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61. 发明专利

TW201727843A 保護膜形成用片审中-公开
简体标题：保护膜形成用片
公开(公告)号：TW201727843A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135527
申请日：2016-11-02
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L23/12
摘要：本發明之保護膜形成用片(1)係於第一支持片(101)上積層熱固化性樹脂層(12)而成，熱固化性樹脂層(12)係用於藉由貼附於半導體晶圓的具有凸塊之表面並進行熱固化而於前述表面形成第一保護膜之層，熱固化性樹脂層(12)的第一支持片(101)側表面之熱固化前的表面自由能、與第一支持片(101)的熱固化性樹脂層(12)側表面的表面自由能之差為10mJ/m2以上。
简体摘要：本发明之保护膜形成用片(1)系于第一支持片(101)上积层热固化性树脂层(12)而成，热固化性树脂层(12)系用于借由贴附于半导体晶圆的具有凸块之表面并进行热固化而于前述表面形成第一保护膜之层，热固化性树脂层(12)的第一支持片(101)侧表面之热固化前的表面自由能、与第一支持片(101)的热固化性树脂层(12)侧表面的表面自由能之差为10mJ/m2以上。

62. 发明专利

TW201727841A 電子封裝結構及電子封裝件之製法审中-公开
简体标题：电子封装结构及电子封装件之制法
公开(公告)号：TW201727841A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105101520
申请日：2016-01-19
申请人：矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：吳柏毅 , WU, PO YI , 吳建宏 , WU, CHIEN HUNG , 廖原鴻 , LIAO, YUANHONG , 張辰安 , CHANG, CHENG AN
IPC分类号： H01L23/12 , H05K1/14 , H05K3/36 , B32B7/06
CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/81
摘要：一種電子封裝結構係包括：其上依序有離型層及金屬層的承載板、設於該金屬層上之第一線路部、設於該第一線路部上之電子元件、以及包覆該電子元件之包覆層，以於後續製程中，移除該金屬層、離型層及承載板後，即可外露出該第一線路部，因而無需以雷射形成外露該第一線路部之開孔。本發明復提供一種應用該電子封裝結構之電子封裝件之製法。
简体摘要：一种电子封装结构系包括：其上依序有离型层及金属层的承载板、设于该金属层上之第一线路部、设于该第一线路部上之电子组件、以及包覆该电子组件之包覆层，以于后续制程中，移除该金属层、离型层及承载板后，即可外露出该第一线路部，因而无需以激光形成外露该第一线路部之开孔。本发明复提供一种应用该电子封装结构之电子封装件之制法。

63. 发明专利

TW201727840A 封裝製程及其所用之封裝基板审中-公开
简体标题：封装制程及其所用之封装基板
公开(公告)号：TW201727840A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105101365
申请日：2016-01-18
申请人：矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：范植文 , FAN, CHIH WEN , 陳嘉成 , CHEN, CHIA CHENG , 邱士超 , CHIU, SHIH CHAO , 白裕呈 , PAI, YU CHENG , 洪祝寶 , HUNG, CHU PAO
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/56
摘要：一種封裝基板係包括：介電層、設於該介電層上之第一線路層、以及藉由絕緣層結合至該介電層與該第一線路層上之支撐板，以藉由該絕緣層具有浸泡溶劑後可恢復黏性之特性，故於該封裝基板完成封裝製程後，能重複使用該支撐板與該絕緣層，以避免浪費該支撐板。
简体摘要：一种封装基板系包括：介电层、设于该介电层上之第一线路层、以及借由绝缘层结合至该介电层与该第一线路层上之支撑板，以借由该绝缘层具有浸泡溶剂后可恢复黏性之特性，故于该封装基板完成封装制程后，能重复使用该支撑板与该绝缘层，以避免浪费该支撑板。

65. 发明专利

TWI592986B 防止基板條翹曲之方法與裝置有权
简体标题：防止基板条翘曲之方法与设备
公开(公告)号：TWI592986B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105114026
申请日：2016-05-05
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：顏鏗祐 , YEN, KENG YU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/12

66. 发明专利

TW201725669A 封裝基板审中-公开
简体标题：封装基板
公开(公告)号：TW201725669A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105101273
申请日：2016-01-15
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 楊智貴 , YANG, CHIH KUAI
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L25/0655 , H01L2224/04105 , H01L2224/73259 , H01L2224/81005 , H01L2224/92224 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H05K1/115 , H05K1/185 , H05K1/186 , H05K3/4647 , H05K2201/10015
摘要：本發明揭示一種封裝基板，其包括：一第一導電層，包含一第一導電區及一第二導電區；一封裝單元層，設置於該第一導電層上，並包含一第一電路元件、一第一導電柱、及一封膠材料，該第一電路元件具有一連接該第一導電區的第一連接端及一連接該第二導電區的第二連接端，且該第一導電柱連接該第一導電區；以及一第二導電層，設置於該封裝單元層上，並包含一連接該第一導電柱的第一金屬走線。
简体摘要：本发明揭示一种封装基板，其包括：一第一导电层，包含一第一导电区及一第二导电区；一封装单元层，设置于该第一导电层上，并包含一第一电路组件、一第一导电柱、及一封胶材料，该第一电路组件具有一连接该第一导电区的第一连接端及一连接该第二导电区的第二连接端，且该第一导电柱连接该第一导电区；以及一第二导电层，设置于该封装单元层上，并包含一连接该第一导电柱的第一金属走线。

67. 发明专利

TW201724922A 保護結構以及電子裝置审中-公开
简体标题：保护结构以及电子设备
公开(公告)号：TW201724922A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128620
申请日：2016-09-05
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：張志嘉 , CHANG, CHIH-CHIA , 李正中 , LEE, CHENG-CHUNG , 陳光榮 , CHEN, KUANG-JUNG , 張凱銘 , CHANG, KAI-MING , 莊瑞彰 , CHUANG, JUI-CHANG
IPC分类号： H05K1/02 , H01L23/12 , H05K3/28
摘要：一種保護結構，包括抗衝擊結構以及抗刮結構。抗衝擊結構，包括多數個緩衝結構以及多數個填充結構。填充結構位於緩衝結構周圍。抗刮結構位於抗衝擊結構上方。抗刮結構包括覆蓋於抗衝擊結構上的硬質塗層以及覆蓋於硬質塗層上的表面抗刮層。
简体摘要：一种保护结构，包括抗冲击结构以及抗刮结构。抗冲击结构，包括多数个缓冲结构以及多数个填充结构。填充结构位于缓冲结构周围。抗刮结构位于抗冲击结构上方。抗刮结构包括覆盖于抗冲击结构上的硬质涂层以及覆盖于硬质涂层上的表面抗刮层。

68. 发明专利

TW201724293A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201724293A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105127297
申请日：2016-08-25
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：金永奭 , KIM, YOUNGSUK
IPC分类号： H01L21/58 , H01L23/12
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/304 , H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/15 , H01L23/49827
摘要：本發明之課題為提供一種不需要在半導體晶片上形成微凸塊之半導體裝置的製造方法。解決手段為一種半導體裝置的製造方法，其包含：將複數個半導體晶片以預定的間隔排列在成為支撐體的基板之第1面上的半導體晶片排列步驟、磨削與基板之第1面為相反側的第2面以將基板薄化至預定之厚度的基板薄化步驟、在已薄化之基板的預定的位置上形成從第2面側到達半導體晶片的貫通孔之後，在貫通孔中埋設金屬以形成貫通電極的貫通電極形成步驟、以及在基板的第2面側形成配線層的配線層形成步驟。
简体摘要：本发明之课题为提供一种不需要在半导体芯片上形成微凸块之半导体设备的制造方法。解决手段为一种半导体设备的制造方法，其包含：将复数个半导体芯片以预定的间隔排列在成为支撑体的基板之第1面上的半导体芯片排列步骤、磨削与基板之第1面为相反侧的第2面以将基板薄化至预定之厚度的基板薄化步骤、在已薄化之基板的预定的位置上形成从第2面侧到达半导体芯片的贯通孔之后，在贯通孔中埋设金属以形成贯通电极的贯通电极形成步骤、以及在基板的第2面侧形成配线层的配线层形成步骤。

69. 发明专利

TWI585906B 超薄封裝上封裝ＰｏＰ之封裝有权
简体标题：超薄封装上封装ＰｏＰ之封装
公开(公告)号：TWI585906B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW103103658
申请日：2014-01-29
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：翟軍 , ZHAI, JUN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L23/145 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13124 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/24101 , H01L2224/24227 , H01L2224/244 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/821 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2924/15321 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00

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