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51. 发明专利

TW506034B 凸塊對位檢測結構有权
简体标题：凸块对位检测结构
公开(公告)号：TW506034B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090117606
申请日：2001-07-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 林家富 , 卿愷明 , 蘇昭源 , 李新輝 , 陳立志
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種於半導體元件封裝凸塊製程中，用以檢測凸塊位置相對於護層開口內接觸墊之偏移程度的對位檢測結構；檢測結構係利用晶片一角落之接觸墊定義時同時定義條狀金屬圖案層結構於接觸墊周圍，配合光學顯微鏡檢驗，可用以做為定義凸塊位置之光阻圖案之對位偏移程度檢測參考。
简体摘要：本发明系关于一种于半导体组件封装凸块制程中，用以检测凸块位置相对于护层开口内接触垫之偏移程度的对位检测结构；检测结构系利用芯片一角落之接触垫定义时同时定义条状金属图案层结构于接触垫周围，配合光学显微镜检验，可用以做为定义凸块位置之光阻图案之对位偏移程度检测参考。

52. 发明专利

TW501245B 晶圓級晶粒尺寸封裝之製程有权
简体标题：晶圆级晶粒尺寸封装之制程
公开(公告)号：TW501245B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW090114767
申请日：2001-06-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李新輝 , 林家富 , 蘇昭源 , 陳燕銘 , 卿愷明 , 陳立志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：一種晶圓級晶粒尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Package；WLCSP)之製程。本發明之晶圓級晶粒尺寸封裝之製程之特色為在製程中形成一後續製程可移除的緩衝光阻層，以利熱應力緩衝層的形成與後續銲料凸塊的形成。運用本發明之晶圓級晶粒尺寸封裝之製程，可降低生產成本、縮短生產時間、以及提供較高的產品可靠度。
简体摘要：一种晶圆级晶粒尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Package；WLCSP)之制程。本发明之晶圆级晶粒尺寸封装之制程之特色为在制程中形成一后续制程可移除的缓冲光阻层，以利热应力缓冲层的形成与后续焊料凸块的形成。运用本发明之晶圆级晶粒尺寸封装之制程，可降低生产成本、缩短生产时间、以及提供较高的产品可靠度。

53. 发明专利

TW201729133A 佈局修改方法及系統审中-公开
简体标题：布局修改方法及系统
公开(公告)号：TW201729133A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137510
申请日：2016-11-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 溫宗堯 , WEN, TSUNG-YAO , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 賴瑞堯 , LAI, JUI-YAO , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 陳俊光 , CHEN, CHUN-KUANG , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 陳燕銘 , CHEN, YEN-MING , 楊超源 , YOUNG, CHEW-YUEN
IPC分类号： G06F17/50 , H01L21/027
CPC分类号： G06F17/5072 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , Y02P90/265
摘要：由至少一個處理器執行一種佈局修改方法。該佈局修改方法包含：由該至少一個處理器分析一電路單元佈局之複數個特定佈局片段之分配以判定來自該複數個特定佈局片段之一第一特定佈局片段及一第二特定佈局片段；由該至少一個處理器判定該第一特定佈局片段及該第二特定佈局片段是否耦合至一第一訊號位準；及當該第一特定佈局片段及該第二特定佈局片段耦合至該第一訊號位準時，由該至少一個處理器將該第一特定佈局片段及該第二特定佈局片段合併成一第一經合併佈局片段。
简体摘要：由至少一个处理器运行一种布局修改方法。该布局修改方法包含：由该至少一个处理器分析一电路单元布局之复数个特定布局片段之分配以判定来自该复数个特定布局片段之一第一特定布局片段及一第二特定布局片段；由该至少一个处理器判定该第一特定布局片段及该第二特定布局片段是否耦合至一第一信号位准；及当该第一特定布局片段及该第二特定布局片段耦合至该第一信号位准时，由该至少一个处理器将该第一特定布局片段及该第二特定布局片段合并成一第一经合并布局片段。

54. 发明专利

TW544920B 導電凸塊熱回流製程之改良方法有权
简体标题：导电凸块热回流制程之改良方法
公开(公告)号：TW544920B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091113086
申请日：2002-06-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李新輝 , 林家富 , 蘇昭源 , 陳燕銘 , 卿愷明 , 陳立志 , 田浩志
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種導電凸塊熱回流製程之改良方法，係藉由移除導電凸塊上之氧化層而免除使用助焊劑之方法。第一個實施例將包含導電凸塊之基板載入熱回流爐中，且在進行回流熱處理之前，先在熱回流爐中通入氫氣以移除導電凸塊上之氧化層，再升溫以進行導電凸塊之回流熱處理，使導電凸塊形成球狀結構。第二個實施例將包含導電凸塊之基板置於電漿反應室之加熱板上，並在電漿反應室通入碳氟氣體以移除導電凸塊上之氧化層，再對加熱板升溫以進行導電凸塊之回流熱處理，使導電凸塊形成球狀結構。
简体摘要：本发明揭露一种导电凸块热回流制程之改良方法，系借由移除导电凸块上之氧化层而免除使用助焊剂之方法。第一个实施例将包含导电凸块之基板加载热回流炉中，且在进行回流热处理之前，先在热回流炉中通入氢气以移除导电凸块上之氧化层，再升温以进行导电凸块之回流热处理，使导电凸块形成球状结构。第二个实施例将包含导电凸块之基板置于等离子反应室之加热板上，并在等离子反应室通入碳氟气体以移除导电凸块上之氧化层，再对加热板升温以进行导电凸块之回流热处理，使导电凸块形成球状结构。

55. 发明专利

TW507264B 用於去除光阻及殘餘物之濕式工作檯失效
简体标题：用于去除光阻及残余物之湿式工作台
公开(公告)号：TW507264B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW090132416
申请日：2001-12-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：卿愷明 , 林家富 , 曾文祥 , 林敏達 , 陳燕銘 , 李新輝 , 蘇昭源 , 陳立志
IPC分类号： H01L
摘要：一種用於去除光阻及殘餘物之濕式工作檯(wet bench)，適用於至少一晶圓，包括：一清洗槽，上述清洗槽內具有清洗用化學溶液。一旋轉機構，具有一旋轉部，且上述旋轉部係設置於上述清洗槽內。以及，一搭載部，樞接於上述旋轉部，係用以搭載上述晶圓隨著上述旋轉部之旋轉而浸泡於上述清洗用化學溶液中。藉由使用上述之濕式工作檯，可有效改善去除光阻及殘餘物的效果，而達到將夾在凸塊與凸塊之間的多餘光阻或殘存在圖案角落的殘餘物等完全清除之目的。
简体摘要：一种用于去除光阻及残余物之湿式工作台(wet bench)，适用于至少一晶圆，包括：一清洗槽，上述清洗槽内具有清洗用化学溶液。一旋转机构，具有一旋转部，且上述旋转部系设置于上述清洗槽内。以及，一搭载部，枢接于上述旋转部，系用以搭载上述晶圆随着上述旋转部之旋转而浸泡于上述清洗用化学溶液中。借由使用上述之湿式工作台，可有效改善去除光阻及残余物的效果，而达到将夹在凸块与凸块之间的多余光阻或残存在图案角落的残余物等完全清除之目的。

56. 发明专利

TW498471B 銲料凸塊之製造方法有权
简体标题：焊料凸块之制造方法
公开(公告)号：TW498471B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW090117265
申请日：2001-07-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：蘇昭源 , 林家富 , 李新輝 , 陳燕銘 , 卿愷明 , 陳立志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要：一種銲料凸塊之製造方法。本發明之銲料凸塊之製造方法之特色為在第二次上光阻前先塗佈抗高溫材料層以使光阻與護層不直接接觸，且此抗高溫材料層在後續製程以適當方法去除。運用本發明之銲料凸塊之製造方法，可避免高溫迴銲後之光阻殘留現象。
简体摘要：一种焊料凸块之制造方法。本发明之焊料凸块之制造方法之特色为在第二次上光阻前先涂布抗高温材料层以使光阻与护层不直接接触，且此抗高温材料层在后续制程以适当方法去除。运用本发明之焊料凸块之制造方法，可避免高温回焊后之光阻残留现象。

57. 发明专利

TW464962B 長凸塊製程之平坦化方法有权
简体标题：长凸块制程之平坦化方法
公开(公告)号：TW464962B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW089109883
申请日：2000-05-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：范富傑 , 林國偉 , 陳燕銘 , 朱政宇 , 彭秋憲 , 范揚通 , 林士禎
IPC分类号： H01L
摘要：本發明包含形成第一層聚醯亞胺( polyimide)於一基板之上，負光阻形成於該第一層聚醯亞胺( polyimide)之上，同時曝光、顯影負光阻以及第一層聚體亞胺，以形成穿孔暴露導電焊墊，接著同時固化負光阻以及第一層聚醯亞胺( polyimide)，用以提供平坦化之表面，然後重新分佈電路於第一層聚醯亞胺( polyimide)之上，以及形成第二層聚醯亞胺( polyimide)於負光阻及重新分佈之電路上，之後導體凸塊形成於第二層聚醯亞胺( polyimide)之上與上述之重新分佈電路連接。
简体摘要：本发明包含形成第一层聚酰亚胺( polyimide)于一基板之上，负光阻形成于该第一层聚酰亚胺( polyimide)之上，同时曝光、显影负光阻以及第一层聚体亚胺，以形成穿孔暴露导电焊垫，接着同时固化负光阻以及第一层聚酰亚胺( polyimide)，用以提供平坦化之表面，然后重新分布电路于第一层聚酰亚胺( polyimide)之上，以及形成第二层聚酰亚胺( polyimide)于负光阻及重新分布之电路上，之后导体凸块形成于第二层聚酰亚胺( polyimide)之上与上述之重新分布电路连接。

58. 发明专利

TW452902B 覆晶封裝晶片之背向研磨問題的解決方法有权
简体标题：覆晶封装芯片之背向研磨问题的解决方法
公开(公告)号：TW452902B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW089112786
申请日：2000-06-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 林國偉 , 朱政宇 , 范富傑 , 范揚通 , 彭秋憲 , 林士禎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要：一種具導電錫球覆晶封裝晶片之背向研磨問題的解決方法，至少包含以下步驟:提供一等待進行覆晶封裝晶片，晶片上具有一護層覆蓋，並露出複數個金屬焊墊;接著，再再形成凸塊下金屬(UBM);在施以乾膜披覆及曝光顯影定義凸塊位置後，由於晶片背面仍未研磨，因此，對於乾膜披覆這種需要加壓的製程，以本發明的方法，就沒有破片的風險。隨後，施以電鍍處理，以形成焊錫層，此時，以乾膜為電鍍防止層。接著，於貼附膠帶後施以背向研磨,以研磨晶片背面至預定厚度。去膠帶之後，再剝除晶片上的乾膜。隨後，以焊錫層為硬式罩幕，對凸塊下金屬施以蝕刻;最後施以熱回流製程以形成錫球。
简体摘要：一种具导电锡球覆晶封装芯片之背向研磨问题的解决方法，至少包含以下步骤:提供一等待进行覆晶封装芯片，芯片上具有一护层覆盖，并露出复数个金属焊垫;接着，再再形成凸块下金属(UBM);在施以干膜披覆及曝光显影定义凸块位置后，由于芯片背面仍未研磨，因此，对于干膜披覆这种需要加压的制程，以本发明的方法，就没有破片的风险。随后，施以电镀处理，以形成焊锡层，此时，以干膜为电镀防止层。接着，于贴附胶带后施以背向研磨,以研磨芯片背面至预定厚度。去胶带之后，再剥除芯片上的干膜。随后，以焊锡层为硬式罩幕，对凸块下金属施以蚀刻;最后施以热回流制程以形成锡球。

59. 发明专利

TW437039B 藉由一次曝光進行DUAL–DAMASCENE製程的方法有权
简体标题：借由一次曝光进行DUAL–DAMASCENE制程的方法
公开(公告)号：TW437039B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW088104397
申请日：1999-03-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 林士琦 , 張俊傑
IPC分类号： H01L
摘要：一種藉由一次曝光以形成立體半導體圖案的方法包含下列步驟:首先以光罩對光阻層曝光，以將立體圖案轉移至此光阻層中。其中此光罩具有第一區域、第二區域以及第三區域，此第一區域、此第二區域以及此第三區域之透光性互不相同，而透過此第一區域、此第二區域以及此第三區域之光線強度構成上述立體圖案。對此光阻層顯影以形成光阻圖案，以此光阻圖案為遮罩，對介電層蝕刻，以形成立體洞於介電層中，然後形成導體材質於立體洞中。
简体摘要：一种借由一次曝光以形成三維半导体图案的方法包含下列步骤:首先以光罩对光阻层曝光，以将三維图案转移至此光阻层中。其中此光罩具有第一区域、第二区域以及第三区域，此第一区域、此第二区域以及此第三区域之透光性互不相同，而透过此第一区域、此第二区域以及此第三区域之光线强度构成上述三維图案。对此光阻层显影以形成光阻图案，以此光阻图案为遮罩，对介电层蚀刻，以形成三維洞于介电层中，然后形成导体材质于三維洞中。

60. 发明专利

TW408402B 防止複晶矽電阻値變化之方法有权
简体标题：防止复晶硅电阻値变化之方法
公开(公告)号：TW408402B
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：TW088100428
申请日：1999-01-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張俊傑 , 林士琦 , 陳燕銘 , 許永隆
IPC分类号： H01L
摘要：本發明包含形成複晶矽負載於基板之上，隨後利用化學氣相沈積法形成膜層間之介電層(ILD)於複晶矽負載之上，接著，進行一氮離子摻雜用以將離子植入氧化層之中之特定區間，完成離子佈值之後，接著利用熱處理形成薄的氮氧化矽層(silicon oxynitride)位於氧化層之中，加熱之能量將使植入之氮離子與氧化層產生化學反應形成氮氧化矽阻障以防止氫原子穿透。
简体摘要：本发明包含形成复晶硅负载于基板之上，随后利用化学气相沉积法形成膜层间之介电层(ILD)于复晶硅负载之上，接着，进行一氮离子掺杂用以将离子植入氧化层之中之特定区间，完成离子布值之后，接着利用热处理形成薄的氮氧化硅层(silicon oxynitride)位于氧化层之中，加热之能量将使植入之氮离子与氧化层产生化学反应形成氮氧化硅阻障以防止氢原子穿透。

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