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41. 发明专利

TW201141948A 有機薄膜電晶體审中-公开
简体标题：有机薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201141948A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100114143
申请日：2011-04-22
申请人：出光興產股份有限公司
发明人：中村浩昭 , 齊藤雅俊 , 近藤浩史 , 板東徹
IPC分类号： C08L , C08K , H01L
CPC分类号： H01L51/102 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：本發明係一種有機薄膜電晶體，其至少具有閘極電極、源極電極、汲極電極、絕緣體層及有機半導體層，源極電極及汲極電極之至少一者包含含有(a)經M(XCR 4 (CR 5 2COOR 6 )COOR 7 )p所示之有機質子酸或其鹽質子化之經取代或未經取代之聚苯胺複合物、及(b)具有酚性羥基之化合物的導電性聚苯胺組合物。
简体摘要：本发明系一种有机薄膜晶体管，其至少具有闸极电极、源极电极、汲极电极、绝缘体层及有机半导体层，源极电极及汲极电极之至少一者包含含有(a)经M(XCR 4 (CR 5 2COOR 6 )COOR 7 )p所示之有机质子酸或其盐质子化之经取代或未经取代之聚苯胺复合物、及(b)具有酚性羟基之化合物的导电性聚苯胺组合物。

42. 发明专利

TW201132671A 高分子化合物、含有該化合物之薄膜及印墨組成物 HIGH MOLECULAR COMPOUND, FILM AND INK COMPOSITION CONTAINING THE SAME 失效
简体标题：高分子化合物、含有该化合物之薄膜及印墨组成物 HIGH MOLECULAR COMPOUND, FILM AND INK COMPOSITION CONTAINING THE SAME
公开(公告)号：TW201132671A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099145723
申请日：2010-12-24
申请人：住友化學股份有限公司 , 國立大學法人廣島大學
发明人：瀧宮和男 , 尾坂格 , 小廣健司 , 大家健一郎 , 三宅邦仁
IPC分类号： C08G , C09D , H01L
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/126 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , Y02E10/52 , Y02E10/549
摘要：本發明之目的在於提供一種獲得高電荷移動度之高分子化合物。本發明之高分子化合物係具有式(1)所示之重複單元；
[Ar 1 及Ar 2 係芳香族烴環、雜環、或由芳香族烴環與雜環所成之縮合環；R 1 、R 2 、R 3 及R 4 表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、取代矽烷基、未取代或取代之羧基、1價之雜環基、氰基或氟原子。]
简体摘要：本发明之目的在于提供一种获得高电荷移动度之高分子化合物。本发明之高分子化合物系具有式(1)所示之重复单元； [Ar 1 及Ar 2 系芳香族烃环、杂环、或由芳香族烃环与杂环所成之缩合环；R 1 、R 2 、R 3 及R 4 表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、取代硅烷基、未取代或取代之羧基、1价之杂环基、氰基或氟原子。]

43. 发明专利

TW201126606A 光交聯性有機薄膜電晶體絕緣層材料 PHOTOCROSSLINKABLE ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR INSULATION LAYER MATERIAL 审中-公开
简体标题：光交联性有机薄膜晶体管绝缘层材料 PHOTOCROSSLINKABLE ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR INSULATION LAYER MATERIAL
公开(公告)号：TW201126606A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099131003
申请日：2010-09-14
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：矢作公
IPC分类号： H01L , C08F
CPC分类号： H01L51/052 , C08F12/18 , C08F12/20 , C08F212/08 , C08F212/14 , C09D125/18 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要：本發明之課題在於提供一種能在不實施高溫之處理即可形成交聯構造,如使用為形成閘極絕緣層之情形時,則有機薄膜電晶體的臨界電壓(Vth)的絕對値變小的有機薄膜電晶體絕緣層材料。課題之解決手段,在於有機薄膜電晶體絕緣層材料含有高分子化合物,該高分子化合物具有含氟原子之基之重複單元,及具有光二聚化反應性基之重複單元。含有氟原子之基的較佳的例為氫原子經氟取代之芳基、氫原子經氟取代之烷基芳基,特別是氫原子經氟取代之苯基、氫原子經氟所取代之烷基苯基。光二聚化反應性基的較佳的例為氫原子經鹵甲基取代之芳基,特別是氫原子經鹵甲基取代之苯基。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种能在不实施高温之处理即可形成交联构造,如使用为形成闸极绝缘层之情形时,则有机薄膜晶体管的临界电压(Vth)的绝对値变小的有机薄膜晶体管绝缘层材料。课题之解决手段,在于有机薄膜晶体管绝缘层材料含有高分子化合物,该高分子化合物具有含氟原子之基之重复单元,及具有光二聚化反应性基之重复单元。含有氟原子之基的较佳的例为氢原子经氟取代之芳基、氢原子经氟取代之烷基芳基,特别是氢原子经氟取代之苯基、氢原子经氟所取代之烷基苯基。光二聚化反应性基的较佳的例为氢原子经卤甲基取代之芳基,特别是氢原子经卤甲基取代之苯基。

44. 发明专利

TWI334225B 薄膜電晶體基材及其製造方法 THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING THE SAME 有权
简体标题：薄膜晶体管基材及其制造方法 THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TWI334225B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW095120237
申请日：2006-06-07
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：李容旭 , 吳俊鶴 , 金保成 , 洪雯杓
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0097 , H01L51/0545
摘要：本發明係關於一種薄膜電晶體基材，包含：一絕緣基材；一源極電極與汲極電極，此兩電極是形成在該絕緣基材上且彼此分開，並在兩者之間具有一通道區域；一壁，分別曝露該源極電極以及汲極電極的至少一些部位上，用以包圍此通道區域且由氟化聚合物所形成，以及一形成在此壁內側的有機半導體層。因此，本發明提供一TFT基材，其中一有機半導體層受到極化。而且，本發明亦提供一種用以製造其中有機半導體受到極化的TFT基材之方法。
简体摘要：本发明系关于一种薄膜晶体管基材，包含：一绝缘基材；一源极电极与汲极电极，此两电极是形成在该绝缘基材上且彼此分开，并在两者之间具有一信道区域；一壁，分别曝露该源极电极以及汲极电极的至少一些部位上，用以包围此信道区域且由氟化聚合物所形成，以及一形成在此壁内侧的有机半导体层。因此，本发明提供一TFT基材，其中一有机半导体层受到极化。而且，本发明亦提供一种用以制造其中有机半导体受到极化的TFT基材之方法。

45. 发明专利

TW201014005A 有機薄膜電晶體，其生產方法與電子裝置 ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
简体标题：有机薄膜晶体管，其生产方法与电子设备 ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TW201014005A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098125905
申请日：2009-07-31
申请人：新力股份有限公司
发明人：野本和正 , 米屋伸英 , 大江貴裕
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0021 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：揭示一種有機薄膜電晶體，其包含由有機絕緣層形成之基板，利用電鍍法沉積於基板上之第一層，以形成源極與汲極，利用進一步的電鍍法將金屬材料沉積形成為覆蓋第一層的第二層，以形成源極與汲極，且金屬材料能與有機半導體材料形成低於第一層之歐姆接觸，及於源極與汲極之間的區域上的有機半導體層，源極與汲極各由第一層及第二層形成。於此亦揭示設有有機薄膜電晶體之電子裝置。
简体摘要：揭示一种有机薄膜晶体管，其包含由有机绝缘层形成之基板，利用电镀法沉积于基板上之第一层，以形成源极与汲极，利用进一步的电镀法将金属材料沉积形成为覆盖第一层的第二层，以形成源极与汲极，且金属材料能与有机半导体材料形成低于第一层之欧姆接触，及于源极与汲极之间的区域上的有机半导体层，源极与汲极各由第一层及第二层形成。于此亦揭示设有有机薄膜晶体管之电子设备。

46. 发明专利

TW201008966A 絕緣層用組成物 COMPOSITION FOR FORMING INSULATION LAYER 审中-公开
简体标题：绝缘层用组成物 COMPOSITION FOR FORMING INSULATION LAYER
公开(公告)号：TW201008966A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098121546
申请日：2009-06-26
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：矢作公
IPC分类号： C08G , H01L
CPC分类号： C08G18/80 , C08G18/61 , C08G18/7614 , C08G18/8077 , C08G77/045 , C08L83/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要：本發明以提供可在低溫形成絕緣層(例如電晶體之閘極絕緣膜或保護層)且可形成具有優越絕緣耐壓性之絕緣層之絕緣層用組成物為目的。本發明之絕緣層用組成物係含有：由分子內具有2個以上活性氫基之高分子化合物所形成的第1化合物、及由分子內具有2個以上經由電磁線或熱而生成與活性氫基反應之官能基之基的低分子化合物所形成的第2化合物。
简体摘要：本发明以提供可在低温形成绝缘层(例如晶体管之闸极绝缘膜或保护层)且可形成具有优越绝缘耐压性之绝缘层之绝缘层用组成物为目的。本发明之绝缘层用组成物系含有：由分子内具有2个以上活性氢基之高分子化合物所形成的第1化合物、及由分子内具有2个以上经由电磁线或热而生成与活性氢基反应之官能基之基的低分子化合物所形成的第2化合物。

47. 发明专利

TW201006840A 苝半導體及其製備方法與用途 PERYLENE SEMICONDUCTORS AND METHODS OF PREPARATION AND USE THEREOF 审中-公开
简体标题：苝半导体及其制备方法与用途 PERYLENE SEMICONDUCTORS AND METHODS OF PREPARATION AND USE THEREOF
公开(公告)号：TW201006840A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098103786
申请日：2009-02-05
申请人：巴地斯顏料化工廠 , 保利艾拉公司
发明人：凱斯特勤馬可 , 維黛安那森沙布曼尼恩 , 朵茲芙羅拉 , 庫勤席克阿尼卡 , 顏河 , 法奇提安東尼歐 , 呂小芳 , 鄭焱
IPC分类号： C07D , H01L
CPC分类号： C07D471/06 , C09B5/62 , H01L51/0053 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/42 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明提供半導體化合物、自此等化合物製備之材料、製備此等化合物及半導體材料之方法以及納入該等化合物及半導體材料之各種組合物、複合物及裝置。特定言之，與有關代表性化合物相比，本發明之化合物可具有更高電子傳輸效率且在常見溶劑中可具有更高溶解度。
简体摘要：本发明提供半导体化合物、自此等化合物制备之材料、制备此等化合物及半导体材料之方法以及纳入该等化合物及半导体材料之各种组合物、复合物及设备。特定言之，与有关代表性化合物相比，本发明之化合物可具有更高电子传输效率且在常见溶剂中可具有更高溶解度。

48. 发明专利

TWI316773B 印製電子元件、電晶體元件及其製作方法 PRINTED ELECTONIC DEVICE AND TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：印制电子组件、晶体管组件及其制作方法 PRINTED ELECTONIC DEVICE AND TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI316773B
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW095128244
申请日：2006-08-02
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：裴靜偉 , 鍾朝安
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0021 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L51/0023 , H01L51/0541 , H01L51/102 , H01L2251/105
摘要：本發明揭示一種印製電子元件，例如電晶體元件，其包含一基板、一第一導電層、一第二導電層及一半導體層。該基板之表面包含凸出之一第一平台及一第二平台，且第一平台及第二平台係由一空隙分隔，該空隙的寬度相當於該印製電晶體元件之通道長度。該第一導電層及第二導電層係分別形成於該第一平台及第二平台表面，作為該印製電晶體元件之源極和汲極。該半導體層係形成於該空隙中之該基板表面。
简体摘要：本发明揭示一种印制电子组件，例如晶体管组件，其包含一基板、一第一导电层、一第二导电层及一半导体层。该基板之表面包含凸出之一第一平台及一第二平台，且第一平台及第二平台系由一空隙分隔，该空隙的宽度相当于该印制晶体管组件之信道长度。该第一导电层及第二导电层系分别形成于该第一平台及第二平台表面，作为该印制晶体管组件之源极和汲极。该半导体层系形成于该空隙中之该基板表面。

49. 发明专利

TWI313513B 薄膜電晶體及其製法 THIN-FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF 失效
简体标题：薄膜晶体管及其制法 THIN-FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI313513B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW095130395
申请日：2006-08-18
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：呂志平 LU, JHIH-PING , 李裕正 LEE, YUH-ZHENG , 胡紀平 HU, JE-PING , 蔡軒名 TSAI, HSUAN-MING , 鄭兆凱 CHENG, CHAO-KAI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/052 , H01L51/102
摘要：本發明提供一種薄膜電晶體(TFT)及其製法,使用噴印技術將半導體或絕緣材料溶液噴印於基板上,控制溶液流體乾燥形成咖啡環之環邊以定義微細線結構,並利用該微細線形成TFT元件之通道,得到高電流之TFT元件。
简体摘要：本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)及其制法,使用喷印技术将半导体或绝缘材料溶液喷印于基板上,控制溶液流体干燥形成咖啡环之环边以定义微细线结构,并利用该微细线形成TFT组件之信道,得到高电流之TFT组件。

50. 发明专利

TW200932785A 新穎之芳胺聚合物,彼之製法,油墨組成物,薄膜,電子裝置,有機薄膜電晶體,及顯示裝置 NOVEL ARYLAMINE POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, INK COMPOSITION, FILM, ELECTRONIC DEVICE, ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：新颖之芳胺聚合物,彼之制法,油墨组成物,薄膜,电子设备,有机薄膜晶体管,及显示设备 NOVEL ARYLAMINE POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, INK COMPOSITION, FILM, ELECTRONIC DEVICE, ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW200932785A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097135184
申请日：2008-09-12
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人： 俊也 SAGISAKA, TOSHIYA , 岡田崇 OKADA, TAKASHI , 佐佐木正臣 SASAKI, MASAOMI , 鳥居昌史 TORII, MASAFUMI , 加藤拓司 KATO, TAKUJI , 有賀保 ARUGA, TAMOTSU , 山本諭 YAMAMOTO, SATOSHI , 後藤大輔 GOTO, DAISUKE , 松本真二 MATSUMOTO, SHINJI
IPC分类号： C08G , C09D , H01L , H05B
CPC分类号： C08G73/0266 , C08G61/12 , C08G73/02 , C08G73/026 , C08G2261/3162 , C08G2261/3422 , C08G2261/90 , C09D11/102 , C09D179/02 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/1458 , H01L51/0035 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05B33/10 , H05B33/14
摘要：一種含有通式(I)所示之重複單元的聚合物:
097135184P01.bmp
其中Ar^1係表示經取代或未經取代之芳族烴基;Ar^2及Ar^3各獨立表示經取代或未經取代之芳族烴基的二價基團;且R^1及R^2各獨立表示氫原子、經取代或未經取代之烷基或經取代或未經取代之芳族烴基。
简体摘要：一种含有通式(I)所示之重复单元的聚合物: 097135184P01.bmp 其中Ar^1系表示经取代或未经取代之芳族烃基;Ar^2及Ar^3各独立表示经取代或未经取代之芳族烃基的二价基团;且R^1及R^2各独立表示氢原子、经取代或未经取代之烷基或经取代或未经取代之芳族烃基。

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