专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

51. 发明专利

TW200423507A 高功率半導體雷射結構审中-公开
简体标题：高功率半导体激光结构
公开(公告)号：TW200423507A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092110140
申请日：2003-04-30
申请人：國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：林清富 CHING-FUH LIN , 蔡家偉 CHIA-WEI TSAI , 蔡志宏 CHIH-HUNG TSAI , 蘇益信 YI-SHIN SU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/005 , H01S5/0655 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1021 , H01S5/1064 , H01S5/1085 , H01S5/14 , H01S5/2231 , H01S5/4068
摘要：本發明係關於一種高功率半導體雷射(high–power semiconductor laser)結構，其主要係在一發光半導體中形成一波導結構，且該波導結構具有可傳導光波之數個波導，各個波導和該發光半導體之間的界面形成可反射光波之反射面，該發光半導體之端面處形成數個劈切面，各個劈切面係由前述之波導延伸至該發光半導體之端面所形成，且係作為反射或透射出光波之結構，但至少具有一劈切面係可透射出光波之結構。另外，各個波導的方向至少在銜接所對應之劈切面的局部區域與該劈切面之方向不互相垂直。因此，本發明之高功率半導體雷射至少可提升功率至2W，同時遠比目前其它半導體雷射之繞射極限光束功率高，又具有平緩之近場分佈，而可減緩加速性光學破壞之發生。
简体摘要：本发明系关于一种高功率半导体激光(high–power semiconductor laser)结构，其主要系在一发光半导体中形成一波导结构，且该波导结构具有可传导光波之数个波导，各个波导和该发光半导体之间的界面形成可反射光波之反射面，该发光半导体之端面处形成数个噼切面，各个噼切面系由前述之波导延伸至该发光半导体之端面所形成，且系作为反射或透射出光波之结构，但至少具有一噼切面系可透射出光波之结构。另外，各个波导的方向至少在衔接所对应之噼切面的局部区域与该噼切面之方向不互相垂直。因此，本发明之高功率半导体激光至少可提升功率至2W，同时远比目前其它半导体激光之绕射极限光束功率高，又具有平缓之近场分布，而可减缓加速性光学破坏之发生。

52. 发明专利

TW200421603A 紅外光光偵測器 INFRARED PHOTODETECTOR 审中-公开
简体标题：红外光光侦测器 INFRARED PHOTODETECTOR
公开(公告)号：TW200421603A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW092108185
申请日：2003-04-10
申请人：國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：許博欽 BUO-CHIN HSU , 張書通 CHANG, SHU TONG , 黃仕澔 SHI HAO HWANG , 劉致為 CHEE WEE LIU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y10/00 , B82Y20/00
摘要：導體層11：接收載子形成電流包含五層鍺量子點的p型半導體層12：形成量子井，點用來侷限載子於位障內絕緣層13：形成量子穿隧效應電壓源14：提供偏壓以驅動載子矽基板121：成長元件之基板矽緩衝層122：方便之後各層成長鍺量子層123：能隙不同形成位障鍺量子點124：能隙不同形成位障矽中介層125：能隙不同形成位障矽被覆層126：保護鍺量子層並有助於絕緣層成長
简体摘要：导体层11：接收载子形成电流包含五层锗量子点的p型半导体层12：形成量子井，点用来局限载子于位障内绝缘层13：形成量子穿隧效应电压源14：提供偏压以驱动载子硅基板121：成长组件之基板硅缓冲层122：方便之后各层成长锗量子层123：能隙不同形成位障锗量子点124：能隙不同形成位障硅中介层125：能隙不同形成位障硅被覆层126：保护锗量子层并有助于绝缘层成长

53. 发明专利

TW200419012A 可撓曲之多孔鎳-氧化釔安定化氧化鋯陽極電極薄層之製法 FABRICATION OF FOLDABLY POROUS NICKEL-YTTRIA-STABILIZED ZIRCONIA ANODE ELECTRODE THIN LAYER 审中-公开
简体标题：可挠曲之多孔镍-氧化钇安定化氧化锆阳极电极薄层之制法 FABRICATION OF FOLDABLY POROUS NICKEL-YTTRIA-STABILIZED ZIRCONIA ANODE ELECTRODE THIN LAYER
公开(公告)号：TW200419012A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092106461
申请日：2003-03-24
申请人：國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：韋文誠 WEI, WEN CHENG , 楊志忠 CHIH-CHUNG T. YANG
IPC分类号： C25D
摘要：本發明揭示一種利用複合電鍍法，將含有細微聚結之氧化釔安定化氧化鋯顆粒加入鎳電鍍液中，在銅或ITO／PET(氧化銦錫／聚對苯二甲酸二乙酯)電極板上，電鍍製備出具有成分及孔隙率梯度之Ni-YSZ複合層，可用於固態氧化物燃料電池之陽極。該複合電極薄層在應用的條件下，亦即5vol％的氫氣還原性氣氛下，800℃退火處理1至10小時，並未發現到鎳相形成球體，或與氧化鋯脫離(de-lamination)之缺點。該陽極薄片可折疊，而且此薄層與銅電極或ITO／PET板在電鍍完成後並無脫層的現象，亦可形成種種不同的立體(3D)電極結構。
简体摘要：本发明揭示一种利用复合电镀法，将含有细微聚结之氧化钇安定化氧化锆颗粒加入镍电镀液中，在铜或ITO／PET(氧化铟锡／聚对苯二甲酸二乙酯)电极板上，电镀制备出具有成分及孔隙率梯度之Ni-YSZ复合层，可用于固态氧化物燃料电池之阳极。该复合电极薄层在应用的条件下，亦即5vol％的氢气还原性气氛下，800℃退火处理1至10小时，并未发现到镍相形成球体，或与氧化锆脱离(de-lamination)之缺点。该阳极薄片可折叠，而且此薄层与铜电极或ITO／PET板在电镀完成后并无脱层的现象，亦可形成种种不同的三維(3D)电极结构。

54. 发明专利

TWI221101B 雙自熔旋轉電極合金粉末的製造方法有权
简体标题：双自熔旋转电极合金粉末的制造方法
公开(公告)号：TWI221101B
公开(公告)日：2004-09-21
申请号：TW091134941
申请日：2002-12-02
申请人：國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：連喜 , 石明倫
IPC分类号： B22F
CPC分类号： B22F9/14 , B22F9/10 , B22F2009/084 , B22F2999/00 , B22F2201/12
摘要：一種雙自熔旋轉電極合金粉末的製造方法，尤指需高清淨度、活性金屬及其合金低表面積之粉末者。其將傳統旋轉電極電弧製粉法的鎢電極置換成合金成份之一金屬，而旋轉極則置成另成份之一金屬，通入鈍性氣體作為保護氣氛及穩定電弧之用，起弧後因陰極無法承受電弧在陰極點的高溫而熔融，而液滴則會受電漿氣流形成的推力、電磁縮束力、電弧力等的影響進而噴向陽極，且液滴會與陽極熔融的金屬液混合，並由旋轉電極所產生的離心力甩成圓形的合金粉末。
简体摘要：一种双自熔旋转电极合金粉末的制造方法，尤指需高清净度、活性金属及其合金低表面积之粉末者。其将传统旋转电极电弧制粉法的钨电极置换成合金成份之一金属，而旋转极则置成另成份之一金属，通入钝性气体作为保护气氛及稳定电弧之用，起弧后因阴极无法承受电弧在阴极点的高温而熔融，而液滴则会受等离子气流形成的推力、电磁缩束力、电弧力等的影响进而喷向阳极，且液滴会与阳极熔融的金属液混合，并由旋转电极所产生的离心力甩成圆形的合金粉末。

55. 发明专利

TWI220810B 高功率半導體雷射結構有权
简体标题：高功率半导体激光结构
公开(公告)号：TWI220810B
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092110140
申请日：2003-04-30
申请人：國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：林清富 CHING-FUH LIN , 蔡家偉 CHIA-WEI TSAI , 蔡志宏 CHIH-HUNG TSAI , 蘇益信 YI-SHIN SU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/005 , H01S5/0655 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1021 , H01S5/1064 , H01S5/1085 , H01S5/14 , H01S5/2231 , H01S5/4068
摘要：本發明係關於一種高功率半導體雷射(high-power semiconductor laser)結構，其主要係在一發光半導體中形成一波導結構，且該波導結構具有可傳導光波之數個波導，各個波導和該發光半導體之間的界面形成可反射光波之反射面，該發光半導體之端面處形成數個劈切面，各個劈切面係由前述之波導延伸至該發光半導體之端面所形成，且係作為反射或透射出光波之結構，但至少具有一劈切面係可透射出光波之結構。另外，各個波導的方向至少在銜接所對應之劈切面的局部區域與該劈切面之方向不互相垂直。因此，本發明之高功率半導體雷射至少可提升功率至2W，同時遠比目前其它半導體雷射之繞射極限光束功率高，又具有平緩之近場分佈，而可減緩加速性光學破壞之發生。
简体摘要：本发明系关于一种高功率半导体激光(high-power semiconductor laser)结构，其主要系在一发光半导体中形成一波导结构，且该波导结构具有可传导光波之数个波导，各个波导和该发光半导体之间的界面形成可反射光波之反射面，该发光半导体之端面处形成数个噼切面，各个噼切面系由前述之波导延伸至该发光半导体之端面所形成，且系作为反射或透射出光波之结构，但至少具有一噼切面系可透射出光波之结构。另外，各个波导的方向至少在衔接所对应之噼切面的局部区域与该噼切面之方向不互相垂直。因此，本发明之高功率半导体激光至少可提升功率至2W，同时远比目前其它半导体激光之绕射极限光束功率高，又具有平缓之近场分布，而可减缓加速性光学破坏之发生。

56. 发明专利

TW200414905A 光聚合牙科填補奈米複合環氧樹脂 LIGHT CURABLE EPOXY NANO COMPOSITE FOR DENTAL RESTORATIVE MATERIAL 审中-公开
简体标题：光聚合牙科填补奈米复合环氧树脂 LIGHT CURABLE EPOXY NANO COMPOSITE FOR DENTAL RESTORATIVE MATERIAL
公开(公告)号：TW200414905A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092103027
申请日：2003-02-13
申请人：國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：林唯芳 SU, WEI-FANG , 孫士博 SHIH-PO SUN , 陳敏慧 MIN-HUEY CHEN
IPC分类号： A61K , C08K
CPC分类号： A61K6/0052 , A61K6/007 , A61K6/087 , C08L63/00
摘要：本發明揭示一種應用於牙科中牙體復形及美容牙科領域之光聚合牙科填補奈米複合環氧樹脂其具有低聚合收縮度並可照光聚合的複合填補材料，材料中包含經由可見光聚合的環氧樹脂而非慣用壓克力配方，以及奈米無機氧化物顆粒；光聚合的環氧樹脂由環氧樹脂單體，光起始劑與光敏感劑所組成；奈米無機氧化物顆粒可經有機改質，以增強無機氧化物顆粒與環氧樹脂間的作用力及改善材料中奈米無機氧化物顆粒在環氧樹脂中的分散情況。本材料以環氧樹脂為基質，其收縮度較以壓克力為基質的填補材料低50％以上，是為低收縮度牙科填補材料。
简体摘要：本发明揭示一种应用于牙科中牙体复形及美容牙科领域之光聚合牙科填补奈米复合环氧树脂其具有低聚合收缩度并可照光聚合的复合填补材料，材料中包含经由可见光聚合的环氧树脂而非习用压克力配方，以及奈米无机氧化物颗粒；光聚合的环氧树脂由环氧树脂单体，光起始剂与光敏感剂所组成；奈米无机氧化物颗粒可经有机改质，以增强无机氧化物颗粒与环氧树脂间的作用力及改善材料中奈米无机氧化物颗粒在环氧树脂中的分散情况。本材料以环氧树脂为基质，其收缩度较以压克力为基质的填补材料低50％以上，是为低收缩度牙科填补材料。

57. 发明专利

TW589798B 一種振盪器的設計方法和電腦可讀取記錄媒體失效
简体标题：一种振荡器的设计方法和电脑可读取记录媒体
公开(公告)号：TW589798B
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW091136642
申请日：2002-12-19
申请人：瀰工科技股份有限公司 MEMETICS TECHNOLOGY CO., LTD. , 國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：呂學士 LU, SHEY SHI , 邱弘緯 CHIU, HUNG WEI , 陳昱璋 CHEN, YU CHANG
IPC分类号： H03L , G06N
摘要：本發明提供一種快速尋找功率頻率規格化相位雜訊最佳點的方法，並可同時得到各所需參數之實際數值。其所採用的最佳化方法是基因演算法，首先先將所要最佳化的各個參數，以二進位法編碼，形成基因；接下來將這些基因串接起來，變成染色體；然後依據評估函數，將這些染色體作排序，越符合我們的要求的染色體排在越前面，經過淘汰之後，將留下來的染色體作交配，最後加上變異，就完成一輪的演算，經由重複以上的步驟，就能找到最佳點，其所花費的時間極為短暫。
简体摘要：本发明提供一种快速寻找功率频率规格化相位噪声最佳点的方法，并可同时得到各所需参数之实际数值。其所采用的最优化方法是基因算法，首先先将所要最优化的各个参数，以二进制法编码，形成基因；接下来将这些基因串接起来，变成染色体；然后依据评估函数，将这些染色体作排序，越符合我们的要求的染色体排在越前面，经过淘汰之后，将留下来的染色体作交配，最后加上变异，就完成一轮的演算，经由重复以上的步骤，就能找到最佳点，其所花费的时间极为短暂。

58. 发明专利

TW588512B 一種阻抗匹配的設計方法及其電路有权
简体标题：一种阻抗匹配的设计方法及其电路
公开(公告)号：TW588512B
公开(公告)日：2004-05-21
申请号：TW091136643
申请日：2002-12-19
申请人：瀰工科技股份有限公司 MEMETICS TECHNOLOGY CO., LTD. , 國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：呂學士 LU, SHEY SHI
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H03H7/38 , H03H11/28
摘要：本創作是有關於一種阻抗匹配方法及利用此方法所設計出之電路。主要係於雙極(場效)電晶體之集極端(汲極端)處連接上電容，藉由回授作用而使從電晶體基極端(閘極)端看入之阻抗具有所欲之電阻值(通常為50歐姆)。由於本創作利用電晶體輸出處(集極端或汲極端)之電容而於電晶體輸入處(基極端或閘極端)產生匹配所需之電阻，相對於習知之技術，不需使用佔面積之電感，亦不需使用造成過大雜訊之電阻。
简体摘要：本创作是有关于一种阻抗匹配方法及利用此方法所设计出之电路。主要系于双极(场效)晶体管之集极端(汲极端)处连接上电容，借由回授作用而使从晶体管基极端(闸极)端看入之阻抗具有所欲之电阻值(通常为50欧姆)。由于本创作利用晶体管输出处(集极端或汲极端)之电容而于晶体管输入处(基极端或闸极端)产生匹配所需之电阻，相对于习知之技术，不需使用占面积之电感，亦不需使用造成过大噪声之电阻。

59. 发明专利

TW583872B 微型三維輪廓掃描器有权
简体标题：微型三维轮廓扫描仪
公开(公告)号：TW583872B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW091125312
申请日：2002-10-25
申请人：國立台北科技大學 , 國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：陳亮嘉 CHEN, LIANG CHIA , 范光照 FAN, KUANG CHAO
IPC分类号： H04N
摘要：本發明係為一種微型三維輪廓掃描器，藉由將光學投影單元與影像擷取單元之光學元件與光學透鏡組整合於一微型量測裝置內，並利用光纖導入外部光源後，數位微鏡投影晶片可產生結構光圖譜並投射至待測物，再以影像感測元件擷取變形之結構光紋影像，利用此資訊可得到物體之彩色二維影像及三維輪廓尺寸，本發明因此可應用於狹窄空間內之量測。
简体摘要：本发明系为一种微型三维轮廓扫描仪，借由将光学投影单元与影像截取单元之光学组件与光学透镜组集成于一微型量测设备内，并利用光纤导入外部光源后，数码微镜投影芯片可产生结构光图谱并投射至待测物，再以影像传感组件截取变形之结构光纹影像，利用此信息可得到物体之彩色二维影像及三维轮廓尺寸，本发明因此可应用于狭窄空间内之量测。

60. 发明专利

TW578368B 一種多頻段同時共存電子電路及其設計方法失效
简体标题：一种多频段同时共存电子电路及其设计方法
公开(公告)号：TW578368B
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW091136644
申请日：2002-12-19
申请人：瀰工科技股份有限公司 MEMETICS TECHNOLOGY CO., LTD. , 國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：呂學士 LU, SHEY SHI , 邱弘緯 CHIU, HUNG WEI , 林宥佐
IPC分类号： H03F
摘要：本發明是有關於一種多頻段同時共存電子電(Concurrent Multi-band Electronic Circuits)及其設計方法。主要係於雙極(場效)電晶體之集極(汲極)與基極間加入一電容，藉由該電容加入，使促該電晶體基極(閘極)端看入之輸入阻抗與電性連接於基極(閘極)之電感共振於所欲最大頻段與最小頻段之間，而達成各頻段之阻抗匹配。由於本發明利用電容來達成多頻段阻抗匹配，相對於習知之技術，不需多個不同頻段之放大器，或使用晶片外之電感及電容，且不用額外打線，有助於良率及產量之提昇。
简体摘要：本发明是有关于一种多频段同时共存电子电(Concurrent Multi-band Electronic Circuits)及其设计方法。主要系于双极(场效)晶体管之集极(汲极)与基极间加入一电容，借由该电容加入，使促该晶体管基极(闸极)端看入之输入阻抗与电性连接于基极(闸极)之电感共振于所欲最大频段与最小频段之间，而达成各频段之阻抗匹配。由于本发明利用电容来达成多频段阻抗匹配，相对于习知之技术，不需多个不同频段之放大器，或使用芯片外之电感及电容，且不用额外打线，有助于良率及产量之提升。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式