专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明专利

TW201605762A 氧化物燒結體、濺鍍靶材及薄膜审中-公开
简体标题：氧化物烧结体、溅镀靶材及薄膜
公开(公告)号：TW201605762A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104126014
申请日：2015-08-11
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION
发明人：尾身健治 , OMI, KENJI , 伊藤謙一 , ITOH, KENICHI , 原慎一 , HARA, SHINICHI
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/495 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C23C14/34
摘要：本發明的目的為提供一種於高功率成膜時，異常放電現象亦少、為高成膜速率且可進行穩定的DC濺鍍的濺鍍靶材中所使用的氧化物燒結體。關於本發明的氧化物燒結體，於具有鋅、鈮及氧作為構成元素的氧化物燒結體中，於將鋅、鈮的含量分別設為Zn、Nb時，Nb/（Zn+Nb）以原子比計為0.064～0.334，且相對密度超過98%，體電阻值為1.0 Ω·cm～5000 Ω·cm。
简体摘要：本发明的目的为提供一种于高功率成膜时，异常放电现象亦少、为高成膜速率且可进行稳定的DC溅镀的溅镀靶材中所使用的氧化物烧结体。关于本发明的氧化物烧结体，于具有锌、铌及氧作为构成元素的氧化物烧结体中，于将锌、铌的含量分别设为Zn、Nb时，Nb/（Zn+Nb）以原子比计为0.064～0.334，且相对密度超过98%，体电阻值为1.0 Ω·cm～5000 Ω·cm。

72. 发明专利

TWI510450B 複合氧化物燒結體及其製造方法、濺鍍靶材、與氧化物透明導電膜及其製造方法有权
简体标题：复合氧化物烧结体及其制造方法、溅镀靶材、与氧化物透明导电膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI510450B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100135307
申请日：2011-09-29
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION
发明人：倉持豪人 , KURAMOCHI, HIDETO , 飯草仁志 , IIGUSA, HITOSHI , 澀田見哲夫 , SHIBUTAMI, TETSUO
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01B5/14
CPC分类号： H01B1/08 , C01G9/02 , C01G23/003 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3284 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/35

73. 发明专利

TW201507992A 燒結體及非晶質膜审中-公开
简体标题：烧结体及非晶质膜
公开(公告)号：TW201507992A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102148677
申请日：2013-12-27
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要：本發明之課題在於提供一種燒結體，該燒結體可得到能夠維持良好之可見光透射率與導電性的透明導電膜，尤其是低折射率的非晶質膜。此薄膜由於透射率高，且機械特性優異，故適用於顯示器之透明導電膜或光碟之保護膜。其目的在於藉此提升光元件之特性，降低設備成本，大幅改善成膜之特性。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种烧结体，该烧结体可得到能够维持良好之可见光透射率与导电性的透明导电膜，尤其是低折射率的非晶质膜。此薄膜由于透射率高，且机械特性优异，故适用于显示器之透明导电膜或光盘之保护膜。其目的在于借此提升光组件之特性，降低设备成本，大幅改善成膜之特性。

74. 发明专利

TW201504188A 複合氧化物燒結體、非晶質複合氧化膜之製造方法、非晶質複合氧化膜、結晶質複合氧化膜之製造方法及結晶質複合氧化膜审中-公开
简体标题：复合氧化物烧结体、非晶质复合氧化膜之制造方法、非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜之制造方法及结晶质复合氧化膜
公开(公告)号：TW201504188A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103135135
申请日：2008-07-10
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：生澤正克 , IKISAWA, MASAKATSU , 矢作政隆 , YAHAGI, MASATAKA , 長田幸三 , OSADA, KOZO , 掛野崇 , KAKENO, TAKASHI
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/64
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C23C14/5806
摘要：一種膜，其特徵在於，為實質上由銦、錫、鈣及氧所構成，錫以Sn/(In+Sn+Ca)之原子數比計含有5~15%之比例，鈣以Ca/(In+Sn+Ca)之原子數比計含有0.1~2.0%之比例，剩餘部分由銦與氧所構成之非晶質膜，且以260℃以下之溫度進行退火，藉此使該膜結晶化，使膜之電阻率在0.4mΩcm以下。本發明之目的在於提供一種平面顯示器用顯示電極等所使用之ITO系薄膜，詳而言之，係提供一種在不對基板進行加熱且成膜時不添加水下，進行濺鍍成膜，以得到非晶質之ITO系膜，且以260℃以下之不過高之溫度之退火，使該ITO系膜結晶化，而具有結晶化後之電阻率降低之特性之ITO系膜、該膜之製造方法及用以製造該膜之燒結體。
简体摘要：一种膜，其特征在于，为实质上由铟、锡、钙及氧所构成，锡以Sn/(In+Sn+Ca)之原子数比计含有5~15%之比例，钙以Ca/(In+Sn+Ca)之原子数比计含有0.1~2.0%之比例，剩余部分由铟与氧所构成之非晶质膜，且以260℃以下之温度进行退火，借此使该膜结晶化，使膜之电阻率在0.4mΩcm以下。本发明之目的在于提供一种平面显示器用显示电极等所使用之ITO系薄膜，详而言之，系提供一种在不对基板进行加热且成膜时不添加水下，进行溅镀成膜，以得到非晶质之ITO系膜，且以260℃以下之不过高之温度之退火，使该ITO系膜结晶化，而具有结晶化后之电阻率降低之特性之ITO系膜、该膜之制造方法及用以制造该膜之烧结体。

75. 发明专利

TW201435105A 氧化鋅系透明導電膜审中-公开
简体标题：氧化锌系透明导电膜
公开(公告)号：TW201435105A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102146659
申请日：2013-12-17
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：中田邦彥 , NAKATA, KUNIHIKO , 堀田翔平 , HOTTA, SHOHEI
IPC分类号： C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/64 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01B5/14 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本發明之氧化鋅系透明導電膜，其係包含鋅原子、氧原子與下述所定義的M之氧化鋅系透明導電膜，鋅原子數、氧原子數、鈦原子數、鎵原子數與鋁原子數之合計之相對於構成該膜之全原子數為99%以上，鈦原子數、鎵原子數及鋁原子數之合計原子數之相對於該膜中所包含的鋅原子數、鈦原子數、鎵原子數及鋁原子數之合計原子數之比例((鈦原子數+鎵原子數+鋁原子數)/(鋅原子數+鈦原子數+鎵原子數+鋁原子數)×100)為1.3%以上且2.0%以下，鈦原子數之相對於該膜中所包含的鈦原子數、鎵原子數及鋁原子數之合計原子數，至少為50%，載體電子濃度為3.60×1020cm-3以下，移動度為43.0cm2/Vs以上，及比電阻為5.00×10-4Ω．cm以下，M：鈦原子；鈦原子及鎵原子；鈦原子及鋁原子；或鈦原子、鎵原子及鋁原子。
简体摘要：本发明之氧化锌系透明导电膜，其系包含锌原子、氧原子与下述所定义的M之氧化锌系透明导电膜，锌原子数、氧原子数、钛原子数、镓原子数与铝原子数之合计之相对于构成该膜之全原子数为99%以上，钛原子数、镓原子数及铝原子数之合计原子数之相对于该膜中所包含的锌原子数、钛原子数、镓原子数及铝原子数之合计原子数之比例((钛原子数+镓原子数+铝原子数)/(锌原子数+钛原子数+镓原子数+铝原子数)×100)为1.3%以上且2.0%以下，钛原子数之相对于该膜中所包含的钛原子数、镓原子数及铝原子数之合计原子数，至少为50%，载体电子浓度为3.60×1020cm-3以下，移动度为43.0cm2/Vs以上，及比电阻为5.00×10-4Ω．cm以下，M：钛原子；钛原子及镓原子；钛原子及铝原子；或钛原子、镓原子及铝原子。

76. 发明专利

TWI443078B 濺鍍靶及其所構成之氧化物半導體薄膜失效
简体标题：溅镀靶及其所构成之氧化物半导体薄膜
公开(公告)号：TWI443078B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW098122009
申请日：2009-06-30
申请人：出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
发明人：井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 寺井恒太 , TERAI, KOTA
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/767 , C04B2235/80 , C23C14/3414

77. 发明专利

TW201406664A 摻雜銻之氧化錫、紅外線吸收顏料、紅外線吸收油墨、印刷物及摻雜銻之氧化錫的製造方法审中-公开
简体标题：掺杂锑之氧化锡、红外线吸收颜料、红外线吸收油墨、印刷物及掺杂锑之氧化锡的制造方法
公开(公告)号：TW201406664A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102116828
申请日：2013-05-10
申请人：共同印刷股份有限公司 , KYODO PRINTING CO., LTD.
发明人：小林文人 , KOBAYASHI, FUMIHITO , 吉住涉 , YOSHIZUMI, WATARU , 島根博昭 , SHIMANE, HIROAKI , 川正太 , KAWASAKI, SHOTA , 山田厚 , YAMADA, ATSUSHI
IPC分类号： C01G30/00 , C04B35/453 , C09D5/32
CPC分类号： G02B5/208 , C01G19/00 , C01G30/00 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C08K3/2279 , C08K9/02 , C08K2003/2231 , C09D5/32 , C09D7/61 , C09D11/037 , G02B1/00 , Y10T428/24901
摘要：一種含有氧化錫和氧化銻的摻雜銻氧化錫，其係滿足下述(a)以及/或是(b)：(a)藉由X光繞射測定而得到的2 θ=27°附近之半高寬(Δ2 θ)為0.35以下；以及/或是(b)前述氧化銻之含有量係將前述摻雜銻氧化錫之重量作為基準，為0.5~10.0重量%，而且結晶化度為18092以上，結晶化度係將由X光繞射測定而得到的2 θ=27°附近之波峰之峰值，以半高寬(Δ2 θ)來除算的值。
简体摘要：一种含有氧化锡和氧化锑的掺杂锑氧化锡，其系满足下述(a)以及/或是(b)：(a)借由X光绕射测定而得到的2 θ=27°附近之半高宽(Δ2 θ)为0.35以下；以及/或是(b)前述氧化锑之含有量系将前述掺杂锑氧化锡之重量作为基准，为0.5~10.0重量%，而且结晶化度为18092以上，结晶化度系将由X光绕射测定而得到的2 θ=27°附近之波峰之峰值，以半高宽(Δ2 θ)来除算的值。

78. 发明专利

TW201402846A 濺鍍靶及高電阻透明膜及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶及高电阻透明膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201402846A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102104368
申请日：2013-02-05
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：張守斌 , ZHANG, SHOUBIN , 近藤佑一 , KONDOU, YUICHI , 森理惠 , MORI, RIE , 山口剛 , YAMAGUCHI, GOU
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453
CPC分类号： C04B35/453 , B82Y30/00 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B37/026 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/782 , C04B2235/784 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要：本發明之課題在於提供即使直流電(DC)濺鍍也可以製作高電阻透明膜之濺鍍靶及高電阻透明膜以及其製造方法。本發明之解決手段為濺鍍靶以氧化鋅為主成分，由對所有金屬成分量，具有0.005~0.1原子百分比In，Ga，Al，B之元素群選擇的1種或2種以上的元素的成分組成之氧化物燒結體所構成，前述氧化物燒結體的密度為5.3g/cm3以上。高電阻透明膜係使用前述濺鍍靶藉由直流電濺鍍成膜，體積電阻率為1×104Ω．cm以上。
简体摘要：本发明之课题在于提供即使直流电(DC)溅镀也可以制作高电阻透明膜之溅镀靶及高电阻透明膜以及其制造方法。本发明之解决手段为溅镀靶以氧化锌为主成分，由对所有金属成分量，具有0.005~0.1原子百分比In，Ga，Al，B之元素群选择的1种或2种以上的元素的成分组成之氧化物烧结体所构成，前述氧化物烧结体的密度为5.3g/cm3以上。高电阻透明膜系使用前述溅镀靶借由直流电溅镀成膜，体积电阻率为1×104Ω．cm以上。

79. 发明专利

TWI415820B Ｉｎ-Ｇａ-Ｚｎ-Ｓｎ系氧化物燒結體，及物理成膜用標靶有权
简体标题：Ｉｎ-Ｇａ-Ｚｎ-Ｓｎ系氧化物烧结体，及物理成膜用标靶
公开(公告)号：TWI415820B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW096147693
申请日：2007-12-13
申请人：出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
发明人：矢野公規 , YANO, KOKI , 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631

80. 发明专利

TW201329016A 奈米氧化銦鎵鋅粉末的製作方法审中-公开
简体标题：奈米氧化铟镓锌粉末的制作方法
公开(公告)号：TW201329016A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101101491
申请日：2012-01-13
申请人：巨眾光電科技有限公司 , GIGATRON TECHNOLOGY ENTERPRISE LIMITED
发明人：呂昆達
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/34 , H01L29/786
摘要：本發明係揭示一種奈米氧化銦鎵鋅粉末的製作方法，主要包括：利用溶劑溶解銦、鎵、鋅金屬或化合物，形成前驅金屬離子溶液；在沉澱溫度下進行多階段低溫共沉澱處理，以產生沉澱溶液；過濾以產生初級濾餅；進行清洗處理，降低陰離子，以產生最終濾餅；乾燥以產生共沉澱複合物粉末；以及進行煆燒處理，以產生奈米氧化銦鎵鋅粉末。低溫共沉澱處理可包括加入沉澱劑、調整酸鹼值以及進行陳化，而清洗處理可包括水洗、攪拌分散及過濾。本發明具有處理簡單及成本低廉的優點，且所製作的奈米氧化銦鎵鋅粉末非常適合製作濺鍍用的氧化銦鎵鋅靶材。
简体摘要：本发明系揭示一种奈米氧化铟镓锌粉末的制作方法，主要包括：利用溶剂溶解铟、镓、锌金属或化合物，形成前驱金属离子溶液；在沉淀温度下进行多阶段低温共沉淀处理，以产生沉淀溶液；过滤以产生初级滤饼；进行清洗处理，降低阴离子，以产生最终滤饼；干燥以产生共沉淀复合物粉末；以及进行煅烧处理，以产生奈米氧化铟镓锌粉末。低温共沉淀处理可包括加入沉淀剂、调整酸碱值以及进行陈化，而清洗处理可包括水洗、搅拌分散及过滤。本发明具有处理简单及成本低廉的优点，且所制作的奈米氧化铟镓锌粉末非常适合制作溅镀用的氧化铟镓锌靶材。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式