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51. 发明专利

TWI690610B 結構體及其製造方法有权
简体标题：结构体及其制造方法
公开(公告)号：TWI690610B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107138751
申请日：2018-11-01
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION , 日商佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：池本学 , IKEMOTO, MANABU , 徳永博之 , TOKUNAGA, HIROYUKI
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/14 , C01B3/00 , H01M4/38

52. 发明专利

TWI679924B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI679924B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107121806
申请日：2018-06-26
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：田名部正治 , TANABE, MASAHARU , 関谷一成 , SEKIYA, KAZUNARI , 井上忠 , INOUE, TADASHI , 笹本浩 , SASAMOTO, HIROSHI , 佐藤辰憲 , SATO, TATSUNORI , 土屋信昭 , TSUCHIYA, NOBUAKI , 竹田敦 , TAKEDA, ATSUSHI
IPC分类号： H05H1/38

53. 发明专利

TW201911978A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201911978A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107121805
申请日：2018-06-26
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：竹田敦 , TAKEDA, ATSUSHI , 森脇崇行 , MORIWAKI, TAKAYUKI , 井上忠 , INOUE, TADASHI , 田名部正治 , TANABE, MASAHARU , 関谷一成 , SEKIYA, KAZUNARI , 笹本浩 , SASAMOTO, HIROSHI , 佐藤辰憲 , SATO, TATSUNORI , 土屋信昭 , TSUCHIYA, NOBUAKI
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/3065
摘要：電漿處理裝置，係具備：　　具有第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子的巴倫；　　被接地的真空容器；　　被電性連接至前述第1平衡端子的第1電極；　　被電性連接至前述第2平衡端子的第2電極；及　　被配置於前述真空容器之中，被接地的接地電極。
简体摘要：等离子处理设备，系具备：　　具有第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子的巴伦；　　被接地的真空容器；　　被电性连接至前述第1平衡端子的第1电极；　　被电性连接至前述第2平衡端子的第2电极；及　　被配置于前述真空容器之中，被接地的接地电极。

54. 发明专利

TW201839368A 冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒审中-公开
简体标题：冷阴极电离真空计及冷阴极电离真空计用盒
公开(公告)号：TW201839368A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107108193
申请日：2018-03-12
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：川崎洋輔 , KAWASAKI, YOHSUKE , 江野本至 , ENOMOTO, ITARU , 望月勳 , MOCHIZUKI, ISAO
IPC分类号： G01L21/34
摘要：提供良好的冷陰極電離真空計及冷陰極電離真空計用盒。一種冷陰極電離真空計，具有：陽極；筒狀的陰極，其以包圍陽極的方式配置；密封部，其將陰極的其中一個開口密封；第1構材，其於陰極的內部與密封部相向，設置貫通孔；分隔部，其將由陰極、密封部、第1構材包圍的空間，分隔為第1構材面臨的第1空間、密封部面臨的第2空間；和光源，其配置於分隔部或第2空間，並發出電磁波；在分隔部的外周部的至少一部分與陰極之間形成間隙。
简体摘要：提供良好的冷阴极电离真空计及冷阴极电离真空计用盒。一种冷阴极电离真空计，具有：阳极；筒状的阴极，其以包围阳极的方式配置；密封部，其将阴极的其中一个开口密封；第1构材，其于阴极的内部与密封部相向，设置贯通孔；分隔部，其将由阴极、密封部、第1构材包围的空间，分隔为第1构材面临的第1空间、密封部面临的第2空间；和光源，其配置于分隔部或第2空间，并发出电磁波；在分隔部的外周部的至少一部分与阴极之间形成间隙。

55. 发明专利

TW201828777A Ｘ光產生裝置及Ｘ光攝影系統审中-公开
简体标题：Ｘ光产生设备及Ｘ光摄影系统
公开(公告)号：TW201828777A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106138241
申请日：2017-11-06
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：川瀬順也 , KAWASE, JUNYA , 安藤洋一 , ANDO, YOICHI
IPC分类号： H05G1/06 , H05G1/08
摘要： X光產生裝置，係具備有：X光管；和驅動X光管之驅動電路；和產生施加於X光管處的電子加速電壓之電壓產生電路；以及與驅動電路及電壓產生電路進行通訊之控制部，至少X光管和驅動電路以及電壓產生電路係被配置在填充有絕緣油之收容容器內，將驅動電路與控制部作連接之路徑的至少一部分，係藉由被配置在收容容器內之光纖纜線所構成，光纖纜線，係具備有對起因於電壓產生電路之驅動時所發生的絕緣油之對流而搖動的情形作抑制之被覆。
简体摘要： X光产生设备，系具备有：X光管；和驱动X光管之驱动电路；和产生施加于X光管处的电子加速电压之电压产生电路；以及与驱动电路及电压产生电路进行通信之控制部，至少X光管和驱动电路以及电压产生电路系被配置在填充有绝缘油之收容容器内，将驱动电路与控制部作连接之路径的至少一部分，系借由被配置在收容容器内之光纤缆线所构成，光纤缆线，系具备有对起因于电压产生电路之驱动时所发生的绝缘油之对流而摇动的情形作抑制之被覆。

56. 发明专利

TW201803166A 磁阻效應元件的製造方法审中-公开
简体标题：磁阻效应组件的制造方法
公开(公告)号：TW201803166A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106101897
申请日：2017-01-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI
IPC分类号： H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12
摘要：有關本發明的一實施形態的磁阻效應元件的製造方法，具有：在形成參考層的基板上形成Mg膜，並藉由將Mg膜氧化而在參考層之上形成MgO層的工程；將形成MgO層的基板加熱的工程；在加熱工程之後，在MgO層之上形成Mg層的工程；將形成Mg層的基板冷卻的工程；以冷卻工程來將基板冷卻的狀態，在Mg層之上形成自由層的工程；其中，形成Mg層的工程、冷卻工程、形成自由層的工程，係在相同處理室內進行。
简体摘要：有关本发明的一实施形态的磁阻效应组件的制造方法，具有：在形成参考层的基板上形成Mg膜，并借由将Mg膜氧化而在参考层之上形成MgO层的工程；将形成MgO层的基板加热的工程；在加热工程之后，在MgO层之上形成Mg层的工程；将形成Mg层的基板冷却的工程；以冷却工程来将基板冷却的状态，在Mg层之上形成自由层的工程；其中，形成Mg层的工程、冷却工程、形成自由层的工程，系在相同处理室内进行。

57. 发明专利

TWI570763B 蝕刻裝置有权
简体标题：蚀刻设备
公开(公告)号：TWI570763B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW103117007
申请日：2014-05-14
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：鈴木英和 , SUZUKI, HIDEKAZU , 柴垣真果 , SHIBAGAKI, MASAMI , 関口篤史 , SEKIGUCHI, ATSUSHI
IPC分类号： H01J37/305
CPC分类号： H01J37/32385 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01J2237/3341

58. 发明专利

TWI570259B 真空處理裝置有权
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TWI570259B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW103120024
申请日：2014-06-10
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：安川英宏 , YASUKAWA, HIDEHIRO , 杉原正寛 , SUGIHARA, MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/58
CPC分类号： H05B3/0047 , C23C14/541 , F27D7/06 , F27D15/02 , F27D2007/066 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/68707

59. 发明专利

TWI564418B 濺鍍裝置及基板處理裝置有权
简体标题：溅镀设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI564418B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW102142840
申请日：2013-11-25
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：石原繁紀 , ISHIHARA, SHIGENORI , 戶谷寛行 , TOYA, HIROYUKI , 安松保志 , YASUMATSU, YASUSHI , 中澤俊和 , NAKAZAWA, TOSHIKAZU , 中村英司 , NAKAMURA, EIJI , 須田真太郎 , SUDA, SHINTARO , 今井愼 , IMAI, SHIN , 藤本雄 , FUJIMOTO, YUU
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/352 , H01J37/3405

60. 发明专利

TW201639178A 垂直磁化型ＭＴＪ元件之製造方法审中-公开
简体标题：垂直磁化型ＭＴＪ组件之制造方法
公开(公告)号：TW201639178A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104137332
申请日：2015-11-12
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：清野拓哉 , SEINO, TAKUYA
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要：本發明之其中一種實施形態，係提供一種垂直磁化型MTJ元件之製造方法，該垂直磁化型MTJ元件，係具備有：包含包夾MgO層之一對的CoFeB層之第1層積構造；和包含層積體之第2層積構造，該垂直磁化型MTJ元件之製造方法，其特徵為，係具備有：在基板上形成第1以及第2層積構造中之其中一者之工程；和將被形成有第1以及第2層積構造中之其中一者之基板曝露於大氣中，而對於其特性進行檢查之工程；和在被形成有第1以及第2層積構造中之其中一者之基板上，形成第1以及第2層積構造中之另外一者之工程。
简体摘要：本发明之其中一种实施形态，系提供一种垂直磁化型MTJ组件之制造方法，该垂直磁化型MTJ组件，系具备有：包含包夹MgO层之一对的CoFeB层之第1层积构造；和包含层积体之第2层积构造，该垂直磁化型MTJ组件之制造方法，其特征为，系具备有：在基板上形成第1以及第2层积构造中之其中一者之工程；和将被形成有第1以及第2层积构造中之其中一者之基板曝露于大气中，而对于其特性进行检查之工程；和在被形成有第1以及第2层积构造中之其中一者之基板上，形成第1以及第2层积构造中之另外一者之工程。

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