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1. 发明专利

TWI518196B 濺鍍靶有权
简体标题：溅镀靶
公开(公告)号：TWI518196B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100146434
申请日：2011-12-15
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：掛野崇 , KAKENO, TAKASHI , 鈴木了 , SUZUKI, RYO , 栗原敏也 , KURIHARA, TOSHIYA , 中村祐一郎 , NAKAMURA, YUICHIRO , 關和廣 , SEKI, KAZUHIRO , 牧野修仁 , MAKINO, NOBUHITO , 熊原吉一 , KUMAHARA, YOSHIKAZU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C04B37/026 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C04B2237/708 , C04B2237/76 , C23C14/564

2. 发明专利

TWI594970B ＩＴＯ濺鍍靶及其製造方法、以及ＩＴＯ透明導電膜及ＩＴＯ透明導電膜之製造方法有权
简体标题：ＩＴＯ溅镀靶及其制造方法、以及ＩＴＯ透明导电膜及ＩＴＯ透明导电膜之制造方法
公开(公告)号：TWI594970B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW104136584
申请日：2015-11-06
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：掛野崇 , KAKENO, TAKASHI
IPC分类号： C04B35/01 , C30B29/22 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01B5/14
CPC分类号： C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B5/14 , H01B13/00

3. 发明专利

TW201446998A ＩＴＯ濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：ＩＴＯ溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201446998A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103102621
申请日：2014-01-24
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：栗原敏也 , KURIHARA, TOSHIYA , 掛野崇 , KAKENO, TAKASHI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C04B35/457 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要：一種ITO濺鍍靶，其係由銦(In)、錫(Sn)、氧(O)、不可避免之雜質構成之燒結體，錫(Sn)含量(原子組成比：at.%)在0.3以上且14.5at.%以下，其特徵在於：體電阻率為0.1mΩ．cm~1.4mΩ．cm，於將靶厚設為t之情形時，厚度t之體電阻率與板厚方向之任意地點的體電阻率其差異在20%以下。本發明係關於一種適於形成ITO膜的ITO濺鍍靶，特別是可以提供一種自靶之濺鍍初期直至結束時，膜特性之變化少的ITO濺鍍靶及其製造方法。也就是說，藉由使ITO濺鍍靶之厚度方向的氧缺損變動少，並使靶表面與內部之體電阻率的差異在20%以內，而使隨著進行濺鍍的膜特性變化少，從而可確保成膜品質的提高及可靠性。其結果，具有可提高ITO靶之生產性或可靠性之優異效果。本發明之ITO濺鍍靶對於形成ITO膜特別有用。
简体摘要：一种ITO溅镀靶，其系由铟(In)、锡(Sn)、氧(O)、不可避免之杂质构成之烧结体，锡(Sn)含量(原子组成比：at.%)在0.3以上且14.5at.%以下，其特征在于：体电阻率为0.1mΩ．cm~1.4mΩ．cm，于将靶厚设为t之情形时，厚度t之体电阻率与板厚方向之任意地点的体电阻率其差异在20%以下。本发明系关于一种适于形成ITO膜的ITO溅镀靶，特别是可以提供一种自靶之溅镀初期直至结束时，膜特性之变化少的ITO溅镀靶及其制造方法。也就是说，借由使ITO溅镀靶之厚度方向的氧缺损变动少，并使靶表面与内部之体电阻率的差异在20%以内，而使随着进行溅镀的膜特性变化少，从而可确保成膜品质的提高及可靠性。其结果，具有可提高ITO靶之生产性或可靠性之优异效果。本发明之ITO溅镀靶对于形成ITO膜特别有用。

4. 发明专利

TWI550110B 氧化物燒結體、其製造方法及氧化物燒結體製造用原料粉末有权
简体标题：氧化物烧结体、其制造方法及氧化物烧结体制造用原料粉末
公开(公告)号：TWI550110B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW099117849
申请日：2010-06-03
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：長田幸三 , OSADA, KOZO , 掛野崇 , KAKENO, TAKASHI , 高見英生 , TAKAMI, HIDEO , 生澤正克 , IKISAWA, MASAKATSU , 矢作政隆 , YAHAGI, MASATAKA
IPC分类号： C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/453 , C01G15/006 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6585 , C04B2235/724 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08

5. 发明专利

TW201630849A ＩＴＯ濺鍍靶及其製造方法、以及ＩＴＯ透明導電膜及ＩＴＯ透明導電膜之製造方法审中-公开
简体标题：ＩＴＯ溅镀靶及其制造方法、以及ＩＴＯ透明导电膜及ＩＴＯ透明导电膜之制造方法
公开(公告)号：TW201630849A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104136584
申请日：2015-11-06
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：掛野崇 , KAKENO, TAKASHI
IPC分类号： C04B35/01 , C30B29/22 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01B5/14
CPC分类号： C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B5/14 , H01B13/00
摘要：關於一種濺鍍靶，係由In、Sn、O及不可避免之雜質構成之燒結體，含有以原子比計Sn/(In+Sn)在1.8%以上3.7%以下(惟，不包括3.7%)之Sn，燒結體之平均結晶粒徑為1.0~5.0μm之範圍，長軸徑0.1~1.0μm之空孔為面積比率0.5%以下，成為氧化銦相與富氧化錫相之2相，富氧化錫相之面積率在0.1~1.0%以下，富氧化錫相之95%以上存在於晶界三接點。可提供一種適於形成透明導電膜且即使是低溫亦可得到低電阻膜之低氧化錫組成之ITO濺鍍靶，該濺鍍靶之粒徑小、密度及強度高、可減少電弧及突起物。且可減少膜特性隨著濺鍍進行發生變化，提升成膜之品質。其結果，具有可提升靶之生產性及可靠性之優異效果。
简体摘要：关于一种溅镀靶，系由In、Sn、O及不可避免之杂质构成之烧结体，含有以原子比计Sn/(In+Sn)在1.8%以上3.7%以下(惟，不包括3.7%)之Sn，烧结体之平均结晶粒径为1.0~5.0μm之范围，长轴径0.1~1.0μm之空孔为面积比率0.5%以下，成为氧化铟相与富氧化锡相之2相，富氧化锡相之面积率在0.1~1.0%以下，富氧化锡相之95%以上存在于晶界三接点。可提供一种适于形成透明导电膜且即使是低温亦可得到低电阻膜之低氧化锡组成之ITO溅镀靶，该溅镀靶之粒径小、密度及强度高、可减少电弧及突起物。且可减少膜特性随着溅镀进行发生变化，提升成膜之品质。其结果，具有可提升靶之生产性及可靠性之优异效果。

6. 发明专利

TWI515315B ＩＴＯ濺鍍靶有权
简体标题：ＩＴＯ溅镀靶
公开(公告)号：TWI515315B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW100121187
申请日：2011-06-17
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：掛野崇 , KAKENO, TAKASHI , 鈴木了 , SUZUKI, RYO , 栗原敏也 , KURIHARA, TOSHIYA , 中村祐一郎 , NAKAMURA, YUICHIRO , 関和廣 , SEKI, KAZUHIRO , 牧野修仁 , MAKINO, NOBUHITO , 熊原吉一 , KUMAHARA, YOSHIKAZU
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/086 , C23C14/3407

7. 发明专利

TWI476159B 複合氧化物燒結體、非晶質複合氧化膜之製造方法、非晶質複合氧化膜、結晶質複合氧化膜之製造方法及結晶質複合氧化膜有权
简体标题：复合氧化物烧结体、非晶质复合氧化膜之制造方法、非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜之制造方法及结晶质复合氧化膜
公开(公告)号：TWI476159B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW097126039
申请日：2008-07-10
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：生澤正克 , IKISAWA, MASAKATSU , 矢作政隆 , YAHAGI, MASATAKA , 長田幸三 , OSADA, KOZO , 掛野崇 , KAKENO, TAKASHI
IPC分类号： C01G19/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C23C14/5806

8. 发明专利

TWI395826B 非晶質複合氧化膜、晶質複合氧化膜、非晶質複合氧化膜之製造方法、晶質複合氧化膜之製造方法及複合氧化物燒結體有权
简体标题：非晶质复合氧化膜、晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜之制造方法、晶质复合氧化膜之制造方法及复合氧化物烧结体
公开(公告)号：TWI395826B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW097122496
申请日：2008-06-17
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：生澤正克 , IKISAWA, MASAKATSU , 矢作政隆 , YAHAGI, MASATAKA , 長田幸三 , OSADA, KOZO , 掛野崇 , KAKENO, TAKASHI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/00 , H01B5/14
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B2235/3206 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C23C14/3414 , C23C14/5806

9. 发明专利

TWI608112B ＩＴＯ濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：ＩＴＯ溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI608112B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103102621
申请日：2014-01-24
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：栗原敏也 , KURIHARA, TOSHIYA , 掛野崇 , KAKENO, TAKASHI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C04B35/457 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C23C14/086 , C23C14/3414

10. 发明专利

TWI573773B 複合氧化物燒結體、非晶質複合氧化膜之製造方法、非晶質複合氧化膜、結晶質複合氧化膜之製造方法及結晶質複合氧化膜有权
简体标题：复合氧化物烧结体、非晶质复合氧化膜之制造方法、非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜之制造方法及结晶质复合氧化膜
公开(公告)号：TWI573773B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW103135135
申请日：2008-07-10
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：生澤正克 , IKISAWA, MASAKATSU , 矢作政隆 , YAHAGI, MASATAKA , 長田幸三 , OSADA, KOZO , 掛野崇 , KAKENO, TAKASHI
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/64
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C23C14/5806

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