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51. 发明专利

TWI518178B 基板處理用鹼性水溶液組成物及基板蝕刻或洗淨方法有权
简体标题：基板处理用碱性水溶液组成物及基板蚀刻或洗净方法
公开(公告)号：TWI518178B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW098134348
申请日：2009-10-09
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：石川典夫 , ISHIKAWA, NORIO , 守田菊惠 , MORITA, KIKUE
IPC分类号： C11D3/04 , C11D3/33 , C23F11/06 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/02 , H01L21/02052 , H01L21/30608

52. 发明专利

TWI445816B 用於基板洗淨或蝕刻之鹼性水溶液組成物失效
简体标题：用于基板洗净或蚀刻之碱性水溶液组成物
公开(公告)号：TWI445816B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW097121237
申请日：2008-06-06
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：石川典夫 , ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C11D7/06 , C11D7/60 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： C11D3/26 , C03C15/00 , C03C23/0075 , C09K13/06 , C11D3/044 , C11D3/30 , C11D11/0047 , H01L21/02019 , H01L21/02052 , H01L21/02074 , H01L21/30604

53. 发明专利

TWI416282B 用以移除殘餘光阻及聚合物的組合物及使用該組合物的殘餘物移除製程失效
简体标题：用以移除残余光阻及聚合物的组合物及使用该组合物的残余物移除制程
公开(公告)号：TWI416282B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW094128497
申请日：2005-08-19
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：秦貴鄕 , HATA, KISATO , 大和田拓央 , OOWADA, TAKUO
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02071 , G03F7/426

54. 发明专利

TWI407032B 透明氯乙烯管的補強方法有权
简体标题：透明氯乙烯管的补强方法
公开(公告)号：TWI407032B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW096121416
申请日：2007-06-13
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA , 日曹工程股份有限公司 , NISSO ENGINEERING CO., LTD
发明人：西郡和弘 , NISHIGORI, KAZUHIRO , 酒井秀文 , SAKAI, HIDEFUMI , 上田幸治 , UEDA, KOJI , 田村元 , TAMURA, HAJIME
IPC分类号： F16L1/00

55. 发明专利

TW201333266A 含有銅層及／或銅合金層之金屬膜用蝕刻液組成物、及使用此金屬膜用蝕刻液組成物的蝕刻方法审中-公开
简体标题：含有铜层及／或铜合金层之金属膜用蚀刻液组成物、及使用此金属膜用蚀刻液组成物的蚀刻方法
公开(公告)号：TW201333266A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101139298
申请日：2012-10-24
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：黑岩健次 , KUROIWA, KENJI
IPC分类号： C23F1/34 , H01L21/306
摘要：本發明之問題在於提供一種蝕刻液組成物，能以良好的精確度來蝕刻具有銅層及/或銅合金層之金屬膜、或由該層與其他金屬所構成的層之積層膜，且液體使用壽命長。為了解決此問題，本發明是關於一種蝕刻液組成物，其用於蝕刻含有銅層及/或銅合金層之金屬膜，且包含銅(II)離子、β-丙胺酸及水；以及使用該蝕刻液組成物之蝕刻方法。
简体摘要：本发明之问题在于提供一种蚀刻液组成物，能以良好的精确度来蚀刻具有铜层及/或铜合金层之金属膜、或由该层与其他金属所构成的层之积层膜，且液体使用寿命长。为了解决此问题，本发明是关于一种蚀刻液组成物，其用于蚀刻含有铜层及/或铜合金层之金属膜，且包含铜(II)离子、β-丙胺酸及水；以及使用该蚀刻液组成物之蚀刻方法。

56. 发明专利

TW201323661A 銅和銅合金的蝕刻液审中-公开
简体标题：铜和铜合金的蚀刻液
公开(公告)号：TW201323661A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101132768
申请日：2012-09-07
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：高橋秀樹 , TAKAHASHI, HIDEKI
IPC分类号： C23F1/18 , H01L21/306 , H01L21/28
摘要：本發明的問題是提供一種蝕刻液組成物、及使用此種蝕刻液組成物的蝕刻方法，其中，該蝕刻液組成物，可對包含銅層與銅氧化物層及/或銅合金層之金屬積層膜圖案，精度佳地進行蝕刻加工，形成優異的剖面形狀，且具有良好實用性、安定、液體壽命長。為了解決上述問題，本發明是關於一種蝕刻液組成物及蝕刻方法。其中，該蝕刻液組成物是用來蝕刻具有銅層與銅氧化層及/或銅合金層之金屬積層膜，並且，該蝕刻液組成物，含有過硫酸鹽及/或過硫酸溶液0.1~80重量%、磷酸0.1~80重量%、硝酸及/或硫酸0.1~50重量%；且進一步藉由添加氯離子或銨離子，使蝕刻速率或剖面形狀能夠更容易控制。
简体摘要：本发明的问题是提供一种蚀刻液组成物、及使用此种蚀刻液组成物的蚀刻方法，其中，该蚀刻液组成物，可对包含铜层与铜氧化物层及/或铜合金层之金属积层膜图案，精度佳地进行蚀刻加工，形成优异的剖面形状，且具有良好实用性、安定、液体寿命长。为了解决上述问题，本发明是关于一种蚀刻液组成物及蚀刻方法。其中，该蚀刻液组成物是用来蚀刻具有铜层与铜氧化层及/或铜合金层之金属积层膜，并且，该蚀刻液组成物，含有过硫酸盐及/或过硫酸溶液0.1~80重量%、磷酸0.1~80重量%、硝酸及/或硫酸0.1~50重量%；且进一步借由添加氯离子或铵离子，使蚀刻速率或剖面形状能够更容易控制。

57. 发明专利

TWI311242B 光阻殘渣去除液組成物 PHOTORESIST RESIDUE REMOVING LIQUID COMPOSITION 失效
简体标题：光阻残渣去除液组成物 PHOTORESIST RESIDUE REMOVING LIQUID COMPOSITION
公开(公告)号：TWI311242B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW091134679
申请日：2002-11-28
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：石川典夫 NORIO ISHIKAWA , 大和田拓央 TAKUO OOWADA
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/422
摘要：本發明係提供一種光阻殘渣去除液組成物,在半導體電路元件之製造步驟中,其對於乾蝕刻後所殘留的光阻殘渣之去除性極佳,並且不會浸蝕導線材料或層間絕緣膜等。
此種光阻殘渣去除液組成物的特徵在於包含:由脂肪族聚羧酸及其鹽類所形成的群組中選出的1種或2種以上;以及由還原性化合物及其鹽類所形成的群組中選出的1種或2種以上。
简体摘要：本发明系提供一种光阻残渣去除液组成物,在半导体电路组件之制造步骤中,其对于干蚀刻后所残留的光阻残渣之去除性极佳,并且不会浸蚀导线材料或层间绝缘膜等。此种光阻残渣去除液组成物的特征在于包含:由脂肪族聚羧酸及其盐类所形成的群组中选出的1种或2种以上;以及由还原性化合物及其盐类所形成的群组中选出的1种或2种以上。

58. 发明专利

TW200811314A 鈦、鋁金屬層積膜之蝕刻液組成物 ECHANT COMPOSITIONS FOR METAL LAMINATED FILMS HAVING TITANIUM AND ALUMINUM LAYER 审中-公开
简体标题：钛、铝金属层积膜之蚀刻液组成物 ECHANT COMPOSITIONS FOR METAL LAMINATED FILMS HAVING TITANIUM AND ALUMINUM LAYER
公开(公告)号：TW200811314A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096100105
申请日：2007-01-02
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：清水和 SHIMIZU, TOSHIKAZU
IPC分类号： C23F
摘要：本發明之課題,係提供一種蝕刻液組成物,不會對基底的基板等造成損傷而且可以將錐形角度抑制在30~90度,總括地蝕刻藉由濺鍍法而成膜在玻璃等的絕緣基板、矽基板及化合物半導體基板上而成的金屬層積膜;該金屬層積膜含有由鈦或以鈦作為主成分之合金所構成的層、及由鋁或以鋁作為主成分之合金所構成的層。本發明之解決手段,係提供一種蝕刻液組成物,含有:選自由氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟矽酸、六氟矽酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸與四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽所組成的群組中之至少1種氟化合物、及氧化劑。
简体摘要：本发明之课题,系提供一种蚀刻液组成物,不会对基底的基板等造成损伤而且可以将锥形角度抑制在30~90度,总括地蚀刻借由溅镀法而成膜在玻璃等的绝缘基板、硅基板及化合物半导体基板上而成的金属层积膜;该金属层积膜含有由钛或以钛作为主成分之合金所构成的层、及由铝或以铝作为主成分之合金所构成的层。本发明之解决手段,系提供一种蚀刻液组成物,含有:选自由氢氟酸的金属盐或铵盐、六氟硅酸、六氟硅酸的金属盐或铵盐、四氟硼酸与四氟硼酸的金属盐或铵盐所组成的群组中之至少1种氟化合物、及氧化剂。

59. 发明专利

TWI288175B CMP後洗淨液組成物 POST-CMP WASHING LIQUID COMPOSITION 失效
简体标题： CMP后洗净液组成物 POST-CMP WASHING LIQUID COMPOSITION
公开(公告)号：TWI288175B
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：TW092112853
申请日：2003-05-12
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：阿部優美子 YUMIKO ABE , 大和田拓央 TAKUO OOWADA , 石川典夫 NORIO ISHIKAWA , 青木秀充 HIDEMITSU AOKI , 富盛浩昭 HIROAKI TOMIMORI
IPC分类号： C11D
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D3/2075 , C11D7/26 , C11D11/0047
摘要：本發明係提供對CMP後附著於半導體基板表面上的微小粒子與金屬雜質之去除具優越性能，且不致對金屬導線材料造成腐蝕的洗淨液。
本發明的CMP後洗淨液組成物，係含有1種或2種以上的脂肪族聚羧酸類、以及由乙醛酸、抗壞血酸、葡萄糖、果糖、乳糖與甘露糖所構成組群中所選擇出1種或2種以上；且pH值低於3.0。
简体摘要：本发明系提供对CMP后附着于半导体基板表面上的微小粒子与金属杂质之去除具优越性能，且不致对金属导线材料造成腐蚀的洗净液。本发明的CMP后洗净液组成物，系含有1种或2种以上的脂肪族聚羧酸类、以及由乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖与甘露糖所构成组群中所选择出1种或2种以上；且pH值低于3.0。

60. 发明专利

TW200728517A 金-鈷系非晶形合金電鍍被膜電鍍液及電鍍方法 PLATED FILM OF GOLD-COBALT AMORPHOUS ALLOY, ELECTROPLATING BATH, AND METHOD FOR ELECTROPLATING 失效
简体标题：金-钴系非晶形合金电镀被膜电镀液及电镀方法 PLATED FILM OF GOLD-COBALT AMORPHOUS ALLOY, ELECTROPLATING BATH, AND METHOD FOR ELECTROPLATING
公开(公告)号：TW200728517A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095136429
申请日：2006-09-29
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA , 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：千田一敬 SENDA, KAZUTAKA , 加藤勝 KATO, MASARU , 逢哲彌 OSAKA, TETSUYA , 沖中裕 OKINAKA, YUTAKA
IPC分类号： C25D , C22C
CPC分类号： C22C5/02 , B32B15/018 , C22C9/00 , C22C45/003 , C22C45/02 , C25D3/562 , C25D3/62 , C25D7/00 , H01H1/023 , H01R13/03 , H05K3/244
摘要：本發明係提供一種藉由使用含有以金的基準下為0.01~0.1 mol/dm^3濃度之氰化金鹽,以鈷的基準下為0.02~0.2 mol/dm^3濃度之鈷鹽,及以鎢的基準下為0.1~0.5mol/dm^3濃度之鎢酸鹽之電鍍液電鍍形成不具微細結晶子之均質非晶質相所形成之金-鈷系非晶形合金電鍍被膜。本發明之金-鈷系非晶形合金電鍍被膜係藉由不具微細結晶之均質非晶質相所形成,可於無實用上問題之程度上維持金原本之良好接觸電阻値,化學安定性無,亦可提昇硬度,故適用於繼電器等電氣‧電子零件之連接材料。
简体摘要：本发明系提供一种借由使用含有以金的基准下为0.01~0.1 mol/dm^3浓度之氰化金盐,以钴的基准下为0.02~0.2 mol/dm^3浓度之钴盐,及以钨的基准下为0.1~0.5mol/dm^3浓度之钨酸盐之电镀液电镀形成不具微细结晶子之均质非晶质相所形成之金-钴系非晶形合金电镀被膜。本发明之金-钴系非晶形合金电镀被膜系借由不具微细结晶之均质非晶质相所形成,可于无实用上问题之程度上维持金原本之良好接触电阻値,化学安定性无,亦可提升硬度,故适用于继电器等电气‧电子零件之连接材料。

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