专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

51. 发明专利

TW201314843A 雙面相機組件审中-公开
简体标题：双面相机组件
公开(公告)号：TW201314843A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101129095
申请日：2012-08-10
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 沙哈亞雪許 , SHAH, ASHISH , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E.
IPC分类号： H01L23/02 , H01L25/065
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14605 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469
摘要：本發明之實施例係關於一種相機組件，其包括操作性地耦合在一起(例如，接合、堆疊在一共同基板上)之一背面拍攝相機及一正面拍攝相機。在本發明之一些實施例中，具有一前側照明(FSI)成像像素陣列之一系統接合至具有一背側照明(BSI)成像像素陣列之一系統，從而建立具有一最小尺寸(例如，相比於先前技術解決方案具有一減小之厚度)之一相機組件。當將一BSI影像感測器晶圓減薄時，可將一FSI影像感測器晶圓用作該BSI影像感測器晶圓之一處置晶圓，藉此減小整個相機模組之厚度。根據本發明之其他實施例，兩個封裝晶粒、一個BSI影像感測器、另一個FSI影像感測器係堆疊在諸如一印刷電路板之一共同基板上，且經由再分佈層操作性地耦合在一起。
简体摘要：本发明之实施例系关于一种相机组件，其包括操作性地耦合在一起(例如，接合、堆栈在一共同基板上)之一背面拍摄相机及一正面拍摄相机。在本发明之一些实施例中，具有一前侧照明(FSI)成像像素数组之一系统接合至具有一背侧照明(BSI)成像像素数组之一系统，从而创建具有一最小尺寸(例如，相比于先前技术解决方案具有一减小之厚度)之一相机组件。当将一BSI影像传感器晶圆减薄时，可将一FSI影像传感器晶圆用作该BSI影像传感器晶圆之一处置晶圆，借此减小整个相机模块之厚度。根据本发明之其他实施例，两个封装晶粒、一个BSI影像传感器、另一个FSI影像传感器系堆栈在诸如一印刷电路板之一共同基板上，且经由再分布层操作性地耦合在一起。

52. 发明专利

TW201301488A 具有減少暈光及電遮光器之背側照射式影像感測器审中-公开
简体标题：具有减少晕光及电遮光器之背侧照射式影像传感器
公开(公告)号：TW201301488A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101105897
申请日：2012-02-22
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 錢胤 , QIAN, YIN , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 楊榮生 , YANG, RONGSHENG , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E.
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14656 , H01L27/14603 , H01L27/14689
摘要：本發明揭示一種像素，其包含：一光敏區，其形成於一基板之一表面中；及一溢流汲極，其形成於該基板之該表面中之相對於該光敏區之一距離處，該溢流汲極之一電偏壓係可變及可控。本發明揭示一種像素，其包含：一光敏區，其形成於一基板之一表面中；一源極隨耦器電晶體，其耦合至該光敏區，該源極隨耦器電晶體包含一汲極；及一摻雜橋接器，其將該光敏區耦合至該源極隨耦器電晶體之該汲極。
简体摘要：本发明揭示一种像素，其包含：一光敏区，其形成于一基板之一表面中；及一溢流汲极，其形成于该基板之该表面中之相对于该光敏区之一距离处，该溢流汲极之一电偏压系可变及可控。本发明揭示一种像素，其包含：一光敏区，其形成于一基板之一表面中；一源极随耦器晶体管，其耦合至该光敏区，该源极随耦器晶体管包含一汲极；及一掺杂桥接器，其将该光敏区耦合至该源极随耦器晶体管之该汲极。

53. 发明专利

TW201133813A 具有自對準光電二極體植入物之互補金氧半導體影像感測器 CMOS IMAGE SENSOR WITH SELF-ALIGNED PHOTODIODE IMPLANTS 审中-公开
简体标题：具有自对准光电二极管植入物之互补金属氧化物半导体影像传感器 CMOS IMAGE SENSOR WITH SELF-ALIGNED PHOTODIODE IMPLANTS
公开(公告)号：TW201133813A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099142672
申请日：2010-12-07
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：錢胤 , 戴幸志 , 貿伊都力 , 凡尼賈文生 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L21/26586 , H01L27/1461
摘要：本發明揭示一種形成一釘紮光電二極體之例示性方法,該方法包含施加一光阻遮罩於一半導體層之將隨後形成一轉移閘極之一位置處。接著以一第一角度植入第一摻雜離子以在該光阻遮罩之一邊緣下方形成一第一摻雜區域。接著,蝕刻一光阻遮罩使得該光阻遮罩之一厚度減小以形成一經修整光阻遮罩。接著以一第二角度植入第二摻雜離子以形成一第二摻雜區域,其中該等第二摻雜離子係藉由該經修整光阻遮罩遮蔽以自部分位於該第一摻雜區域上方且鄰近該經修整光阻遮罩之一邊緣之一區域排除該等第二摻雜離子。
简体摘要：本发明揭示一种形成一钉扎光电二极管之例示性方法,该方法包含施加一光阻遮罩于一半导体层之将随后形成一转移闸极之一位置处。接着以一第一角度植入第一掺杂离子以在该光阻遮罩之一边缘下方形成一第一掺杂区域。接着,蚀刻一光阻遮罩使得该光阻遮罩之一厚度减小以形成一经修整光阻遮罩。接着以一第二角度植入第二掺杂离子以形成一第二掺杂区域,其中该等第二掺杂离子系借由该经修整光阻遮罩屏蔽以自部分位于该第一掺杂区域上方且邻近该经修整光阻遮罩之一边缘之一区域排除该等第二掺杂离子。

54. 发明专利

TW201130125A 具有熱管理結構之互補金氧半導體影像感測器 CMOS IMAGE SENSOR WITH HEAT MANAGEMENT STRUCTURES 审中-公开
简体标题：具有热管理结构之互补金属氧化物半导体影像传感器 CMOS IMAGE SENSOR WITH HEAT MANAGEMENT STRUCTURES
公开(公告)号：TW201130125A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099133415
申请日：2010-09-30
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：凡尼賈文生 , 貿伊都力 , 戴幸志 , 錢胤 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/1464
摘要：本發明揭示一種影像感測器,其包含:一裝置晶圓之一裝置晶圓基板、該裝置晶圓之一裝置層,及選擇性地一熱控制結構及/或一散熱片。該裝置層被設置於該裝置晶圓基板之一前側上且包含複數個被設置於一像素陣列區域內之光敏性元件及被設置於一周邊電路區域內之周邊電路。該等光敏性元件對入射於該裝置晶圓基板之一背側上之光敏感。該熱控制結構被設置於該裝置晶圓基板內且使該像素陣列區域與該周邊電路區域熱隔離,以減少該周邊電路區域與該像素陣列區域之間之熱轉移。該散熱片使熱傳導離開該裝置層。
简体摘要：本发明揭示一种影像传感器,其包含:一设备晶圆之一设备晶圆基板、该设备晶圆之一设备层,及选择性地一热控制结构及/或一散热片。该设备层被设置于该设备晶圆基板之一前侧上且包含复数个被设置于一像素数组区域内之光敏性组件及被设置于一周边电路区域内之周边电路。该等光敏性组件对入射于该设备晶圆基板之一背侧上之光敏感。该热控制结构被设置于该设备晶圆基板内且使该像素数组区域与该周边电路区域热隔离,以减少该周边电路区域与该像素数组区域之间之热转移。该散热片使热传导离开该设备层。

55. 发明专利

TW201101474A 用於減少串擾之多層影像感測器像素結構 MULTILAYER IMAGE SENSOR PIXEL STRUCTURE FOR REDUCING CROSSTALK 审中-公开
简体标题：用于减少串扰之多层影像传感器像素结构 MULTILAYER IMAGE SENSOR PIXEL STRUCTURE FOR REDUCING CROSSTALK
公开(公告)号：TW201101474A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099112883
申请日：2010-04-23
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：凡尼賈文生 , 沙哈亞雪許 , 楊榮生 , 貿伊都力 , 錢胤 , 戴幸志 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14601
摘要：一種影像感測器像素包括一基板、一第一磊晶層、一集極層、一第二磊晶層及一光收集區域。該基板經摻雜以具有一第一導電型。該第一磊晶層安置於該基板上方且經摻雜以亦具有該第一導電型。該集極層選擇性地安置於該第一磊晶層之至少一部分上方且經摻雜以具有一第二導電型。該第二磊晶層安置於該集極層上方且經摻雜以具有該第一導電型。該光收集區域收集光生電荷載流子且安置於該第二磊晶層內。該光收集區域亦經摻雜以具有該第二導電型。
简体摘要：一种影像传感器像素包括一基板、一第一磊晶层、一集极层、一第二磊晶层及一光收集区域。该基板经掺杂以具有一第一导电型。该第一磊晶层安置于该基板上方且经掺杂以亦具有该第一导电型。该集极层选择性地安置于该第一磊晶层之至少一部分上方且经掺杂以具有一第二导电型。该第二磊晶层安置于该集极层上方且经掺杂以具有该第一导电型。该光收集区域收集光生电荷载流子且安置于该第二磊晶层内。该光收集区域亦经掺杂以具有该第二导电型。

56. 发明专利

TW201030956A 具有加強背面表面處理之互補式金氧半導體感測器 CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVED BACKSIDE SURFACE TREATMENT 审中-公开
简体标题：具有加强背面表面处理之互补式金属氧化物半导体传感器 CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVED BACKSIDE SURFACE TREATMENT
公开(公告)号：TW201030956A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098141190
申请日：2009-12-02
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14601 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698
摘要：本發明揭示一種用於製造背面照射式(「BSI」)影像感測器之一陣列的設備及方法。將該等BSI影像感測器之前側組件形成於該陣列之一前側中。將一摻雜劑層植入至該陣列之一背面中。該摻雜劑層建立一摻雜劑梯度以促進光生電荷載子朝向該陣列之該前側遷移。使該摻雜劑層之至少一部分退火。在該摻雜劑層之該背面上形成一表面處理以處置表面缺陷。
简体摘要：本发明揭示一种用于制造背面照射式(“BSI”)影像传感器之一数组的设备及方法。将该等BSI影像传感器之前侧组件形成于该数组之一前侧中。将一掺杂剂层植入至该数组之一背面中。该掺杂剂层创建一掺杂剂梯度以促进光生电荷载子朝向该数组之该前侧迁移。使该掺杂剂层之至少一部分退火。在该掺杂剂层之该背面上形成一表面处理以处置表面缺陷。

57. 发明专利

TW201025586A 具有低串擾及高紅色靈敏度之影像感測器 IMAGE SENSOR WITH LOW CROSSTALK AND HIGH RED SENSITIVITY 审中-公开
简体标题：具有低串扰及高红色灵敏度之影像传感器 IMAGE SENSOR WITH LOW CROSSTALK AND HIGH RED SENSITIVITY
公开(公告)号：TW201025586A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098129751
申请日：2009-09-03
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：貿伊都力 , 凡尼賈文生 , 戴幸志 , 錢胤 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1463
摘要：本發明揭示一種彩色像素陣列,其包含第一、第二與第三複數個彩色像素,每個彩色像素包含一安置於一第一半導體層內的光敏區域。在一項實施例中,將包含深摻雜區域之一第二半導體層安置於該第一半導體層下方。該等深摻雜區域每個係駐存於該第一複數個彩色像素之一對應像素的下方,但大體上不在該第二複數個彩色像素與該第三複數個彩色像素下方。在一項實施例中,將若干埋入井安置於該第二複數個彩色像素與該第三複數個彩色像素之下,但大體上不在該第一複數個彩色像素下方。
简体摘要：本发明揭示一种彩色像素数组,其包含第一、第二与第三复数个彩色像素,每个彩色像素包含一安置于一第一半导体层内的光敏区域。在一项实施例中,将包含深掺杂区域之一第二半导体层安置于该第一半导体层下方。该等深掺杂区域每个系驻存于该第一复数个彩色像素之一对应像素的下方,但大体上不在该第二复数个彩色像素与该第三复数个彩色像素下方。在一项实施例中,将若干埋入井安置于该第二复数个彩色像素与该第三复数个彩色像素之下,但大体上不在该第一复数个彩色像素下方。

58. 发明专利

TW200952162A 用於背測照明影像感測器之黑色參考像素 BLACK REFERENCE PIXEL FOR BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR 审中-公开
简体标题：用于背测照明影像传感器之黑色参考像素 BLACK REFERENCE PIXEL FOR BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR
公开(公告)号：TW200952162A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098103971
申请日：2009-02-06
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：戴幸志 , 凡尼賈文生 , 貿伊都力 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685
摘要：本發明係關於一種成像感測器像素陣列，其包含：一半導體基板；複數個主動像素；及至少一黑色參考像素。該複數個主動像素係配置在該半導體基板中用於捕獲一影像。該等主動像素之各者包含用於接收光的一第一區域，該第一區域包含用於蓄積一影像電荷之一p-n接面；及耦合至該第一區域以讀出該影像電荷之主動像素電路。該黑色參考像素亦是配置在該半導體基板中用於產生一黑色位準參考值。該黑色參考像素包含：用於接收光的一第二區域，該第二區域沒有p-n接面；及黑色像素電路，該黑色像素電路耦合至無該p-n接面之該光電二極體區域以讀出一黑色位準參考信號。
简体摘要：本发明系关于一种成像传感器像素数组，其包含：一半导体基板；复数个主动像素；及至少一黑色参考像素。该复数个主动像素系配置在该半导体基板中用于捕获一影像。该等主动像素之各者包含用于接收光的一第一区域，该第一区域包含用于蓄积一影像电荷之一p-n接面；及耦合至该第一区域以读出该影像电荷之主动像素电路。该黑色参考像素亦是配置在该半导体基板中用于产生一黑色位准参考值。该黑色参考像素包含：用于接收光的一第二区域，该第二区域没有p-n接面；及黑色像素电路，该黑色像素电路耦合至无该p-n接面之该光电二极管区域以读出一黑色位准参考信号。

59. 发明专利

TW200947685A 影像感測反射器 IMAGE SENSOR REFLECTOR 审中-公开
简体标题：影像传感反射器 IMAGE SENSOR REFLECTOR
公开(公告)号：TW200947685A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098101078
申请日：2009-01-13
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：野崎秀俊 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14685
摘要：本發明提供一種像素陣列，其係使用一基板形成，其中各個像素具有一基板、一形成於該基板中的感光區域及一反射器，該基板具有一用於接收入射光的入射側，該反射器具有一複合形狀之表面。該反射器被形成於該基板之相對於該入射側之一部分中，使得入射在該反射器之該複合形狀表面上的光朝該感光區域反射。
简体摘要：本发明提供一种像素数组，其系使用一基板形成，其中各个像素具有一基板、一形成于该基板中的感光区域及一反射器，该基板具有一用于接收入射光的入射侧，该反射器具有一复合形状之表面。该反射器被形成于该基板之相对于该入射侧之一部分中，使得入射在该反射器之该复合形状表面上的光朝该感光区域反射。

60. 发明专利

TW200945567A 影像感測器及包括深的光偵測器之像素 IMAGE SENSOR AND PIXEL INCLUDING A DEEP PHOTODETECTOR 审中-公开
简体标题：影像传感器及包括深的光侦测器之像素 IMAGE SENSOR AND PIXEL INCLUDING A DEEP PHOTODETECTOR
公开(公告)号：TW200945567A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW098103953
申请日：2009-02-06
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：羅狄絲霍華E , 野崎秀俊 , 真鍋宗平
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14689
摘要：本發明揭示一種裝置，其包含：一傳輸閘，其係形成於一基板上；以及一光二極體，其係鄰近該傳輸閘而形成於該基板中。該光二極體包含一淺的N型集極，其係形成於該基板中；一深的N型集極，其係形成於該基板中，其中該深的N型集極之一橫向側至少在該傳輸閘下延伸；以及一連接N型集極，其係形成於該深的N型集極與該淺的N型集極之間的該基板中，其中連接植入連接該深的N型集極與該淺的N型集極。本發明亦揭示一種程序，其包含在該基板中形成一深的N型集極；形成一淺的N型集極，其係形成於該基板中；以及在該深的N型集極與該淺的N型集極之間的該基板中形成一連接N型集極，其中該連接植入連接該深的N型集極與該淺的N型集極。一傳輸閘係鄰近該深的光二極體而形成於該基板上，其中該深的N型集極之一橫向側至少在該傳輸閘下延伸。本發明揭示並主張其他具體實施例。
简体摘要：本发明揭示一种设备，其包含：一传输闸，其系形成于一基板上；以及一光二极管，其系邻近该传输闸而形成于该基板中。该光二极管包含一浅的N型集极，其系形成于该基板中；一深的N型集极，其系形成于该基板中，其中该深的N型集极之一横向侧至少在该传输闸下延伸；以及一连接N型集极，其系形成于该深的N型集极与该浅的N型集极之间的该基板中，其中连接植入连接该深的N型集极与该浅的N型集极。本发明亦揭示一种进程，其包含在该基板中形成一深的N型集极；形成一浅的N型集极，其系形成于该基板中；以及在该深的N型集极与该浅的N型集极之间的该基板中形成一连接N型集极，其中该连接植入连接该深的N型集极与该浅的N型集极。一传输闸系邻近该深的光二极管而形成于该基板上，其中该深的N型集极之一横向侧至少在该传输闸下延伸。本发明揭示并主张其他具体实施例。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式