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1. 发明专利

TWI516123B 具有複數個放大器電晶體之高動態範圍像素有权
简体标题：具有复数个放大器晶体管之高动态范围像素
公开(公告)号：TWI516123B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102135193
申请日：2013-09-27
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 林志強 , LIN, ZHIQIANG , 胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH
IPC分类号： H04N5/355
CPC分类号： H04N5/335 , H04N5/2355 , H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/37452

2. 发明专利

TWI523214B 用於影像感測器之像素單元及成像系統有权
简体标题：用于影像传感器之像素单元及成像系统
公开(公告)号：TWI523214B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102147810
申请日：2013-12-23
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 傅振宏 , FU, ZHENHONG
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14656 , H01L27/14614

3. 发明专利

TWI509784B 具經切換之深溝渠隔離結構的影像感測器畫素單元有权
简体标题：具经切换之深沟渠隔离结构的影像传感器像素单元
公开(公告)号：TWI509784B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102139617
申请日：2013-10-31
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 楊榮生 , YANG, RONGSHENG , 陳剛 , CHEN, GANG , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E. , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/0928 , H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/1464

4. 发明专利

TW201434317A 具有複數個放大器電晶體之高動態範圍像素审中-公开
简体标题：具有复数个放大器晶体管之高动态范围像素
公开(公告)号：TW201434317A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102135193
申请日：2013-09-27
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 林志強 , LIN, ZHIQIANG , 胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH
IPC分类号： H04N5/355
CPC分类号： H04N5/335 , H04N5/2355 , H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/37452
摘要：一種供在一高動態範圍影像感測器中使用之像素單元包含一光電二極體，該光電二極體安置於半導體材料中以回應於入射於該光電二極體上之光而累積電荷。一轉移電晶體安置於該半導體材料中且耦合於一浮動擴散部與該光電二極體之間。一第一放大器電晶體安置於該半導體材料中，該第一放大器電晶體具有耦合至該浮動擴散部之一閘極端子及經耦合以產生該像素單元之一第一輸出信號之一源極端子。一第二放大器電晶體安置於該半導體材料中，該第二放大器電晶體具有耦合至該浮動擴散部之一閘極端子及經耦合以產生該像素單元之一第二輸出信號之一源極端子。
简体摘要：一种供在一高动态范围影像传感器中使用之像素单元包含一光电二极管，该光电二极管安置于半导体材料中以回应于入射于该光电二极管上之光而累积电荷。一转移晶体管安置于该半导体材料中且耦合于一浮动扩散部与该光电二极管之间。一第一放大器晶体管安置于该半导体材料中，该第一放大器晶体管具有耦合至该浮动扩散部之一闸极端子及经耦合以产生该像素单元之一第一输出信号之一源极端子。一第二放大器晶体管安置于该半导体材料中，该第二放大器晶体管具有耦合至该浮动扩散部之一闸极端子及经耦合以产生该像素单元之一第二输出信号之一源极端子。

5. 发明专利

TW201301488A 具有減少暈光及電遮光器之背側照射式影像感測器审中-公开
简体标题：具有减少晕光及电遮光器之背侧照射式影像传感器
公开(公告)号：TW201301488A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101105897
申请日：2012-02-22
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 錢胤 , QIAN, YIN , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 楊榮生 , YANG, RONGSHENG , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E.
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14656 , H01L27/14603 , H01L27/14689
摘要：本發明揭示一種像素，其包含：一光敏區，其形成於一基板之一表面中；及一溢流汲極，其形成於該基板之該表面中之相對於該光敏區之一距離處，該溢流汲極之一電偏壓係可變及可控。本發明揭示一種像素，其包含：一光敏區，其形成於一基板之一表面中；一源極隨耦器電晶體，其耦合至該光敏區，該源極隨耦器電晶體包含一汲極；及一摻雜橋接器，其將該光敏區耦合至該源極隨耦器電晶體之該汲極。
简体摘要：本发明揭示一种像素，其包含：一光敏区，其形成于一基板之一表面中；及一溢流汲极，其形成于该基板之该表面中之相对于该光敏区之一距离处，该溢流汲极之一电偏压系可变及可控。本发明揭示一种像素，其包含：一光敏区，其形成于一基板之一表面中；一源极随耦器晶体管，其耦合至该光敏区，该源极随耦器晶体管包含一汲极；及一掺杂桥接器，其将该光敏区耦合至该源极随耦器晶体管之该汲极。

6. 发明专利

TWI585958B 用於影像感測器之部分埋入式通道傳輸裝置有权
简体标题：用于影像传感器之部分埋入式信道传输设备
公开(公告)号：TWI585958B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW101137818
申请日：2012-10-12
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 毛杜立 , MAO, DULI , 比庫曼拉瑪諾 , BIKUMANDLA, MANOJ , 鄭葦 , ZHENG, WEI , 錢胤 , QIAN, YIN , 熊智斌 , XIONG, ZHIBIN , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 顧克強 , KU, KEH CHIANG , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E.
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14689

7. 发明专利

TWI559513B 具有透過含隔離區之接觸蝕刻終止層耦接之金屬接點之影像感測器有权
简体标题：具有透过含隔离区之接触蚀刻终止层耦接之金属接点之影像传感器
公开(公告)号：TWI559513B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW102138954
申请日：2013-10-28
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 陳剛 , CHEN, GANG
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643

8. 发明专利

TW201440206A 具有透過含隔離區之接觸蝕刻終止層耦接之金屬接點之影像感測器审中-公开
简体标题：具有透过含隔离区之接触蚀刻终止层耦接之金属接点之影像传感器
公开(公告)号：TW201440206A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102138954
申请日：2013-10-28
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 陳剛 , CHEN, GANG
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643
摘要：一影像感測器像素包括安置在一半導體層中之一或多個光電二極體。像素電路安置在該半導體層中、耦接至該一或多個光電二極體。一鈍化層在該像素電路及該一或多個光電二極體上方安置在該半導體層附近。一接觸蝕刻終止層安置在該鈍化層上方。一或多個金屬接點透過該接觸蝕刻終止層耦接至該像素電路。一或多個隔離區界定於該接觸蝕刻終止層中，該等隔離區將該一或多個金屬接點耦接至該像素電路所透過之接觸蝕刻終止層材料與該一或多個光電二極體隔離。
简体摘要：一影像传感器像素包括安置在一半导体层中之一或多个光电二极管。像素电路安置在该半导体层中、耦接至该一或多个光电二极管。一钝化层在该像素电路及该一或多个光电二极管上方安置在该半导体层附近。一接触蚀刻终止层安置在该钝化层上方。一或多个金属接点透过该接触蚀刻终止层耦接至该像素电路。一或多个隔离区界定于该接触蚀刻终止层中，该等隔离区将该一或多个金属接点耦接至该像素电路所透过之接触蚀刻终止层材料与该一或多个光电二极管隔离。

9. 发明专利

TW201513327A 具有緊鄰儲存閘極的雙重自我對準植入物之影像感測器像素單元审中-公开
简体标题：具有紧邻存储闸极的双重自我对准植入物之影像传感器像素单元
公开(公告)号：TW201513327A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102147810
申请日：2013-12-23
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 傅振宏 , FU, ZHENHONG
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14656 , H01L27/14614
摘要：本發明揭示一種像素單元，其包含一儲存電晶體，該儲存電晶體包含具有一第一極性之一深植入儲存區域，該深植入儲存區域植入於一半導體基板中以儲存由一光電二極體累積之影像電荷。一轉移電晶體耦合於該光電二極體與該儲存電晶體之一輸入之間以將該影像電荷自該光電二極體選擇性地轉移至該儲存電晶體。一輸出電晶體耦合至該儲存電晶體之一輸出以將該影像電荷自該儲存電晶體選擇性地轉移至一讀出節點。具有該第一極性之一第一淺植入區域植入於該半導體基板中在該轉移電晶體之一轉移閘極與該儲存電晶體之一儲存閘極之間的一第一間隔件區域下方。具有該第一極性之一第二淺植入區域植入於該半導體基板中在該儲存閘極與輸出閘極之間的一第二間隔件區域下方。
简体摘要：本发明揭示一种像素单元，其包含一存储晶体管，该存储晶体管包含具有一第一极性之一深植入存储区域，该深植入存储区域植入于一半导体基板中以存储由一光电二极管累积之影像电荷。一转移晶体管耦合于该光电二极管与该存储晶体管之一输入之间以将该影像电荷自该光电二极管选择性地转移至该存储晶体管。一输出晶体管耦合至该存储晶体管之一输出以将该影像电荷自该存储晶体管选择性地转移至一读出节点。具有该第一极性之一第一浅植入区域植入于该半导体基板中在该转移晶体管之一转移闸极与该存储晶体管之一存储闸极之间的一第一间隔件区域下方。具有该第一极性之一第二浅植入区域植入于该半导体基板中在该存储闸极与输出闸极之间的一第二间隔件区域下方。

10. 发明专利

TWI478331B 具有減少暈光及電遮光器之背側照射式影像感測器有权
简体标题：具有减少晕光及电遮光器之背侧照射式影像传感器
公开(公告)号：TWI478331B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101105897
申请日：2012-02-22
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 錢胤 , QIAN, YIN , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 楊榮生 , YANG, RONGSHENG , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E.
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14656 , H01L27/14603 , H01L27/14689

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