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    • 71. 发明专利
    • 微影蝕刻用洗淨液 CLEANING SOLUTION FOR LITHOGRAPHY
    • 微影蚀刻用洗净液 CLEANING SOLUTION FOR LITHOGRAPHY
    • TW200705122A
    • 2007-02-01
    • TW095126279
    • 2006-07-18
    • 東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
    • 中山一彥 NAKAYAMA, KAZUHIKO秀慎一 HIDESAKA, SHINICHI
    • G03FH01L
    • C11D11/0041C11D7/5022G03F7/422
    • 本發明為有關一種微影蝕刻用洗淨液,其為於使用微影蝕刻技術以製造光阻圖型之情形中,可將舖設於基板上之光阻膜的不需要之部份或殘留於光阻供應裝置之光阻以洗淨方式去除之微影蝕刻用洗淨液。該洗淨液,需為可將不需要之光阻以完全溶解之方式去除後,迅速乾燥之溶劑,且必須對處理後之光阻膜不會產生不良影響,故其成分內容依所使用之光阻的種類所影響。但,目前為止對於使用丙烯酸系聚合物作為成分之ArF準分子雷射用光阻具有效果之洗淨液仍屬未知。本發明為提供一種單獨使用烷氧基羧酸烷基酯,或使用其與烷氧基苯之混合溶劑,而可有效去除ArF準分子雷射用光阻之微影蝕刻用洗淨液。
    • 本发明为有关一种微影蚀刻用洗净液,其为于使用微影蚀刻技术以制造光阻图型之情形中,可将铺设于基板上之光阻膜的不需要之部份或残留于光阻供应设备之光阻以洗净方式去除之微影蚀刻用洗净液。该洗净液,需为可将不需要之光阻以完全溶解之方式去除后,迅速干燥之溶剂,且必须对处理后之光阻膜不会产生不良影响,故其成分内容依所使用之光阻的种类所影响。但,目前为止对于使用丙烯酸系聚合物作为成分之ArF准分子激光用光阻具有效果之洗净液仍属未知。本发明为提供一种单独使用烷氧基羧酸烷基酯,或使用其与烷氧基苯之混合溶剂,而可有效去除ArF准分子激光用光阻之微影蚀刻用洗净液。