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61. 发明专利

TWI451000B 銅微蝕刻液及其補充液、以及配線基板之製造方法有权
简体标题：铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板之制造方法
公开(公告)号：TWI451000B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102109459
申请日：2013-03-18
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：栗井雅代 , KURII, MASAYO , 田井清登 , TAI, KIYOTO , 中村真美 , NAKAMURA, MAMI
IPC分类号： C23F1/18 , H01L21/306 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/34 , H05K3/0085 , H05K3/022 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789

62. 发明专利

TWI442858B 印刷配線板之製造方法有权
简体标题：印刷配线板之制造方法
公开(公告)号：TWI442858B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW098127493
申请日：2009-08-14
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：中村幸子 , NAKAMURA, SACHIKO , 池尻篤泰 , IKEJIRI, SHIGEHIRO
IPC分类号： H05K3/42

63. 发明专利

TWI411705B 蝕刻劑有权
简体标题：蚀刻剂
公开(公告)号：TWI411705B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW097143843
申请日：2008-11-13
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：中村真美 , NAKAMURA, MAMI , 秋山大作 , AKIYAMA, DAISAKU , 吉海雅史 , YOSHIKAI, MASASHI
IPC分类号： C23F1/18 , H05K3/06

64. 发明专利

TWI406970B 蝕刻液及使用其之銅配線之形成方法有权
简体标题：蚀刻液及使用其之铜配线之形成方法
公开(公告)号：TWI406970B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW098101857
申请日：2009-01-19
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：戶田健次 , TODA, KENJI , 出口政史 , DEGUCHI, MASASHI , 高久修司 , TAKAKU, SHUJI , 宋春紅 , SONG, CHUN HONG
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , H05K3/06

65. 发明专利

TW201334659A 配線形成方法、配線形成用蝕刻液审中-公开
简体标题：配线形成方法、配线形成用蚀刻液
公开(公告)号：TW201334659A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101146430
申请日：2012-12-10
申请人： MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
发明人：齊藤知志 , SAITO, SATOSHI , 出口友香里 , DEGUCHI, YUKARI , 佐藤未菜 , SATO, MINA , 石田輝和 , ISHIDA, TERUKAZU
IPC分类号： H05K3/26 , C09K13/06
摘要：本發明提供一種可選擇性地蝕刻金屬氧化物層之配線形成方法以及配線形成用蝕刻液。本發明之製造方法中，藉由實施如下蝕刻步驟形成包括經圖案化之金屬氧化物層及銅層的配線：使蝕刻液與表面形成有含上述銅層之導體圖案之金屬氧化物層的未積層上述導體圖案之部分接觸，對上述部分之金屬氧化物層進行蝕刻。上述金屬氧化物層含有選自由鋅、錫、鋁、銦及鎵所組成之群中之一種以上金屬之氧化物。上述蝕刻液為含有硫羰基化合物及鹵化物離子之酸性水溶液。
简体摘要：本发明提供一种可选择性地蚀刻金属氧化物层之配线形成方法以及配线形成用蚀刻液。本发明之制造方法中，借由实施如下蚀刻步骤形成包括经图案化之金属氧化物层及铜层的配线：使蚀刻液与表面形成有含上述铜层之导体图案之金属氧化物层的未积层上述导体图案之部分接触，对上述部分之金属氧化物层进行蚀刻。上述金属氧化物层含有选自由锌、锡、铝、铟及镓所组成之群中之一种以上金属之氧化物。上述蚀刻液为含有硫羰基化合物及卤化物离子之酸性水溶液。

66. 发明专利

TW200930839A 蝕刻液审中-公开
简体标题：蚀刻液
公开(公告)号：TW200930839A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097144320
申请日：2008-11-17
申请人： MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：片山大輔 KATAYAMA, DAISUKE , 栗井雅代 KURII, MASAYO
IPC分类号： C23F , C09K
摘要：本發明係提供一種蝕刻液,其可抑制鎳以外的金屬(特別是銅)的侵蝕。於含有硝酸或硫酸、以及過氧化氫、以及水之鎳蝕刻液當中,含有具有選自從下述式(Ⅰ)、下述式(Ⅱ)及下述式(Ⅲ)中之至少1種之重複單位的聚合物。
097144320P01.bmp
(其中,R1~R5為氫、胺基、亞胺基、氰基、偶氮基、硫基、磺酸基、羥基、羰基、羧基、硝基、烷基、環烷基、芳香基或苯甲基,可為相同或相異,又,該重複單位內所包含之胺亦可為第四級銨鹽的形態)。
简体摘要：本发明系提供一种蚀刻液,其可抑制镍以外的金属(特别是铜)的侵蚀。于含有硝酸或硫酸、以及过氧化氢、以及水之镍蚀刻液当中,含有具有选自从下述式(Ⅰ)、下述式(Ⅱ)及下述式(Ⅲ)中之至少1种之重复单位的聚合物。 097144320P01.bmp (其中,R1~R5为氢、胺基、亚胺基、氰基、偶氮基、硫基、磺酸基、羟基、羰基、羧基、硝基、烷基、环烷基、芳香基或苯甲基,可为相同或相异,又,该重复单位内所包含之胺亦可为第四级铵盐的形态)。

67. 发明专利

TW200907106A 銅表面處理劑及表面處理方法失效
简体标题：铜表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TW200907106A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097121077
申请日：2008-06-06
申请人： MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：矢熊紀子 YAGUMA, NOKIKO , 古川良昭 FURUKAWA, YOSHIAKI , 東豊惠 TOJIMA, HIROYOSHI
IPC分类号： C23C , C07D
CPC分类号： C23C22/52 , B23K1/20 , B23K2203/12 , C23F11/149 , H05K3/282 , H05K2203/124
摘要：本發明係提供可滿足耐熱性與焊接性兩者之銅表面處理劑及表面處理方法。本發明之銅表面處理劑,係一種含有酸、苯并咪唑化合物及水之銅表面處理劑,其特徵在於:至少含有第1苯并咪唑化合物、與熔點低於此第1苯并咪唑化合物達70℃以上之第2苯并咪唑化合物作為該苯并咪唑化合物。
简体摘要：本发明系提供可满足耐热性与焊接性两者之铜表面处理剂及表面处理方法。本发明之铜表面处理剂,系一种含有酸、苯并咪唑化合物及水之铜表面处理剂,其特征在于:至少含有第1苯并咪唑化合物、与熔点低于此第1苯并咪唑化合物达70℃以上之第2苯并咪唑化合物作为该苯并咪唑化合物。

68. 发明专利

TW200900535A 銅或銅合金的表面處理方法 SURFACE TREATMENT METHOD FOR COPPER OR COPPER ALLOY 审中-公开
简体标题：铜或铜合金的表面处理方法 SURFACE TREATMENT METHOD FOR COPPER OR COPPER ALLOY
公开(公告)号：TW200900535A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097122861
申请日：2008-06-19
申请人：美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：古川良昭 FURUKAWA, YOSHIAKI , 岡田萬佐夫 OKADA, MASAO , 矢熊紀子 YAGUMA, NORIKO
IPC分类号： C23C
摘要：本發明的目的是提供一種藉由使含有咪唑化合物的表面處理劑與銅或銅合金表面進行接觸,而在該銅或銅合金上形成防銹皮膜之銅或銅合金的表面處理方法。該銅或銅合金的表面處理方法包括:在前述銅或銅合金的表面上形成具有開口部的樹脂層之過程;在前述開口部內的銅或銅合金的表面上,使前述表面處理劑形成粒徑小於等於100��m的霧狀粒子而進行接觸之過程。
简体摘要：本发明的目的是提供一种借由使含有咪唑化合物的表面处理剂与铜或铜合金表面进行接触,而在该铜或铜合金上形成防锈皮膜之铜或铜合金的表面处理方法。该铜或铜合金的表面处理方法包括:在前述铜或铜合金的表面上形成具有开口部的树脂层之过程;在前述开口部内的铜或铜合金的表面上,使前述表面处理剂形成粒径小于等于100��m的雾状粒子而进行接触之过程。

69. 发明专利

TW200815615A 基板之製造方法及用於其之蒸鍍裝置 METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE, AND VAPOR DEPOSITION APPARATUS USED FOR THE SAME 审中-公开
简体标题：基板之制造方法及用于其之蒸镀设备 METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE, AND VAPOR DEPOSITION APPARATUS USED FOR THE SAME
公开(公告)号：TW200815615A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096117192
申请日：2007-05-15
申请人： MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：王谷稔 OTANI, MINORU , 森永友香里 MORINAGA, YUKARI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/4485
摘要：本發明之基板之製造方法,包含以下步驟:將含有銅層之構成材料的銅層形成用材料(20)與基材(21),分別配置成基材(21)在銅層形成用材料(20)之鉛直方向上側與銅層形成用材料(20)對向之步驟;及將銅層形成用材料(20)加熱至 90-200℃之溫度範圍,且將基材(21)加熱至 120-450℃之溫度範圍,藉此將銅蒸鍍於前述基材(21)上以形成銅層之步驟。提供一種基板之製造方法及用於其之蒸鍍裝置,適於半導體基板或電子基板等,能安全且廉價地製造銅純度高且微細之銅層。
简体摘要：本发明之基板之制造方法,包含以下步骤:将含有铜层之构成材料的铜层形成用材料(20)与基材(21),分别配置成基材(21)在铜层形成用材料(20)之铅直方向上侧与铜层形成用材料(20)对向之步骤;及将铜层形成用材料(20)加热至 90-200℃之温度范围,且将基材(21)加热至 120-450℃之温度范围,借此将铜蒸镀于前述基材(21)上以形成铜层之步骤。提供一种基板之制造方法及用于其之蒸镀设备,适于半导体基板或电子基板等,能安全且廉价地制造铜纯度高且微细之铜层。

70. 发明专利

TWI282377B 蝕刻劑及其補充液及使用其之銅配線製造方法 ETCHANT, REPLENISHMENT SOLUTION AND METHOD FOR PRODUCING COPPER WIRING USING THE SAME 有权
简体标题：蚀刻剂及其补充液及使用其之铜配线制造方法 ETCHANT, REPLENISHMENT SOLUTION AND METHOD FOR PRODUCING COPPER WIRING USING THE SAME
公开(公告)号：TWI282377B
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：TW093121488
申请日：2004-07-19
申请人： MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：戶田健次 TODA, KENJI , 森永友香里 MORINAGA, YUKARI , 手島孝浩 TESHIMA, TAKAHIRO , 黑田愛 KURODA, AI
IPC分类号： C23F , H05K
CPC分类号： C23F1/18 , H05K3/067 , H05K2203/124
摘要：本發明之蝕刻劑，係銅或銅合金用之蝕刻劑，其由含有銅離子濃度為14~155g/公升之銅(II)離子源、7~180g/公升之鹽酸、以及0.1~50g/公升之唑(僅有氮原子作為環內之雜原子)之水溶液所組成。本發明之配線製造方法，係藉由蝕刻銅或銅合金來製造配線，其以蝕刻劑蝕刻電絕緣材(1)上之銅層(2)中未被覆抗蝕劑(3)之部分(2a)，而形成配線(4)。藉此，形成底切少、微細且高密度之配線圖案。
简体摘要：本发明之蚀刻剂，系铜或铜合金用之蚀刻剂，其由含有铜离子浓度为14~155g/公升之铜(II)离子源、7~180g/公升之盐酸、以及0.1~50g/公升之唑(仅有氮原子作为环内之杂原子)之水溶液所组成。本发明之配线制造方法，系借由蚀刻铜或铜合金来制造配线，其以蚀刻剂蚀刻电绝缘材(1)上之铜层(2)中未被覆抗蚀剂(3)之部分(2a)，而形成配线(4)。借此，形成底切少、微细且高密度之配线图案。

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