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41. 发明专利

TWI244692B 絕緣矽晶圓(SOI)上之接觸區及其製造方法 A CONTACT ON A SILICON-ON-INSULATOR WAFER AND A METHOD OF FORMING THEREOF 有权
简体标题：绝缘硅晶圆(SOI)上之接触区及其制造方法 A CONTACT ON A SILICON-ON-INSULATOR WAFER AND A METHOD OF FORMING THEREOF
公开(公告)号：TWI244692B
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW093117778
申请日：2004-06-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：侯全評 HOU, CHUANPING , 章勳明 JANG, SYUN MING , 陳盈和 CHEN, YING HO , 曾同慶 TSENG, TUNGCHING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/743 , H01L21/76283 , H01L21/76286
摘要：本發明之半導體裝置的製造方法提供一種具有上表面之中介結構，隔離溝渠形成於中介結構上且絕緣材質沉積於中介結構上，其中絕緣材質填入隔離溝渠，多餘的絕緣材質高於中介結構的上表面，移除一部份多餘的絕緣材質，直至於中介結構的上表面形成一預定的絕緣材質厚度。然後在位於隔離溝渠的絕緣材質中形成一接觸開口，其中接觸開口延伸至至少一部份的中介結構。然後將接觸材質沉積於絕緣材質上，其中接觸材質填入接觸開口。接著移除多餘的接觸材質，其中多餘的接觸材質高於絕緣材質。最後移除多餘的絕緣材質，直至曝露出中介結構的上表面。
简体摘要：本发明之半导体设备的制造方法提供一种具有上表面之中介结构，隔离沟渠形成于中介结构上且绝缘材质沉积于中介结构上，其中绝缘材质填入隔离沟渠，多余的绝缘材质高于中介结构的上表面，移除一部份多余的绝缘材质，直至于中介结构的上表面形成一预定的绝缘材质厚度。然后在位于隔离沟渠的绝缘材质中形成一接触开口，其中接触开口延伸至至少一部份的中介结构。然后将接触材质沉积于绝缘材质上，其中接触材质填入接触开口。接着移除多余的接触材质，其中多余的接触材质高于绝缘材质。最后移除多余的绝缘材质，直至曝露出中介结构的上表面。

42. 发明专利

TW502384B 半導體裝置中用以防止逆向工程的佈植隱藏內連接線失效
简体标题：半导体设备中用以防止逆向工程的布植隐藏内连接线
公开(公告)号：TW502384B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090115405
申请日：2001-06-26
申请人： HRL實驗室LLC
发明人：威廉M 克拉克二世 , 詹姆斯P 包克斯 , 拉瓦趙
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/02 , H01L21/743
摘要：一種偽裝內連接線，用來內連接在積體電路或裝置上具有共同電導率的兩間隔開植入區及其形成方法。偽裝內連接線包括、第一植入區，在介於兩間隔開植入區之間形成傳導通道，傳導通道，具有相同之共同電導率型，以及橋架一區介於兩間隔開植入區之間，以及具有負電導率型之第二植入區，此第二植入區被設置在介於具有共同電導率型之兩間隔開植入區之間，以及覆蓋一傳導通道來偽裝成傳導通道，以防止逆向工程。
简体摘要：一种伪装内连接线，用来内连接在集成电路或设备上具有共同电导率的两间隔开植入区及其形成方法。伪装内连接线包括、第一植入区，在介于两间隔开植入区之间形成传导信道，传导信道，具有相同之共同电导率型，以及桥架一区介于两间隔开植入区之间，以及具有负电导率型之第二植入区，此第二植入区被设置在介于具有共同电导率型之两间隔开植入区之间，以及覆盖一传导信道来伪装成传导信道，以防止逆向工程。

43. 发明专利

TW445523B 連接半導體裝置內之部分的方法失效
简体标题：连接半导体设备内之部分的方法
公开(公告)号：TW445523B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW089103471
申请日：2000-03-01
申请人：印芬龍科技北美股份有限公司
发明人：羅蘭F 雷迪斯 , 安德烈斯海克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/743 , H01L21/266
摘要：一種製程方法，用以於半導體基板內形成一埋入佈植層，其包括有一逐漸薄化的(tapered)邊緣部分，延伸至基板的表面，其係利用一個具有用來界定佈植區域之逐漸薄化邊緣的佈植罩幕。
简体摘要：一种制程方法，用以于半导体基板内形成一埋入布植层，其包括有一逐渐薄化的(tapered)边缘部分，延伸至基板的表面，其系利用一个具有用来界定布植区域之逐渐薄化边缘的布植罩幕。

44. 发明专利

TW369714B 嵌入式絕緣體外延矽結構之電接觸失效
简体标题：嵌入式绝缘体外延硅结构之电接触
公开(公告)号：TW369714B
公开(公告)日：1999-09-11
申请号：TW087103845
申请日：1998-03-16
申请人：萬國商業機器公司
发明人：史帝芬H.默得曼 , 馬塞J.路丁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/743 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：使用電氣導電螺栓以連接半導體裝置內的塊體主動裝置和絕緣體外延矽裝置。同時提供的是一種製造這類裝置的方法。
简体摘要：使用电气导电螺栓以连接半导体设备内的块体主动设备和绝缘体外延硅设备。同时提供的是一种制造这类设备的方法。

45. 发明专利

TW356569B 用於絕緣體外延物應用之大矽電壓平面失效
简体标题：用于绝缘体外延物应用之大硅电压平面
公开(公告)号：TW356569B
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：TW086115033
申请日：1997-10-14
申请人：萬國商業機器公司
发明人：約翰E.席玆 , 陶德愛倫克里斯頓森
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/743 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要：本發明是一種半導體裝置，該裝置包括：一導電基底、一絕緣層、一個摻有雜質的矽層而會形成一第一電晶體及一第二電晶體、一種介於前面所述的第一電晶體及第二電晶體之間的絕緣體以及自摻雜的矽層延伸至基底的導電螺柱。
简体摘要：本发明是一种半导体设备，该设备包括：一导电基底、一绝缘层、一个掺有杂质的硅层而会形成一第一晶体管及一第二晶体管、一种介于前面所述的第一晶体管及第二晶体管之间的绝缘体以及自掺杂的硅层延伸至基底的导电螺柱。

46. 发明专利

TW348300B 半導體裝置之製造方法及使用連接植入物之裝置失效
简体标题：半导体设备之制造方法及使用连接植入物之设备
公开(公告)号：TW348300B
公开(公告)日：1998-12-21
申请号：TW086114961
申请日：1997-10-13
申请人：萬國商業機器公司
发明人：史帝芬H.佛曼 , 史帝芬S.弗凱 , 明H.董 , 傑夫瑞S.布朗 , 曉衛田 , 羅伯J.高帝爾二世
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823892 , H01L21/743 , H01L27/0928
摘要：一種半導體裝置及此種裝置之製造方法，其中一Ｐ-磊晶層置於Ｐ++基材上方。Ｐ++埋入層植入物係置於裝置內Ｐ++基材與Ｐ-磊晶層之間。連接用Ｐ+植入物係置於磊晶層內埋入Ｐ+毯覆層植入物上方。在一個代表性的具體實施例中，在磊晶層內連接淺Ｐ-井與埋入Ｐ+毯覆植入物層的位置上，該裝置包括一個具有Ｐ+連接用植入物的淺Ｐ-井。
简体摘要：一种半导体设备及此种设备之制造方法，其中一Ｐ-磊晶层置于Ｐ++基材上方。Ｐ++埋入层植入物系置于设备内Ｐ++基材与Ｐ-磊晶层之间。连接用Ｐ+植入物系置于磊晶层内埋入Ｐ+毯覆层植入物上方。在一个代表性的具体实施例中，在磊晶层内连接浅Ｐ-井与埋入Ｐ+毯覆植入物层的位置上，该设备包括一个具有Ｐ+连接用植入物的浅Ｐ-井。

47. 发明专利

TWI524468B 具側邊接面之半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具侧边接面之半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI524468B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100100061
申请日：2011-01-03
申请人：海力士半導體股份有限公司 , HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：吳在槿 , OH, JAE-GEUN , 田承晙 , JEON, SEUNG-JOON , 李鎮九 , LEE, JIN-KU , 李美梨 , LEE, MI-RI , 全奉石 , JEON, BONG-SEOK
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/743 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/41741 , H01L29/66666 , H01L29/7827

48. 发明专利

TWI518755B 積體電路結構及其製作方法有权
简体标题：集成电路结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI518755B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW102126304
申请日：2013-07-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉繼文 , LIU, CHIWEN , 王昭雄 , WANG, CHAOHSIUNG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/28114 , H01L21/28587 , H01L21/3213 , H01L21/32133 , H01L21/32134 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/743 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76886 , H01L21/76897 , H01L21/823475 , H01L21/823871 , H01L23/4827 , H01L29/40 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2027/11866 , H01L2029/7858 , H01L2924/0002 , H01L2924/13067 , H01L2924/00

49. 发明专利

TWI493712B 場效應電晶體有权
简体标题：场效应晶体管
公开(公告)号：TWI493712B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101115247
申请日：2012-04-27
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：雪克瑪力卡勒強斯瓦密 , MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66681 , H01L21/743 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/4175 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/66659 , H01L29/78 , H01L29/782 , H01L29/7835 , H01L29/7839 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

50. 发明专利

TWI487035B 自行對準本體完全隔絕裝置有权
简体标题：自行对准本体完全隔绝设备
公开(公告)号：TWI487035B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW100136703
申请日：2011-10-11
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：韋爾馬普里克羅杰 , VERMA, PURAKH RAJ
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/26586 , H01L21/743 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/1095 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66689 , H01L29/7816

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