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41. 发明专利

TWI578316B 用於記憶體裝置的操作控制的方法與系統及其記憶體裝置有权
简体标题：用于内存设备的操作控制的方法与系统及其内存设备
公开(公告)号：TWI578316B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104139663
申请日：2013-02-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：弗格特派特 , VOGT, PETE
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C8/18
CPC分类号： G06F3/0629 , G06F3/0604 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F12/0891 , G11C7/1075 , G11C7/222 , G11C7/225

42. 发明专利

TWI563505B 基於輸入時脈之適應性控制方法以及相關之適應性控制裝置有权
简体标题：基于输入时脉之适应性控制方法以及相关之适应性控制设备
公开(公告)号：TWI563505B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103105734
申请日：2014-02-20
申请人：補丁科技股份有限公司 , PIECEMAKERS TECHNOLOGY, INC.
发明人：丁達剛 , TING, TAH KANG , 田立勤 , TIEN, LI CHIN
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/08 , G11C7/222 , G11C11/4076 , G11C11/4091 , G11C11/419

43. 发明专利

TW201626385A 用於記憶體裝置的操作控制的方法與系統及其記憶體裝置审中-公开
简体标题：用于内存设备的操作控制的方法与系统及其内存设备
公开(公告)号：TW201626385A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104139663
申请日：2013-02-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：弗格特派特 , VOGT, PETE
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C8/18
CPC分类号： G06F3/0629 , G06F3/0604 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F12/0891 , G11C7/1075 , G11C7/222 , G11C7/225
摘要：一種回應用於操作控制的裝置命令之記憶體裝置。記憶體裝置的實施例包含一或更多記憶體元件、包含記憶體控制器的系統元件、及實體介面，實體介面包含命令輸入接腳以接收用於記憶體裝置的命令。命令包含用於記憶體裝置的操作控制的命令、包含第一命令及第二命令中之一或二者，第一命令用於重設控制以重設記憶體裝置，第二命令用於時脈賦能(CKE)控制以暫停用於記憶體裝置的內部時脈散佈。
简体摘要：一种回应用于操作控制的设备命令之内存设备。内存设备的实施例包含一或更多内存组件、包含内存控制器的系统组件、及实体界面，实体界面包含命令输入接脚以接收用于内存设备的命令。命令包含用于内存设备的操作控制的命令、包含第一命令及第二命令中之一或二者，第一命令用于重设控制以重设内存设备，第二命令用于时脉赋能(CKE)控制以暂停用于内存设备的内部时脉散布。

44. 发明专利

TWI536380B 管路閂鎖器控制電路與使用該管路閂鎖器控制電路的半導體積體電路有权
简体标题：管路闩锁器控制电路与使用该管路闩锁器控制电路的半导体集成电路
公开(公告)号：TWI536380B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101103915
申请日：2012-02-07
申请人：海力士半導體股份有限公司 , HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：鄭椿錫 , JEONG, CHUN-SEOK
IPC分类号： G11C11/4076 , H03L7/06 , G11C7/00
CPC分类号： G11C7/1039

45. 发明专利

TWI533299B 資料訊號的過取樣方法及其過取樣裝置有权
简体标题：数据信号的过采样方法及其过采样设备
公开(公告)号：TWI533299B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW102125108
申请日：2013-07-12
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：劉燁 , LIU, YE
IPC分类号： G11C11/4076 , H03K21/40
CPC分类号： H03K5/01

46. 发明专利

TWI469144B 用以控制隨機存取記憶體元件中的漏電流之電路和方法有权
简体标题：用以控制随机存取内存组件中的漏电流之电路和方法
公开(公告)号：TWI469144B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100123984
申请日：2011-07-06
申请人：晶豪科技股份有限公司 , ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳宗仁 , CHEN, CHUNG ZEN , 簡映偉 , JAN, YING WEI , 梁建翔 , LIANG, JIAN SHIANG
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4076

47. 发明专利

TWI442398B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI442398B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW096148787
申请日：2007-12-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：井上卓之 , INOUE, TAKAYUKI , 黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C8/10
CPC分类号： G11C5/141 , G11C5/142 , G11C29/70

48. 发明专利

TW201351411A 回應於用於操作控制的裝置命令的記憶體裝置审中-公开
简体标题：回应于用于操作控制的设备命令的内存设备
公开(公告)号：TW201351411A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102106219
申请日：2013-02-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：弗格特派特 , VOGT, PETE
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C8/18
CPC分类号： G06F3/0629 , G06F3/0604 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F12/0891 , G11C7/1075 , G11C7/222 , G11C7/225
摘要：一種回應用於操作控制的裝置命令之記憶體裝置。記憶體裝置的實施例包含一或更多記憶體元件、包含記憶體控制器的系統元件、及實體介面，實體介面包含命令輸入接腳以接收用於記憶體裝置的命令。命令包含用於記憶體裝置的操作控制的命令、包含第一命令及第二命令中之一或二者，第一命令用於重設控制以重設記憶體裝置，第二命令用於時脈賦能(CKE)控制以暫停用於記憶體裝置的內部時脈散佈。
简体摘要：一种回应用于操作控制的设备命令之内存设备。内存设备的实施例包含一或更多内存组件、包含内存控制器的系统组件、及实体界面，实体界面包含命令输入接脚以接收用于内存设备的命令。命令包含用于内存设备的操作控制的命令、包含第一命令及第二命令中之一或二者，第一命令用于重设控制以重设内存设备，第二命令用于时脉赋能(CKE)控制以暂停用于内存设备的内部时脉散布。

49. 发明专利

TW201335932A 讀取行選擇與讀取資料匯流排預充電控制信號之時序互鎖方法及其相關電路审中-公开
简体标题：读取行选择与读取数据总线预充电控制信号之时序互锁方法及其相关电路
公开(公告)号：TW201335932A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102116880
申请日：2007-10-11
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：萊斯維娜莉 , LINES, VALERIE L.
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C11/4074 , G11C11/4078
摘要：一種DRAM記憶體的行選擇及資料匯流排預充電信號互鎖方案。該信號互鎖系統包括與DRAM記憶體之每一記憶庫關連的行讀取致能電路，以產生耦合資料至共用讀取資料匯流排的行選擇信號，及禁止讀取資料匯流排預充電裝置的讀取資料匯流排預充電禁止信號。每一行讀取致能電路包括具可調諧零件的脈衝產生器電路，以於讀取作業中產生至少一行選擇信號脈衝及該讀取資料匯流排預充電禁止脈衝。該脈衝產生器電路確保該行選擇脈衝總是相對於該讀取資料匯流排預充電禁止脈衝而巢套。因此，主動行選擇裝置與主動讀取資料匯流排預充電裝置之間並無重疊。
简体摘要：一种DRAM内存的行选择及数据总线预充电信号互锁方案。该信号互锁系统包括与DRAM内存之每一记忆库关连的行读取致能电路，以产生耦合数据至共享读取数据总线的行选择信号，及禁止读取数据总线预充电设备的读取数据总线预充电禁止信号。每一行读取致能电路包括具可调谐零件的脉冲产生器电路，以于读取作业中产生至少一行选择信号脉冲及该读取数据总线预充电禁止脉冲。该脉冲产生器电路确保该行选择脉冲总是相对于该读取数据总线预充电禁止脉冲而巢套。因此，主动行选择设备与主动读取数据总线预充电设备之间并无重叠。

50. 发明专利

TW201333950A 電子裝置、動態隨機存取記憶體控制器以及動態隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：电子设备、动态随机存取内存控制器以及动态随机存取内存
公开(公告)号：TW201333950A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW102103885
申请日：2013-02-01
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：溫志強 , WEN, CHIH CHIANG
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C11/409
CPC分类号： G11C8/18 , G11C7/109 , G11C7/1093 , G11C11/40 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/2254
摘要：一種電子裝置，包括動態隨機存取記憶體(DRAM)以及DRAM控制器。動態隨機存取記憶體接收控制與位址信號以及時脈信號，以預設數值延遲時脈信號以得到延遲時脈信號，依據時脈信號取樣控制與位址信號以得到第一取樣信號，依據延遲時脈信號取樣控制與位址信號以得到第二取樣信號，並且比較第一取樣信號以及第二取樣信號以得到狀態信號；DRAM控制器傳送控制與位址信號以及時脈信號至動態隨機存取記憶體，接收來自動態隨機存取記憶體的狀態信號，並且依據狀態信號調整時脈信號以及控制與位址信號之間的相位差。
简体摘要：一种电子设备，包括动态随机存取内存(DRAM)以及DRAM控制器。动态随机存取内存接收控制与位址信号以及时脉信号，以默认数值延迟时脉信号以得到延迟时脉信号，依据时脉信号采样控制与位址信号以得到第一采样信号，依据延迟时脉信号采样控制与位址信号以得到第二采样信号，并且比较第一采样信号以及第二采样信号以得到状态信号；DRAM控制器发送控制与位址信号以及时脉信号至动态随机存取内存，接收来自动态随机存取内存的状态信号，并且依据状态信号调整时脉信号以及控制与位址信号之间的相位差。

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