专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

77. 发明专利

TWI326190B 膜形成方法及電子裝置之製造方法失效
简体标题：膜形成方法及电子设备之制造方法
公开(公告)号：TWI326190B
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：TW094139434
申请日：2002-09-12
申请人：精工愛普生股份有限公司
发明人：宮澤貴士
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/04 , C23C14/228 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/0002 , H01L51/0013 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/0085
摘要：本發明係提供一種提高材料之選擇自由度之新的圖案之形成方法，同時提供膜形成方法、膜形成裝置、形成圖案之裝置、光電裝置及其製造方法、電子機器及電子裝置及其製造方法。
本發明係關於一種形成圖案之裝置1，其特徵係由具備可調整為高真空度之真空箱2；與材料供給源7連接，且安裝於該真空箱2，將材料供給源7之材料供給真空箱2內之噴嘴3；設置於真空箱2內，使基體S保持固定之基體台4所成。噴嘴3或基體台4上設置使該噴嘴與基體之相對位置移動的移動機構11。
理想為產生材料分子之自由射流(free jet)，使用此自由射流進行濺鍍(形成自由射流圖案)。藉此可形成更高精度之圖案。【創作特點】發明之揭示
為了達成上述目的，本發明之圖案之形成方法，其特徵係將基體配置於調整為高真空度之真空氣氛中，由與材料供給源連接之噴嘴將材料吐出至前述真空氣氛中，前述基體上形成由前述材料所構成之圖案。
此圖案之形成方法中，若材料吐出至充分低於噴嘴內之壓力氣氛之真空氣氛時，此材料例如可以氣化狀態、且理想為分子線狀吐出。因此，控制噴嘴與基體之相對位置，將此材料射出於基體上。藉此低分子系材料或高分子系材料均無特別限定，可形成圖案。
本發明之另一種圖案之形成方法，其特徵係將基體配置於調整為高真空度之真空氣氛中，由與材料供給源連接之多個噴嘴中之至少一個將材料吐出至前述真空氣氛中，前述基體上形成由前述材料所構成之圖案。
此圖案之形成方法中，若材料吐出至充分低於噴嘴內之壓力氣氛之真空氣氛時，此材料例如可以汽化狀態、且理想為分子線狀吐出。因此，控制噴嘴與基體之相對位置，將此材料射出於基體上，不特別需要光罩，即可形成圖案。藉此低分子系材料或高分子系材料均無特別限定，可形成圖案。
多個噴嘴與材料供給源連接，擴大可一次配置材料之區域，或增加單位時間之材料供給量，或同時釋放不同的材料，可提高生產量。
此圖案之形成方法中，由前述多個噴嘴中之至少兩個噴嘴可吐出相同之前述材料。
如此由至少兩個噴嘴釋放相同之前述材料，因此，例如擴大可一次配置材料之區域，或可一次配置材料於多個區域，且增加單位時間之材料供給量。
此圖案之形成方法中，使該噴嘴與該基體產生相對移動，對於該基體而言，可決定該噴嘴的位置。
如此，使多個噴嘴與基體產生相對移動，對於該基體而言，可決定多個噴嘴的位置，可將材料確實配置於基體上之所定位置。也可容易將材料配置於基體上之多個位置。
前述圖案之形成方法中，該材料在真空氣氛中產生汽化的狀態下，由該噴嘴將材料吐出至真空氣氛中較佳。
理想為將材料以分子線狀吐出。如此使此材料汽化，因此，不必特別使用溶媒，也不必特別限制即使不容易溶於溶媒之材料，可更確實形成圖案。
前述圖案之形成方法，也可由該噴嘴以間斷方式將材料吐出。
如此例如可形成不連續之圖案，因此，此方法可適用於例如製造有機電激發光元件時，對於多個獨立之像素而言，發光層等之形成材料可容易形成圖案。
前述圖案之形成方法中，其係將該材料與載體氣體一同由噴嘴吐出較佳。
如此例如可將材料與載體氣體一同確實由噴嘴吐出，可確實配置於所要的位置，可提高形成圖案之精度。
前述圖案之形成方法中，必要之真空度基本上係依存於由噴嘴吐出之材料，低沸點材料可在730 Torr(98000Pa)以下，而一般材料其真空氣氛為10 － 3 Torr(0.133Pa)以下之真空度為佳，更理想為10 － 5 Torr(0.00133Pa)以下。真空氣氛為10 － 3 Torr(0.133Pa)以下時，例如不易吐出之材料也容易吐出，若為10 － 5 Torr(0.00133Pa)以下時，可吐出更多種材料，吐出之材料汽化容易形成分子線狀。
本發明之第1之膜形成方法，其特徵係含有：由與材料供給源連接之噴嘴將材料吐出至真空氣氛中，在基體之第1區域上形成含有該材料之膜或以該材料為前驅物之膜之第1步驟；由該噴嘴將前述材料吐出至真空氣氛中，在與前述第1區域不同之第2區域上形成含有該材料之膜或以該材料為前驅物之膜之第2步驟。
前述之膜形成方法中，前述第1步驟及前述第2步驟不必返回至大氣壓力，在調整為前述所定之真空度之氣氛中連續進行較佳。藉此可降低外部雜質之混入，同時可對應前述基體上之多個區域形成膜。
本發明之第2之膜形成方法，其特徵係由與材料供給源連接之第1噴嘴將材料吐出至真空氣氛中，在基體之第1區域上形成含有該材料之膜或以該材料為前驅物之膜，同時由與材料供給源連接之第2噴嘴將材料吐出至真空氣氛中，在與前述第1區域不同之第2區域上形成含有該材料之膜或以該材料為前驅物之膜。
依據前述第2之膜形成方法可在前述基體之多個區域上同時形成膜，可縮短膜形成步驟。
本發明之第3之膜形成方法，其特徵係由與第1材料供給源連接之第1噴嘴將第1材料吐出至真空氣氛中，在基體之第1區域上形成含有該第1材料之膜或以該材料為前驅物之膜，同時由與第2材料供給源連接之第2噴嘴將第2材料吐出至真空氣氛中，在與前述第1區域不同之第2區域上形成含有該第2材料之膜或以該材料為前驅物之膜。
依據前述第3之膜形成方法可在前述基體之多個區域上同時形成具有不同組成之膜，可縮短膜形成步驟。
前述膜形成方法中，必要之真空度基本上係依存於由噴嘴吐出之材料，低沸點材料可在730 Torr(98000Pa)以下，而一般材料其真空氣氛為10 － 3 Torr(0.133Pa)以下之真空度為佳，更理想為10 － 5 Torr(0.00133Pa)以下。
本發明之形成圖案之裝置，其特徵係由具備可調整為高真空度之真空箱；與材料供給源連接，且安裝於該真空箱之，將前述材料供給源之材料供給該真空箱內之噴嘴；設置於該真空箱內，保持固定基體之基體台所成，前述噴嘴或基體台上設置使該噴嘴與基體之相對位置移動的移動機構。
依據此形成圖案之裝置時，將材料吐出至充分低於噴嘴內之壓力氣氛之真空箱內，可容易且安定吐出材料。因此，藉由移動機構移動噴嘴與基體之相對位置，將此材料射出於基體上，而不必特別需要光罩可形成圖案。因此，低分子系材料或高分子系材料均無特別限定，可形成圖案。
本發明之另外之形成圖案之裝置，其特徵係由具備可調整為高真空度之真空箱；與材料供給源連接，且安裝於該真空箱；將前述材料供給源之材料供給該真空箱內之多個噴嘴；設置於該真空箱內，保持固定基體之基體台所成，前述噴嘴或基體台上設置使該噴嘴與基體之相對位置移動的移動機構。
依據此形成圖案之裝置時，將材料吐出至充分低於噴嘴內之壓力氣氛之真空箱內，可容易且安定吐出材料。因此，藉由移動機構移動噴嘴與基體之相對位置，將此材料射出於基體上，而不必特別需要光罩可形成圖案。因此，低分子系材料或高分子系材料均無特別限定，可形成圖案。
具備多個噴嘴，可擴大可一次配置材料之區域，或增加單位時間之材料供給量，或同時釋放不同的材料，提高生產量。
前述形成圖案之裝置中，可控制前述多個噴嘴與前述基體之相對位置較佳。此控制係指例如相對控制前述噴嘴之位置與前述基體之水平方向之位置。如此可在前述基體之所要位置上選擇性形成膜。又以控制前述噴嘴與前述基體之距離可適當設定形成膜之區域的面積。特別是由噴嘴吐出材料時，形成分子線或超音速分子噴流狀態(supersoin free jet)時，材料之空間之寬廣度係與噴嘴徑成正比例，且與噴嘴之距離成正比，因此，噴嘴徑一定時，藉由控制噴嘴與基體之距離可某程度正確決定膜之形成的面積。
前述形成圖案之裝置中，該多個噴嘴中之至少兩個吐出相同之前述材料為佳。
如此至少兩個噴嘴吐出相同之前述材料，可擴大可一次配置材料之區域，或增加單位時間之材料供給量。
前述形成圖案之裝置中，該多個噴嘴中之至少兩個分別吐出不相同之前述材料為佳。
如此，由多個噴嘴分別吐出不相同之材料，可在基體上形成由不同之多種材料所構成之膜。此時不同之多種材料膜可以所定圖案排列，或混合不同之多種材料，在基體上形成具有特定功能之功能膜。
前述形成圖案之裝置中，在前述噴嘴之材料供給源側設置加熱材料之加熱機構較佳。
如上述構成時，以加熱機構將供給噴嘴之材料預先加熱，可在吐出時，使材料容易汽化，因此，即使較難汽化之材料也容易汽化形成圖案。
前述形成圖案之裝置中，在該噴嘴之材料供給源側設置載體氣體供給源較佳。
如此構成時，可將分子線狀吐出之材料與由載體氣體供給源之載體氣體一同確實配置於所要的位置，可提高形成圖案之精度。
本發明之光電裝置之製造方法，其特徵係使用前述之圖案之形成方法或膜形成方法，使構成要件之至少一部分形成圖案。
依據此光電裝置之製造方法時，如前述控制噴嘴與基體之相對位置，將此材料塗佈於基體上，不必特別使用光罩也可形成圖案。不必特別限制即使不容易溶於溶媒之材料，也形成圖案。
本發明之電子裝置之製造方法，其特徵係使用前述之圖案之形成方法或膜形成方法，使構成要件之至少一部分形成圖案。
依據此電子裝置之製造方法時，如前述控制噴嘴與基體之相對位置，將此材料塗佈於基體上，不必特別使用光罩也可形成圖案。不必特別限制即使不容易溶於溶媒之材料，也形成圖案。
本發明之第1之膜形成裝置，其特徵係具備可調整為所定真空度之真空箱；與材料供給源連接，且安裝於該真空箱，將前述材料供給源之材料供給該真空箱內之噴嘴；設置於該真空箱內，使基體保持固定之基體台；使前述噴嘴及基體台中之至少一方移動之移動機構，藉由該移動機構可控制該噴嘴與基體之相對位置。
本發明之第2之膜形成裝置，其特徵係具備可調整為所定真空度之真空箱；與材料供給源連接，且安裝於該真空箱，將前述材料供給源之材料供給該真空箱內之多個噴嘴；設置於該真空箱內，使基體保持固定之基體台；使前述多個噴嘴及基體台中之至少一方移動之移動機構，藉由該移動機構可控制該多個噴嘴與基體之相對位置。
前述第1之膜形成裝置及第2之膜形成裝置中，控制前述(多個)噴嘴與前述基體之相對位置係指例如相對控制前述噴嘴之位置與前述基體之水平方向之位置。如此可在前述基體之所要位置上選擇性形成膜。又以控制前述噴嘴與前述基體之距離可適當設定形成膜之區域的面積。特別是由噴嘴吐出材料時，形成分子線或超音速分子噴流狀態(supersoin free jet)時，材料之空間之寬廣度係特別與噴嘴徑成正比關係，且與噴嘴之距離成正比關係，因此，噴嘴徑一定時，藉由控制噴嘴與基體之距離可在某程度上正確決定膜之形成的面積。
前述光電裝置之製造方法中，其係吐出作為材料之構成有機電激發光元件之電子傳輸層、電洞傳輸層、發光層、電極中之至少一個之形成材料，使電子傳輸層、電洞傳輸層、發光層或電極形成圖案較佳。
如此可以高自由度選擇電子傳輸層、電洞傳輸層、發光層、電極中之至少一個之形成材料，或不使用溶媒形成這些電子傳輸層、電洞傳輸層、發光層、電極中之形成材料時，可降低由溶媒等混入之雜質量，可提高元件之壽命。
又前述光電裝置之製造方法中，其係在該基體上預先形成間隔像素間之隔牆，將該形成材料吐出於該隔牆內，使電子傳輸層、電洞傳輸層、發光層或電極形成圖案較佳。
如此吐出形成材料時，在著彈位置上即使稍有不均，只要著彈於該隔牆內也可在所要之位置上形成發光層，因此，分別在所要之位置上形成由發光層所構成之像素，可提高顯示品質。
本發明之光電裝置，其特徵係藉由前述之光電裝置之製造方法製得所成者。
依據此光電裝置時，如前述低分子系材料或高分子系材料均無特別限定，形成圖案，形成其構成要件之至少一部分者，因此，製造時，材料之選擇自由度高。
本發明之電子機器，其特徵係由具備以如申請專利範圍第25項之光電裝置為顯示機構所成者。
此電子機器，特別是顯示機構如前述製造時，材料之選擇自由度高。
本發明之電子裝置，其特徵係使用前述之形成圖案之裝置來製作。
此光電子裝置係使用前述之形成圖案之裝置來製作，形成圖案時，低分子系材料或高分子系材料均無特別限定，可選擇使用。
简体摘要：本发明系提供一种提高材料之选择自由度之新的图案之形成方法，同时提供膜形成方法、膜形成设备、形成图案之设备、光电设备及其制造方法、电子机器及电子设备及其制造方法。本发明系关于一种形成图案之设备1，其特征系由具备可调整为高真空度之真空箱2；与材料供给源7连接，且安装于该真空箱2，将材料供给源7之材料供给真空箱2内之喷嘴3；设置于真空箱2内，使基体S保持固定之基体台4所成。喷嘴3或基体台4上设置使该喷嘴与基体之相对位置移动的移动机构11。理想为产生材料分子之自由射流(free jet)，使用此自由射流进行溅镀(形成自由射流图案)。借此可形成更高精度之图案。【创作特点】发明之揭示为了达成上述目的，本发明之图案之形成方法，其特征系将基体配置于调整为高真空度之真空气氛中，由与材料供给源连接之喷嘴将材料吐出至前述真空气氛中，前述基体上形成由前述材料所构成之图案。此图案之形成方法中，若材料吐出至充分低于喷嘴内之压力气氛之真空气氛时，此材料例如可以气化状态、且理想为分子线状吐出。因此，控制喷嘴与基体之相对位置，将此材料射出于基体上。借此低分子系材料或高分子系材料均无特别限定，可形成图案。本发明之另一种图案之形成方法，其特征系将基体配置于调整为高真空度之真空气氛中，由与材料供给源连接之多个喷嘴中之至少一个将材料吐出至前述真空气氛中，前述基体上形成由前述材料所构成之图案。此图案之形成方法中，若材料吐出至充分低于喷嘴内之压力气氛之真空气氛时，此材料例如可以汽化状态、且理想为分子线状吐出。因此，控制喷嘴与基体之相对位置，将此材料射出于基体上，不特别需要光罩，即可形成图案。借此低分子系材料或高分子系材料均无特别限定，可形成图案。多个喷嘴与材料供给源连接，扩大可一次配置材料之区域，或增加单位时间之材料供给量，或同时释放不同的材料，可提高生产量。此图案之形成方法中，由前述多个喷嘴中之至少两个喷嘴可吐出相同之前述材料。如此由至少两个喷嘴释放相同之前述材料，因此，例如扩大可一次配置材料之区域，或可一次配置材料于多个区域，且增加单位时间之材料供给量。此图案之形成方法中，使该喷嘴与该基体产生相对移动，对于该基体而言，可决定该喷嘴的位置。如此，使多个喷嘴与基体产生相对移动，对于该基体而言，可决定多个喷嘴的位置，可将材料确实配置于基体上之所定位置。也可容易将材料配置于基体上之多个位置。前述图案之形成方法中，该材料在真空气氛中产生汽化的状态下，由该喷嘴将材料吐出至真空气氛中较佳。理想为将材料以分子线状吐出。如此使此材料汽化，因此，不必特别使用溶媒，也不必特别限制即使不容易溶于溶媒之材料，可更确实形成图案。前述图案之形成方法，也可由该喷嘴以间断方式将材料吐出。如此例如可形成不连续之图案，因此，此方法可适用于例如制造有机电激发光组件时，对于多个独立之像素而言，发光层等之形成材料可容易形成图案。前述图案之形成方法中，其系将该材料与载体气体一同由喷嘴吐出较佳。如此例如可将材料与载体气体一同确实由喷嘴吐出，可确实配置于所要的位置，可提高形成图案之精度。前述图案之形成方法中，必要之真空度基本上系依存于由喷嘴吐出之材料，低沸点材料可在730 Torr(98000Pa)以下，而一般材料其真空气氛为10 － 3 Torr(0.133Pa)以下之真空度为佳，更理想为10 － 5 Torr(0.00133Pa)以下。真空气氛为10 － 3 Torr(0.133Pa)以下时，例如不易吐出之材料也容易吐出，若为10 － 5 Torr(0.00133Pa)以下时，可吐出更多种材料，吐出之材料汽化容易形成分子线状。本发明之第1之膜形成方法，其特征系含有：由与材料供给源连接之喷嘴将材料吐出至真空气氛中，在基体之第1区域上形成含有该材料之膜或以该材料为前驱物之膜之第1步骤；由该喷嘴将前述材料吐出至真空气氛中，在与前述第1区域不同之第2区域上形成含有该材料之膜或以该材料为前驱物之膜之第2步骤。前述之膜形成方法中，前述第1步骤及前述第2步骤不必返回至大气压力，在调整为前述所定之真空度之气氛中连续进行较佳。借此可降低外部杂质之混入，同时可对应前述基体上之多个区域形成膜。本发明之第2之膜形成方法，其特征系由与材料供给源连接之第1喷嘴将材料吐出至真空气氛中，在基体之第1区域上形成含有该材料之膜或以该材料为前驱物之膜，同时由与材料供给源连接之第2喷嘴将材料吐出至真空气氛中，在与前述第1区域不同之第2区域上形成含有该材料之膜或以该材料为前驱物之膜。依据前述第2之膜形成方法可在前述基体之多个区域上同时形成膜，可缩短膜形成步骤。本发明之第3之膜形成方法，其特征系由与第1材料供给源连接之第1喷嘴将第1材料吐出至真空气氛中，在基体之第1区域上形成含有该第1材料之膜或以该材料为前驱物之膜，同时由与第2材料供给源连接之第2喷嘴将第2材料吐出至真空气氛中，在与前述第1区域不同之第2区域上形成含有该第2材料之膜或以该材料为前驱物之膜。依据前述第3之膜形成方法可在前述基体之多个区域上同时形成具有不同组成之膜，可缩短膜形成步骤。前述膜形成方法中，必要之真空度基本上系依存于由喷嘴吐出之材料，低沸点材料可在730 Torr(98000Pa)以下，而一般材料其真空气氛为10 － 3 Torr(0.133Pa)以下之真空度为佳，更理想为10 － 5 Torr(0.00133Pa)以下。本发明之形成图案之设备，其特征系由具备可调整为高真空度之真空箱；与材料供给源连接，且安装于该真空箱之，将前述材料供给源之材料供给该真空箱内之喷嘴；设置于该真空箱内，保持固定基体之基体台所成，前述喷嘴或基体台上设置使该喷嘴与基体之相对位置移动的移动机构。依据此形成图案之设备时，将材料吐出至充分低于喷嘴内之压力气氛之真空箱内，可容易且安定吐出材料。因此，借由移动机构移动喷嘴与基体之相对位置，将此材料射出于基体上，而不必特别需要光罩可形成图案。因此，低分子系材料或高分子系材料均无特别限定，可形成图案。本发明之另外之形成图案之设备，其特征系由具备可调整为高真空度之真空箱；与材料供给源连接，且安装于该真空箱；将前述材料供给源之材料供给该真空箱内之多个喷嘴；设置于该真空箱内，保持固定基体之基体台所成，前述喷嘴或基体台上设置使该喷嘴与基体之相对位置移动的移动机构。依据此形成图案之设备时，将材料吐出至充分低于喷嘴内之压力气氛之真空箱内，可容易且安定吐出材料。因此，借由移动机构移动喷嘴与基体之相对位置，将此材料射出于基体上，而不必特别需要光罩可形成图案。因此，低分子系材料或高分子系材料均无特别限定，可形成图案。具备多个喷嘴，可扩大可一次配置材料之区域，或增加单位时间之材料供给量，或同时释放不同的材料，提高生产量。前述形成图案之设备中，可控制前述多个喷嘴与前述基体之相对位置较佳。此控制系指例如相对控制前述喷嘴之位置与前述基体之水平方向之位置。如此可在前述基体之所要位置上选择性形成膜。又以控制前述喷嘴与前述基体之距离可适当设置形成膜之区域的面积。特别是由喷嘴吐出材料时，形成分子线或超音速分子喷流状态(supersoin free jet)时，材料之空间之宽广度系与喷嘴径成正比例，且与喷嘴之距离成正比，因此，喷嘴径一定时，借由控制喷嘴与基体之距离可某程度正确决定膜之形成的面积。前述形成图案之设备中，该多个喷嘴中之至少两个吐出相同之前述材料为佳。如此至少两个喷嘴吐出相同之前述材料，可扩大可一次配置材料之区域，或增加单位时间之材料供给量。前述形成图案之设备中，该多个喷嘴中之至少两个分别吐出不相同之前述材料为佳。如此，由多个喷嘴分别吐出不相同之材料，可在基体上形成由不同之多种材料所构成之膜。此时不同之多种材料膜可以所定图案排列，或混合不同之多种材料，在基体上形成具有特定功能之功能膜。前述形成图案之设备中，在前述喷嘴之材料供给源侧设置加热材料之加热机构较佳。如上述构成时，以加热机构将供给喷嘴之材料预先加热，可在吐出时，使材料容易汽化，因此，即使较难汽化之材料也容易汽化形成图案。前述形成图案之设备中，在该喷嘴之材料供给源侧设置载体气体供给源较佳。如此构成时，可将分子线状吐出之材料与由载体气体供给源之载体气体一同确实配置于所要的位置，可提高形成图案之精度。本发明之光电设备之制造方法，其特征系使用前述之图案之形成方法或膜形成方法，使构成要件之至少一部分形成图案。依据此光电设备之制造方法时，如前述控制喷嘴与基体之相对位置，将此材料涂布于基体上，不必特别使用光罩也可形成图案。不必特别限制即使不容易溶于溶媒之材料，也形成图案。本发明之电子设备之制造方法，其特征系使用前述之图案之形成方法或膜形成方法，使构成要件之至少一部分形成图案。依据此电子设备之制造方法时，如前述控制喷嘴与基体之相对位置，将此材料涂布于基体上，不必特别使用光罩也可形成图案。不必特别限制即使不容易溶于溶媒之材料，也形成图案。本发明之第1之膜形成设备，其特征系具备可调整为所定真空度之真空箱；与材料供给源连接，且安装于该真空箱，将前述材料供给源之材料供给该真空箱内之喷嘴；设置于该真空箱内，使基体保持固定之基体台；使前述喷嘴及基体台中之至少一方移动之移动机构，借由该移动机构可控制该喷嘴与基体之相对位置。本发明之第2之膜形成设备，其特征系具备可调整为所定真空度之真空箱；与材料供给源连接，且安装于该真空箱，将前述材料供给源之材料供给该真空箱内之多个喷嘴；设置于该真空箱内，使基体保持固定之基体台；使前述多个喷嘴及基体台中之至少一方移动之移动机构，借由该移动机构可控制该多个喷嘴与基体之相对位置。前述第1之膜形成设备及第2之膜形成设备中，控制前述(多个)喷嘴与前述基体之相对位置系指例如相对控制前述喷嘴之位置与前述基体之水平方向之位置。如此可在前述基体之所要位置上选择性形成膜。又以控制前述喷嘴与前述基体之距离可适当设置形成膜之区域的面积。特别是由喷嘴吐出材料时，形成分子线或超音速分子喷流状态(supersoin free jet)时，材料之空间之宽广度系特别与喷嘴径成正比关系，且与喷嘴之距离成正比关系，因此，喷嘴径一定时，借由控制喷嘴与基体之距离可在某程度上正确决定膜之形成的面积。前述光电设备之制造方法中，其系吐出作为材料之构成有机电激发光组件之电子传输层、电洞传输层、发光层、电极中之至少一个之形成材料，使电子传输层、电洞传输层、发光层或电极形成图案较佳。如此可以高自由度选择电子传输层、电洞传输层、发光层、电极中之至少一个之形成材料，或不使用溶媒形成这些电子传输层、电洞传输层、发光层、电极中之形成材料时，可降低由溶媒等混入之杂质量，可提高组件之寿命。又前述光电设备之制造方法中，其系在该基体上预先形成间隔像素间之隔墙，将该形成材料吐出于该隔墙内，使电子传输层、电洞传输层、发光层或电极形成图案较佳。如此吐出形成材料时，在着弹位置上即使稍有不均，只要着弹于该隔墙内也可在所要之位置上形成发光层，因此，分别在所要之位置上形成由发光层所构成之像素，可提高显示品质。本发明之光电设备，其特征系借由前述之光电设备之制造方法制得所成者。依据此光电设备时，如前述低分子系材料或高分子系材料均无特别限定，形成图案，形成其构成要件之至少一部分者，因此，制造时，材料之选择自由度高。本发明之电子机器，其特征系由具备以如申请专利范围第25项之光电设备为显示机构所成者。此电子机器，特别是显示机构如前述制造时，材料之选择自由度高。本发明之电子设备，其特征系使用前述之形成图案之设备来制作。此光电子设备系使用前述之形成图案之设备来制作，形成图案时，低分子系材料或高分子系材料均无特别限定，可选择使用。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式