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41. 发明专利

TW201402885A 多晶矽晶塊的製造方法审中-公开
简体标题：多晶硅晶块的制造方法
公开(公告)号：TW201402885A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101124418
申请日：2012-07-06
申请人：茂迪股份有限公司
发明人：何鎧安 , 周建綱
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/021 , C30B11/003 , C30B29/06
摘要：一種多晶矽晶塊的製造方法，包含：(A)準備一裝有矽熔湯的容器，保持該矽熔湯表面溫度高於矽熔點，並將該容器的底部溫度自一初始溫度降溫至一第一溫度，而且本步驟的降溫速率大於或等於2.6℃/分鐘。(B)將該容器的底部溫度升溫至一個小於該初始溫度的第二溫度，接著再進行一次降溫與一次升溫，本步驟的降溫速率大於或等於2.6℃/分鐘。(C)降溫以形成多晶矽晶塊。本發明透過至少兩次的快速降溫與兩次的升溫，利用溫度反覆變化以成長出樹枝晶結構，可得到較大的晶粒尺寸，使成長出的多晶矽晶塊具有較佳的結晶性。
简体摘要：一种多晶硅晶块的制造方法，包含：(A)准备一装有硅熔汤的容器，保持该硅熔汤表面温度高于硅熔点，并将该容器的底部温度自一初始温度降温至一第一温度，而且本步骤的降温速率大于或等于2.6℃/分钟。(B)将该容器的底部温度升温至一个小于该初始温度的第二温度，接着再进行一次降温与一次升温，本步骤的降温速率大于或等于2.6℃/分钟。(C)降温以形成多晶硅晶块。本发明透过至少两次的快速降温与两次的升温，利用温度反复变化以成长出树枝晶结构，可得到较大的晶粒尺寸，使成长出的多晶硅晶块具有较佳的结晶性。

42. 发明专利

TW201341602A 多晶矽及其鑄造方法审中-公开
简体标题：多晶硅及其铸造方法
公开(公告)号：TW201341602A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102110404
申请日：2013-03-25
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：八木大地 , YAGI, DAICHI , 安部貴裕 , ABE, TAKAHIRO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B28/06
CPC分类号： C30B28/10 , C30B11/001 , C30B11/065 , C30B29/06 , C30B30/04 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種適合於具有高的轉換效率的太陽電池的多晶矽及其鑄造方法。本發明的多晶矽的鑄造方法是在腔室的感應線圈內，將軸方向的至少一部分在周面方向分割成多個，並配置在內表面塗佈了含有氮的脫模材料的無底的無底冷卻坩堝，藉由上述感應線圈所產生的電磁感應加熱，而在上述無底冷卻坩堝內將多晶矽的原料熔融，將所得的熔融矽冷卻使其凝固，並且向下方拉抽，且上述經凝固的熔融矽的拉抽是在該熔融矽中的碳濃度調整為4.0×1017 atoms/cm3以上、6.0×1017 atoms/cm3以下，氧濃度調整為0.3×1017 atoms/cm3以上、5.0×1017 atoms/cm3以下，且氮濃度調整為8.0×1013 atoms/cm3以上、1.0×1018 atoms/cm3以下的情況下進行。
简体摘要：本发明提供一种适合于具有高的转换效率的太阳电池的多晶硅及其铸造方法。本发明的多晶硅的铸造方法是在腔室的感应线圈内，将轴方向的至少一部分在周面方向分割成多个，并配置在内表面涂布了含有氮的脱模材料的无底的无底冷却坩埚，借由上述感应线圈所产生的电磁感应加热，而在上述无底冷却坩埚内将多晶硅的原料熔融，将所得的熔融硅冷却使其凝固，并且向下方拉抽，且上述经凝固的熔融硅的拉抽是在该熔融硅中的碳浓度调整为4.0×1017 atoms/cm3以上、6.0×1017 atoms/cm3以下，氧浓度调整为0.3×1017 atoms/cm3以上、5.0×1017 atoms/cm3以下，且氮浓度调整为8.0×1013 atoms/cm3以上、1.0×1018 atoms/cm3以下的情况下进行。

43. 实用新型

TWM460880U 用於長晶的坩堝單元有权
简体标题：用于长晶的坩埚单元
公开(公告)号：TWM460880U
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102205249
申请日：2013-03-21
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：邵任民 , 黃志偉 , 劉安鈞 , 陳偉暉
IPC分类号： C30B13/14 , C30B11/00 , C30B28/06 , C30B29/06

44. 发明专利

TW201331433A 多晶矽鑄錠鑄造用鑄模、其製造方法以及多晶矽鑄錠的製造方法审中-公开
简体标题：多晶硅铸锭铸造用铸模、其制造方法以及多晶硅铸锭的制造方法
公开(公告)号：TW201331433A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101103601
申请日：2012-02-03
申请人：共同精密陶瓷股份有限公司 , KYODO FINE CERAMICS CO., LTD.
发明人：磯村敬一郎 , ISOMURA, KEIICHIRO , 山崎完治 , YAMAZAKI, KANJI , 斎藤剛史 , SAITO, TAKESHI
IPC分类号： C30B35/00 , C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種多晶矽鑄錠鑄造用鑄模、其製造方法以及多晶矽鑄錠的鑄造方法。以二氧化矽為本體主材質的多晶矽鑄體鑄造用鑄模，在與溶融多晶矽接觸側的鑄模本體表面，藉由塗布包含氮化矽的泥漿經由燒結，而形成具有氣孔率20%以上30%以下，厚度0.5mm以上的塗層。
简体摘要：一种多晶硅铸锭铸造用铸模、其制造方法以及多晶硅铸锭的铸造方法。以二氧化硅为本体主材质的多晶硅铸体铸造用铸模，在与溶融多晶硅接触侧的铸模本体表面，借由涂布包含氮化硅的泥浆经由烧结，而形成具有气孔率20%以上30%以下，厚度0.5mm以上的涂层。

45. 发明专利

TW201323671A 用於在含氧氣氛中經由定向性固化作用來精煉矽之裝置，及精煉矽之方法审中-公开
简体标题：用于在含氧气氛中经由定向性固化作用来精炼硅之设备，及精炼硅之方法
公开(公告)号：TW201323671A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101119767
申请日：2012-06-01
申请人：贏創太陽能挪威公司 , EVONIK SOLAR NORGE AS
发明人：尼葛德賴爾斯 , NYGAARD, LARS , 蘇爾維克阿爾維德 , SORVIK, ARVID INGE , 斯爾頓布蘭傑 , SYLTEN, BRYNJAR , 凡德榮恩維 , KVANDE, RANNVEIG , 雨果法蘭茲 , HUGO, FRANZ
IPC分类号： C30B28/06 , C30B35/00 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明提供一種用以製造太陽能級矽之特別是液態矽的定向性固化程序之裝置，以及用於定向性固化之精煉方法。該裝置包含具有加熱元件的爐，該等加熱元件容許含氧氣氛並置於底板上方，其中該底板上放著含有液態矽之坩堝/模子。此外，本發明提供一種定向性固化方法、儲存電腦軟體之電腦可讀性媒介及用於操作定向性固化裝置之程式元件。
简体摘要：本发明提供一种用以制造太阳能级硅之特别是液态硅的定向性固化进程之设备，以及用于定向性固化之精炼方法。该设备包含具有加热组件的炉，该等加热组件容许含氧气氛并置于底板上方，其中该底板上放着含有液态硅之坩埚/模子。此外，本发明提供一种定向性固化方法、存储电脑软件之电脑可读性媒介及用于操作定向性固化设备之进程组件。

46. 发明专利

TW201317407A 真空循環精煉太陽能級多晶矽設備及太陽能級多晶矽提煉方法审中-公开
简体标题：真空循环精炼太阳能级多晶硅设备及太阳能级多晶硅提炼方法
公开(公告)号：TW201317407A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101102333
申请日：2012-01-20
申请人：孫文彬 , SUN, WEN PIN , 黃秀敏 , HUANG, HSIU MIN
发明人：孫文彬 , SUN, WEN PIN
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/037 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：本發明之真空循環精煉太陽能級多晶矽設備，係包括一真空脫氣爐與一循環法真空處理爐。利用置於真空脫氣爐內的盛矽桶裝載液態矽原料，再控制真空脫氣爐與循環法真空處理爐的壓力，配合一惰性氣體導入裝置，使得液態矽可以進行攪拌等作業，達到去除雜質的目的。利用本發明的設備係可直接製造出預定濃度的多晶矽溶液，大幅縮短多晶矽製造所需的時間與成本。
简体摘要：本发明之真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，系包括一真空脱气炉与一循环法真空处理炉。利用置于真空脱气炉内的盛硅桶装载液态硅原料，再控制真空脱气炉与循环法真空处理炉的压力，配合一惰性气体导入设备，使得液态硅可以进行搅拌等作业，达到去除杂质的目的。利用本发明的设备系可直接制造出预定浓度的多晶硅溶液，大幅缩短多晶硅制造所需的时间与成本。

47. 发明专利

TW201303091A 非金屬熔液定向凝固方法及其裝置审中-公开
简体标题：非金属熔液定向凝固方法及其设备
公开(公告)号：TW201303091A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101124193
申请日：2012-07-05
申请人：首德太陽能股份有限公司 , SCHOTT SOLAR AG
发明人：穆勒麥西斯 , MÜLLER, MATTHIAS , 摩諾塔畢斯 , MONO, TOBIAS , 庫拉克里斯汀 , KUDLA, CHRISTIAN , 克羅福根佛列德 , KROPFGANS, FRIEDER
IPC分类号： C30B11/02 , C30B28/06 , C30B30/00 , C30B35/00
CPC分类号： C30B11/007 , C30B29/06
摘要：本發明係有關一種定向凝固非金屬熔液的方法，該非金屬熔液裝於一坩堝內，該坩堝位於一凝固裝置中。該凝固裝置具有數個感應器，以生成電磁場。透過輸入第一組具有第一頻率的相移交流電在熔液內生成一第一行波場，透過輸入至少第二組具有第二頻率的相移交流電在熔液內生成一第二行波場。第一行波場和第二行波場方向相同，即與熔液的凝固方向相反，這樣就可以在固液介面上形成一凸出曲面，從而促進單晶生長，抑制坩堝邊緣區域的多晶生長。
简体摘要：本发明系有关一种定向凝固非金属熔液的方法，该非金属熔液装于一坩埚内，该坩埚位于一凝固设备中。该凝固设备具有数个感应器，以生成电磁场。透过输入第一组具有第一频率的相移交流电在熔液内生成一第一行波场，透过输入至少第二组具有第二频率的相移交流电在熔液内生成一第二行波场。第一行波场和第二行波场方向相同，即与熔液的凝固方向相反，这样就可以在固液界面上形成一凸出曲面，从而促进单晶生长，抑制坩埚边缘区域的多晶生长。

48. 发明专利

TW201947069A 定向凝固鑄錠爐裝置审中-公开
简体标题：定向凝固铸锭炉设备
公开(公告)号：TW201947069A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107115583
申请日：2018-05-08
申请人：友達晶材股份有限公司 , AUO CRYSTAL CORPORATION
发明人：楊佳穎 , YANG, CHIA-YING , 王若凡 , WANG, JO-FAN , 江啟宏 , CHIANG, CHI-HUNG , 蔡亞陸 , TSAI, YA-LU
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06
摘要：一種多晶爐裝置包括一爐體、一隔熱組件、一熔融組件、一熱交換器、一開闔機構及一多孔板。爐體具有一冷卻系統及多個加熱器。隔熱組件配置於爐體內且隔熱組件具有一開口。熔融組件配置於隔熱組件內且熔融組件的一底部對應開口。熱交換器配置於底部。開闔機構配置於隔熱組件外且包括至少一擋板，至少一擋板適於開啟或關閉，以暴露或隔絕開口。多孔板配置於熱交換器與開闔機構之間。
简体摘要：一种多晶炉设备包括一炉体、一隔热组件、一熔融组件、一热交换器、一开阖机构及一多孔板。炉体具有一冷却系统及多个加热器。隔热组件配置于炉体内且隔热组件具有一开口。熔融组件配置于隔热组件内且熔融组件的一底部对应开口。热交换器配置于底部。开阖机构配置于隔热组件外且包括至少一挡板，至少一挡板适于打开或关闭，以暴露或隔绝开口。多孔板配置于热交换器与开阖机构之间。

49. 发明专利

TWI651283B 坩堝結構及其製作方法與矽晶結構及其製作方法有权
简体标题：坩埚结构及其制作方法与硅晶结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI651283B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW106114197
申请日：2017-04-28
申请人：友達晶材股份有限公司 , AUO CRYSTAL CORPORATION
发明人：葉澤萌 , YEH, TSE-MENG , 蔡亞陸 , TSAI, YA-LU
IPC分类号： C03C17/22 , C30B15/10 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/00 , F27B14/10

50. 发明专利

TWI600808B 多晶矽錠製造方法、多晶矽錠之用途之製造方法及多晶矽錠有权
简体标题：多晶硅锭制造方法、多晶硅锭之用途之制造方法及多晶硅锭
公开(公告)号：TWI600808B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW104136065
申请日：2015-11-02
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：大石隆一 , OISHI, RYUICHI
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/021

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