基本信息:
- 专利标题： 氮化物半導體發光元件 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIHGT EMITTING ELEMENT
- 专利标题（英）：Nitride semiconductor lihgt emitting element
- 专利标题（中）：氮化物半导体发光组件 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIHGT EMITTING ELEMENT
- 申请号：TW094113619 申请日：2005-04-28
- 公开(公告)号：TWI295859B 公开(公告)日：2008-04-11
- 发明人： 工藤廣光 KUDO, HIROMITSU , 山田智雄 YAMADA, TOMOO , 只友一行 TADATOMO, KAZUYUKI , 大內洋一郎 OUCHI, YOICHIRO , 岡川廣明 OKAGAWA, HIROAKI
- 申请人： 三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
- 当前专利权人： 三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 日本 2004-134704 20040428
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明提供一種氮化物半導體發光元件。詳言之，係在作為p型層之p型不純物而使用有Mg的GaN系發光元件中，p型層之最下部中設有由AlxGa1-xN(0≦x≦1)所成p型被覆層，而於該p型被覆層上方介著1個或1個以上之異質界面(hetero interface)而設有由AlyGa1-yN(0≦y≦1)所成Mg高濃度層，而其正上面設有由 AlzGa1-zN(y
摘要（中）：
本发明提供一种氮化物半导体发光组件。详言之，系在作为p型层之p型不纯物而使用有Mg的GaN系发光组件中，p型层之最下部中设有由AlxGa1-xN(0≦x≦1)所成p型被覆层，而于该p型被覆层上方介着1个或1个以上之异质界面(hetero interface)而设有由AlyGa1-yN(0≦y≦1)所成Mg高浓度层，而其正上面设有由 AlzGa1-zN(y
公开/授权文献:
- TW200603442A 氮化物半導體發光元件 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIHGT EMITTING ELEMENT 公开/授权日：2006-01-16