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41. 发明专利

TWI534289B 以碳化鉭被覆之碳材料及其製造方法有权
简体标题：以碳化钽被覆之碳材料及其制造方法
公开(公告)号：TWI534289B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW099146663
申请日：2010-12-28
申请人：東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：近藤美華 , KONDO, MIKA
IPC分类号： C23C16/32 , C30B29/36 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/36 , C04B41/009 , C04B41/5057 , C04B41/87 , C04B2111/0025 , C04B2111/00405 , C23C8/20 , C23C16/14 , C23C16/32 , C23C16/56 , C30B25/02 , Y10T428/30 , C04B35/522 , C04B41/4531

42. 发明专利

TW201614101A 成膜裝置，基座，及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备，基座，及成膜方法
公开(公告)号：TW201614101A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104120947
申请日：2015-06-29
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穂 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彦 , ITO, MASAHIKO , 內藤正美 , NAITO, MASAMI , 藤林裕明 , FUJIBAYASHI, HIROAKI , 鈴木克己 , SUZUKI, KATSUMI , 西川恒一 , NISHIKAWA, KOICHI
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/32
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4588 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/36
摘要：依本發明一態樣之成膜裝置，具備：在基板上進行成膜之成膜室；供基板載置之基座單元；及使基座單元旋轉之旋轉部；及將基板加熱之加熱器；及對成膜室供給製程氣體之氣體供給部；基座單元，具有：保持基板之基座；及設於基座的至少上部，和基座為不同材料，至少表面由SiC所構成之護罩構件；及設於基座與護罩構件之間，表面由和護罩構件為不同材料且製程溫度下不會昇華的材料所構成之環狀的板。
简体摘要：依本发明一态样之成膜设备，具备：在基板上进行成膜之成膜室；供基板载置之基座单元；及使基座单元旋转之旋转部；及将基板加热之加热器；及对成膜室供给制程气体之气体供给部；基座单元，具有：保持基板之基座；及设于基座的至少上部，和基座为不同材料，至少表面由SiC所构成之护罩构件；及设于基座与护罩构件之间，表面由和护罩构件为不同材料且制程温度下不会升华的材料所构成之环状的板。

43. 发明专利

TW201606112A 被覆工具的製造方法审中-公开
简体标题：被覆工具的制造方法
公开(公告)号：TW201606112A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104124665
申请日：2015-07-30
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：阿布斯艾力克薩利赫 , ABUSUILIK, SALEH
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/32 , C23C16/52
CPC分类号： B21D37/01 , B21D37/20 , B23B27/14 , B23B27/20 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/32
摘要：本發明的被覆工具的製造方法是藉由過濾電弧離子鍍法在基材的表面形成類鑽碳皮膜的被覆工具的製造方法，其包括：第一步驟，將對所述基材施加的負偏壓設為-2500 V以上且-1500 V以下，向爐內導入含有氫氣的混合氣體，而對所述基材的表面進行氣體撞擊處理；及第二步驟，在所述氣體撞擊處理後向所述爐內導入氮氣，於石墨靶材中投入電流而於所述基材的表面形成類鑽碳皮膜，且在所述第二步驟中，包括減少所述氮氣的流量的步驟、及增加於所述石墨靶材中投入的所述電流的步驟。
简体摘要：本发明的被覆工具的制造方法是借由过滤电弧离子镀法在基材的表面形成类钻碳皮膜的被覆工具的制造方法，其包括：第一步骤，将对所述基材施加的负偏压设为-2500 V以上且-1500 V以下，向炉内导入含有氢气的混合气体，而对所述基材的表面进行气体撞击处理；及第二步骤，在所述气体撞击处理后向所述炉内导入氮气，于石墨靶材中投入电流而于所述基材的表面形成类钻碳皮膜，且在所述第二步骤中，包括减少所述氮气的流量的步骤、及增加于所述石墨靶材中投入的所述电流的步骤。

44. 发明专利

TWI519669B 切削工具用鑽石皮膜有权
简体标题：切削工具用钻石皮膜
公开(公告)号：TWI519669B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101133474
申请日：2012-09-13
申请人：佑能工具股份有限公司 , UNION TOOL CO.
发明人：佐藤彰 , SATO, AKIRA , 渡邊裕二 , WATANABE, YUJI , 大堀鐵太郎 , OHORI, TETSUTARO , 鈴木俊太郎 , SUZUKI, SHUNTARO , 佐藤和崇 , SATO, KAZUTAKA
IPC分类号： C23C16/32 , C23C14/06 , B23C5/00
CPC分类号： B24D3/008 , B23C2226/315 , B23C2228/10 , C23C16/271 , C23C16/279 , Y10T428/24975

45. 发明专利

TW201439359A 以化學氣相沉積程序於多孔洞基材形成大面積石墨烯層之方法审中-公开
简体标题：以化学气相沉积进程于多孔洞基材形成大面积石墨烯层之方法
公开(公告)号：TW201439359A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102112447
申请日：2013-04-09
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：楊金鐘 , YANG, GORDON C.C. , 顏嘉亨 , YEN, CHIA HENG
IPC分类号： C23C16/00 , C23C16/32
摘要：一種以化學氣相沉積程序於多孔洞基材形成大面積石墨烯層之方法，以化學氣相沉積步驟形成一碳層於一多孔洞基材上，再進行一催化石墨化步驟，使沉積於該多孔洞基材的該碳層石墨化為一石墨層，最後進行一液相剝離步驟，使該石墨層薄化為一石墨烯層，本發明直接於該多孔洞基材上形成大面積之石墨烯層，且該多孔洞基材之複數個第一通道連通該石墨烯之複數個第二通道，因此，可應用於固體/液體的過濾與分離、溶液中的溶質與離子的吸附與分離、溶液中大分子與小分子的分離及不同氣體的分離，達到提升分離及純化的效果。
简体摘要：一种以化学气相沉积进程于多孔洞基材形成大面积石墨烯层之方法，以化学气相沉积步骤形成一碳层于一多孔洞基材上，再进行一催化石墨化步骤，使沉积于该多孔洞基材的该碳层石墨化为一石墨层，最后进行一液相剥离步骤，使该石墨层薄化为一石墨烯层，本发明直接于该多孔洞基材上形成大面积之石墨烯层，且该多孔洞基材之复数个第一信道连通该石墨烯之复数个第二信道，因此，可应用于固体/液体的过滤与分离、溶液中的溶质与离子的吸附与分离、溶液中大分子与小分子的分离及不同气体的分离，达到提升分离及纯化的效果。

46. 发明专利

TWI426152B 炭化矽薄膜之成膜方法有权
简体标题：炭化硅薄膜之成膜方法
公开(公告)号：TWI426152B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW100127507
申请日：2011-08-03
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：菅原卓哉 , SUGAWARA, TAKUYA , 青島光 , AOSHIMA, HIKARU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG , 鹽野一郎 , SHIONO, ICHIRO , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/42 , C23C16/513 , H01L21/205

47. 发明专利

TW201405659A 採用ＳｉＯＣ類薄膜之基於遠程電漿的沉積审中-公开
简体标题：采用ＳｉＯＣ类薄膜之基于远程等离子的沉积
公开(公告)号：TW201405659A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102120742
申请日：2013-06-11
申请人：諾發系統有限公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：凡拉德拉彥巴德里 , VARADARAJAN, BHADRI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/32
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/325 , C23C16/452 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L29/4983 , H01L29/4991 , H01L2221/1047
摘要：本發明提供用於提供氧摻雜矽碳化物的方法及系統。在使用具有一或更多矽-氫鍵及/或矽-矽鍵之含矽前驅物的製程條件下，可提供一層氧摻雜矽碳化物。含矽前驅物亦具有一或更多矽-氧鍵及/或矽-碳鍵。實質上處於低能態之一或更多自由基物種可與含矽前驅物反應，從而形成氧摻雜矽碳化物。可在遠程電漿源中形成一或更多自由基物種。
简体摘要：本发明提供用于提供氧掺杂硅碳化物的方法及系统。在使用具有一或更多硅-氢键及/或硅-硅键之含硅前驱物的制程条件下，可提供一层氧掺杂硅碳化物。含硅前驱物亦具有一或更多硅-氧键及/或硅-碳键。实质上处于低能态之一或更多自由基物种可与含硅前驱物反应，从而形成氧掺杂硅碳化物。可在远程等离子源中形成一或更多自由基物种。

48. 发明专利

TW201350605A 切削工具用鑽石皮膜审中-公开
简体标题：切削工具用钻石皮膜
公开(公告)号：TW201350605A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW101133474
申请日：2012-09-13
申请人：佑能工具股份有限公司 , UNION TOOL CO.
发明人：佐藤彰 , SATO, AKIRA , 渡邊裕二 , WATANABE, YUJI , 大堀鐵太郎 , OHORI, TETSUTARO , 鈴木俊太郎 , SUZUKI, SHUNTARO , 佐藤和崇 , SATO, KAZUTAKA
IPC分类号： C23C16/32 , C23C14/06 , B23C5/00
CPC分类号： B24D3/008 , B23C2226/315 , B23C2228/10 , C23C16/271 , C23C16/279 , Y10T428/24975
摘要： [課題]提供一種韌性為高，密著性為優良，並且為高硬度，而能夠相對於超硬合金等之極為高硬度的被削材而將工具壽命作大幅度的提升之切削工具用鑽石皮膜。[解決手段]一種切削工具用鑽石皮膜，係為被形成在基材上之切削工具用鑽石皮膜，其特徵為：係包含有至少一層以上之複層皮膜層〔A〕，該複層皮膜層〔A〕，係為將膜厚1μm以上15μm以下之皮膜層〔α〕和膜厚1μm以上20μm以下之皮膜層〔β〕，以將前述皮膜層〔α〕配置在基材側處並將前述皮膜層〔β〕配置在表層側處的方式而作層積所構成者，此鑽石皮膜全體之膜厚，係被設定為4μm以上30μm以下，前述皮膜層〔α〕和前述皮膜層〔β〕，係具備有特定之皮膜組織。
简体摘要： [课题]提供一种韧性为高，密着性为优良，并且为高硬度，而能够相对于超硬合金等之极为高硬度的被削材而将工具寿命作大幅度的提升之切削工具用钻石皮膜。[解决手段]一种切削工具用钻石皮膜，系为被形成在基材上之切削工具用钻石皮膜，其特征为：系包含有至少一层以上之复层皮膜层〔A〕，该复层皮膜层〔A〕，系为将膜厚1μm以上15μm以下之皮膜层〔α〕和膜厚1μm以上20μm以下之皮膜层〔β〕，以将前述皮膜层〔α〕配置在基材侧处并将前述皮膜层〔β〕配置在表层侧处的方式而作层积所构成者，此钻石皮膜全体之膜厚，系被设置为4μm以上30μm以下，前述皮膜层〔α〕和前述皮膜层〔β〕，系具备有特定之皮膜组织。

49. 发明专利

TW202010861A EUV護膜审中-公开
简体标题： EUV护膜
公开(公告)号：TW202010861A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108121192
申请日：2019-06-19
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：納莎里維奇邁可辛亞歷山德羅維奇 , NASALEVICH, MAXIM ALEKSANDROVICH , 克萊茵亞歷山大路德維希 , KLEIN, ALEXANDER LUDWIG , 克爾甘諾凡艾夫喬尼亞 , KURGANOVA, EVGENIA , 諾登布雅努威稜 , NOTENBOOM, ARNOUD WILLEM , 凡柔彼德珍 , VAN ZWOL, PIETER-JAN , 凡爾斯大衛凡迪奈德 , VLES, DAVID FERDINAND
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/06 , C23C16/56 , B32B9/04 , G03F1/62 , G03F1/64 , G03F7/20 , C01B32/956
摘要：本發明揭示一種護膜，其包含：一芯，該芯包含除了碳化矽以外之一材料；一碳化矽黏著層；及一釕罩蓋層，該釕罩蓋層與該碳化矽黏著層接觸。本發明亦描述一種製備一護膜之方法，該方法包含以下步驟：(i)設置一護膜芯；(ii)在該護膜芯上設置一碳化矽黏著層；及(iii)將一釕罩蓋層設置成與該碳化矽黏著層接觸。本發明亦提供碳化矽在一EUV護膜中作為一黏著層之用途，以及一種總成。
简体摘要：本发明揭示一种护膜，其包含：一芯，该芯包含除了碳化硅以外之一材料；一碳化硅黏着层；及一钌罩盖层，该钌罩盖层与该碳化硅黏着层接触。本发明亦描述一种制备一护膜之方法，该方法包含以下步骤：(i)设置一护膜芯；(ii)在该护膜芯上设置一碳化硅黏着层；及(iii)将一钌罩盖层设置成与该碳化硅黏着层接触。本发明亦提供碳化硅在一EUV护膜中作为一黏着层之用途，以及一种总成。

50. 发明专利

TW201920750A 沉積含矽膜的組合物及方法审中-公开
简体标题：沉积含硅膜的组合物及方法
公开(公告)号：TW201920750A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132158
申请日：2018-09-13
申请人：美商慧盛材料美國責任有限公司 , VERSUM MATERIALS US, LLC
发明人：李明 , LI, MING , 雷新建 , LEI, XINJIAN , 孟提雷蒙尼克勞斯 , VRTIS, RAYMOND NICHOLAS , 瑞吉威羅伯特戈登 , RIDGEWAY, ROBERT GORDON , 蕭滿超 , XIAO, MANCHAO
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/32
摘要：於本文中描述出一種在一基材之至少一表面上形成一包含矽及碳的介電膜之組合物及方法，該方法包含將至少一種選自於由下列所組成之群的矽環烷前驅物引進一反應器中：如於本文中所定義之由式IA之結構表示的化合物及由式IB之結構表示的化合物：。
简体摘要：于本文中描述出一种在一基材之至少一表面上形成一包含硅及碳的介电膜之组合物及方法，该方法包含将至少一种选自于由下列所组成之群的硅环烷前驱物引进一反应器中：如于本文中所定义之由式IA之结构表示的化合物及由式IB之结构表示的化合物：。

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