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1. 发明专利

TWI674486B 用以去除光阻殘渣及／或聚合物殘渣之組成物有权
简体标题：用以去除光阻残渣及／或聚合物残渣之组成物
公开(公告)号：TWI674486B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW104135802
申请日：2015-10-30
申请人：日商關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：清野康之 , SEINO, YASUYUKI
IPC分类号： G03F7/42 , C23G1/14

2. 发明专利

TWI666301B 銅鉬金屬積層膜蝕刻液組成物、使用該組成物之蝕刻方法及延長該組成物的壽命之方法有权
简体标题：铜钼金属积层膜蚀刻液组成物、使用该组成物之蚀刻方法及延长该组成物的寿命之方法
公开(公告)号：TWI666301B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104138073
申请日：2015-11-18
申请人：日商關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：高橋秀樹 , TAKAHASHI, HIDEKI , 廖本男 , LIAO, PEN NAN , 李盈壕 , LI, YING HAO
IPC分类号： C09K13/00 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/306

3. 发明专利

TWI645018B 金屬氧化物蝕刻液組合物及蝕刻方法有权
简体标题：金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法
公开(公告)号：TWI645018B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW103132169
申请日：2014-09-17
申请人：日商關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：大和田拓央 , OHWADA, TAKUO , 清水壽和 , SHIMIZU, TOSHIKAZU
IPC分类号： C09K13/04 , C23F1/30 , H01L21/306 , H05K3/06

4. 发明专利

TW201839831A 洗淨液組成物审中-公开
简体标题：洗净液组成物
公开(公告)号：TW201839831A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107107215
申请日：2018-03-05
申请人：日商關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：谷口優美子 , TANIGUCHI, YUMIKO , 高中亞鈴治 , TAKANAKA, AREJI , 大和田拓央 , OHWADA, TAKUO
IPC分类号： H01L21/304 , B08B3/08 , B08B3/00 , C11D7/04 , C11D7/32 , C11D7/26 , C11D7/24 , C11D7/08 , C11D7/10 , C08L27/12
摘要：本發明提供一種洗淨液組成物，其當洗淨半導體基板或玻璃基板表面時，不會對用以形成基板表面的層的SiO2、Si3N4及Si等造成損害，可在能應用於附帶CMP裝置的刷子擦洗洗淨腔室的處理條件下使用，對於漿料中的源自磨粒之化合物的除去性很高。本發明之洗淨液組成物，是用以洗淨半導體基板或玻璃基板表面，其中，含有：1種或2種以上的在結構內包含氟原子之無機酸或其鹽；水；1種或2種以上的還原劑；及，1種或2種以上的陰離子性界面活性劑；並且，氫離子濃度指數也就是pH值為小於7。
简体摘要：本发明提供一种洗净液组成物，其当洗净半导体基板或玻璃基板表面时，不会对用以形成基板表面的层的SiO2、Si3N4及Si等造成损害，可在能应用于附带CMP设备的刷子擦洗洗净腔室的处理条件下使用，对于浆料中的源自磨粒之化合物的除去性很高。本发明之洗净液组成物，是用以洗净半导体基板或玻璃基板表面，其中，含有：1种或2种以上的在结构内包含氟原子之无机酸或其盐；水；1种或2种以上的还原剂；及，1种或2种以上的阴离子性界面活性剂；并且，氢离子浓度指数也就是pH值为小于7。

5. 发明专利

TW201833318A 洗淨液組成物审中-公开
简体标题：洗净液组成物
公开(公告)号：TW201833318A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106146013
申请日：2017-12-27
申请人：日商關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：守田菊恵 , MORITA, KIKUE , 高中亞鈴治 , TAKANAKA, AREJI , 大和田拓央 , OHWADA, TAKUO
IPC分类号： C11D7/32 , C11D3/28 , H01L21/304 , H01L21/67
摘要：本發明的目的在於，提供一種洗淨液組成物，在半導體元件等電子設備的製造步驟之中，在施加化學機械研磨(CMP)處理等之基板等洗淨之中為有用的。本發明的洗淨液組成物，係用以將具有Cu配線之基板進行洗淨，係氫離子濃度(pH)為8至12，且包含1種或是2種以上的鹼性化合物、以及1種或是2種以上的含氮雜環式單環芳香族化合物。前述含氮雜環式單環芳香族化合物具有1個以上的羧基或是酯基且在具有1個以上的胺基的情況下僅具有直接鍵結於含氮雜環之胺基。
简体摘要：本发明的目的在于，提供一种洗净液组成物，在半导体组件等电子设备的制造步骤之中，在施加化学机械研磨(CMP)处理等之基板等洗净之中为有用的。本发明的洗净液组成物，系用以将具有Cu配线之基板进行洗净，系氢离子浓度(pH)为8至12，且包含1种或是2种以上的碱性化合物、以及1种或是2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物。前述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或是酯基且在具有1个以上的胺基的情况下仅具有直接键结于含氮杂环之胺基。

6. 发明专利

TW201512373A 化合物及有機電致發光元件审中-公开
简体标题：化合物及有机电致发光组件
公开(公告)号：TW201512373A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103129534
申请日：2014-08-27
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：深川弘彥 , FUKAGAWA, HIROHIKO , 清水貴央 , SHIMIZU, TAKAHISA , 高橋純平 , TAKAHASHI, JUNPEI , 新內聰暢 , SHINNAI, TOSHINOBU
IPC分类号： C09K11/06 , H01L51/54
摘要：一種如通式(1-1)所示之化合物，其含有配置在2個二苯并噻吩之間或2個二苯并呋喃之間的二胺基聯苯基。於通式(1-1)中，2個A同為氧或硫；Xa、Xb各自獨立表示氫或下述(a)~(c)中之任一者，且Xa與Xb中之任一者為氫時，另一者為氫以外之物；Ya、Yb各自獨立表示下述之(d)。(a)為可具有取代基之直鏈或環狀之烷基或烷氧基，且(a)可具有取代基之直鏈或環狀之烷基或烷氧基的取代基為烷基、鹵基、胺基、硝基及氰基中之任一者；(b)、(d)為可具有取代基之芳香族環式基，且(b)、(d)可具有取代基之芳香族環式基的取代基為鏈狀或環狀之烷基、鹵基、胺基、硝基及氰基中之任一者，(b)、(d)之芳香族環式基為芳香族烴基或芳香族雜環基；(c)為鹵基、胺基、硝基及氰基中之任一者。
简体摘要：一种如通式(1-1)所示之化合物，其含有配置在2个二苯并噻吩之间或2个二苯并呋喃之间的二胺基联苯基。于通式(1-1)中，2个A同为氧或硫；Xa、Xb各自独立表示氢或下述(a)~(c)中之任一者，且Xa与Xb中之任一者为氢时，另一者为氢以外之物；Ya、Yb各自独立表示下述之(d)。(a)为可具有取代基之直链或环状之烷基或烷氧基，且(a)可具有取代基之直链或环状之烷基或烷氧基的取代基为烷基、卤基、胺基、硝基及氰基中之任一者；(b)、(d)为可具有取代基之芳香族环式基，且(b)、(d)可具有取代基之芳香族环式基的取代基为链状或环状之烷基、卤基、胺基、硝基及氰基中之任一者，(b)、(d)之芳香族环式基为芳香族烃基或芳香族杂环基；(c)为卤基、胺基、硝基及氰基中之任一者。

7. 发明专利

TWI460268B 半導體基板洗淨液組成物失效
简体标题：半导体基板洗净液组成物
公开(公告)号：TWI460268B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098116121
申请日：2009-05-15
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：村上豐 , MURAKAMI, YUTAKA , 石川典夫 , ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C11D3/20 , C11D3/33 , C23G1/06 , H01L21/304
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/33 , C11D7/265 , C11D7/3245

8. 发明专利

TW201425539A 碘系蝕刻液及蝕刻方法审中-公开
简体标题：碘系蚀刻液及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201425539A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102135099
申请日：2013-09-27
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：永島和明 , NAGASHIMA, KAZUAKI , 高橋秀樹 , TAKAHASHI, HIDEKI
IPC分类号： C09K13/06 , C23F1/14 , C23F1/44 , H01L21/465 , H01L21/027
CPC分类号： C09K13/00 , C23F1/42 , C23F1/44
摘要：本發明之目的在於提供一種碘系蝕刻液，其對於鈀材料的蝕刻速率，比對於與鈀材料不同之金屬材料的蝕刻速率高，尤其提供一種碘系蝕刻液，其能夠相對地降低蝕刻液中的有機溶劑的濃度。本發明的碘系蝕刻液，用以對鈀材料和與鈀材料不同之其他金屬材料共存之材料進行蝕刻，並且，該碘系蝕刻液，含有與水相溶之有機溶劑和水溶性高分子化合物。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种碘系蚀刻液，其对于钯材料的蚀刻速率，比对于与钯材料不同之金属材料的蚀刻速率高，尤其提供一种碘系蚀刻液，其能够相对地降低蚀刻液中的有机溶剂的浓度。本发明的碘系蚀刻液，用以对钯材料和与钯材料不同之其他金属材料共存之材料进行蚀刻，并且，该碘系蚀刻液，含有与水相溶之有机溶剂和水溶性高分子化合物。

9. 发明专利

TW201336985A 電子元件用洗淨液組成物审中-公开
简体标题：电子组件用洗净液组成物
公开(公告)号：TW201336985A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101145895
申请日：2012-12-06
申请人：關東化學股份有限公司 , KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：谷口優美子 , TANIGUCHI, YUMIKO , 守田菊惠 , MORITA, KIKUE , 堀家千代子 , HORIKE, CHIYOKO , 大和田拓央 , OHWADA, TAKUO
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/36 , B08B3/08 , H01L21/304
CPC分类号： C11D7/3209 , C11D3/30 , C11D3/361 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G1/18 , C23G1/20 , H01L21/02052 , H01L21/02068
摘要：本發明提供一種洗淨液組成物，其在半導體元件等電子裝置之製造步驟中，對於金屬雜質及微粒子之移除性優異、對於Cu無腐蝕，因而可用於洗淨具有銅配線之半導體基板。前述洗淨液組成物是用於洗淨具有銅配線之半導體基板，且包含一種或兩種以上的不含金屬之鹼性化合物、與一種或兩種以上的膦酸系螯合劑，且氫離子濃度(pH值)為8至10。
简体摘要：本发明提供一种洗净液组成物，其在半导体组件等电子设备之制造步骤中，对于金属杂质及微粒子之移除性优异、对于Cu无腐蚀，因而可用于洗净具有铜配线之半导体基板。前述洗净液组成物是用于洗净具有铜配线之半导体基板，且包含一种或两种以上的不含金属之碱性化合物、与一种或两种以上的膦酸系螯合剂，且氢离子浓度(pH值)为8至10。

10. 发明专利

TW200907048A 基板的洗淨或蝕刻所使用的鹼性水溶性組成物失效
简体标题：基板的洗净或蚀刻所使用的碱性水溶性组成物
公开(公告)号：TW200907048A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097121237
申请日：2008-06-06
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：石川典夫 ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： C11D3/26 , C03C15/00 , C03C23/0075 , C09K13/06 , C11D3/044 , C11D3/30 , C11D11/0047 , H01L21/02019 , H01L21/02052 , H01L21/02074 , H01L21/30604
摘要：本發明係提供一種水溶液組成物,其為鹼性水溶液但金屬雜質不會附著,更擁有洗淨能力者。藉由上述水溶液組成物,可防止金屬雜質吸附於基板,更能洗淨吸附於基板之金屬雜質;其中該水溶液組成物為用於基板洗淨或蝕刻之水溶液組成物,且含有結構式(1)表示之螯合劑及鹼性成分者;【化學式1】
097121237P01.bmp
其中:R為C2-6伸烷基、1,2-環己烯基或1,2-伸苯基,其中R的任意1或2個以上之氫原子亦可被相同或不同的取代基取代;A環及B環為苯環,其中任意1或2個以上之氫原子亦可被相同或不同的取代基取代;於此,取代基為由C1-10烷基、C1-10烯基、C1-10炔基、C1-10醯基、C1-10烷氧基、苯基、芐基、基、羧基、磺酸基、氰基、羥基、巰基、胺基、鹵素及硝基所組成之群中選出。
简体摘要：本发明系提供一种水溶液组成物,其为碱性水溶液但金属杂质不会附着,更拥有洗净能力者。借由上述水溶液组成物,可防止金属杂质吸附于基板,更能洗净吸附于基板之金属杂质;其中该水溶液组成物为用于基板洗净或蚀刻之水溶液组成物,且含有结构式(1)表示之螯合剂及碱性成分者;【化学式1】 097121237P01.bmp 其中:R为C2-6伸烷基、1,2-环己烯基或1,2-伸苯基,其中R的任意1或2个以上之氢原子亦可被相同或不同的取代基取代;A环及B环为苯环,其中任意1或2个以上之氢原子亦可被相同或不同的取代基取代;于此,取代基为由C1-10烷基、C1-10烯基、C1-10炔基、C1-10酰基、C1-10烷氧基、苯基、芐基、基、羧基、磺酸基、氰基、羟基、巯基、胺基、卤素及硝基所组成之群中选出。

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