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71. 发明专利

TWI228640B 光阻去除劑組成 PHOTORESIST REMOVER COMPOSITION 有权
简体标题：光阻去除剂组成 PHOTORESIST REMOVER COMPOSITION
公开(公告)号：TWI228640B
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW092127124
申请日：2003-09-30
申请人：東進瑟彌侃股份有限公司 DONGJIN SEMICHEM CO., LTD.
发明人：金瑋溶 KIM, WEI-YONG , 尹錫壹 YOON, SEOK-IL , 曹三永 CHO, SAM-YOUNG , 朴順姫 PARK, SOON-HEE , 全雨植 CHEON, WOO-SHIK
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/425 , H01L21/31133
摘要：本發明係指一種光阻去除劑組成，尤指一種包括下列各組分的光阻去除劑組成：(a)20到60wt%(重量百分比)的一種水溶性有機溶劑，(b)10到45wt%的水，(c)5到15wt%的一種烷基胺或醇胺，(d)0.1到10wt%的醋酸，(e)0.01到5wt%的一種化合物，(f)1到10wt%的一種含有二或三個羥基的有機酚化合物，和(g)0.5到5wt%的一種三唑化合物。本發明的光阻去除劑組成可在短時間內輕易及迅速去除在硬烘焙、乾蝕刻、拋光、或離子移植加工期間硬化的光阻膜，以及進行該加工期間從底部金屬膜蝕刻掉之金屬副產品轉化的光阻膜，並可在光阻去除期間將底部金屬線的腐蝕減至最低程度，以致對諸如積體電路、大型積體電路、和極大型積體電路之類半導體裝置的製程甚為有效。
简体摘要：本发明系指一种光阻去除剂组成，尤指一种包括下列各组分的光阻去除剂组成：(a)20到60wt%(重量百分比)的一种水溶性有机溶剂，(b)10到45wt%的水，(c)5到15wt%的一种烷基胺或醇胺，(d)0.1到10wt%的醋酸，(e)0.01到5wt%的一种化合物，(f)1到10wt%的一种含有二或三个羟基的有机酚化合物，和(g)0.5到5wt%的一种三唑化合物。本发明的光阻去除剂组成可在短时间内轻易及迅速去除在硬烘焙、干蚀刻、抛光、或离子移植加工期间硬化的光阻膜，以及进行该加工期间从底部金属膜蚀刻掉之金属副产品转化的光阻膜，并可在光阻去除期间将底部金属线的腐蚀减至最低程度，以致对诸如集成电路、大型集成电路、和极大型集成电路之类半导体设备的制程甚为有效。

72. 发明专利

TW200504203A 半導體晶圓之高效率清洗用組成物及方法 COMPOSITIONS AND METHODS FOR HIGH-EFFICIENCY CLEANING OF SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
简体标题：半导体晶圆之高效率清洗用组成物及方法 COMPOSITIONS AND METHODS FOR HIGH-EFFICIENCY CLEANING OF SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TW200504203A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093117423
申请日：2004-06-17
申请人：尖端科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：麥克科爾珊斯基 MICHAEL B. KORZENSKI , 蘇中因 CHONGYING XU , 湯瑪斯包姆 THOMAS H. BAUM , 大衛明塞克 DAVID MINSEK , 艾里歐多漢丘 ELIODOR G. GHENCIU
IPC分类号： C11D
CPC分类号： G03F7/425 , C11D7/261 , C11D7/28 , C11D7/3209 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/31133 , Y10S134/902 , Y10S438/906
摘要：一種組成物，包括超臨界流體及選自氟物種、及第一及／或第二胺之至少一添加劑，且選擇性地具有共溶劑、低k材料侵蝕抑制劑及／或表面活性劑。此組成物具有清洗半導體晶圓，以自其移除灰化後殘留物之特殊效用。
简体摘要：一种组成物，包括超临界流体及选自氟物种、及第一及／或第二胺之至少一添加剂，且选择性地具有共溶剂、低k材料侵蚀抑制剂及／或表面活性剂。此组成物具有清洗半导体晶圆，以自其移除灰化后残留物之特殊效用。

73. 发明专利

TWI223319B 鹼液之製造方法、鹼液、圖案形成方法、光阻膜之剝離方法、藥液塗佈裝置、基板處理方法及藥液供給方法失效
简体标题：碱液之制造方法、碱液、图案形成方法、光阻膜之剥离方法、药液涂布设备、基板处理方法及药液供给方法
公开(公告)号：TWI223319B
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW091109462
申请日：2002-05-07
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：高橋理一郎 , 早崎圭 , 竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI , 伊藤信一
IPC分类号： B01J , B05C , B05D , C02F , C09K , G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
摘要：本發明係可抑制於光阻膜顯像時缺陷之發生或於疏密圖案產生之尺寸差。
對一於表面形成已曝光之感光性膜的被處理基板100，從顯像液供給噴嘴111供給一溶解著具有氧化之氣體分子的顯像液，而進行感光性光阻膜之顯像。
简体摘要：本发明系可抑制于光阻膜显像时缺陷之发生或于疏密图案产生之尺寸差。对一于表面形成已曝光之感光性膜的被处理基板100，从显像液供给喷嘴111供给一溶解着具有氧化之气体分子的显像液，而进行感光性光阻膜之显像。

74. 发明专利

TW200416864A 光阻體剝離劑 PHOTORESIST STRIPPING AGENT 审中-公开
简体标题：光阻体剥离剂 PHOTORESIST STRIPPING AGENT
公开(公告)号：TW200416864A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW093100399
申请日：2004-01-08
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：池本一人 IKEMOTO, KAZUTO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/426
摘要：本發明之光阻體剝離劑含一種反應產物，其係由莫耳比例為0.8或更小之甲醛與烷醇胺之反應製造。此光阻體剝離劑在低溫於短時間內易於去除塗佈於基板上之光阻層、在蝕刻後殘留之光阻層、及蝕刻除灰後之光阻殘渣。此光阻體剝離劑亦去除光阻層及光阻殘渣而不腐蝕基板線路材料、絕緣層等，而造成精密處理及提供高精確電路。
简体摘要：本发明之光阻体剥离剂含一种反应产物，其系由莫耳比例为0.8或更小之甲醛与烷醇胺之反应制造。此光阻体剥离剂在低温于短时间内易于去除涂布于基板上之光阻层、在蚀刻后残留之光阻层、及蚀刻除灰后之光阻残渣。此光阻体剥离剂亦去除光阻层及光阻残渣而不腐蚀基板线路材料、绝缘层等，而造成精密处理及提供高精确电路。

75. 发明专利

TW594442B 光阻移除方法與裝置失效
简体标题：光阻移除方法与设备
公开(公告)号：TW594442B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW087117417
申请日：1998-10-21
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴東震 DONG-JIN PARK , 黃震虎 JIN-HO HWANG , 吉俊仍 JUNE-ING KIL , 朴濟應 , 全相文 SANG-MUN CHON
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/425
摘要：本發明係揭露一種光阻移除方法及一種使用該方法之光阻移除裝置。該光阻移除方法包含提供一底材及形成一光阻於該底材上。接著該底材係與一包含N烷醇烷氧基烷醯胺之光阻移除劑相接觸，以自該底材移除該光阻。選擇性地，該底材可與一包含N烷醇烷氧基烷醯胺及一侵蝕抑制劑，或包含烷醇胺及烷基烷氧基烷酸酯之光阻移除組成物接觸。由於該光阻可於短時間內藉由一簡單的方法移除，且該光阻移除裝置的尺寸可被減小，因此半導體元件製造設備之生產率得以提升。
简体摘要：本发明系揭露一种光阻移除方法及一种使用该方法之光阻移除设备。该光阻移除方法包含提供一底材及形成一光阻于该底材上。接着该底材系与一包含N烷醇烷氧基烷酰胺之光阻移除剂相接触，以自该底材移除该光阻。选择性地，该底材可与一包含N烷醇烷氧基烷酰胺及一侵蚀抑制剂，或包含烷醇胺及烷基烷氧基烷酸酯之光阻移除组成物接触。由于该光阻可于短时间内借由一简单的方法移除，且该光阻移除设备的尺寸可被减小，因此半导体组件制造设备之生产率得以提升。

76. 发明专利

TW574369B 後化學-機械平面化(CMP)清潔組合物有权
简体标题：后化学-机械平面化(CMP)清洁组合物
公开(公告)号：TW574369B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW090125393
申请日：2001-10-15
申请人： ESC公司 ESC, INC.
发明人：夏海爾那辛聶 SHAHRIAR NAGHSHINEH , 傑夫巴恩斯 JEFF BARNES , 蘇丁穎 XU, DINGYING
IPC分类号： C11D
CPC分类号： H01L21/02063 , C11D1/62 , C11D3/0073 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3254 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H01L21/02074
摘要：一種清潔微電子基板，特別用於後-CMP或透過形成方式清潔之清潔組合物。該清潔溶液包含第四氫氧化銨、有機胺、防蝕劑及水。較佳清潔溶液包含四甲基氫氧化銨、單乙醇胺、抗壞血酸及水，具有清潔溶液鹼度大於0.073毫當量鹼/克溶液。
简体摘要：一种清洁微电子基板，特别用于后-CMP或透过形成方式清洁之清洁组合物。该清洁溶液包含第四氢氧化铵、有机胺、防蚀剂及水。较佳清洁溶液包含四甲基氢氧化铵、单乙醇胺、抗坏血酸及水，具有清洁溶液碱度大于0.073毫当量碱/克溶液。

77. 发明专利

TW569328B 微細構造物之洗淨方法失效
简体标题：微细构造物之洗净方法
公开(公告)号：TW569328B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091102499
申请日：2002-02-08
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：增田薰 MASUDA, KAORU , 飯島勝之 IIJIMA, KATSUYUKI , 鈴木哲雄 SUZUKI, TETSUO , 川上信之 KAWAKAMI, NOBUYUKI , 山形昌弘 YAMAGATA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C11D7/02 , B08B7/0021 , C11D7/04 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/425 , H01L21/02052 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/67086
摘要：為去除正附著於微細構造物上的物質而採的洗淨方法，將必須含有的二氧化碳，二氧化碳不相溶的洗淨成分與相溶化劑之洗淨劑組成物，在高壓下製成流體化，使接觸前述微細構造體為特徵之微細構造物之洗淨方法。
简体摘要：为去除正附着于微细构造物上的物质而采的洗净方法，将必须含有的二氧化碳，二氧化碳不相溶的洗净成分与相溶化剂之洗净剂组成物，在高压下制成流体化，使接触前述微细构造体为特征之微细构造物之洗净方法。

78. 发明专利

TW200400258A 用於從物體的微結構中清除殘餘物的方法和組合物 PROCESS AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIDUES FROM THE MICROSTRUCTURE OF AN OBJECT 失效
简体标题：用于从物体的微结构中清除残余物的方法和组合物 PROCESS AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIDUES FROM THE MICROSTRUCTURE OF AN OBJECT
公开(公告)号：TW200400258A
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW092113865
申请日：2003-05-22
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：增田薰 MASUDA, KAORU , 飯島勝之 IIJIMA, KATSUYUKI , 吉川哲也 YOSHIKAWA , TETSUYA , 戴瑞爾彼得斯 PETERS, DARRYL W.
IPC分类号： C11D
CPC分类号： C11D7/3209 , B08B7/0021 , C11D7/32 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/425
摘要：本發明提供一種從物體的微結構中清除殘餘物的方法，其包括下述步驟：製備清除劑，該清除劑包括二氧化碳、用於清除殘餘物的添加劑及在加壓流體條件下使添加劑溶解在該二氧化碳中的共溶劑；及使物體和該清除劑接觸以清除物體中的殘餘物。本發明亦提供一種用於從物體的微結構中清除殘餘物的組合物。
简体摘要：本发明提供一种从物体的微结构中清除残余物的方法，其包括下述步骤：制备清除剂，该清除剂包括二氧化碳、用于清除残余物的添加剂及在加压流体条件下使添加剂溶解在该二氧化碳中的共溶剂；及使物体和该清除剂接触以清除物体中的残余物。本发明亦提供一种用于从物体的微结构中清除残余物的组合物。

79. 发明专利

TW200305795A 光阻剝離組合物及清潔組成物 PHOTORESIST STRIPPINGCOMPOSITION AND CLEANING COMPOSITION 审中-公开
简体标题：光阻剥离组合物及清洁组成物 PHOTORESIST STRIPPINGCOMPOSITION AND CLEANING COMPOSITION
公开(公告)号：TW200305795A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092104880
申请日：2003-03-07
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：池本一人 KAZUTO IKEMOTO , 山本良亮 YOSHIAKI YAMAMOTO , 吉田寬史 HIROSHI YOSHIDA , 丸山岳人 TAKETO MARUYAMA
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07C217/08 , C11D7/3227 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要：本發明之光阻剝離組成物至少包括一種如以下式1所示之氧甲基胺化合物：092104880p01.bmp其中R^1至R^3係如說明中之定義。以式7所示之化合物係式1之氧甲基胺化合物之一種，092104880p02.bmp其中R^2至R^5及n係如說明之定義，其為新穎之化合物。
简体摘要：本发明之光阻剥离组成物至少包括一种如以下式1所示之氧甲基胺化合物：092104880p01.bmp其中R^1至R^3系如说明中之定义。以式7所示之化合物系式1之氧甲基胺化合物之一种，092104880p02.bmp其中R^2至R^5及n系如说明之定义，其为新颖之化合物。

80. 发明专利

TW556054B 剝離組成物有权
简体标题：剥离组成物
公开(公告)号：TW556054B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW090118969
申请日：2001-08-03
申请人：希普列公司
发明人：傑法J 蘇巴瑞
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/02071 , G03F7/425 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , H01L21/02052 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/31138
摘要：揭示用以自基板如電子器件移除聚合材料之組成物及方法。所揭示之組成物及方法，特別適合以減少金屬表面腐蝕方式，自高級積體電路器件移除聚合物殘料。
简体摘要：揭示用以自基板如电子器件移除聚合材料之组成物及方法。所揭示之组成物及方法，特别适合以减少金属表面腐蚀方式，自高级集成电路器件移除聚合物残料。

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