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1. 发明专利

TW530393B 在凸塊製程中防止金屬腐蝕及氧化之方法有权
简体标题：在凸块制程中防止金属腐蚀及氧化之方法
公开(公告)号：TW530393B
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：TW091105974
申请日：2002-03-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：卿愷明 , 林家富 , 曾文祥 , 林達敏 , 陳燕銘 , 李新輝 , 蘇昭源 , 陳立志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：一種在凸塊製程中防止金屬腐蝕及氧化之方法，適用於一基板，包括以下步驟：形成一第一金屬層於上述基板之表面。形成一光阻層於上述第一金屬層之表面，上述光阻層具有一開口，且上述第一金屬層係由上述開口露出。形成一第二金屬層於上述開口內。以及施行一去光阻步驟，上述去光阻步驟係先施加一具有第一電壓值之第一外加電壓於上述第一金屬層，再同時使用一具有第一pH值的去光阻液來去除上述光阻層。依據上述之方法，就可藉由對上述金屬層施加一具有既定電壓值之外加電壓來改變此金屬層之電位，而達到防止金屬層在製程中被腐蝕及氧化之效果，並因此提高後續製程之精確度及良率。
简体摘要：一种在凸块制程中防止金属腐蚀及氧化之方法，适用于一基板，包括以下步骤：形成一第一金属层于上述基板之表面。形成一光阻层于上述第一金属层之表面，上述光阻层具有一开口，且上述第一金属层系由上述开口露出。形成一第二金属层于上述开口内。以及施行一去光阻步骤，上述去光阻步骤系先施加一具有第一电压值之第一外加电压于上述第一金属层，再同时使用一具有第一pH值的去光阻液来去除上述光阻层。依据上述之方法，就可借由对上述金属层施加一具有既定电压值之外加电压来改变此金属层之电位，而达到防止金属层在制程中被腐蚀及氧化之效果，并因此提高后续制程之精确度及良率。

2. 发明专利

TW506034B 凸塊對位檢測結構有权
简体标题：凸块对位检测结构
公开(公告)号：TW506034B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090117606
申请日：2001-07-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 林家富 , 卿愷明 , 蘇昭源 , 李新輝 , 陳立志
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種於半導體元件封裝凸塊製程中，用以檢測凸塊位置相對於護層開口內接觸墊之偏移程度的對位檢測結構；檢測結構係利用晶片一角落之接觸墊定義時同時定義條狀金屬圖案層結構於接觸墊周圍，配合光學顯微鏡檢驗，可用以做為定義凸塊位置之光阻圖案之對位偏移程度檢測參考。
简体摘要：本发明系关于一种于半导体组件封装凸块制程中，用以检测凸块位置相对于护层开口内接触垫之偏移程度的对位检测结构；检测结构系利用芯片一角落之接触垫定义时同时定义条状金属图案层结构于接触垫周围，配合光学显微镜检验，可用以做为定义凸块位置之光阻图案之对位偏移程度检测参考。

3. 发明专利

TW501245B 晶圓級晶粒尺寸封裝之製程有权
简体标题：晶圆级晶粒尺寸封装之制程
公开(公告)号：TW501245B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW090114767
申请日：2001-06-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李新輝 , 林家富 , 蘇昭源 , 陳燕銘 , 卿愷明 , 陳立志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：一種晶圓級晶粒尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Package；WLCSP)之製程。本發明之晶圓級晶粒尺寸封裝之製程之特色為在製程中形成一後續製程可移除的緩衝光阻層，以利熱應力緩衝層的形成與後續銲料凸塊的形成。運用本發明之晶圓級晶粒尺寸封裝之製程，可降低生產成本、縮短生產時間、以及提供較高的產品可靠度。
简体摘要：一种晶圆级晶粒尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Package；WLCSP)之制程。本发明之晶圆级晶粒尺寸封装之制程之特色为在制程中形成一后续制程可移除的缓冲光阻层，以利热应力缓冲层的形成与后续焊料凸块的形成。运用本发明之晶圆级晶粒尺寸封装之制程，可降低生产成本、缩短生产时间、以及提供较高的产品可靠度。

4. 发明专利

TW507339B 覆晶接合元件凸塊之製程方法有权
简体标题：覆晶接合组件凸块之制程方法
公开(公告)号：TW507339B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW090117002
申请日：2001-07-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 林家富 , 卿愷明 , 李新輝 , 蘇昭源 , 陳立志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：本發明提出一種形成高凸塊高度的製程方法，其利用兩層不同反應光頻之光阻層，透過不同定義圖案的光罩以不同光頻的光源顯影兩次，藉此，可以增加光阻高度以獲得較高的凸塊高度，同時避開金屬複合層(UBM)尺寸的線寬限制。本發明包括了下列步驟：首先於晶片上依序形成金屬焊墊、護層、金屬複合層，然後形成兩層光阻於阻障層上，並利用兩光罩定義出凸塊位置及凸塊位置上方之一較寬區域，以克服光阻厚度與圖案線寬間的比例限制。接著，於凸塊位置形成一導電層，並形成凸塊於該導電層上，接著除去光阻，最後，以熱回流將凸塊形成球狀結構，並去除露出的阻障層。
简体摘要：本发明提出一种形成高凸块高度的制程方法，其利用两层不同反应光频之光阻层，透过不同定义图案的光罩以不同光频的光源显影两次，借此，可以增加光阻高度以获得较高的凸块高度，同时避开金属复合层(UBM)尺寸的线宽限制。本发明包括了下列步骤：首先于芯片上依序形成金属焊垫、护层、金属复合层，然后形成两层光阻于阻障层上，并利用两光罩定义出凸块位置及凸块位置上方之一较宽区域，以克服光阻厚度与图案线宽间的比例限制。接着，于凸块位置形成一导电层，并形成凸块于该导电层上，接着除去光阻，最后，以热回流将凸块形成球状结构，并去除露出的阻障层。

5. 发明专利

TW503547B 形成高凸塊製程以增進覆晶元件凸塊可靠度的方法失效
简体标题：形成高凸块制程以增进覆芯片件凸块可靠度的方法
公开(公告)号：TW503547B
公开(公告)日：2002-09-21
申请号：TW090116066
申请日：2001-06-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 林家富 , 許順良 , 卿愷明 , 李新輝 , 蘇昭源 , 陳立志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：本發明提出形成高凸塊高度的凸塊製程，運用一光罩具有不同層次的透光區域，使光阻接受不同光強度的照射，而於光阻顯影後得到兩層不同的圖案。藉此，可以增加光阻厚度以獲得較高的凸塊高度，同時避開凸塊下金屬(under bump metallurgy,UBM)尺寸的線寬限制。包括下列步驟：首先於晶片上依序形成金屬焊墊、護層與凸塊下金屬層。然後形成光阻於該凸塊下金屬層上，利用上述光罩在凸塊位置上定義出上寬下窄之T型開口。接著形成凸塊於該凸塊下金屬層上。然後除去光阻，最後熱回流，並去除露出的凸塊下金屬層，以形成錫球。
简体摘要：本发明提出形成高凸块高度的凸块制程，运用一光罩具有不同层次的透光区域，使光阻接受不同光强度的照射，而于光阻显影后得到两层不同的图案。借此，可以增加光阻厚度以获得较高的凸块高度，同时避开凸块下金属(under bump metallurgy,UBM)尺寸的线宽限制。包括下列步骤：首先于芯片上依序形成金属焊垫、护层与凸块下金属层。然后形成光阻于该凸块下金属层上，利用上述光罩在凸块位置上定义出上宽下窄之T型开口。接着形成凸块于该凸块下金属层上。然后除去光阻，最后热回流，并去除露出的凸块下金属层，以形成锡球。

6. 发明专利

TW530400B 無助銲劑之凸塊製程有权
简体标题：无助焊剂之凸块制程
公开(公告)号：TW530400B
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：TW091107125
申请日：2002-04-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：蘇昭源 , 林家富 , 李新輝 , 陳燕銘 , 卿愷明 , 陳立志 , 郭文章 , 簡岳盈
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要：一種無助銲劑(Fluxless)之凸塊製程。本發明之無助銲劑之凸塊製程之特色為在銲料凸塊形成的過程中不需使用助銲劑(Flux)，而改以含氟電漿將銲料層表面的氧化物轉換成低熔點之氟氧化物，進一步使氟氧化物與銲料層一起迴銲(Reflow)成球形之凸塊。運用本發明之無助銲劑之凸塊製程，可具有簡化製程、降低成本、在凸塊製程後不殘留助銲劑在晶圓上、以及減輕對環境的危害等之優點。
简体摘要：一种无助焊剂(Fluxless)之凸块制程。本发明之无助焊剂之凸块制程之特色为在焊料凸块形成的过程中不需使用助焊剂(Flux)，而改以含氟等离子将焊料层表面的氧化物转换成低熔点之氟氧化物，进一步使氟氧化物与焊料层一起回焊(Reflow)成球形之凸块。运用本发明之无助焊剂之凸块制程，可具有简化制程、降低成本、在凸块制程后不残留助焊剂在晶圆上、以及减轻对环境的危害等之优点。

7. 发明专利

TW508777B 鋼板印刷裝置失效
简体标题：钢板印刷设备
公开(公告)号：TW508777B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090132608
申请日：2001-12-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：蘇昭源 , 林家富 , 李新輝 , 陳燕銘 , 卿愷明 , 陳立志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：本發明揭示一種鋼板印刷裝置，包括：一鋼板本體部、一環形突出部、一刮刀及一焊料。此鋼板本體部具有一第一刮面及一開口，其中開口係放置晶圓處。接著，環形突出部設置於開口內壁，且內徑小於晶圓直徑。此外，環形突出部具有一第二刮面大體齊平於第一刮面且環形突出部與鋼板本體部為一體成形。刮刀及焊料則設置於鋼板本體部上，用以藉由刮刀在第一刮面上及開口上來回移動而將焊料均勻填覆於晶圓表面上，同時藉由環形突出部有效地阻擋焊料流經晶圓邊緣及底部而造成污染，進而提昇凸塊製程(bumping)之良率(yield)。
简体摘要：本发明揭示一种钢板印刷设备，包括：一钢板本体部、一环形突出部、一刮刀及一焊料。此钢板本体部具有一第一刮面及一开口，其中开口系放置晶圆处。接着，环形突出部设置于开口内壁，且内径小于晶圆直径。此外，环形突出部具有一第二刮面大体齐平于第一刮面且环形突出部与钢板本体部为一体成形。刮刀及焊料则设置于钢板本体部上，用以借由刮刀在第一刮面上及开口上来回移动而将焊料均匀填覆于晶圆表面上，同时借由环形突出部有效地阻挡焊料流经晶圆边缘及底部而造成污染，进而提升凸块制程(bumping)之良率(yield)。

8. 发明专利

TW557554B 覆晶封裝製程失效
简体标题：覆晶封装制程
公开(公告)号：TW557554B
公开(公告)日：2003-10-11
申请号：TW091116301
申请日：2002-07-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：蘇昭源
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2224/73204
摘要：本發明之無助熔劑覆晶封裝製程，首先於完成銲錫凸塊製程後，使用含氟電漿將氧化物轉換成氟氧錫化物，其中此氟氧錫化物之熔點約低於銲錫凸塊之熔點。然後，在於表面具有氟氧錫化物之銲錫凸塊表面上塗佈底膠，再將具有此銲錫凸塊，且完成底膠塗佈的矽晶圓上下倒轉對準底材，最後進行一熱製程，讓此銲錫凸塊與底材相黏接，且底膠之熱製程固化步驟亦可與銲錫凸塊融熔和底層黏附時所需進行之迴銲製程步驟，同時完成，因此本發明可大大節省製成時間。
简体摘要：本发明之无助熔剂覆晶封装制程，首先于完成焊锡凸块制程后，使用含氟等离子将氧化物转换成氟氧锡化物，其中此氟氧锡化物之熔点约低于焊锡凸块之熔点。然后，在于表面具有氟氧锡化物之焊锡凸块表面上涂布底胶，再将具有此焊锡凸块，且完成底胶涂布的硅晶圆上下倒转对准底材，最后进行一热制程，让此焊锡凸块与底材相黏接，且底胶之热制程固化步骤亦可与焊锡凸块融熔和底层黏附时所需进行之回焊制程步骤，同时完成，因此本发明可大大节省制成时间。

9. 发明专利

TW517370B 銲料凸塊之結構及覆晶封裝之製程有权
简体标题：焊料凸块之结构及覆晶封装之制程
公开(公告)号：TW517370B
公开(公告)日：2003-01-11
申请号：TW090115489
申请日：2001-06-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李新輝 , 林家富 , 蘇昭源 , 陳燕銘 , 卿愷明 , 陳立志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2224/81
摘要：一種銲料凸塊(Solder Bump)之結構及覆晶(Flip Chip)封裝之製程。本發明之銲料凸塊由兩種不同熔點之材料所組成，且經迴銲過程之後，此銲料凸塊具圓柱體之形狀。運用本發明之銲料凸塊之結構及覆晶封裝之製程，可消除高鉛銲料(High Lead Solder)之高熔點對覆晶產品之基板所造成之影響、可在迴銲(Reflow)過程之後產生較高的凸塊之高度與較大的填塞間距且不會產生明顯的塌陷、以及避免在迴銲過程中造成兩相鄰凸塊橋接之危險。
简体摘要：一种焊料凸块(Solder Bump)之结构及覆晶(Flip Chip)封装之制程。本发明之焊料凸块由两种不同熔点之材料所组成，且经回焊过程之后，此焊料凸块具圆柱体之形状。运用本发明之焊料凸块之结构及覆晶封装之制程，可消除高铅焊料(High Lead Solder)之高熔点对覆晶产品之基板所造成之影响、可在回焊(Reflow)过程之后产生较高的凸块之高度与较大的填塞间距且不会产生明显的塌陷、以及避免在回焊过程中造成两相邻凸块桥接之危险。

10. 发明专利

TW502310B 乾膜光阻之壓合裝置失效
简体标题：干膜光阻之压合设备
公开(公告)号：TW502310B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090130837
申请日：2001-12-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳立志 , 徐嘉村 , 林家富 , 李國清 , 陳燕銘 , 卿愷明 , 李新輝 , 蘇昭源
IPC分类号： H01L
摘要：一種乾膜光阻(dry film resist；DFR)之壓合裝置。本發明兼具習知用於乾膜光阻的壓合機(laminator)與撕除機(remover)之功能。運用本發明之乾膜光阻之壓合裝置，可具有減少操作時間、增加每小時晶圓數量(wafers per hour；WPH)、以及降低生產成本等優點。
简体摘要：一种干膜光阻(dry film resist；DFR)之压合设备。本发明兼具习知用于干膜光阻的压合机(laminator)与撕除机(remover)之功能。运用本发明之干膜光阻之压合设备，可具有减少操作时间、增加每小时晶圆数量(wafers per hour；WPH)、以及降低生产成本等优点。

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