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    • 53. 发明专利
    • 表面粗化方法
    • TW201611659A
    • 2016-03-16
    • TW104110079
    • 2015-03-27
    • 日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 染谷安信SOMEYA, YASUNOBU坂本力丸SAKAMOTO, RIKIMARU岸岡高広KISHIOKA, TAKAHIRO
    • H05B33/10H05B33/02H01L51/50B05D7/24B05D3/10
    • H01L51/5268H01L2251/5369
    • 本發明係提供一種使基板之表面粗化方法。 本發明之表面粗化方法,其係包含如下步驟:第1步驟,其係於基板上或較基板上方之層上塗佈含有無機粒子(a1)與有機樹脂(a2)之組成物(a3),並進行乾燥與硬化而形成有機樹脂層(A);第2步驟,其係從該基板之上方進行蝕刻而使同基板之表面進行粗化。前述蝕刻係至少進行1次,其中至少一次的蝕刻係以氧系氣體進行氣體蝕刻或以酸性水溶液進行濕式蝕刻。前述無機粒子(a1)為平均粒徑5~1000nm之金屬氧化物粒子。前述組成物(a3)係含有作為無機粒子(a1)之二氧化矽分散於有機溶劑之二氧化矽溶膠、及有機樹脂(a2)之溶液。前述有機樹脂層(A)係相對於有機樹脂(a2)100質量份以5~50質量份之比率含有無機粒子(a1)。前述組成物(a3)為更含有交聯劑及交聯觸媒。所形成之表面粗化層為LED的光取出層。
    • 本发明系提供一种使基板之表面粗化方法。 本发明之表面粗化方法,其系包含如下步骤:第1步骤,其系于基板上或较基板上方之层上涂布含有无机粒子(a1)与有机树脂(a2)之组成物(a3),并进行干燥与硬化而形成有机树脂层(A);第2步骤,其系从该基板之上方进行蚀刻而使同基板之表面进行粗化。前述蚀刻系至少进行1次,其中至少一次的蚀刻系以氧系气体进行气体蚀刻或以酸性水溶液进行湿式蚀刻。前述无机粒子(a1)为平均粒径5~1000nm之金属氧化物粒子。前述组成物(a3)系含有作为无机粒子(a1)之二氧化硅分散于有机溶剂之二氧化硅溶胶、及有机树脂(a2)之溶液。前述有机树脂层(A)系相对于有机树脂(a2)100质量份以5~50质量份之比率含有无机粒子(a1)。前述组成物(a3)为更含有交联剂及交联触媒。所形成之表面粗化层为LED的光取出层。