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41. 发明专利

TW201711385A 半導體積體電路與正反器审中-公开
简体标题：半导体集成电路与正反器
公开(公告)号：TW201711385A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105118477
申请日：2016-06-14
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金智謙 , KIM, JI-KYUM , 李大成 , LEE, DAE-SEONG , 金珉修 , KIM, MIN-SU
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： H03K3/35625 , G01R31/318541
摘要：一種半導體積體電路包括：掃描賦能（SE）反相器及時脈（CK）反相器，位於基板上；第一多工部；以及第二多工部。掃描賦能反相器與時脈反相器在第一方向上對齊。第一多工部包括第一配線及第一電晶體，所述第一配線連接至掃描賦能反相器的電源供應電壓部，且所述第一配線與所述第一電晶體共用與所述第一配線接觸的源極區。第二多工部包括第二配線及第二電晶體，所述第二配線連接至所述時脈反相器的電源供應電壓部，且所述第二配線與所述第二電晶體共用與所述第二配線接觸的源極區。掃描賦能反相器與時脈反相器在第一方向上彼此對齊。
简体摘要：一种半导体集成电路包括：扫描赋能（SE）反相器及时脉（CK）反相器，位于基板上；第一多任务部；以及第二多任务部。扫描赋能反相器与时脉反相器在第一方向上对齐。第一多任务部包括第一配线及第一晶体管，所述第一配线连接至扫描赋能反相器的电源供应电压部，且所述第一配线与所述第一晶体管共享与所述第一配线接触的源极区。第二多任务部包括第二配线及第二晶体管，所述第二配线连接至所述时脉反相器的电源供应电压部，且所述第二配线与所述第二晶体管共享与所述第二配线接触的源极区。扫描赋能反相器与时脉反相器在第一方向上彼此对齐。

42. 发明专利

TWI573396B 正反器電路有权
简体标题：正反器电路
公开(公告)号：TWI573396B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104106679
申请日：2015-03-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：前野宗昭 , MAENO, MUNEAKI
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： H03K3/35625

43. 发明专利

TWI570681B 移位暫存器電路有权
简体标题：移位寄存器电路
公开(公告)号：TWI570681B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101135572
申请日：2012-09-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：廣瀨篤志 , HIROSE, ATSUSHI
IPC分类号： G09G3/20 , G11C19/00 , H03K19/096 , H03K3/356
CPC分类号： G11C19/28

44. 发明专利

TW201642588A 共通Ｎ井狀態保持正反器审中-公开
简体标题：共通Ｎ井状态保持正反器
公开(公告)号：TW201642588A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105102716
申请日：2016-01-28
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：亞嘉渥阿密特 , AGARWAL, AMIT , 許凱 , HSU, STEVEN K. , 克里希納摩希雷姆 , KRISHNAMURTHY, RAM K.
IPC分类号： H03K3/356 , H03K3/012
CPC分类号： H03K3/356008 , H03K3/012 , H03K3/0372 , H03K3/35625
摘要：實施例包括用於狀態保持電子裝置的設備、方法、及系統。在實施例中，電子裝置可包括狀態保持正反器，其具有與共通N井耦合的複數個P型金屬氧化物半導體(PMOS)裝置，而該複數個PMOS裝置的一或更多者由永遠開啟電源所供電且該複數個PMOS裝置的一或更多者由電源閘控電源所供電。其他實施例可被描述及請求。
简体摘要：实施例包括用于状态保持电子设备的设备、方法、及系统。在实施例中，电子设备可包括状态保持正反器，其具有与共通N井耦合的复数个P型金属氧化物半导体(PMOS)设备，而该复数个PMOS设备的一或更多者由永远打开电源所供电且该复数个PMOS设备的一或更多者由电源闸控电源所供电。其他实施例可被描述及请求。

45. 发明专利

TW201640825A 使用閂鎖器的雷射偵測器以及包括該雷射偵測器的半導體裝置审中-公开
简体标题：使用闩锁器的激光侦测器以及包括该激光侦测器的半导体设备
公开(公告)号：TW201640825A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105103071
申请日：2016-02-01
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金光鎬 , KIM, KWANG HO , 金賞鎬 , KIM, SANG HO
IPC分类号： H03K17/78 , H03K3/356 , H01L23/00
CPC分类号： H01L23/576 , G06F21/70 , G06K7/10257 , G06K19/07363 , H01L27/14 , H01L31/00 , H01L31/02016 , H01L2924/1434
摘要：本發明是關於一種包含閂鎖器的雷射偵測器及包含雷射偵測器的半導體裝置。雷射偵測器包含經組態以輸出輸出信號及經反相的輸出信號的閂鎖器，及經組態以設定輸出信號及經反相的輸出信號中的至少一者的初始值的初始值設定電路。閂鎖器包含經控制以最初由初始值接通的第一電晶體及經控制以最初由初始值關斷的第二電晶體。第二電晶體具有作用區，其具有大於第一電晶體的作用區的側向面積。
简体摘要：本发明是关于一种包含闩锁器的激光侦测器及包含激光侦测器的半导体设备。激光侦测器包含经组态以输出输出信号及经反相的输出信号的闩锁器，及经组态以设置输出信号及经反相的输出信号中的至少一者的初始值的初始值设置电路。闩锁器包含经控制以最初由初始值接通的第一晶体管及经控制以最初由初始值关断的第二晶体管。第二晶体管具有作用区，其具有大于第一晶体管的作用区的侧向面积。

46. 发明专利

TW201639299A 非依電性閂鎖電路及邏輯電路，及使用非依電性閂鎖電路之半導體裝置审中-公开
简体标题：非依电性闩锁电路及逻辑电路，及使用非依电性闩锁电路之半导体设备
公开(公告)号：TW201639299A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105120981
申请日：2010-12-07
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： H03K3/356 , H03K3/037 , H01L29/786
CPC分类号： H03K19/1733 , G11C14/0063 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H03K3/356008 , H03K3/35606
摘要：提供非依電性閂鎖電路及使用非依電性閂鎖電路的半導體裝置。閂鎖電路具有迴路結構，其中，第一元件的輸出電連接至第二元件的輸入及第二元件的輸出經由第二電晶體電連接至第一元件的輸入。以氧化物半導體作為通道形成區的半導體材料之電晶體作為切換元件，以及，設置電容器以電連接至電晶體的源極電極或汲極電極，因而固持閂鎖電路的資料，以及因此形成非依電性閂鎖電路。
简体摘要：提供非依电性闩锁电路及使用非依电性闩锁电路的半导体设备。闩锁电路具有回路结构，其中，第一组件的输出电连接至第二组件的输入及第二组件的输出经由第二晶体管电连接至第一组件的输入。以氧化物半导体作为信道形成区的半导体材料之晶体管作为切换组件，以及，设置电容器以电连接至晶体管的源极电极或汲极电极，因而固持闩锁电路的数据，以及因此形成非依电性闩锁电路。

47. 发明专利

TW201639298A 用於高速通訊之介面電路、及包含該介面電路之半導體設備和系統审中-公开
简体标题：用于高速通信之界面电路、及包含该界面电路之半导体设备和系统
公开(公告)号：TW201639298A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104134691
申请日：2015-10-22
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：尹仁植 , YOON, IN SIK
IPC分类号： H03K3/356 , G11C8/18 , H03L7/24
CPC分类号： H03K5/1534 , G06F1/04 , H03K5/135 , H04B1/16 , H04J3/0697
摘要：一種半導體設備的介面電路可包含一脈衝產生單元、一資料時脈同步單元與一系統時脈同步單元。該脈衝產生單元可被配置成根據一資料時脈訊號以從一突發端訊號產生一突發端脈衝。該資料時脈同步單元可被配置成基於該突發端脈衝與該資料時脈訊號以將一資料時脈同步訊號致能，並根據一突發端偵測訊號以將該資料時脈同步訊號失能。該系統時脈同步單元可被配置成藉由使該資料時脈同步訊號與一系統時脈訊號同步以產生該突發端偵測訊號。
简体摘要：一种半导体设备的界面电路可包含一脉冲产生单元、一数据时脉同步单元与一系统时脉同步单元。该脉冲产生单元可被配置成根据一数据时脉信号以从一突发端信号产生一突发端脉冲。该数据时脉同步单元可被配置成基于该突发端脉冲与该数据时脉信号以将一数据时脉同步信号致能，并根据一突发端侦测信号以将该数据时脉同步信号失能。该系统时脉同步单元可被配置成借由使该数据时脉同步信号与一系统时脉信号同步以产生该突发端侦测信号。

48. 发明专利

TWI524346B 記憶體裝置，半導體裝置以及電子設備有权
简体标题：内存设备，半导体设备以及电子设备
公开(公告)号：TWI524346B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW099145539
申请日：2010-12-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA, JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C14/00 , H03K3/356
CPC分类号： H01L27/1225 , G06F1/206 , G11C11/412 , G11C27/024 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/11517 , H01L27/1203 , H03K19/094 , H03K19/0948

49. 发明专利

TWI500266B 栓鎖器與其操作方法與比較器有权
简体标题：栓锁器与其操作方法与比较器
公开(公告)号：TWI500266B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW102131815
申请日：2013-09-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔡嘉明 , TSAI, CHIA MING , 郭柏均 , KUO, BO JYUN , 陳博瑋 , CHEN, BO WEI
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： H03K3/356034

50. 发明专利

TWI473433B 時鐘積體電路有权
简体标题：时钟集成电路
公开(公告)号：TWI473433B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW100138305
申请日：2011-10-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳重光 , CHEN, CHUNG KUANG
IPC分类号： H03K3/011 , H03K3/356 , G11C7/22

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