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51. 发明专利

TW201033759A 顯影裝置、顯影方法及記憶媒體 DEVELOPING DEVICE, DEVELOPING METHOD AND STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：显影设备、显影方法及记忆媒体 DEVELOPING DEVICE, DEVELOPING METHOD AND STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW201033759A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099107295
申请日：2010-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：有馬裕 , 吉田勇一 , 山本太郎 , 吉原孝介
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/3021 , H01L21/6715
摘要：提供一種顯影裝置，可高均一性地供給顯影液至基板，抑制良品率的低下。該顯影裝置係具有：基板保持部，其水平保持表面塗佈有抗蝕劑且曝光後的基板；表面處理液霧化機構，其為了提高顯影液對該基板的可濕潤性而霧化表面處理液；第1噴霧噴嘴，其將霧化的該表面處理液噴霧至該基板；顯影液流出噴嘴，其為了顯影而將該顯影液流出至經表面處理液噴霧後的基板。將霧化的表面處理液相較於維持液狀的表面處理液，因為對基板的表面張力低，在基板上的凝集受抑制，故可輕易地供給至基板整體，因而可提高基板的可濕潤性。其結果為，可將顯影液高均一性地供給至基板，並可抑制良品率的低下。
简体摘要：提供一种显影设备，可高均一性地供给显影液至基板，抑制良品率的低下。该显影设备系具有：基板保持部，其水平保持表面涂布有抗蚀剂且曝光后的基板；表面处理液雾化机构，其为了提高显影液对该基板的可湿润性而雾化表面处理液；第1喷雾喷嘴，其将雾化的该表面处理液喷雾至该基板；显影液流出喷嘴，其为了显影而将该显影液流出至经表面处理液喷雾后的基板。将雾化的表面处理液相较于维持液状的表面处理液，因为对基板的表面张力低，在基板上的凝集受抑制，故可轻易地供给至基板整体，因而可提高基板的可湿润性。其结果为，可将显影液高均一性地供给至基板，并可抑制良品率的低下。

52. 发明专利

TW201003336A 顯影處理方法及顯影處理裝置 DEVELOPING PROCESSING METHOD AND DEVELOPING PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：显影处理方法及显影处理设备 DEVELOPING PROCESSING METHOD AND DEVELOPING PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201003336A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098119086
申请日：2009-06-08
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：竹口博史 , 山本太郎 , 吉原孝介
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/162 , G03F7/3021
摘要：本發明之課題為：提供顯影處理方法及顯影處理裝置，改善疏水化基板上之抗蝕劑膜表面的可潤濕性，使顯影液膜可有效率地形成，並達到顯影處理的穩定化。為解決上述課題，提供顯影處理方法，使旋轉夾盤40所水平固持之晶圓W旋轉，並對該晶圓表面供給顯影液以施加顯影處理，其中顯影處理步驟之前，從位於旋轉之基板表面之中心附近的顯影噴嘴52供給顯影液100，同時從比起顯影噴嘴位於晶圓外周側的純水噴嘴53供給第2液體，即純水200，利用伴隨晶圓之旋轉而流到晶圓外周側的純水所形成的壁面300，進行使顯影液往晶圓之旋轉方向擴展的預濕處理。藉此，可改善疏水化晶圓上之抗蝕劑膜表面的可潤濕性，使顯影液膜能有效率地形成，並且可達到顯影處理的穩定化。
简体摘要：本发明之课题为：提供显影处理方法及显影处理设备，改善疏水化基板上之抗蚀剂膜表面的可润湿性，使显影液膜可有效率地形成，并达到显影处理的稳定化。为解决上述课题，提供显影处理方法，使旋转夹盘40所水平固持之晶圆W旋转，并对该晶圆表面供给显影液以施加显影处理，其中显影处理步骤之前，从位于旋转之基板表面之中心附近的显影喷嘴52供给显影液100，同时从比起显影喷嘴位于晶圆外周侧的纯水喷嘴53供给第2液体，即纯水200，利用伴随晶圆之旋转而流到晶圆外周侧的纯水所形成的壁面300，进行使显影液往晶圆之旋转方向扩展的预湿处理。借此，可改善疏水化晶圆上之抗蚀剂膜表面的可润湿性，使显影液膜能有效率地形成，并且可达到显影处理的稳定化。

53. 发明专利

TW201250771A 基板洗淨裝置 SUBSTRATE CLEANING APPARATUS 审中-公开
简体标题：基板洗净设备 SUBSTRATE CLEANING APPARATUS
公开(公告)号：TW201250771A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101116505
申请日：2007-12-19
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：瀧口靖史 , 山本太郎 , 藤本昭浩 , 錦戶修一 , 熊谷大 , 吉高直人 , 北野高廣 , 德永容一
IPC分类号： H01L
摘要：提供以不需要反轉基板,且不對基板周緣部造成損傷之方式,洗淨基板背面之基板洗淨裝置等。基板洗淨裝置1具備自背面支撐呈背面朝下方之狀態的基板而予以保持之兩個基板保持手段(吸附墊2、旋轉夾具3),一面不使所支撐之區域重疊一面在該些基板保持手段之間轉接基板。洗淨構件(刷具5)係洗淨藉由基板保手段所支撐之區域以外之基板背面,利用在兩個基板保持手段之間轉接基板,洗淨基板背面全體。
简体摘要：提供以不需要反转基板,且不对基板周缘部造成损伤之方式,洗净基板背面之基板洗净设备等。基板洗净设备1具备自背面支撑呈背面朝下方之状态的基板而予以保持之两个基板保持手段(吸附垫2、旋转夹具3),一面不使所支撑之区域重叠一面在该些基板保持手段之间转接基板。洗净构件(刷具5)系洗净借由基板保手段所支撑之区域以外之基板背面,利用在两个基板保持手段之间转接基板,洗净基板背面全体。

54. 发明专利

TWI366747B 高折射率液體循環系統、圖案形成裝置及圖案形成方法 HIGH REFRACTIVE INDEX LIQUID RECYCLING SYSTEM, PATTERN FORMATION APPARATUS AND METHOD OF PATTERN FORMATION 失效
简体标题：高折射率液体循环系统、图案形成设备及图案形成方法 HIGH REFRACTIVE INDEX LIQUID RECYCLING SYSTEM, PATTERN FORMATION APPARATUS AND METHOD OF PATTERN FORMATION
公开(公告)号：TWI366747B
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW096125854
申请日：2007-07-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：山本太郎 , 小杉仁 , 山田善章 , 雜賀康仁
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/168 , G03F7/70341 , G03F7/70991 , Y10S438/908
摘要：本發明係提供不致使裝置與製程構成趨於繁雜，並可抑制減少由高折射率液體所構成曝光液與洗淨液的使用量，且能防止對基板發生處理不均情況的高折射率液體循環系統。
高折射率液體循環系統9係具備有：第1回收部4a(其係將液浸曝光部30中所使用的高折射率液體回收)、第1供應部4b(其係將經第1回收部4a所回收的高折射率液體，以當作洗淨液使用的方式，供應給後洗淨單元(POCLN))、第2回收部4c(其係將後洗淨單元(POCLN)中所使用的高折射率液體回收)、以及第2供應部4d(其係將經第2回收部4c所回收的高折射率液體，供應給液浸曝光部30)’俾使高折射率液體在液浸曝光部30與後洗淨單元(POCLN)之間進行循環。
简体摘要：本发明系提供不致使设备与制程构成趋于繁杂，并可抑制减少由高折射率液体所构成曝光液与洗净液的使用量，且能防止对基板发生处理不均情况的高折射率液体循环系统。高折射率液体循环系统9系具备有：第1回收部4a(其系将液浸曝光部30中所使用的高折射率液体回收)、第1供应部4b(其系将经第1回收部4a所回收的高折射率液体，以当作洗净液使用的方式，供应给后洗净单元(POCLN))、第2回收部4c(其系将后洗净单元(POCLN)中所使用的高折射率液体回收)、以及第2供应部4d(其系将经第2回收部4c所回收的高折射率液体，供应给液浸曝光部30)’俾使高折射率液体在液浸曝光部30与后洗净单元(POCLN)之间进行循环。

55. 发明专利

TW201207895A 顯像裝置，顯像方法及記憶媒體 DEVELOPING APPARATUS, DEVELOPING METHOD AND STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：显像设备，显像方法及记忆媒体 DEVELOPING APPARATUS, DEVELOPING METHOD AND STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW201207895A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW099144777
申请日：2010-12-20
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：有馬裕 , 吉原孝介 , 吉田勇一 , 瀧口靖史 , 山本太郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/3021
摘要： [課題]提供可取得高生產率之顯像裝置。[解決手段]顯像裝置之構成係具備形成處理氣氛之氣密的處理容器;和為了使顯像液凝結在被搬入至該處理容器內之基板表面而形成液膜,將顯像液之霧氣供給至該處理容器內之氣氛氣體供給部;為了停止藉由上述液膜的顯像,使基板予以乾燥之乾燥部。因可以使顯像液和光阻(Resist)之反應停止,故可以和藉由洗淨模組的洗淨處理並行執行顯像處理,而取得高生產率。
简体摘要： [课题]提供可取得高生产率之显像设备。[解决手段]显像设备之构成系具备形成处理气氛之气密的处理容器;和为了使显像液凝结在被搬入至该处理容器内之基板表面而形成液膜,将显像液之雾气供给至该处理容器内之气氛气体供给部;为了停止借由上述液膜的显像,使基板予以干燥之干燥部。因可以使显像液和光阻(Resist)之反应停止,故可以和借由洗净模块的洗净处理并行运行显像处理,而取得高生产率。

56. 发明专利

TWI323482B 塗布顯影裝置及塗布顯影方法 COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND COATING AND DEVELOPING METHOD 有权
简体标题：涂布显影设备及涂布显影方法 COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND COATING AND DEVELOPING METHOD
公开(公告)号：TWI323482B
公开(公告)日：2010-04-11
申请号：TW095143970
申请日：2006-11-28
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石田省貴 , 山本太郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/70525 , G03F7/70991 , H01L21/0257
摘要：於對基板塗布抗蝕劑液而形成抗蝕劑膜，並對該抗蝕劑膜表面形成液層而進行液浸曝光後之基板進行顯影處理的裝置中，抑制由於抗蝕劑膜變質造成晶圓間不一致。
於前述裝置中，設置：清洗部，將形成有抗蝕劑膜之基板的表面予以清洗；及運送機構，用以從該清洗部將基板取出並運送至用以進行浸液曝光之曝光裝置；並將前述運送機構控制成：使從在前述清洗部清洗液接觸基板表面之時點起至將該基板搬入曝光裝置為止之時間為預先設定的設定時間，亦即從對前述基板表面供給前述清洗液之時點起的經過時間與在該基板表面之清洗液的接觸角變化之關係中，設定為使設定時間成為：基板接受浸液曝光是在接觸角之降低速度比起剛接觸後為大幅減慢的時間帶。 Coating and developing apparatus has a washing part that washes surface of a substrate with which the resist film is formed, and a transportation means to take out the substrate of the washing part and to transport it to the exposure machine to proceed the dipping exposure process.
For the settime that time until the substrate is carried from point that cleaning solution comes in contact with surface of the substrate in the washing part to the exposure machine set beforehand, that is, the relation to change in elapsed time from point that supplies cleaning solution to surface of the substrate and contact angle of cleaning solution, the transportation means is controlled to become time that the substrate was proceeded the dipping exposure process to be exposed by time zone that the decrease speed of the contact angle greatly become small compared with immediately after contact. 【創作特點】本發明係有鑑於如該情事而生，其目的為提供一種技術，能於在基板形成抗蝕劑膜，並對在其表面形成液層而浸液曝光後之基板進行顯影處理之裝置中，抑制由於抗蝕劑膜變質造成之基板間不一致。
本發明為一種塗布顯影裝置，係對基板塗布抗蝕劑液而形成抗蝕劑膜，並對浸液曝光後之基板進行顯影處理，其特徵在於：具備：清洗部，於形成有抗蝕劑膜之基板表面進行清洗；運送機構，用以從該清洗部取出基板，運送到用以進行浸液曝光之曝光裝置；及控制部，控制使在前述清洗部清洗液接觸基板表面之時點起算至該基板搬入曝光裝置為止之時間成為預先設定的設定時間；前述設定時間係設定為，於從對前述基板表面供給前述清洗液之時點起的經過時間與該基板表面中清洗液之接觸角的關係中，使基板在接觸角之降低速度比起剛接觸後為大幅減慢的時間帶內進行浸液曝光。
以對基板表面供給前述清洗液之時點起的經過時間作為横軸，若以在基板表面之清洗液的接觸角作為縱軸，則接觸角隨時間變小，接觸角起初降低很快，但是後來曲線平緩下來。在此，前述設定時間，可設定在該平緩的域內的某個時點，或也包含較開始進入此區域之時點為長的情形。
上述塗布顯影裝置中，可為以下構成：設置待機部，使基板在用以在前述清洗部與曝光裝置之間的運送路徑待機，於待機部進行時間調整，使前述運送機構所進行之基板的運送時間成為設定時間。於該情形，前述控制部，控制運送機構，使得於接受到來自於曝光裝置基板之搬入指令的時點，當於該基板中前述清洗液之接觸開始時點起計測之計測時間較設定時間為長時，將該基板搬入曝光裝置，又，於前述計測時間較設定時間為短時，使該基板於待機部待機。
又，上述塗布顯影裝置中，可為以下構成：具備保護膜形成部，在抗蝕劑膜上塗布化學藥品溶液，形成用以在浸液曝光時保護基板表面之撥水性保護膜，清洗部將該保護膜之表面予以清洗。又，可為以下構成，具備：加熱部，將在前述保護膜形成部塗布了化學藥品溶液之基板予以加熱處理；運送機構，用以將在加熱部經過加熱處理之基板運送到清洗部；及控制部，控制使從在該加熱部之基板加熱處理結束的時點起算至對該基板開始進行前述清洗之時間成為預先設定之設定時間。
上述塗布顯影裝置中，於前述抗蝕劑膜為撥水性之情形，可為以下構成，具備：加熱部，對塗布有抗蝕劑液之基板進行加熱處理；運送機構，用以將在該加熱部經過加熱處理之基板運送到清洗部；及，控制部，控制使得在該加熱部之基板加熱處理結束的時點起算至對該基板開始進行在前述清洗部之清洗為止的時間，成為設定為預先設定的設定時間。
再者，於上述塗布顯影裝置中，可為以下構成：在前述加熱部與清洗部之間的運送路徑設有使基板待機之待機部，前述控制部，控制運送機構，使得藉由在使基板該待機部待機，將從基板加熱結束時點起至基板清洗開始時點為止時間予以調整。
又，本發明為一種塗布顯影方法，係對基板塗布抗蝕劑液，並對浸液曝光後之基板進行顯影處理，其特徵在於：具備：在基板表面形成抗蝕劑膜之步驟；之後，將基板表面藉由清洗液進行清洗之清洗步驟；將於此步驟經過清洗之基板以運送機構運送到用以進行浸液曝光之曝光裝置的步驟；控制前述運送機構，使從前述清洗液接觸基板表面之時點起至該基板搬入曝光裝置為止之時間成為設定時間；前述設定時間，係於從對前述基板表面供給前述清洗液之時點起的經過時間與在該基板表面之清洗液的接觸角的關係中，以使基板在接觸角之降低速度比起剛接觸後為大幅減慢的時間帶接受浸液曝光之方式而預先設定的時間。
上述中，接觸角之降低速度，比起清洗剛接觸基板表面後為大幅減慢的時間帶，希望為相較於剛接觸後之接觸角的降低速度，為3分之1以下。
依照本發明，由於對基板進行清洗後至到達浸液曝光為止的時間以上述方式管理，故即使從清洗至浸液曝光為止的時間，在基板間有些許的不一致，由於浸液曝光時，基板表面之接觸角幾乎為一致，因此，液體對於基板表面之撥水性保護膜或抗蝕劑膜的浸透程度齊一。因此，基板表面之變質程度幾乎為相同，能抑制得到之抗蝕劑圖案的線寬在基板之間發生不一致。
又，由於藉由將塗布有保護膜用化學藥品溶液或抗蝕劑液之基板進行加熱處理後，至開始浸液曝光前之清洗為止的時間，管理為成為預先設定的設定時間，由於基板之間的環境氛圍水分吸附量一致，能抑制由於該水分量之吸附量不一致造成基板表面變質之不一致。
简体摘要：于对基板涂布抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜，并对该抗蚀剂膜表面形成液层而进行液浸曝光后之基板进行显影处理的设备中，抑制由于抗蚀剂膜变质造成晶圆间不一致。于前述设备中，设置：清洗部，将形成有抗蚀剂膜之基板的表面予以清洗；及运送机构，用以从该清洗部将基板取出并运送至用以进行浸液曝光之曝光设备；并将前述运送机构控制成：使从在前述清洗部清洗液接触基板表面之时点起至将该基板搬入曝光设备为止之时间为预先设置的设置时间，亦即从对前述基板表面供给前述清洗液之时点起的经过时间与在该基板表面之清洗液的接触角变化之关系中，设置为使设置时间成为：基板接受浸液曝光是在接触角之降低速度比起刚接触后为大幅减慢的时间带。 Coating and developing apparatus has a washing part that washes surface of a substrate with which the resist film is formed, and a transportation means to take out the substrate of the washing part and to transport it to the exposure machine to proceed the dipping exposure process. For the settime that time until the substrate is carried from point that cleaning solution comes in contact with surface of the substrate in the washing part to the exposure machine set beforehand, that is, the relation to change in elapsed time from point that supplies cleaning solution to surface of the substrate and contact angle of cleaning solution, the transportation means is controlled to become time that the substrate was proceeded the dipping exposure process to be exposed by time zone that the decrease speed of the contact angle greatly become small compared with immediately after contact. 【创作特点】本发明系有鉴于如该情事而生，其目的为提供一种技术，能于在基板形成抗蚀剂膜，并对在其表面形成液层而浸液曝光后之基板进行显影处理之设备中，抑制由于抗蚀剂膜变质造成之基板间不一致。本发明为一种涂布显影设备，系对基板涂布抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜，并对浸液曝光后之基板进行显影处理，其特征在于：具备：清洗部，于形成有抗蚀剂膜之基板表面进行清洗；运送机构，用以从该清洗部取出基板，运送到用以进行浸液曝光之曝光设备；及控制部，控制使在前述清洗部清洗液接触基板表面之时点起算至该基板搬入曝光设备为止之时间成为预先设置的设置时间；前述设置时间系设置为，于从对前述基板表面供给前述清洗液之时点起的经过时间与该基板表面中清洗液之接触角的关系中，使基板在接触角之降低速度比起刚接触后为大幅减慢的时间带内进行浸液曝光。以对基板表面供给前述清洗液之时点起的经过时间作为横轴，若以在基板表面之清洗液的接触角作为纵轴，则接触角随时间变小，接触角起初降低很快，但是后来曲线平缓下来。在此，前述设置时间，可设置在该平缓的域内的某个时点，或也包含较开始进入此区域之时点为长的情形。上述涂布显影设备中，可为以下构成：设置待机部，使基板在用以在前述清洗部与曝光设备之间的运送路径待机，于待机部进行时间调整，使前述运送机构所进行之基板的运送时间成为设置时间。于该情形，前述控制部，控制运送机构，使得于接受到来自于曝光设备基板之搬入指令的时点，当于该基板中前述清洗液之接触开始时点起计测之计测时间较设置时间为长时，将该基板搬入曝光设备，又，于前述计测时间较设置时间为短时，使该基板于待机部待机。又，上述涂布显影设备中，可为以下构成：具备保护膜形成部，在抗蚀剂膜上涂布化学药品溶液，形成用以在浸液曝光时保护基板表面之拨水性保护膜，清洗部将该保护膜之表面予以清洗。又，可为以下构成，具备：加热部，将在前述保护膜形成部涂布了化学药品溶液之基板予以加热处理；运送机构，用以将在加热部经过加热处理之基板运送到清洗部；及控制部，控制使从在该加热部之基板加热处理结束的时点起算至对该基板开始进行前述清洗之时间成为预先设置之设置时间。上述涂布显影设备中，于前述抗蚀剂膜为拨水性之情形，可为以下构成，具备：加热部，对涂布有抗蚀剂液之基板进行加热处理；运送机构，用以将在该加热部经过加热处理之基板运送到清洗部；及，控制部，控制使得在该加热部之基板加热处理结束的时点起算至对该基板开始进行在前述清洗部之清洗为止的时间，成为设置为预先设置的设置时间。再者，于上述涂布显影设备中，可为以下构成：在前述加热部与清洗部之间的运送路径设有使基板待机之待机部，前述控制部，控制运送机构，使得借由在使基板该待机部待机，将从基板加热结束时点起至基板清洗开始时点为止时间予以调整。又，本发明为一种涂布显影方法，系对基板涂布抗蚀剂液，并对浸液曝光后之基板进行显影处理，其特征在于：具备：在基板表面形成抗蚀剂膜之步骤；之后，将基板表面借由清洗液进行清洗之清洗步骤；将于此步骤经过清洗之基板以运送机构运送到用以进行浸液曝光之曝光设备的步骤；控制前述运送机构，使从前述清洗液接触基板表面之时点起至该基板搬入曝光设备为止之时间成为设置时间；前述设置时间，系于从对前述基板表面供给前述清洗液之时点起的经过时间与在该基板表面之清洗液的接触角的关系中，以使基板在接触角之降低速度比起刚接触后为大幅减慢的时间带接受浸液曝光之方式而预先设置的时间。上述中，接触角之降低速度，比起清洗刚接触基板表面后为大幅减慢的时间带，希望为相较于刚接触后之接触角的降低速度，为3分之1以下。依照本发明，由于对基板进行清洗后至到达浸液曝光为止的时间以上述方式管理，故即使从清洗至浸液曝光为止的时间，在基板间有些许的不一致，由于浸液曝光时，基板表面之接触角几乎为一致，因此，液体对于基板表面之拨水性保护膜或抗蚀剂膜的浸透程度齐一。因此，基板表面之变质程度几乎为相同，能抑制得到之抗蚀剂图案的线宽在基板之间发生不一致。又，由于借由将涂布有保护膜用化学药品溶液或抗蚀剂液之基板进行加热处理后，至开始浸液曝光前之清洗为止的时间，管理为成为预先设置的设置时间，由于基板之间的环境氛围水分吸附量一致，能抑制由于该水分量之吸附量不一致造成基板表面变质之不一致。

57. 发明专利

TWI320200B 清洗裝置、塗布、顯影裝置及清洗方法 CLEANING APPARATUS, COATING AND DEVELOPING APPARATUS AND CLEANING METHOD 失效
简体标题：清洗设备、涂布、显影设备及清洗方法 CLEANING APPARATUS, COATING AND DEVELOPING APPARATUS AND CLEANING METHOD
公开(公告)号：TWI320200B
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW095102296
申请日：2006-01-20
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：福田昌弘 , 山本太郎
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/68742
摘要：於清洗基板(例如半導體晶圓)時，藉由簡易的構造均勻地除去附著於晶圓W表面及周緣部之微粒。
於密閉容器41之內部，將晶圓W以真空夾頭42水平地支持，使得於密閉容器41與晶圓W之表面及至少背面之周緣部之間形成間隙的狀態，自流體供給通路5朝向晶圓W表面之中心部供給清洗液，並且自沿著以前述晶圓W之中心部為中心之圓而設於前述密閉容器41之底部的流體排出部44排出前述清洗液。由於清洗液維持充滿晶圓W表面與密閉容器41之間之間隙之狀態，朝向晶圓W之周緣部擴散，並自前述流體排出部44排出，因此能以簡易的構造，將晶圓W表面及周緣部附著之微粒均勻地除去。 In the inside of an airtight container 41, wafer W by the vacuum chuck 42 in the surface and the state where it held horizontally so that a crevice might be formed between an airtight container 41 and at least of the surface and circumferential edges on the back of wafer W, and while supplying washing liquid towards the central part of the surface of wafer W from the fluid supply way 5, the washing liquid is discharged from the fluid discharge part 44 prepared in the bottom of the airtight container 41 along with the circle centering on the central part of wafer W.
Since it spreads toward the circumferential edge of wafer W and is discharged from the fluid discharge part 44 while washing liquid fills the crevice between the surface of wafer W and an airtight container 41, the particle adhering to the surface of wafer W and a circumferential edge is removable uniformly with simple structure. 【創作特點】本發明係於如下情形下產生：其目的為提供一種技術，於清洗基板時，能藉著簡易構造，將附著於基板表面及周緣部之抗蝕劑之溶出成分等微粒均勻地除去。再者，另一目的為提供一種技術，維持滿足除去附著於基板表面及周緣部之微粒的要求，又不會阻礙塗布、顯影裝置之省空間化。
因此，本發明之清洗裝置包括：基板支持部，用以將圓形的基板水平地支持著；密閉容器，維持與受支持於前述基板支持部之基板之表面及該基板背面之至少周緣部間形成有間隙的狀態，將基板密閉；清洗液供給通路，用以朝向受支持於前述基板支持部之基板之表面的中心部供給清洗液，面向該中心部設置；乾燥氣體供給通路，對受支持於前述基板支持部之基板，供給清洗液之後供給乾燥氣體；流體排出通路，以沿著受支持於前述基板支持部之基板之中心部作為中心的圓而設於前述密閉容器之底部用，以排出清洗液；其特徵為：來自前述清洗液供給通路之清洗液，維持充滿基板表面與前述密閉容器之間之間隙的狀態，朝向基板之周緣部擴散，自前述流體排出通路排出。
又，本發明之清洗裝置包括：第1清洗液供給通路，為了朝向受支持於前述基板支持部之基板之表面的中心部而供給清洗液，面向於該中心部設置；第2清洗液供給通路，為了朝向受支持於前述基板支持部之基板之背面供給清洗液，設於前述密閉容器之底部；前述流體排出通路也可以包圍在受支持於基板支持部之基板之周緣部之方式，設於前述密閉容器。又，前述基板支持部也可為以包圍基板背面側之中心部之方式設置之環圈狀的真空夾頭，也可為前述清洗液供給通路兼用為前述乾燥氣體供給通路。又，前述流體排出通路也可兼用為用以排出前述乾燥氣體之排出通路。再者，前述清洗裝置可作為用以清洗於表面被塗布抗蝕液且其次進行曝光處理後之基板表面及周緣部的清洗裝置。
在此，於前述密閉容器之內面，被施以親水處理之親水性區域及被施以疏水處理之疏水性區域，可為沿著自以受支持於基板支持部之基板之中心部為中心之圓以同心圓狀成交互形成之方式，受支持於前述基板支持部之基板表面與密閉容器之間之間隙也可為，自基板之中心部朝向周緣部逐漸變窄而形成之方式。又，於前述密閉容器之面向與受支持於前述基板支持部之基板表面的面，也可為自受支持於基板支持部之基板中心部以同心圓狀形成多數溝之方式。再者，於設於前述密閉容器之前述流體排出通路之途中，為了使於基板之圓周方向上流體之排出均勻性提高，也可設置緩衝室。又，於受支持於前述基板支持部之基板表面與密閉容器之間的基板周緣部區域之間隙，也可為以較中央部區域之間隙為窄之方式形成，也可為受支持於前述基板支持部之基板之表面與密閉容器間之間隙為，於基板周緣部區域較中央部區域之間隙急劇地變窄，然後變寬的方式形成。
又，也可為具備：清洗液流量調整部，設於清洗液供給通路；乾燥氣體流量調整部，設於乾燥氣體供給通路；及，控制部，自前述清洗液供給通路將清洗液對密閉容器內以第1清洗液流量供給之後，以較第1清洗液流量為大之第2清洗液流量供給，接著取清洗液而代之，自乾燥氣體供給通路將乾燥氣體對密閉容器內以第1乾燥氣體流量供給之後，以較第1乾燥氣體流量為大之第2乾燥氣體流量供給之方式，來控制前述清洗液流量調整部及乾燥氣體流量調整部。
又，也可為將用以對於受支持於基板支持部之基板表面或背面至少其中之一的周緣部區域供給清洗液之清洗液輔助供給部，於沿著受支持於前述基板支持部之基板之中心部為中心之圓狀而設置前述密閉容器，也可使受支持於前述基板支持部之基板表面與密閉容器之間之間隙，以可對應於對基板進行之處理而改變之方式構成。在此，受支持於前述基板支持部之基板與密閉容器之間之間隙較佳為1mm以上5mm以下。又，就前述曝光處理而言，例如可為，於基板表面形成液層而後進行曝光之浸液曝光處理。
如該清洗裝置可包含於塗布、顯影裝置，該塗布、顯影裝置之特徵為：於晶圓盒載置部將自晶圓盒搬入之基板交接給處理部，於該處理部對前述基板進行抗蝕液之塗布處理後，透過界面部輸送到曝光裝置，並將透過前述界面部而返回之曝光後之基板於前述處理部進行顯影處理而後交接給前述晶圓盒載置部。
又，如該清洗裝置中，係實施一清洗方法，係清洗於表面被塗布抗蝕液其次清洗經過曝光處理後之基板之表面及周緣部，該清洗方法之特徵為包含：於密閉容器之內部，於維持在與該密閉容器之間形成間隙之狀態，朝著被支持之基板之中心部供給清洗液，並維持於基板表面與密閉容器之間之間隙以前述清洗液充滿的狀態，朝向基板之周緣部擴散，將該清洗液自沿著以基板之中心部作為中心之圓而設於密閉容器底部之流體排出通路排出之步驟；其次，將清洗液改為朝向基板供給乾燥氣體，於維持使基板表面與密閉容器之間之間隙以前述乾燥氣體充滿的狀態，朝向基板之周緣部通氣，使該乾燥氣體自前述流體排出通路排氣之步驟。又，此時，供給清洗液之步驟也可以為，於密閉容器之內部，於維持與該密閉容器之間形成間隙之狀態，朝向被支持之基板之中心部供給清洗液，同時朝向基板之背面供給清洗液，於維持使基板與密閉容器之間之間隙以前述清洗液充滿之狀態，朝向基板之周緣部擴散，使該清洗液自以包圍基板之周緣部之方式形成之流體排出通路排出。
如以上之本發明，係於密閉容器之內部，使圓形之基板以於該基板之表面及至少背面之周緣部之間形成間隙之方式加以密閉，並朝向該基板之中心部供給清洗液，同時自沿著以基板之中心部為中心之圓而設於前述密閉容器底部之流體排出通路使前述清洗液排出。因此，前述清洗液以維持充滿基板表面與密閉容器之間之間隙的狀態，自圓形基板之中心部朝向周緣部，至到達前述流體排出通路為止，於清洗液接觸基板之狀態，以基板之中心部為中心以同心圓狀擴散來。藉此，即使為不具備旋轉機構之構成，由於仍為清洗液自圓形基板之中心部以同心圓狀擴散，因此可將該等基板自表面至背面側之周緣部均勻地清洗。又，如該清洗裝置之中，由於不需要設置回收清洗液之杯體或旋轉機構，因此，可謀求構造之簡易化及小型化。
又，如該清洗裝置包含於塗布、顯影裝置之情形，由於可以使設置空間變小，因此可避免塗布、顯影裝置之大型化。又，於塗布抗蝕液且其次進行曝光處理後，藉由進行基板之清洗，可抑制基板之微粒污染，使線寬之均勻性提高，形成缺陷少的抗蝕劑圖案。
又，於進行浸液曝光的情形，藉由於浸液曝光處理後進行基板清洗，即使於浸液曝光處理時抗蝕劑之溶出成分附著於基板，由於可除去該溶出成分，因此可以抑制於浸液曝光處理後之步驟中抗蝕劑之溶出成分造成之微粒污染。
简体摘要：于清洗基板(例如半导体晶圆)时，借由简易的构造均匀地除去附着于晶圆W表面及周缘部之微粒。于密闭容器41之内部，将晶圆W以真空夹头42水平地支持，使得于密闭容器41与晶圆W之表面及至少背面之周缘部之间形成间隙的状态，自流体供给通路5朝向晶圆W表面之中心部供给清洗液，并且自沿着以前述晶圆W之中心部为中心之圆而设于前述密闭容器41之底部的流体排出部44排出前述清洗液。由于清洗液维持充满晶圆W表面与密闭容器41之间之间隙之状态，朝向晶圆W之周缘部扩散，并自前述流体排出部44排出，因此能以简易的构造，将晶圆W表面及周缘部附着之微粒均匀地除去。 In the inside of an airtight container 41, wafer W by the vacuum chuck 42 in the surface and the state where it held horizontally so that a crevice might be formed between an airtight container 41 and at least of the surface and circumferential edges on the back of wafer W, and while supplying washing liquid towards the central part of the surface of wafer W from the fluid supply way 5, the washing liquid is discharged from the fluid discharge part 44 prepared in the bottom of the airtight container 41 along with the circle centering on the central part of wafer W. Since it spreads toward the circumferential edge of wafer W and is discharged from the fluid discharge part 44 while washing liquid fills the crevice between the surface of wafer W and an airtight container 41, the particle adhering to the surface of wafer W and a circumferential edge is removable uniformly with simple structure. 【创作特点】本发明系于如下情形下产生：其目的为提供一种技术，于清洗基板时，能借着简易构造，将附着于基板表面及周缘部之抗蚀剂之溶出成分等微粒均匀地除去。再者，另一目的为提供一种技术，维持满足除去附着于基板表面及周缘部之微粒的要求，又不会阻碍涂布、显影设备之省空间化。因此，本发明之清洗设备包括：基板支持部，用以将圆形的基板水平地支持着；密闭容器，维持与受支持于前述基板支持部之基板之表面及该基板背面之至少周缘部间形成有间隙的状态，将基板密闭；清洗液供给通路，用以朝向受支持于前述基板支持部之基板之表面的中心部供给清洗液，面向该中心部设置；干燥气体供给通路，对受支持于前述基板支持部之基板，供给清洗液之后供给干燥气体；流体排出通路，以沿着受支持于前述基板支持部之基板之中心部作为中心的圆而设于前述密闭容器之底部用，以排出清洗液；其特征为：来自前述清洗液供给通路之清洗液，维持充满基板表面与前述密闭容器之间之间隙的状态，朝向基板之周缘部扩散，自前述流体排出通路排出。又，本发明之清洗设备包括：第1清洗液供给通路，为了朝向受支持于前述基板支持部之基板之表面的中心部而供给清洗液，面向于该中心部设置；第2清洗液供给通路，为了朝向受支持于前述基板支持部之基板之背面供给清洗液，设于前述密闭容器之底部；前述流体排出通路也可以包围在受支持于基板支持部之基板之周缘部之方式，设于前述密闭容器。又，前述基板支持部也可为以包围基板背面侧之中心部之方式设置之环圈状的真空夹头，也可为前述清洗液供给通路兼用为前述干燥气体供给通路。又，前述流体排出通路也可兼用为用以排出前述干燥气体之排出通路。再者，前述清洗设备可作为用以清洗于表面被涂布抗蚀液且其次进行曝光处理后之基板表面及周缘部的清洗设备。在此，于前述密闭容器之内面，被施以亲水处理之亲水性区域及被施以疏水处理之疏水性区域，可为沿着自以受支持于基板支持部之基板之中心部为中心之圆以同心圆状成交互形成之方式，受支持于前述基板支持部之基板表面与密闭容器之间之间隙也可为，自基板之中心部朝向周缘部逐渐变窄而形成之方式。又，于前述密闭容器之面向与受支持于前述基板支持部之基板表面的面，也可为自受支持于基板支持部之基板中心部以同心圆状形成多数沟之方式。再者，于设于前述密闭容器之前述流体排出通路之途中，为了使于基板之圆周方向上流体之排出均匀性提高，也可设置缓冲室。又，于受支持于前述基板支持部之基板表面与密闭容器之间的基板周缘部区域之间隙，也可为以较中央部区域之间隙为窄之方式形成，也可为受支持于前述基板支持部之基板之表面与密闭容器间之间隙为，于基板周缘部区域较中央部区域之间隙急剧地变窄，然后变宽的方式形成。又，也可为具备：清洗液流量调整部，设于清洗液供给通路；干燥气体流量调整部，设于干燥气体供给通路；及，控制部，自前述清洗液供给通路将清洗液对密闭容器内以第1清洗液流量供给之后，以较第1清洗液流量为大之第2清洗液流量供给，接着取清洗液而代之，自干燥气体供给通路将干燥气体对密闭容器内以第1干燥气体流量供给之后，以较第1干燥气体流量为大之第2干燥气体流量供给之方式，来控制前述清洗液流量调整部及干燥气体流量调整部。又，也可为将用以对于受支持于基板支持部之基板表面或背面至少其中之一的周缘部区域供给清洗液之清洗液辅助供给部，于沿着受支持于前述基板支持部之基板之中心部为中心之圆状而设置前述密闭容器，也可使受支持于前述基板支持部之基板表面与密闭容器之间之间隙，以可对应于对基板进行之处理而改变之方式构成。在此，受支持于前述基板支持部之基板与密闭容器之间之间隙较佳为1mm以上5mm以下。又，就前述曝光处理而言，例如可为，于基板表面形成液层而后进行曝光之浸液曝光处理。如该清洗设备可包含于涂布、显影设备，该涂布、显影设备之特征为：于晶圆盒载置部将自晶圆盒搬入之基板交接给处理部，于该处理部对前述基板进行抗蚀液之涂布处理后，透过界面部输送到曝光设备，并将透过前述界面部而返回之曝光后之基板于前述处理部进行显影处理而后交接给前述晶圆盒载置部。又，如该清洗设备中，系实施一清洗方法，系清洗于表面被涂布抗蚀液其次清洗经过曝光处理后之基板之表面及周缘部，该清洗方法之特征为包含：于密闭容器之内部，于维持在与该密闭容器之间形成间隙之状态，朝着被支持之基板之中心部供给清洗液，并维持于基板表面与密闭容器之间之间隙以前述清洗液充满的状态，朝向基板之周缘部扩散，将该清洗液自沿着以基板之中心部作为中心之圆而设于密闭容器底部之流体排出通路排出之步骤；其次，将清洗液改为朝向基板供给干燥气体，于维持使基板表面与密闭容器之间之间隙以前述干燥气体充满的状态，朝向基板之周缘部通气，使该干燥气体自前述流体排出通路排气之步骤。又，此时，供给清洗液之步骤也可以为，于密闭容器之内部，于维持与该密闭容器之间形成间隙之状态，朝向被支持之基板之中心部供给清洗液，同时朝向基板之背面供给清洗液，于维持使基板与密闭容器之间之间隙以前述清洗液充满之状态，朝向基板之周缘部扩散，使该清洗液自以包围基板之周缘部之方式形成之流体排出通路排出。如以上之本发明，系于密闭容器之内部，使圆形之基板以于该基板之表面及至少背面之周缘部之间形成间隙之方式加以密闭，并朝向该基板之中心部供给清洗液，同时自沿着以基板之中心部为中心之圆而设于前述密闭容器底部之流体排出通路使前述清洗液排出。因此，前述清洗液以维持充满基板表面与密闭容器之间之间隙的状态，自圆形基板之中心部朝向周缘部，至到达前述流体排出通路为止，于清洗液接触基板之状态，以基板之中心部为中心以同心圆状扩散来。借此，即使为不具备旋转机构之构成，由于仍为清洗液自圆形基板之中心部以同心圆状扩散，因此可将该等基板自表面至背面侧之周缘部均匀地清洗。又，如该清洗设备之中，由于不需要设置回收清洗液之杯体或旋转机构，因此，可谋求构造之简易化及小型化。又，如该清洗设备包含于涂布、显影设备之情形，由于可以使设置空间变小，因此可避免涂布、显影设备之大型化。又，于涂布抗蚀液且其次进行曝光处理后，借由进行基板之清洗，可抑制基板之微粒污染，使线宽之均匀性提高，形成缺陷少的抗蚀剂图案。又，于进行浸液曝光的情形，借由于浸液曝光处理后进行基板清洗，即使于浸液曝光处理时抗蚀剂之溶出成分附着于基板，由于可除去该溶出成分，因此可以抑制于浸液曝光处理后之步骤中抗蚀剂之溶出成分造成之微粒污染。

58. 发明专利

TW201103645A 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：液体处理设备、液体处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201103645A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099106152
申请日：2010-03-03
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：山本太郎 , 瀧口靖史
IPC分类号： B05C , B05D
摘要： [課題]提供一種液體處理裝置，係被上下分割而一面在上側杯體升降自如的杯體內使基板旋轉，一面進行液體處理的液體處理裝置，可防止霧氣由上下杯體之間飛散至外部。[解決手段]本發明之液體處理裝置係具備有：將晶圓（W）吸附保持的轉盤（spin chuck）（1）；對晶圓（W）供給顯影液的顯影液噴嘴（14）及供給洗淨液的洗淨液噴嘴（15）；以覆蓋轉盤（1）之側方的方式而設，將下杯（4）與升降自如的上杯（3）加以組合所構成的杯體（2）；在上杯（3）上升時以下杯的彎曲部（42）嵌入的方式遍及全周而形成，用以貯留洗淨液的溝部（32）；及將因晶圓（W）旋轉所被甩掉的洗淨液導引至溝部（32）的受液槽（34）及貫穿孔（38），藉由被貯留在溝部（32）的洗淨液，將下杯（4）與上杯（3）之間作氣密式密封而防止霧氣由杯體（2）漏出。
简体摘要： [课题]提供一种液体处理设备，系被上下分割而一面在上侧杯体升降自如的杯体内使基板旋转，一面进行液体处理的液体处理设备，可防止雾气由上下杯体之间飞散至外部。[解决手段]本发明之液体处理设备系具备有：将晶圆（W）吸附保持的转盘（spin chuck）（1）；对晶圆（W）供给显影液的显影液喷嘴（14）及供给洗净液的洗净液喷嘴（15）；以覆盖转盘（1）之侧方的方式而设，将下杯（4）与升降自如的上杯（3）加以组合所构成的杯体（2）；在上杯（3）上升时以下杯的弯曲部（42）嵌入的方式遍及全周而形成，用以贮留洗净液的沟部（32）；及将因晶圆（W）旋转所被甩掉的洗净液导引至沟部（32）的受液槽（34）及贯穿孔（38），借由被贮留在沟部（32）的洗净液，将下杯（4）与上杯（3）之间作气密式密封而防止雾气由杯体（2）漏出。

59. 发明专利

TWI326396B 塗布顯影方法、塗布顯影裝置及記憶媒體 COATING AND DEVELOPING METHOD, COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM 有权
简体标题：涂布显影方法、涂布显影设备及记忆媒体 COATING AND DEVELOPING METHOD, COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM
公开(公告)号：TWI326396B
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：TW095147822
申请日：2006-12-20
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：京田秀治 , 吉原孝介 , 山本太郎
IPC分类号： G03F , B05D , H01L
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/11 , G03F7/38
摘要：本發明的目的係在形成光阻膜的基板上形成撥水性保護膜，並在該表面形成液層以浸液曝光，且對曝光後的基板進行顯影處理時，減少顯影瑕疵並同時提高圖案線幅的控制性。
為達成上述目的，首先，從光阻膜表面形成液層狀態下曝光過後的基板除去保護膜。接著對基板進行加熱處理後，再對基板進行顯影處理。該態樣中，可在該保護膜除去前對曝光後的基板表面以洗淨液洗淨，或是在該保護膜除去後，到基板加熱處理前，以洗淨液洗淨基板表面。
简体摘要：本发明的目的系在形成光阻膜的基板上形成拨水性保护膜，并在该表面形成液层以浸液曝光，且对曝光后的基板进行显影处理时，减少显影瑕疵并同时提高图案线幅的控制性。为达成上述目的，首先，从光阻膜表面形成液层状态下曝光过后的基板除去保护膜。接着对基板进行加热处理后，再对基板进行显影处理。该态样中，可在该保护膜除去前对曝光后的基板表面以洗净液洗净，或是在该保护膜除去后，到基板加热处理前，以洗净液洗净基板表面。

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