专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TW201535719A 帶有自對準接觸增強型插頭之高密度溝槽閘極MOSFET陣列及其製備方法审中-公开
简体标题：带有自对准接触增强型插头之高密度沟槽闸极MOSFET数组及其制备方法
公开(公告)号：TW201535719A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104107067
申请日：2015-03-05
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：李亦衡 , LEE, YEEHENG , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 常虹 , CHANG, HONG
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7813
摘要：本發明係揭露一種半導體基板包含外延區、本體區和源極區；交叉氮化物壓蓋-有源溝槽閘極堆疊（ANCTGS）和自引導接觸增強型插頭（SGCEP）設置在半導體基板上方，並且部分嵌入在源極區、本體區和外延區中，構成溝槽閘極MOSFET陣列。每個氮化物壓蓋-有源溝槽閘極堆疊都包含多晶矽溝槽閘極堆疊，嵌入在閘極氧化物殼中，以及氮化矽墊片蓋，覆蓋多晶矽溝槽閘極頂部；每個自引導接觸增強型插頭都包含底部緊密接觸增強部分（ICES），準確定位至其附近的氮化物壓蓋-有源溝槽閘極堆疊；頂部遠端接觸增強部分（DCES），具有橫向相對於鄰近氮化物壓蓋-有源溝槽閘極堆疊的定位偏差；以及中間錐形過渡段（TTS）位於底部緊密接觸增強部分和頂部遠末端接觸增強部分之間，並且橋接底部緊密接觸增強部分和頂部遠末端接觸增強部分；在MOSFET陣列上方的帶圖案的電介質區上方的帶圖案的金屬層，藉由自引導接觸增強型插頭構成子引導的源極和本體接頭。
简体摘要：本发明系揭露一种半导体基板包含外延区、本体区和源极区；交叉氮化物压盖-有源沟槽闸极堆栈（ANCTGS）和自引导接触增强型插头（SGCEP）设置在半导体基板上方，并且部分嵌入在源极区、本体区和外延区中，构成沟槽闸极MOSFET数组。每个氮化物压盖-有源沟槽闸极堆栈都包含多晶硅沟槽闸极堆栈，嵌入在闸极氧化物壳中，以及氮化硅垫片盖，覆盖多晶硅沟槽闸极顶部；每个自引导接触增强型插头都包含底部紧密接触增强部分（ICES），准确定位至其附近的氮化物压盖-有源沟槽闸极堆栈；顶部远程接触增强部分（DCES），具有横向相对于邻近氮化物压盖-有源沟槽闸极堆栈的定位偏差；以及中间锥形过渡段（TTS）位于底部紧密接触增强部分和顶部远末端接触增强部分之间，并且桥接底部紧密接触增强部分和顶部远末端接触增强部分；在MOSFET数组上方的带图案的电介质区上方的带图案的金属层，借由自引导接触增强型插头构成子引导的源极和本体接头。

3. 发明专利

TW201426882A 用於負載開關和直流－直流器件的高密度ＭＯＳＦＥＴ的器件結構及其制備方法审中-公开
简体标题：用于负载开关和直流－直流器件的高密度ＭＯＳＦＥＴ的器件结构及其制备方法
公开(公告)号：TW201426882A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102145739
申请日：2013-12-11
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 常虹 , CHANG, HONG , 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 卡拉夫特丹尼爾 , CALAFUT, DANIEL , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 雷燮光 , LUI, SIK , 陳軍 , CHEN, JOHN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0251 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0856 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7827
摘要：本發明的各個方面提出了一種帶有自對准源極接觸的基於高密度溝槽的功率MOSFET，以及這類器件的制備方法。源極接觸與墊片自對准，墊片沿閘極蓋的側壁形成。另外，有源器件具有二階閘極氧化物。其中閘極氧化物底部的厚度大於頂部的厚度。二階閘極氧化物與自對准的源極接觸相結合，從而制備的器件間距可以在深亞微米級別。
简体摘要：本发明的各个方面提出了一种带有自对准源极接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET，以及这类器件的制备方法。源极接触与垫片自对准，垫片沿闸极盖的侧壁形成。另外，有源器件具有二阶闸极氧化物。其中闸极氧化物底部的厚度大于顶部的厚度。二阶闸极氧化物与自对准的源极接触相结合，从而制备的器件间距可以在深亚微米级别。

4. 发明专利

TW201405773A 高壓場平衡金屬氧化物場效應電晶體审中-公开
简体标题：高压场平衡金属氧化物场效应晶体管
公开(公告)号：TW201405773A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102126806
申请日：2013-07-26
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 依瑪茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 胡軍 , HU, JUN , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 丁永平 , DING, YONGPING
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/60
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/26586 , H01L29/0615 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種形成在半導體襯底中的半導體功率器件含有一個重摻雜區，在由重摻雜區承載的輕摻雜區上方的半導體襯底的頂面附近。半導體功率器件還包括源極溝槽，在由導電溝槽填充材料填充的重摻雜區中打開，導電溝槽填充材料與頂面附近的源極區電接觸。半導體功率器件還包括沉積在源極溝槽下方的掩埋P-區，並用導電類型與重摻雜區相反的摻雜物摻雜。要強調的是，本摘要必須使研究人員或其他讀者快速掌握技術說明書的主旨內容，本摘要符合以上要求。應明確，本摘要將不用於解釋或局限申請專利範圍的範圍或意圖。
简体摘要：一种形成在半导体衬底中的半导体功率器件含有一个重掺杂区，在由重掺杂区承载的轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近。半导体功率器件还包括源极沟槽，在由导电沟槽填充材料填充的重掺杂区中打开，导电沟槽填充材料与顶面附近的源极区电接触。半导体功率器件还包括沉积在源极沟槽下方的掩埋P-区，并用导电类型与重掺杂区相反的掺杂物掺杂。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限申请专利范围的范围或意图。

5. 发明专利

TW201308575A 半導體功率元件及其製備方法审中-公开
简体标题：半导体功率组件及其制备方法
公开(公告)号：TW201308575A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101125971
申请日：2012-07-19
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：李亦衡 , LEE, YEEHANG , 馬督兒博德 , BOBDE, MADHUR , 丁永平 , DING, YONGPING , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 安荷叭剌 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/60
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/407 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要：本發明揭露了一種設置在半導體基板中的半導體功率元件，含有一個形成在輕摻雜區上的重摻雜區，並且具有一個主動元件元區和一個邊緣終接區。邊緣終接區包括複數個終接溝槽，形成在重摻雜區中，終接溝槽內襯有電介質層，並且用導電材料填充。邊緣終接還包括複數個掩埋保護環，作為摻雜區，在半導體基板的輕摻雜區中，緊靠終接溝槽。
简体摘要：本发明揭露了一种设置在半导体基板中的半导体功率组件，含有一个形成在轻掺杂区上的重掺杂区，并且具有一个主动组件元区和一个边缘终接区。边缘终接区包括复数个终接沟槽，形成在重掺杂区中，终接沟槽内衬有电介质层，并且用导电材料填充。边缘终接还包括复数个掩埋保护环，作为掺杂区，在半导体基板的轻掺杂区中，紧靠终接沟槽。

6. 发明专利

TWI580051B 用於高壓MOSFET的處理方法和結構有权
简体标题：用于高压MOSFET的处理方法和结构
公开(公告)号：TWI580051B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW103116643
申请日：2014-05-09
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：丁永平 , DING, YONGPING , 張磊 , ZHANG, LEI , 常虹 , CHANG, HONG , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 陳軍 , CHEN, JOHN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/7827

7. 发明专利

TWI548059B 高壓場平衡金屬氧化物場效應電晶體有权
简体标题：高压场平衡金属氧化物场效应晶体管
公开(公告)号：TWI548059B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW102126806
申请日：2013-07-26
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 依瑪茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 胡軍 , HU, JUN , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 丁永平 , DING, YONGPING
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/60
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/26586 , H01L29/0615 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI528458B 半導體元件及其製備方法有权
简体标题：半导体组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI528458B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101114809
申请日：2012-04-25
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：蘇毅 , SU, YI , 伍時謙 , NG, DANIEL , 安荷叭剌 , BHALLA, ANUP , 常虹 , CHANG, HONG , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 陳軍 , CHEN, JOHN
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/7801 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0891 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/47 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/782 , H01L29/872

9. 发明专利

TWI511270B 半導體功率元件之邊緣終接結構及其製備方法有权
简体标题：半导体功率组件之边缘终接结构及其制备方法
公开(公告)号：TWI511270B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW101125971
申请日：2012-07-19
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：李亦衡 , LEE, YEEHANG , 馬督兒博德 , BOBDE, MADHUR , 丁永平 , DING, YONGPING , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 安荷叭剌 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/60
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/407 , H01L29/66734 , H01L29/7813

10. 发明专利

TW201444092A 用於高壓MOSFET的處理方法和結構审中-公开
简体标题：用于高压MOSFET的处理方法和结构
公开(公告)号：TW201444092A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103116643
申请日：2014-05-09
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：丁永平 , DING, YONGPING , 張磊 , ZHANG, LEI , 常虹 , CHANG, HONG , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 陳軍 , CHEN, JOHN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/7827
摘要：本發明提出了一種設置在半導體襯底中的半導體功率器件。該半導體功率器件包括多個溝槽，每個溝槽都有一個溝槽終點，終點側壁垂直於溝槽軸向，從頂面開始垂直向下延伸到溝槽底面。該半導體功率器件還包括一個設置在溝槽底面下方的溝槽底部摻雜區，以及一個沿終點側壁設置的側壁摻雜區，其中側壁摻雜區沿溝槽的垂直側壁向下垂直延伸，以觸及溝槽底部摻雜區，拾取溝槽底部摻雜區到半導體襯底的頂面。
简体摘要：本发明提出了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件。该半导体功率器件包括多个沟槽，每个沟槽都有一个沟槽终点，终点侧壁垂直于沟槽轴向，从顶面开始垂直向下延伸到沟槽底面。该半导体功率器件还包括一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，以及一个沿终点侧壁设置的侧壁掺杂区，其中侧壁掺杂区沿沟槽的垂直侧壁向下垂直延伸，以触及沟槽底部掺杂区，十取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式