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热词
    • 74. 发明专利
    • 脈衝式正反器
    • 脉冲式正反器
    • TW201421907A
    • 2014-06-01
    • TW101145081
    • 2012-11-30
    • 國立交通大學NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
    • 李鎮宜LEE, CHENYI宋偉豪SUNG, WEIHAO李明哲LEE, MINGCHE
    • H03K3/012H03K3/356
    • H03K3/012H03K3/356173
    • 一種脈衝式正反器,係響應第一及第二時脈訊號,閂鎖資料輸入訊號,以將其轉換為資料輸出訊號,脈衝式正反器包含脈衝產生器以及閂鎖器,脈衝產生器包含第一反相器及訊號延遲電路,用以接收第一時脈訊號並產生第二時脈訊號;而閂鎖器包含傳遞電路、閂鎖電路以及控制電路。閂鎖器響應第一及第二時脈訊號,用以閂鎖資料輸入訊號並輸出資料輸出訊號,其中傳遞電路用以傳遞資料輸入訊號;閂鎖電路電性連接於傳遞電路,用以接收和閂鎖資料輸入訊號,並輸出資料輸出訊號;而控制電路電性連接於閂鎖電路,用以提供電壓控制閂鎖電路的開與關。
    • 一种脉冲式正反器,系响应第一及第二时脉信号,闩锁数据输入信号,以将其转换为数据输出信号,脉冲式正反器包含脉冲产生器以及闩锁器,脉冲产生器包含第一反相器及信号延迟电路,用以接收第一时脉信号并产生第二时脉信号;而闩锁器包含传递电路、闩锁电路以及控制电路。闩锁器响应第一及第二时脉信号,用以闩锁数据输入信号并输出数据输出信号,其中传递电路用以传递数据输入信号;闩锁电路电性连接于传递电路,用以接收和闩锁数据输入信号,并输出数据输出信号;而控制电路电性连接于闩锁电路,用以提供电压控制闩锁电路的开与关。
    • 75. 发明专利
    • 位準轉換器以及運算放大器
    • 位准转换器以及运算放大器
    • TW201417504A
    • 2014-05-01
    • TW101138814
    • 2012-10-19
    • 晨星半導體股份有限公司MSTAR SEMICONDUCTOR, INC.
    • 謝宜政HSIEH, YI CHENG
    • H03K3/356H03F3/45
    • H03K3/012H03K19/018528
    • 一種位準轉換器,包含:一訊號接收模組,根據輸入訊號導通或不導通;一位準調整模組,根據該輸入訊號產生一調整後輸出訊號,該位準調整模組包含一第一連接端以及一第二連接端,其中該第二連接端耦接該訊號接收模組;以及一開關模組,具有一第一端耦接該第一連接端以及一第二端耦接該第二連接端,當該開關模組導通時,一電流路徑透過該開關模組形成於該第一連接端、該第二連接端以及該訊號接收模組之間,當該開關模組不導通時,一電流無法從該第一連接端流至該第二連接端。
    • 一种位准转换器,包含:一信号接收模块,根据输入信号导通或不导通;一位准调整模块,根据该输入信号产生一调整后输出信号,该位准调整模块包含一第一连接端以及一第二连接端,其中该第二连接端耦接该信号接收模块;以及一开关模块,具有一第一端耦接该第一连接端以及一第二端耦接该第二连接端,当该开关模块导通时,一电流路径透过该开关模块形成于该第一连接端、该第二连接端以及该信号接收模块之间,当该开关模块不导通时,一电流无法从该第一连接端流至该第二连接端。
    • 77. 发明专利
    • 位準偏移電路
    • 位准偏移电路
    • TW201315151A
    • 2013-04-01
    • TW101119677
    • 2012-05-31
    • 哉英電子股份有限公司THINE ELECTRONICS, INC.
    • 根塚智裕NEZUKA, TOMOHIRO
    • H03K3/012H03K3/356
    • H03K3/356182
    • 本發明係一種位準偏移電路,其中,位準偏移電路(2A)係具備第1PMOS電晶體(31),第2PMOS電晶體(32),第1NMOS電晶體(41)及第2NMOS電晶體(42)之其他,亦具備第3NMOS電晶體(43)及第4NMOS電晶體(44)。各第1PMOS電晶體(31)及第2PMOS電晶體(32)之源極端子係連接於較第1基準電位(Vddl)為高之第2基準電位(Vddh)。各第3NMOS電晶體(43)及第4NMOS電晶體(44)之汲極端子亦連接於第2基準電位(Vddh)。可提供更可消耗電力降低及速度上升之位準偏移電路。
    • 本发明系一种位准偏移电路,其中,位准偏移电路(2A)系具备第1PMOS晶体管(31),第2PMOS晶体管(32),第1NMOS晶体管(41)及第2NMOS晶体管(42)之其他,亦具备第3NMOS晶体管(43)及第4NMOS晶体管(44)。各第1PMOS晶体管(31)及第2PMOS晶体管(32)之源极端子系连接于较第1基准电位(Vddl)为高之第2基准电位(Vddh)。各第3NMOS晶体管(43)及第4NMOS晶体管(44)之汲极端子亦连接于第2基准电位(Vddh)。可提供更可消耗电力降低及速度上升之位准偏移电路。