋5從內側絕緣層4往徑方向外側呈放射狀突出,其前端與外側絕緣筒6一體化。各絕緣肋5具有於軸方向連續之形狀。絕緣肋5係沿軸方向以直條狀態配置。外部導體3係由多數根金屬線構成,該等外部導體3係被配置為覆蓋外側絕緣筒6之外周面。外部導體3係如參考圖1所示,螺旋狀配置於外側絕緣筒6。外部導體3係藉由設置外側絕緣筒6而被配置於與內部導體1同軸之圓周上。外部導體3係被包覆層8覆蓋。本物品之徑方向尺寸為約0.03~3.0 mm。本物品之軸方向全長為20.0 mm。在前視圖、後視圖、右側視圖、左側視圖中省略此軸方向之中央部。省略之長度為11 mm。本物品之軸方向全長係在約5.0~50.0 mm之範圍內變更。前視圖中上端為連接於測定裝置本體之基端,下端為接觸側定對象之測定端。內部導體1於測定端具有如參考圖2所示沿半徑方向被切取而成形之形態、如參考圖3所示成形為長條之圓錐狀之形態、如參考圖4所示成形為長條之圓錐狀且其前端彎曲之形態。內部導體1於基端具有如參考圖5所示於半徑方向被切取而成形之形態、如參考圖6所示於半徑方向被切取且其端面成形為圓丘狀之形態。
简体摘要：【物品用途】本物品系于测定半导体设备或电路基板等检查对象之特性时接触检查对象之接触子。【创作特点】本物品如参考剖面图所示,于内部导体1与外部导体3之间设有绝缘体2。绝缘体2具备内侧绝缘层4与绝缘肋5与外侧绝缘筒6。内侧绝缘层4系被设为覆盖内部导体1之表面。外侧绝缘筒6为圆筒形状,同轴配置于内侧绝缘层4之外侧。内侧绝缘层4与外侧绝缘层6之间形成有间隙7。绝缘肋5系设于间隙7。绝缘肋5设有6支,该等绝缘肋5从内侧绝缘层4往径方向外侧呈放射状突出,其前端与外侧绝缘筒6一体化。各绝缘肋5具有于轴方向连续之形状。绝缘肋5系沿轴方向以直条状态配置。外部导体3系由多数根金属线构成,该等外部导体3系被配置为覆盖外侧绝缘筒6之外周面。外部导体3系如参考图1所示,螺旋状配置于外侧绝缘筒6。外部导体3系借由设置外侧绝缘筒6而被配置于与内部导体1同轴之圆周上。外部导体3系被包覆层8覆盖。本物品之径方向尺寸为约0.03~3.0 mm。本物品之轴方向全长为20.0 mm。在前视图、后视图、右侧视图、左侧视图中省略此轴方向之中央部。省略之长度为11 mm。本物品之轴方向全长系在约5.0~50.0 mm之范围内变更。前视图中上端为连接于测定设备本体之基端,下端为接触侧定对象之测定端。内部导体1于测定端具有如参考图2所示沿半径方向被切取而成形之形态、如参考图3所示成形为长条之圆锥状之形态、如参考图4所示成形为长条之圆锥状且其前端弯曲之形态。内部导体1于基端具有如参考图5所示于半径方向被切取而成形之形态、如参考图6所示于半径方向被切取且其端面成形为圆丘状之形态。

2. 发明专利

TW200817538A 排氣裝置 EXHAUST SYSTEM 失效
简体标题：排气设备 EXHAUST SYSTEM
公开(公告)号：TW200817538A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096114484
申请日：2007-04-24
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD. , 大阪螺旋管工業股份有限公司 OSAKA RASENKAN KOGYO CO., LTD. , 史班遜股份有限公司 SPANSION LLC , 日本史班遜股份有限公司 SPANSION JAPAN LTD.
发明人：池田毅 IKEDA, TAKESHI , 小泉一夫 KOIZUMI, KAZUO , 武田浩之 TAKEDA, HIROYUKI , 小山哲男 KOYAMA, TETSUO , 渡部惠一 WATANABE, KEIICHI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C23C16/4412
摘要：一種排氣裝置,係具備於排氣路徑上介在設置的管體1的側周壁5上至少設有一開口3而成的排氣壓力調整裝置30之型態的排氣裝置,可防止開口因包含於排放氣體中的殘留成膜成分或因此產生的固態物而阻塞開口3,使排氣壓力調整裝置30的保養維護週期長期化。管體1內配設一氣體誘導壁2,誘導從上流來的排放氣體,使其不直接接觸該開口3及其附近而向下流通過,在氣體誘導壁2的一面21與管體1的側周壁5的內面6之間形成一壓力調整用流路7,另一方面,使氣體誘導壁2的另一面22側與上述排放氣體通過的排放氣體流路4面對,開口3係與壓力調整用流路7開口連通地配設,且壓力調整用流路7於較開口3更下流處連通排放氣體流路4。
简体摘要：一种排气设备,系具备于排气路径上介在设置的管体1的侧周壁5上至少设有一开口3而成的排气压力调整设备30之型态的排气设备,可防止开口因包含于排放气体中的残留成膜成分或因此产生的固态物而阻塞开口3,使排气压力调整设备30的保养维护周期长期化。管体1内配设一气体诱导壁2,诱导从上流来的排放气体,使其不直接接触该开口3及其附近而向下流通过,在气体诱导壁2的一面21与管体1的侧周壁5的内面6之间形成一压力调整用流路7,另一方面,使气体诱导壁2的另一面22侧与上述排放气体通过的排放气体流路4面对,开口3系与压力调整用流路7开口连通地配设,且压力调整用流路7于较开口3更下流处连通排放气体流路4。

3. 发明专利

TWI295859B 氮化物半導體發光元件 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIHGT EMITTING ELEMENT 有权
简体标题：氮化物半导体发光组件 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIHGT EMITTING ELEMENT
公开(公告)号：TWI295859B
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：TW094113619
申请日：2005-04-28
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：工藤廣光 KUDO, HIROMITSU , 山田智雄 YAMADA, TOMOO , 只友一行 TADATOMO, KAZUYUKI , 大內洋一郎 OUCHI, YOICHIRO , 岡川廣明 OKAGAWA, HIROAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/14
摘要：本發明提供一種氮化物半導體發光元件。詳言之，係在作為p型層之p型不純物而使用有Mg的GaN系發光元件中，p型層之最下部中設有由AlxGa1-xN(0≦x≦1)所成p型被覆層，而於該p型被覆層上方介著1個或1個以上之異質界面(hetero interface)而設有由AlyGa1-yN(0≦y≦1)所成Mg高濃度層，而其正上面設有由 AlzGa1-zN(y
简体摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光组件。详言之，系在作为p型层之p型不纯物而使用有Mg的GaN系发光组件中，p型层之最下部中设有由AlxGa1-xN(0≦x≦1)所成p型被覆层，而于该p型被覆层上方介着1个或1个以上之异质界面(hetero interface)而设有由AlyGa1-yN(0≦y≦1)所成Mg高浓度层，而其正上面设有由 AlzGa1-zN(y

4. 发明专利

TW200604076A 防滑件 ANTI-SLIP DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：TW200604076A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094122991
申请日：2005-07-07
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES. LTD.
发明人：西田和正 KAZUMASA NISHIDA
IPC分类号： B65G
CPC分类号： F16M11/22 , F16M2200/08
摘要：一種防滑件，其係包含一支持盤及一橡膠彈性體。該支持盤係由金屬或樹脂所製成，且該支持盤背面係凸設一結合部，且該結合部結合於其他元件。該支持盤之表面至支持盤之一背面係貫穿數個連結孔，該橡膠彈性體係一體成型在該支持盤上，且該橡膠彈性體設有一接受片部及一防脫部，該接受片部係實質包覆該支持盤之整個表面，該防脫部係從該背面經過一周緣部及連結孔連結該接受片部。
简体摘要：一种防滑件，其系包含一支持盘及一橡胶弹性体。该支持盘系由金属或树脂所制成，且该支持盘背面系凸设一结合部，且该结合部结合于其他组件。该支持盘之表面至支持盘之一背面系贯穿数个链接孔，该橡胶弹性体系一体成型在该支持盘上，且该橡胶弹性体设有一接受片部及一防脱部，该接受片部系实质包覆该支持盘之整个表面，该防脱部系从该背面经过一周缘部及链接孔链接该接受片部。

5. 发明专利

TW200935067A 探針失效
简体标题：探针
公开(公告)号：TW200935067A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097149566
申请日：2008-12-19
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：山本巧 YAMAMOTO, TAKUMI , 赤羽晃彥 AKABANE, AKIHIKO , 和田睦 WADA, MAKOTO , 福士誠一 FUKUSHI, SEIICHI , 小池直人 KOIKE, NAOTO , 藤井政德 FUJII, MASANORI , 金子隆 KANEKO, TAKASHI , 廚子敏博 ZUSHI, TOSHIHIRO , 小林祐兒 KOBAYASHI, YUUJI
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R1/06772 , G01R1/06738 , G01R1/0675 , G01R1/07357 , G01R31/2891 , H01R24/40 , H01R2103/00 , H01R2201/20
摘要：以與導電針同軸配置之外部導體來圍繞將導電針插通於中心之絕緣體的外周,並於該絕緣體形成貫通該導電針之軸心方向的透孔。較佳為,將該透孔形成於該導電針周圍之複數個部位。藉此,可使用在較高之高頻區域。
简体摘要：以与导电针同轴配置之外部导体来围绕将导电针插通于中心之绝缘体的外周,并于该绝缘体形成贯通该导电针之轴心方向的透孔。较佳为,将该透孔形成于该导电针周围之复数个部位。借此,可使用在较高之高频区域。

6. 发明专利

TW200813300A 電磁波屏蔽體及電磁波吸收體审中-公开
简体标题：电磁波屏蔽体及电磁波吸收体
公开(公告)号：TW200813300A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096122175
申请日：2007-06-20
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人： 井聰 SAKAI, SATOSHI , 池田毅 IKEDA, TAKESHI , 柏原一之 KASHIHARA, KAZUYUKI , 工藤敏夫 KUDO, TOSHIO , 細谷勝宣 HOSOTANI, KATSUNORI
IPC分类号： E04B , H05K
CPC分类号： H01Q15/14 , H01Q15/0013 , H05K9/0083
摘要：屏蔽建築物內外的電磁波時,能夠僅屏蔽特定頻帶電磁波而使其他頻率的電磁波透射,並且,使得工事上不費事;在不燃性面材1的其中一個面上,經由設置以複數導電部4,4,…至少選擇性地屏蔽一個頻帶的電磁波之頻率選擇層2來構成電磁波屏蔽工事所用的電磁波屏蔽體。
简体摘要：屏蔽建筑物内外的电磁波时,能够仅屏蔽特定频带电磁波而使其他频率的电磁波透射,并且,使得工事上不费事;在不燃性面材1的其中一个面上,经由设置以复数导电部4,4,…至少选择性地屏蔽一个频带的电磁波之频率选择层2来构成电磁波屏蔽工事所用的电磁波屏蔽体。

7. 发明专利

TW200511618A GaN系發光二極體 GAN GROUP LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题： GaN系发光二极管 GAN GROUP LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200511618A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093127400
申请日：2004-09-10
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：岡川廣明 OKAGAWA, HIROAKI , 城市隆秀 JYOICHI, TAKAHIDE , 只友一行 TADATOMO, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/38
摘要：本發明係關於一種作成以下的構成之GaN系發光二極體，在基板之上依次至少疊層：n型GaN系半導體層、由GaN系半導體構成的發光層、p型GaN系半導體層，以該p型GaN系半導體層側為發光觀測面。在該p型GaN系半導體層表面配設：形成為由不具透光性的金屬層構成的可取出光的圖案之p型歐姆電極；與該p型歐姆電極電性連接的p型接合電極，另一方面，使該p型接合電極不與該p型GaN系半導體層歐姆接合，且在p型接合電極之下方實質上不形成p型歐姆電極。依照該GaN系發光二極體，可實現p型接合電極的接著強度高，而且顯示高發光效率以及高輸出的GaN系發光二極體。
简体摘要：本发明系关于一种作成以下的构成之GaN系发光二极管，在基板之上依次至少叠层：n型GaN系半导体层、由GaN系半导体构成的发光层、p型GaN系半导体层，以该p型GaN系半导体层侧为发光观测面。在该p型GaN系半导体层表面配设：形成为由不具透光性的金属层构成的可取出光的图案之p型欧姆电极；与该p型欧姆电极电性连接的p型接合电极，另一方面，使该p型接合电极不与该p型GaN系半导体层欧姆接合，且在p型接合电极之下方实质上不形成p型欧姆电极。依照该GaN系发光二极管，可实现p型接合电极的接着强度高，而且显示高发光效率以及高输出的GaN系发光二极管。

8. 发明专利

TW200510660A 密封構造體 TIGHT-SEAL CONSTRUCTION 审中-公开
简体标题：密封构造体 TIGHT-SEAL CONSTRUCTION
公开(公告)号：TW200510660A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093126151
申请日：2004-08-31
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：細川敦 ATSUSHI HOSOKAWA , 長岡秀夫 HIDEO NAGAOKA
IPC分类号： F16J
摘要：一種密封構造體，其係由一彈性密封件1、一具鳩尾槽3的被附著件2及一對應件21所構成。該彈性密封件1係以中央線L為中心形成左右非對稱形狀，且在一清淨空間側K形成一高位肩部12H，及在一大氣側M形成一中位肩部12L。
简体摘要：一种密封构造体，其系由一弹性密封件1、一具鸠尾槽3的被附着件2及一对应件21所构成。该弹性密封件1系以中央线L为中心形成左右非对称形状，且在一清净空间侧K形成一高位肩部12H，及在一大气侧M形成一中位肩部12L。

9. 外观设计

TWD130269S 包覆電線有权
简体标题：包复电线
公开(公告)号：TWD130269S
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW097303514
申请日：2008-06-17
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
设计人：山本巧 YAMAMOTO, TAKUMI , 奧園博三 OKUZONO, HIROMI , 金子隆 KANEKO, TAKASHI , 赤羽晃彥 AKABANE, AKIHIKO
摘要：【物品用途】
本物品係在半導體裝置或電路基板間構成電氣連接。
【創作特點】
本物品係如參考圖所示,於內部導體1與外部導體3之間設有絕緣體2之包覆電線(同軸纜線)。內部導體1係由單一金屬線構成。絕緣體2具備內側絕緣層4與絕緣肋5與外側絕緣筒6。內側絕緣層4係被設為覆蓋內部導體1之表面。外側絕緣筒6為圓筒形狀,同軸配置於內側絕緣層4之外側。內側絕緣層4與外側絕緣層6之間形成有間隙7。絕緣肋5係設於間隙7。絕緣肋5設有6支,該等絕緣肋5從內側絕緣層4往徑方向外側呈放射狀突出,其前端與外側絕緣筒6一體化。各絕緣肋5具有於軸方向連續之形狀。絕緣肋5雖係沿軸方向以直條狀態配置,但亦可配置為螺旋狀。外部導體3係由多數根金屬線構成,該等外部導體3係被配置為覆蓋外側絕緣筒6之外周面。外部導體3係藉由設置外側絕緣筒6而被配置於與內部導體1同軸之圓周上。外部導體3係被包覆層8覆蓋。本物品之徑方向尺寸為約0.03~3.0 mm。
简体摘要：【物品用途】本物品系在半导体设备或电路基板间构成电气连接。【创作特点】本物品系如参考图所示,于内部导体1与外部导体3之间设有绝缘体2之包复电线(同轴缆线)。内部导体1系由单一金属线构成。绝缘体2具备内侧绝缘层4与绝缘肋5与外侧绝缘筒6。内侧绝缘层4系被设为覆盖内部导体1之表面。外侧绝缘筒6为圆筒形状,同轴配置于内侧绝缘层4之外侧。内侧绝缘层4与外侧绝缘层6之间形成有间隙7。绝缘肋5系设于间隙7。绝缘肋5设有6支,该等绝缘肋5从内侧绝缘层4往径方向外侧呈放射状突出,其前端与外侧绝缘筒6一体化。各绝缘肋5具有于轴方向连续之形状。绝缘肋5虽系沿轴方向以直条状态配置,但亦可配置为螺旋状。外部导体3系由多数根金属线构成,该等外部导体3系被配置为覆盖外侧绝缘筒6之外周面。外部导体3系借由设置外侧绝缘筒6而被配置于与内部导体1同轴之圆周上。外部导体3系被包覆层8覆盖。本物品之径方向尺寸为约0.03~3.0 mm。

10. 发明专利

TW200918792A 密封構造體审中-公开
简体标题：密封构造体
公开(公告)号：TW200918792A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097127690
申请日：2008-07-21
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤堂 TOHDOH, SATOSHI , 假屋隆 KARIYA, TAKAHIRO , 池田毅 IKEDA, TAKESHI
IPC分类号： F16J
CPC分类号： F16J15/0887 , H01L21/67126
摘要：將石英的板狀脆性構件(1)以回彈的遊離狀態由金屬的主密封(10)與金屬的副密封(20)挾設保持。
简体摘要：将石英的板状脆性构件(1)以回弹的游离状态由金属的主密封(10)与金属的副密封(20)挟设保持。

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