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71. 发明专利

TWI373790B 形成半導體元件之精細圖案的方法 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：形成半导体组件之精细图案的方法 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI373790B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW097100535
申请日：2008-01-07
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：潘槿道 , 卜喆圭
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/0338 , Y10S438/952
摘要：形成半導體元件之精細圖案的方法，其包含於具有底層的基板上形成沉積膜。沉積膜包含第一、第二、第三遮罩膜。此方法亦包含於第三遮罩膜上形成光阻圖案，將第三遮罩膜做出圖案以形成沉積圖案，以及在沉積圖案的側壁上形成非晶質碳圖案。此方法進一步包含於沉積圖案和非晶質碳圖案上填充旋塗碳層，拋光旋塗碳層、非晶質碳圖案、光阻圖案以暴露第三遮罩圖案，以及以非晶質碳圖案做為蝕刻遮罩來進行蝕刻過程，以暴露第一遮罩膜。蝕刻過程移除了第三遮罩圖案和暴露的第二遮罩圖案。此方法亦包含移除旋塗碳層和非晶質碳圖案，以及以第二遮罩圖案做為蝕刻遮罩來形成第一遮罩圖案。
简体摘要：形成半导体组件之精细图案的方法，其包含于具有底层的基板上形成沉积膜。沉积膜包含第一、第二、第三遮罩膜。此方法亦包含于第三遮罩膜上形成光阻图案，将第三遮罩膜做出图案以形成沉积图案，以及在沉积图案的侧壁上形成非晶质碳图案。此方法进一步包含于沉积图案和非晶质碳图案上填充旋涂碳层，抛光旋涂碳层、非晶质碳图案、光阻图案以暴露第三遮罩图案，以及以非晶质碳图案做为蚀刻遮罩来进行蚀刻过程，以暴露第一遮罩膜。蚀刻过程移除了第三遮罩图案和暴露的第二遮罩图案。此方法亦包含移除旋涂碳层和非晶质碳图案，以及以第二遮罩图案做为蚀刻遮罩来形成第一遮罩图案。

72. 发明专利

TW201237878A 記憶體裝置及其測試方法 MEMORY DEVICE AND TEST METHOD FOR THE SAME 审中-公开
简体标题：内存设备及其测试方法 MEMORY DEVICE AND TEST METHOD FOR THE SAME
公开(公告)号：TW201237878A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100133653
申请日：2011-09-19
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：李康悅
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/40 , G11C29/28 , G11C2029/2602
摘要：一種記憶體裝置包括:一第一記憶體庫、一第二記憶體庫、複數個介面襯墊及一資料輸出單元,該資料輸出單元經組態以經由該複數個介面襯墊當中的至少一介面襯墊輸出該第一記憶體庫之壓縮資料且隨後經由該一介面襯墊輸出該第二記憶體庫之壓縮資料。
简体摘要：一种内存设备包括:一第一内存库、一第二内存库、复数个界面衬垫及一数据输出单元,该数据输出单元经组态以经由该复数个界面衬垫当中的至少一界面衬垫输出该第一内存库之压缩数据且随后经由该一界面衬垫输出该第二内存库之压缩数据。

73. 发明专利

TWI371759B 快閃記憶元件及其操作方法 FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME 失效
简体标题：快闪记忆组件及其操作方法 FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME
公开(公告)号：TWI371759B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW096151388
申请日：2007-12-31
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：金有聲 , 金德柱
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5642
摘要：本發明揭露一種於快閃記憶體元件中執行讀取操作之方法。該快閃記憶體具有包含至少一個區塊之記憶胞元陣列，該區塊具有複數頁面。該方法包含接收讀取命令，用以讀取來自該區塊中已選擇之頁面的資料；判定該區塊是否具有任何沒有被編程之頁面；於至少一個判定沒有被編程之頁面上執行仿資料編程操作；及在完成該仿資料編程操作後，執行該讀取命令，以讀取已選擇之頁面的資料。
简体摘要：本发明揭露一种于闪存组件中运行读取操作之方法。该闪存具有包含至少一个区块之记忆胞元数组，该区块具有复数页面。该方法包含接收读取命令，用以读取来自该区块中已选择之页面的数据；判定该区块是否具有任何没有被编程之页面；于至少一个判定没有被编程之页面上运行仿数据编程操作；及在完成该仿数据编程操作后，运行该读取命令，以读取已选择之页面的数据。

74. 发明专利

TW201236019A 積體電路 INTEGRATED CIRCUIT 失效
简体标题：集成电路 INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW201236019A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW100116365
申请日：2011-05-10
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：文真永
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F13/4243 , G06F13/4291 , G06F2213/0038
摘要：一種積體電路包括：複數條資料線，該複數條資料線上面載入有藉由複數個脈衝信號對準之資料；複數條傳送線；一資料傳送單元，該資料傳送單元經組態以回應於一相關信號而將該複數條資料線之該資料傳送至該複數條傳送線；一資料輸出單元，該資料輸出單元經組態以輸出對應於在複數個傳輸信號中被啟動之一傳輸信號的該傳送線之該資料；一相關信號產生單元，該相關信號產生單元經組態以在將一命令輸入至該相關信號產生單元時使用一延時值及該複數個傳輸信號中之一者之一邏輯值來產生該相關信號；及一脈衝信號產生單元，該脈衝信號產生單元經組態以在輸入該命令時順序地啟動該複數個脈衝信號。
简体摘要：一种集成电路包括：复数条数据线，该复数条数据在线面加载有借由复数个脉冲信号对准之数据；复数条发送线；一数据发送单元，该数据发送单元经组态以回应于一相关信号而将该复数条数据线之该数据发送至该复数条发送线；一数据输出单元，该数据输出单元经组态以输出对应于在复数个传输信号中被启动之一传输信号的该发送线之该数据；一相关信号产生单元，该相关信号产生单元经组态以在将一命令输入至该相关信号产生单元时使用一延时值及该复数个传输信号中之一者之一逻辑值来产生该相关信号；及一脉冲信号产生单元，该脉冲信号产生单元经组态以在输入该命令时顺序地启动该复数个脉冲信号。

75. 发明专利

TW201234368A 三維堆疊式半導體積體電路 THREE-DIMENSIONAL STACKED SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
简体标题：三维堆栈式半导体集成电路 THREE-DIMENSIONAL STACKED SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW201234368A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100101768
申请日：2011-01-18
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：尹泰植 , 丘泳埈
IPC分类号： G11C , H01L
CPC分类号： H01L25/18 , G11C5/02 , G11C5/06 , H01L2225/06544 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種三維堆疊式半導體積體電路之多種具體實施例。在一示例性具體實施例中,該電路可以包括一主控片層、複數從屬片層與用於連接該主控片層至該等複數從屬片層之複數矽穿孔(TSVs,Through Silicon Vias)。該等複數矽穿孔中至少一者可配置成由該主控片層傳送一作業控制信號至該等複數從屬片層。該等複數矽穿孔中至少一者配置成由該等複數從屬片層所共用。
简体摘要：本发明揭示一种三维堆栈式半导体集成电路之多种具体实施例。在一示例性具体实施例中,该电路可以包括一主控片层、复数从属片层与用于连接该主控片层至该等复数从属片层之复数硅穿孔(TSVs,Through Silicon Vias)。该等复数硅穿孔中至少一者可配置成由该主控片层发送一作业控制信号至该等复数从属片层。该等复数硅穿孔中至少一者配置成由该等复数从属片层所共享。

76. 发明专利

TWI368917B 分享一寫入自動預充電信號產生單元之自動預充電電路 AUTO PRECHARGE CIRCUIT SHARING A WRITE AUTO PRECHARGE SIGNAL GENERATING UNIT 失效
简体标题：分享一写入自动预充电信号产生单元之自动预充电电路 AUTO PRECHARGE CIRCUIT SHARING A WRITE AUTO PRECHARGE SIGNAL GENERATING UNIT
公开(公告)号：TWI368917B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW097121074
申请日：2008-06-06
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：高漢碩
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C8/18 , G11C7/22
摘要：在自動預充電電路下，一多數讀取自動預充電訊號產生單元，以及多數自動預充電訊號輸出單元可共享一單一寫入自動預充電訊號產生單元。每個讀取自動預充電訊號產生單元可邏輯性地結合一內部CAS指令訊號，一內部位址訊號和預自動預充電訊號，來產生一自動預充電檢測訊號，以及一讀取自動預充電訊號。寫入自動預充電訊號產生單元可延遲讀取自動預充電訊號一預定時間，來產生一寫入自動預充電訊號。每個自動預充電訊號輸出單元可邏輯性地結合內部CAS指令訊號，一內部位址訊號，一讀取自動預充電訊號，以及一寫入自動預充電訊號來輸出自動預充電訊號。
简体摘要：在自动预充电电路下，一多数读取自动预充电信号产生单元，以及多数自动预充电信号输出单元可共享一单一写入自动预充电信号产生单元。每个读取自动预充电信号产生单元可逻辑性地结合一内部CAS指令信号，一内部位址信号和预自动预充电信号，来产生一自动预充电检测信号，以及一读取自动预充电信号。写入自动预充电信号产生单元可延迟读取自动预充电信号一预定时间，来产生一写入自动预充电信号。每个自动预充电信号输出单元可逻辑性地结合内部CAS指令信号，一内部位址信号，一读取自动预充电信号，以及一写入自动预充电信号来输出自动预充电信号。

77. 发明专利

TW201229756A 執行快閃記憶體轉譯層功能之非揮發性記憶體裝置與其控制方法 NONVOLATILE MEMORY APPARATUS PERFORMING FTL FUNCTION AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME 审中-公开
简体标题：运行闪存转译层功能之非挥发性内存设备与其控制方法 NONVOLATILE MEMORY APPARATUS PERFORMING FTL FUNCTION AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME
公开(公告)号：TW201229756A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW101100568
申请日：2012-01-06
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：金儀珍 , 郭貞淳
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要：一種非揮發性記憶體裝置,其包括:耦合的一記憶體控制器;及包含由該記憶體控制器控制的複數記憶體區塊之一記憶體區域。該記憶體控制器設置對應於該等複數記憶體區塊的複數實體區塊,且設置為該等實體區塊的映射目標之複數邏輯區塊,使得該等邏輯區塊的大小與該等實體區塊的大小為非對稱。
简体摘要：一种非挥发性内存设备,其包括:耦合的一内存控制器;及包含由该内存控制器控制的复数内存区块之一内存区域。该内存控制器设置对应于该等复数内存区块的复数实体区块,且设置为该等实体区块的映射目标之复数逻辑区块,使得该等逻辑区块的大小与该等实体区块的大小为非对称。

78. 发明专利

TW201226942A 半導體記憶體裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体内存设备 SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS
公开(公告)号：TW201226942A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100128404
申请日：2011-08-09
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：黃正太 , 李康悅
IPC分类号： G01R , G11C
CPC分类号： G11C7/1045 , G11C29/006 , G11C29/06 , G11C29/46
摘要：一種半導體記憶體裝置，其可包括一接合墊；一控制信號墊；與一作業模式信號產生單元，其配置成產生複數作業模式信號來回應經由該接合墊輸入的一接合信號與經由該控制信號墊輸入的一控制信號。
简体摘要：一种半导体内存设备，其可包括一接合垫；一控制信号垫；与一作业模式信号产生单元，其配置成产生复数作业模式信号来回应经由该接合垫输入的一接合信号与经由该控制信号垫输入的一控制信号。

79. 发明专利

TWI366971B 半導體積體電路 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT 有权
简体标题：半导体集成电路 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TWI366971B
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW097116342
申请日：2008-05-02
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：金寬文 , 李哲厚 , 朴根雨 , 蔡長丘 , 金龍珠 , 韓山吾 , 李哲伍
IPC分类号： H02M , H01L
CPC分类号： H03K19/00369
摘要：本發明揭示一種半導體積體電路，其具有一第一電壓凸塊、一第二電壓凸塊以及一連接在該第一電壓凸塊與該第二電壓凸塊之間的電壓穩定單元。該第一電壓凸塊可連接至一第一內部電路，並且該第二電壓凸塊可連接至一第二內部電路。
简体摘要：本发明揭示一种半导体集成电路，其具有一第一电压凸块、一第二电压凸块以及一连接在该第一电压凸块与该第二电压凸块之间的电压稳定单元。该第一电压凸块可连接至一第一内部电路，并且该第二电压凸块可连接至一第二内部电路。

80. 发明专利

TWI366892B 製造半導體元件之方法 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：制造半导体组件之方法 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI366892B
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW096150496
申请日：2007-12-27
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：李起正 , 盧載盛 , 廉勝振 , 宋翰相 , 吉德信 , 金榮大 , 金珍赫 , 都官佑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/90 , H01L27/10852
摘要：一種製造電容器之方法，該方法包含：在基板的上部上形成具有複數個溝槽的犧牲層；在該溝槽中形成儲存節點；藉由移除該犧牲層之一部份來露出該儲存節點之上部；形成支撐部，藉以支撐該儲存節點之露出的上部；移除在該支撐部下方的該犧牲層；以及移除該支撐部。
简体摘要：一种制造电容器之方法，该方法包含：在基板的上部上形成具有复数个沟槽的牺牲层；在该沟槽中形成存储节点；借由移除该牺牲层之一部份来露出该存储节点之上部；形成支撑部，借以支撑该存储节点之露出的上部；移除在该支撑部下方的该牺牲层；以及移除该支撑部。

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