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81. 发明专利

TW505845B 用以控制“灰色區"中之電子系統之操作狀態的裝置及方法失效
简体标题：用以控制“灰色区"中之电子系统之操作状态的设备及方法
公开(公告)号：TW505845B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW089124287
申请日：2000-11-16
申请人：艾姆微體電子-馬林公司
发明人：尚-諾爾狄瓦斯
IPC分类号： G06F , G05F
摘要：本發明與控制由電源(5)供電之低電力電子系統之操作狀態的裝置與方法有關，且特別包括一能在最低保證工作位準(VDD，min)操作的微處理器(10)。只要電源所供應的供應電壓(VDD)低於最低保證工作位準，一重置信號(CPU RST)將微處理器保持在重置狀態。按照本發明，只要供應電壓低於接通-重置門檻(VPOR)，微處理器即被保持在重置狀態，此接通-重置門檻等於或小於最低保證工作位準，且，只要供應電壓沒有至少到達最低保證工作位準，此重置狀態即被延長超過接通-重置門檻。因此，電源的壽命增加，且當微處理器在接通-重置門檻與最低保證工作位準間所定義的"灰色區"中時，可防止微處理器執行錯誤的指令。
简体摘要：本发明与控制由电源(5)供电之低电力电子系统之操作状态的设备与方法有关，且特别包括一能在最低保证工作位准(VDD，min)操作的微处理器(10)。只要电源所供应的供应电压(VDD)低于最低保证工作位准，一重置信号(CPU RST)将微处理器保持在重置状态。按照本发明，只要供应电压低于接通-重置门槛(VPOR)，微处理器即被保持在重置状态，此接通-重置门槛等于或小于最低保证工作位准，且，只要供应电压没有至少到达最低保证工作位准，此重置状态即被延长超过接通-重置门槛。因此，电源的寿命增加，且当微处理器在接通-重置门槛与最低保证工作位准间所定义的"灰色区"中时，可防止微处理器运行错误的指令。

82. 发明专利

TW478143B 具有解耦合電容之低功率積體電路有权
简体标题：具有解耦合电容之低功率集成电路
公开(公告)号：TW478143B
公开(公告)日：2002-03-01
申请号：TW089125240
申请日：2000-11-28
申请人：艾姆微體電子-馬林公司
发明人：菲碧絲華特 , 馬克希米力言詩提哥力克
IPC分类号： H01L
摘要：具有解耦合電容器的低功率積體電路，包括至少一個電壓調整器，供電給至少第一及第二供電軌(4、5)，第一電源線(6)連接到第一軌，第二電源線(7)連接到第二軌，格列(1)具有邏輯電路格(2)及填充格(3)，填充格做為邏輯電路格間之傳導連接條(8)的通道。每一格列(1)連接及插入在第一電源線(6)及第二電源線(7)之間，用以接收低功率的電源供應。在大多數的填充格(3)中，製造有解耦合電容器(30)，-並連接於第一及第二電源線之間。
简体摘要：具有解耦合电容器的低功率集成电路，包括至少一个电压调整器，供电给至少第一及第二供电轨(4、5)，第一电源线(6)连接到第一轨，第二电源线(7)连接到第二轨，格列(1)具有逻辑电路格(2)及填充格(3)，填充格做为逻辑电路格间之传导连接条(8)的信道。每一格列(1)连接及插入在第一电源线(6)及第二电源线(7)之间，用以接收低功率的电源供应。在大多数的填充格(3)中，制造有解耦合电容器(30)，-并连接于第一及第二电源线之间。

83. 发明专利

TW446812B 溫度位準檢測電路失效
简体标题：温度位准检测电路
公开(公告)号：TW446812B
公开(公告)日：2001-07-21
申请号：TW089107185
申请日：2000-04-17
申请人：艾姆微體電子-馬林公司
发明人：亞瑟笛肯比斯
IPC分类号： G01K
CPC分类号： G01K3/005 , G01K7/01
摘要：本發明有關於一種溫度位準檢測電路，包括用以產生二極體電壓(VvBE1到VvBE5)的裝置(B 1、B 2、 B 3、1 1、1 2、2 1、3 1、3 2)，以及包括電容元件(5 1、5 2、5 3)及開關裝置(SWl到SW4)的計算裝置,在第一及第二階段期間,開關裝置選擇及連續地將電容元件(5 1、5 2、5 3)連接到產生該二極體電壓(VvBE1到VvBE5)的裝置。在該第二階段期間,計算裝置產生一溫度信號，用以表示溫度位準高於或低於既定溫度門檻TvLIMIT，溫度門檻TvLIMIT的定義是方程式α1(VvBE2－VvBE1)+α2(VvBE3+α3(VvBE5－VvBE4))變為零時的溫度值，其中,α1、α2、α3是第一、第二及第三比例係數，由電容元件的值決定。
简体摘要：本发明有关于一种温度位准检测电路，包括用以产生二极管电压(VvBE1到VvBE5)的设备(B 1、B 2、 B 3、1 1、1 2、2 1、3 1、3 2)，以及包括电容组件(5 1、5 2、5 3)及开关设备(SWl到SW4)的计算设备,在第一及第二阶段期间,开关设备选择及连续地将电容组件(5 1、5 2、5 3)连接到产生该二极管电压(VvBE1到VvBE5)的设备。在该第二阶段期间,计算设备产生一温度信号，用以表示温度位准高于或低于既定温度门槛TvLIMIT，温度门槛TvLIMIT的定义是方进程α1(VvBE2－VvBE1)+α2(VvBE3+α3(VvBE5－VvBE4))变为零时的温度值，其中,α1、α2、α3是第一、第二及第三比例系数，由电容组件的值决定。

84. 发明专利

TW441176B 起始電路,尤其關於電力之應用失效
简体标题：起始电路,尤其关于电力之应用
公开(公告)号：TW441176B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW088115143
申请日：1999-09-02
申请人：艾姆微體電子-馬林公司
发明人：休格.積奇
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K17/223
摘要：本發明與起始電路（１０;２０;３０）有關，具有輸出端（１８）連接於積體電路（２），該起始電路可以供應該積體電路一電壓（ＲＳＴ０;ＲＳＴ１;ＲＳＴ２）以起始該積體電路，特別是在供應電壓（Ｖｄｄ）施加於起始電路及積體電路之後。此起始電路包括第一場效電晶體（ＮＯ），由供應電壓（Ｖｄｄ）控制，它連接於接地與第一電流源（１６）之間。此起始電路具有能監視供應給積體電路之供應電壓的優點，同時，所需的連續電流消耗大約１０ｎＡ。本電路另一種配置所具有優點是可應用於諸如ＥＥＰＲＯＭ記憶體等用途。
简体摘要：本发明与起始电路（１０;２０;３０）有关，具有输出端（１８）连接于集成电路（２），该起始电路可以供应该集成电路一电压（ＲＳＴ０;ＲＳＴ１;ＲＳＴ２）以起始该集成电路，特别是在供应电压（Ｖｄｄ）施加于起始电路及集成电路之后。此起始电路包括第一场效应管（ＮＯ），由供应电压（Ｖｄｄ）控制，它连接于接地与第一电流源（１６）之间。此起始电路具有能监视供应给集成电路之供应电压的优点，同时，所需的连续电流消耗大约１０ｎＡ。本电路另一种配置所具有优点是可应用于诸如ＥＥＰＲＯＭ内存等用途。

85. 发明专利

TW437063B 積體電路電阻構造失效
简体标题：集成电路电阻构造
公开(公告)号：TW437063B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW087106451
申请日：1998-04-27
申请人：艾姆微體電子-馬林公司
发明人：尚–諾爾.狄瓦斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0802
摘要：本發明係關於一種積體電路電阻構造(1 0)，包含一井( l )形成在一基底( 2 )中，且具有第一導電型，和一擴散區域( 3 )形成在該井中，且具有和第一導電型不同之第二導電型。該井具有第一和第二接觸端( 5 B，7 B )，以在該井中形成第一電阻(R well)，和該擴散區域( 3 )具有第三和第四接觸端(5 A，7 A)以在擴散區域中形成第二電阻。此構造包括一連接機構(l l)以連接外部端(M，N)和第一，第二，第三，和第四接觸端，以在多數之組合間形成該第一和第二電阻之選擇組合。圖2
简体摘要：本发明系关于一种集成电路电阻构造(1 0)，包含一井( l )形成在一基底( 2 )中，且具有第一导电型，和一扩散区域( 3 )形成在该井中，且具有和第一导电型不同之第二导电型。该井具有第一和第二接触端( 5 B，7 B )，以在该井中形成第一电阻(R well)，和该扩散区域( 3 )具有第三和第四接触端(5 A，7 A)以在扩散区域中形成第二电阻。此构造包括一连接机构(l l)以连接外部端(M，N)和第一，第二，第三，和第四接触端，以在多数之组合间形成该第一和第二电阻之选择组合。图2

86. 发明专利

TW408349B 積體電路的保護層及其製造方法失效
简体标题：集成电路的保护层及其制造方法
公开(公告)号：TW408349B
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：TW087114936
申请日：1998-09-08
申请人：艾姆微體電子-馬林公司
发明人：幕恩.優瑞奇 , 尼可拉斯.史尼伯格 , 多明尼克.積奇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01L9/0042 , H01L21/30608 , H01L23/3192 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明有關一種構造(２１)，形成於一基片(２３)之上，該基片(２３)係由打算藉一反應劑來蝕刻之基片材料所形成，此構造含有至少一第一外部層(２９)，或鈍化層，其具有一第一彈性特性；此構造尚含有至少一第二外部層(３３)形成於該第一層之上，使得該第二層具有一相異於該第一彈性特性之第二彈性特性，倘若該第二彈性特性在壓縮中提供該第二層有大於該第一層之彈性，則該構造有利地具有一高於９９.８％之產能。
简体摘要：本发明有关一种构造(２１)，形成于一基片(２３)之上，该基片(２３)系由打算藉一反应剂来蚀刻之基片材料所形成，此构造含有至少一第一外部层(２９)，或钝化层，其具有一第一弹性特性；此构造尚含有至少一第二外部层(３３)形成于该第一层之上，使得该第二层具有一相异于该第一弹性特性之第二弹性特性，倘若该第二弹性特性在压缩中提供该第二层有大于该第一层之弹性，则该构造有利地具有一高于９９.８％之产能。

87. 发明专利

TW385551B 積體感光器失效
简体标题：积体感光器
公开(公告)号：TW385551B
公开(公告)日：2000-03-21
申请号：TW087109183
申请日：1998-06-09
申请人：艾姆微體電子–馬林公司
发明人：安竹.格蘭帝罕
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2829 , G01R31/2884
摘要：感光器包含由網路單元(… …，Cn─1，Cn， Cn+1，Cn+2)組成的網路(R)，各網路單元包含光敏組件(PH)及操作電路(CE)，使從網路單元來的測量訊號(因為該網路單元的照明)傳送至感光器的共同輸出(SC)。定址訊號使所有的網路單元依序連接於該共同輸出。依照本發明，各網路單元也包含積體導電區域(RC)，積體導電區域與該光敏組件(PH)共同組成測試電容(CPT)，該測試電容耦合於寄生電容( CP)。考慮在黑暗中測試該光敏組件(PH)，積體感光器也包含整合於晶片(P)上的構件(H、CT、M)，藉以供應測試脈衝於該測試電容(CPT)(與該定位訊號的選擇性供應同步)，測試脈衝引起從該測試電容( CPT)至寄生電容(CP)的電荷傳導。該過程模擬二極體的照明，且於共同輸出(SC)上產生除了該測量訊號外被因此定址的網路單元作用的代表訊號。
简体摘要：感光器包含由网络单元(… …，Cn─1，Cn， Cn+1，Cn+2)组成的网络(R)，各网络单元包含光敏组件(PH)及操作电路(CE)，使从网络单元来的测量信号(因为该网络单元的照明)发送至感光器的共同输出(SC)。寻址信号使所有的网络单元依序连接于该共同输出。依照本发明，各网络单元也包含积体导电区域(RC)，积体导电区域与该光敏组件(PH)共同组成测试电容(CPT)，该测试电容耦合于寄生电容( CP)。考虑在黑暗中测试该光敏组件(PH)，积体感光器也包含集成于芯片(P)上的构件(H、CT、M)，借以供应测试脉冲于该测试电容(CPT)(与该定位信号的选择性供应同步)，测试脉冲引起从该测试电容( CPT)至寄生电容(CP)的电荷传导。该过程仿真二极管的照明，且于共同输出(SC)上产生除了该测量信号外被因此寻址的网络单元作用的代表信号。

88. 发明专利

TW328144B 包含光電電路之晶圓及鑑定此晶圓之方法失效
简体标题：包含光电电路之晶圆及鉴定此晶圆之方法
公开(公告)号：TW328144B
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：TW086106366
申请日：1997-05-13
申请人：艾姆微體電子–馬林公司
发明人：帕斯可.剛茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2884
摘要：一種晶圓（１０），包含數第一類（１１）光電電路，此第一類電路各包含電子模組（１３）及至少第一光電二極體（１４）。
此晶圓（１０）特徵在於其另包含至少一第二類（２１）積體光電電路，其具電子模組（２３），至少一第二光電二極體（２４）及至少一接合熱（２５）可接至一外部測量裝置，至少一接合墊（２５）疊於至少一第二光電二極體（２４）上，故第二類至少一電路（２１）可作為鑑定晶圓製造之電路。圖２
简体摘要：一种晶圆（１０），包含数第一类（１１）光电电路，此第一类电路各包含电子模块（１３）及至少第一光电二极管（１４）。此晶圆（１０）特征在于其另包含至少一第二类（２１）积体光电电路，其具电子模块（２３），至少一第二光电二极管（２４）及至少一接合热（２５）可接至一外部测量设备，至少一接合垫（２５）叠于至少一第二光电二极管（２４）上，故第二类至少一电路（２１）可作为鉴定晶圆制造之电路。图２

89. 发明专利

TW271026B 目標識別系統失效
简体标题：目标识别系统
公开(公告)号：TW271026B
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：TW084106430
申请日：1995-06-22
申请人：艾姆微體電子–馬林公司
发明人：文森.富坦斯
IPC分类号： H04B , H04L
CPC分类号： G06K7/082 , G07C1/24 , G07C1/26 , G07C9/00015
摘要：本發明係關於目標識別系統其中包含一具收發機（１）和至少一具應答機（３０）包括用以儲存應答機的識別碼之記憶裝置（３３，３４）及用以創造代表該識別碼之識別信號之設備（３５，３６，３７，３８）因此使該識別信號經由構成識別碼之位元予以調制。該收發機另外包括用來接收和解譯識別信號之設備（８，９，１０，１１，１２）。該應答機另外包括一只可變之碼產生器（３２）和用以將來自可變之碼產生器之可變碼記錄入記憶裝置（３３）中之設備（３１）因此使該可變之碼構成至少一部份的識別碼。舉例而言，該可變碼可能經由隨機或虛擬隨機碼予以構成。圖２
简体摘要：本发明系关于目标识别系统其中包含一具收发机（１）和至少一具应答机（３０）包括用以存储应答机的识别码之记忆设备（３３，３４）及用以创造代表该识别码之识别信号之设备（３５，３６，３７，３８）因此使该识别信号经由构成识别码之比特予以调制。该收发机另外包括用来接收和解译识别信号之设备（８，９，１０，１１，１２）。该应答机另外包括一只可变之码产生器（３２）和用以将来自可变之码产生器之可变码记录入记忆设备（３３）中之设备（３１）因此使该可变之码构成至少一部份的识别码。举例而言，该可变码可能经由随机或虚拟随机码予以构成。图２

90. 发明专利

TW202005243A 基本單元及包含此種基本單元的電荷泵审中-公开
简体标题：基本单元及包含此种基本单元的电荷泵
公开(公告)号：TW202005243A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108114276
申请日：2019-04-24
申请人：瑞士商艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S.A.
发明人：卡斯坦馬修 , COUSTANS, MATHIEU , 普拉維克盧邦默 , PLAVEC, LUBOMIR , 德拉馬力歐 , DELLEA, MARIO
IPC分类号： H02M3/07
摘要：基本泵單元包含接收輸入電壓(Vin)的輸入端子(E)；接收第一時脈信號(CK1)的時脈端子(H)及輸出端子(S)；第一電容器(C1)，具有連接到該時脈端子的第一端子及第二端子；第一電晶體(A1)，具有耦合到該輸入端子的第一源極/汲極端子、第二源極/汲極端子及閘極端子；第二電晶體(A2)，具有第一源極/汲極端子、耦合到該輸入端子的第二源極/汲極端子及耦合到該第一電容器的該第二端子的閘極端子；第三電晶體(A3)，具有耦合到該第二電晶體的該第一源極/汲極端子的第一源極/汲極端子、耦合到該第二電晶體的該閘極端子的第二源極/汲極端子及耦合到該輸入端子的閘極端子；以及第四電晶體(A4)，具有耦合到該第一電晶體的該第二源極/汲極端子的第一源極/汲極端子、耦合到第二及第三電晶體的該第一源極/汲極端子的第二源極/汲極端子及耦合到該輸入端子的閘極端子。該第一電晶體的該閘極端子耦合到該第二電晶體的該閘極端子。
简体摘要：基本泵单元包含接收输入电压(Vin)的输入端子(E)；接收第一时脉信号(CK1)的时脉端子(H)及输出端子(S)；第一电容器(C1)，具有连接到该时脉端子的第一端子及第二端子；第一晶体管(A1)，具有耦合到该输入端子的第一源极/汲极端子、第二源极/汲极端子及闸极端子；第二晶体管(A2)，具有第一源极/汲极端子、耦合到该输入端子的第二源极/汲极端子及耦合到该第一电容器的该第二端子的闸极端子；第三晶体管(A3)，具有耦合到该第二晶体管的该第一源极/汲极端子的第一源极/汲极端子、耦合到该第二晶体管的该闸极端子的第二源极/汲极端子及耦合到该输入端子的闸极端子；以及第四晶体管(A4)，具有耦合到该第一晶体管的该第二源极/汲极端子的第一源极/汲极端子、耦合到第二及第三晶体管的该第一源极/汲极端子的第二源极/汲极端子及耦合到该输入端子的闸极端子。该第一晶体管的该闸极端子耦合到该第二晶体管的该闸极端子。

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