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81. 发明专利

TWI463571B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI463571B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW100145294
申请日：2011-12-08
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：李琮雄 , LEE, TSUNG HSIUNG , 杜尚暉 , TU, SHANG HUI , 施路迪 , SIHOMBING, RUDY OCTAVIUS
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/823487 , H01L21/26586 , H01L27/088 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/66712 , H01L29/66719 , H01L29/7802

82. 发明专利

TW201436239A 用於功率MOSFET應用的端接溝槽及其製備方法审中-公开
简体标题：用于功率MOSFET应用的端接沟槽及其制备方法
公开(公告)号：TW201436239A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103105994
申请日：2014-02-24
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：李亦衡 , LEE, YEEHENG , 博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 高立德 , CALAFUT, DANIEL , 依瑪茲哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA , 王曉彬 , WANG, XIAOBIN , 潘繼 , PAN, JI , 常虹 , CHANG, HONG , 金鐘五 , KIM, JONGOH
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/265 , H01L21/308 , H01L21/823475 , H01L21/823487 , H01L27/0251 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/095 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66257 , H01L29/66712 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/872
摘要：本發明的各個方面提出了一種功率MOSFET元件的端接結構。端接溝槽形成在半導體材料中，包圍著MOSFET的主動區。端接溝槽更包含導電材料的第一和第二部分。導電材料的第一和第二部分相互電絕緣。要強調的是，本發明摘要必須使研究人員或其他讀者快速掌握技術說明書的主旨內容，本發明摘要符合以上要求。應明確，本摘要將不用於解釋或侷限申請專利範圍的範圍或意圖。
简体摘要：本发明的各个方面提出了一种功率MOSFET组件的端接结构。端接沟槽形成在半导体材料中，包围着MOSFET的主动区。端接沟槽更包含导电材料的第一和第二部分。导电材料的第一和第二部分相互电绝缘。要强调的是，本发明摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本发明摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限申请专利范围的范围或意图。

83. 发明专利

TW201430957A 半導體功率元件的製作方法审中-公开
简体标题：半导体功率组件的制作方法
公开(公告)号：TW201430957A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102102915
申请日：2013-01-25
申请人：茂達電子股份有限公司 , ANPEC ELECTRONICS CORPORATION
发明人：林永發 , LIN, YUNG FA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/304
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0634 , H01L29/0661 , H01L29/1095 , H01L29/16 , H01L29/66477 , H01L29/66712 , H01L29/7802
摘要：一種半導體功率元件的製作方法。先提供一半導體基底，具有複數個晶片區域以及晶片區域間的切割道區域。再於半導體基底上形成第一磊晶層。再於第一磊晶層表面形成硬遮罩層，於硬遮罩層中形成至少一開口，經由開口，蝕刻第一磊晶層，形成至少一溝槽，其中開口及溝槽橫跨複數個晶片區域及切割道區域，使得溝槽的兩端均不落在晶片區域內。接著去除硬遮罩層，再於溝槽中填滿一第二磊晶層，並使第二磊晶層覆蓋第一磊晶層。再將覆蓋在第一磊晶層上的第二磊晶層研磨掉，顯露出第一磊晶層。於第一及第二磊晶層上形成第三磊晶層。
简体摘要：一种半导体功率组件的制作方法。先提供一半导体基底，具有复数个芯片区域以及芯片区域间的切割道区域。再于半导体基底上形成第一磊晶层。再于第一磊晶层表面形成硬遮罩层，于硬遮罩层中形成至少一开口，经由开口，蚀刻第一磊晶层，形成至少一沟槽，其中开口及沟槽横跨复数个芯片区域及切割道区域，使得沟槽的两端均不落在芯片区域内。接着去除硬遮罩层，再于沟槽中填满一第二磊晶层，并使第二磊晶层覆盖第一磊晶层。再将覆盖在第一磊晶层上的第二磊晶层研磨掉，显露出第一磊晶层。于第一及第二磊晶层上形成第三磊晶层。

84. 发明专利

TW201423868A 用於半導體元件之超接面結構及其製程审中-公开
简体标题：用于半导体组件之超接面结构及其制程
公开(公告)号：TW201423868A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101147146
申请日：2012-12-13
申请人：節能元件控股有限公司 , PFC DEVICE HOLDINGS LIMITED
发明人：張崇健 , CHANG, CHUNG CHEN PAUL
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/324 , H01L29/0878 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/66333 , H01L29/66363 , H01L29/66712 , H01L29/7393 , H01L29/74 , H01L29/749 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要：一種用於半導體元件之超接面結構包含：一矽基板，該矽基板上具有一第一導電型磊晶層；複數之高濃度第二導電型柱，形成於該第一導電型磊晶層內；及複數之低濃度第二導電型側壁，形成於該第一導電型磊晶層內且位於該第二導電型柱之外側面上。該半導體元件為超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky電晶體、超接面IGBT、閘流體(thyristor)、或超接面二極體。
简体摘要：一种用于半导体组件之超接面结构包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；复数之高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及复数之低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱之外侧面上。该半导体组件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、晶闸管(thyristor)、或超接面二极管。

85. 发明专利

TWI441261B 半導體功率元件的製作方法有权
简体标题：半导体功率组件的制作方法
公开(公告)号：TWI441261B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW100116806
申请日：2011-05-13
申请人：茂達電子股份有限公司 , ANPEC ELECTRONICS CORPORATION
发明人：林永發 , LIN, YUNG FA , 徐守一 , HSU, SHOU YI , 孫藝林 , SUN, YI LIN
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L21/2257 , H01L29/1095 , H01L29/66712

86. 发明专利

TWI424489B 半導體功率元件的製作方法有权
简体标题：半导体功率组件的制作方法
公开(公告)号：TWI424489B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW100121889
申请日：2011-06-22
申请人：茂達電子股份有限公司 , ANPEC ELECTRONICS CORPORATION
发明人：林永發 , LIN, YUNG FA , 徐守一 , HSU, SHOU YI , 孫藝林 , SUN, YI LIN
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/2257 , H01L29/04 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7811

87. 发明专利

TW201351637A 元件與其形成方法审中-公开
简体标题：组件与其形成方法
公开(公告)号：TW201351637A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102118730
申请日：2013-05-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：伍震威 , NG, CHUN-WAI , 周學良 , CHOU, HSUEH LIANG , 蘇柏智 , SU, PO CHIH , 柳瑞興 , LIU, RUEY HSIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823487 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/30604 , H01L21/82385 , H01L21/823885 , H01L21/823892 , H01L27/0922 , H01L27/0928 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/66666 , H01L29/66712
摘要：本發明提供之元件，包括：第一導電型態的半導體層，與第二導電型態的第一及第二主體區位於半導體層上，其中第一導電型態與第二導電型態相反。第一導電型態的摻雜之半導體區位於第一及第二主體區之間，並接觸第一與第二主體區。閘極介電層位於第一及第二主體區與摻雜之半導體區上。第一與第二閘極位於閘極介電層上，且各自位於第一與第二主體區上。第一與第二閘極之間隔有空間，第一閘極電性內連接至第二閘極。第一與第二閘極之間的空間與摻雜之半導體區重疊。上述元件更包括含金氧半之元件。
简体摘要：本发明提供之组件，包括：第一导电型态的半导体层，与第二导电型态的第一及第二主体区位于半导体层上，其中第一导电型态与第二导电型态相反。第一导电型态的掺杂之半导体区位于第一及第二主体区之间，并接触第一与第二主体区。闸极介电层位于第一及第二主体区与掺杂之半导体区上。第一与第二闸极位于闸极介电层上，且各自位于第一与第二主体区上。第一与第二闸极之间隔有空间，第一闸极电性内连接至第二闸极。第一与第二闸极之间的空间与掺杂之半导体区重叠。上述组件更包括含金氧半之组件。

88. 发明专利

TW201338167A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201338167A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101140936
申请日：2012-11-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳柏羽 , CHEN, PO YU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/7809 , H01L21/26513 , H01L21/76232 , H01L21/76283 , H01L27/1203 , H01L29/0653 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1037 , H01L29/1095 , H01L29/66704 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7812 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , H01L29/7825 , H01L29/78642
摘要：側向溝槽金氧半電晶體包括一介電隔離溝槽形成於一絕緣層上覆矽基板上方。側向溝槽金氧半電晶體更包括一第一漂移區，形成於一汲極/源極區與一絕緣層之間；及一第二漂移區，形成於介電隔離溝槽與絕緣層之間。介電溝槽及絕緣層係助於使漂移區完全空乏。空乏區可改善側向溝槽金氧半電晶體的崩潰電壓及導通電阻。
简体摘要：侧向沟槽金氧半晶体管包括一介电隔离沟槽形成于一绝缘层上覆硅基板上方。侧向沟槽金氧半晶体管更包括一第一漂移区，形成于一汲极/源极区与一绝缘层之间；及一第二漂移区，形成于介电隔离沟槽与绝缘层之间。介电沟槽及绝缘层系助于使漂移区完全空乏。空乏区可改善侧向沟槽金氧半晶体管的崩溃电压及导通电阻。

89. 发明专利

TW201310550A 集成晶胞的掩埋場環場效應電晶體植入空穴供應通路审中-公开
简体标题：集成晶胞的掩埋场环场效应晶体管植入空穴供应通路
公开(公告)号：TW201310550A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101130009
申请日：2012-08-17
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 胡軍 , HU, JUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0623 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/407 , H01L29/66712 , H01L29/78 , H01L29/7811
摘要：一種形成在半導體襯底上的半導體功率元件，包括在輕摻雜區上方的半導體襯底的頂面附近的重摻雜區。該半導體功率元件還包括一個本體區、一個源極區以及一個設置在半導體襯底的頂面附近的閘極，以及一個設置在半導體襯底的底面處的汲極。該半導體功率元件還包括在重摻雜區中打開源極溝槽，並用導電溝槽填充材料填充，與頂面附近的源極區電接觸。該半導體功率元件還包括一個掩埋場環區，設置在源極溝槽下方，摻雜物的導電類型與重摻雜區的導電類型相反。
简体摘要：一种形成在半导体衬底上的半导体功率组件，包括在轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近的重掺杂区。该半导体功率组件还包括一个本体区、一个源极区以及一个设置在半导体衬底的顶面附近的闸极，以及一个设置在半导体衬底的底面处的汲极。该半导体功率组件还包括在重掺杂区中打开源极沟槽，并用导电沟槽填充材料填充，与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率组件还包括一个掩埋场环区，设置在源极沟槽下方，掺杂物的导电类型与重掺杂区的导电类型相反。

90. 发明专利

TW201133825A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201133825A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099115960
申请日：2010-05-19
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：增田健良 , 穗永美紗子
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/66727 , H01L29/66909 , H01L29/8083
摘要：作為耐壓穩定並且可降低導通電阻之半導體裝置的MOSFET包括:導電型為n型之SiC晶圓;導電型為p型之複數個p體(21),其係以包含SiC晶圓之第1主表面(20A)之方式而形成;以及導電型為n型之n+源極區域(22),其係形成於平面觀察時由複數個p體(21)之各個所包圍之區域內。p體(21)具有平面觀察時為圓形之形狀,n+源極區域(22)具有平面觀察時與p體(21)同心配置之圓形形狀。而且,複數個p體(21)以平面觀察時位於正六邊形之各頂點之方式配置。
简体摘要：作为耐压稳定并且可降低导通电阻之半导体设备的MOSFET包括:导电型为n型之SiC晶圆;导电型为p型之复数个p体(21),其系以包含SiC晶圆之第1主表面(20A)之方式而形成;以及导电型为n型之n+源极区域(22),其系形成于平面观察时由复数个p体(21)之各个所包围之区域内。p体(21)具有平面观察时为圆形之形状,n+源极区域(22)具有平面观察时与p体(21)同心配置之圆形形状。而且,复数个p体(21)以平面观察时位于正六边形之各顶点之方式配置。

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