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41. 发明专利

TW201339291A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201339291A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101143738
申请日：2012-11-22
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：橫田周吾 , YOKOTA, SHUUGO , 大和泰之 , YAMATO, YASUYUKI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 赤塚朝彥 , AKATSUKA, TOMOHIKO
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： C09G1/04 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/30612 , H01L21/30625 , H01L29/20
摘要：在將具有含有III-V族化合物材料的部分之研磨對象物進行研磨的用途中所使用的本發明之研磨用組成物，係含有氧化劑及防蝕劑。防蝕劑較佳為如1H-1,2,4-三唑或苯并三唑等之含氮有機化合物、或是具有羧基的有機化合物，例如：丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸及酒石酸之類的二羧酸、以及如檸檬酸之類的三羧酸者。
简体摘要：在将具有含有III-V族化合物材料的部分之研磨对象物进行研磨的用途中所使用的本发明之研磨用组成物，系含有氧化剂及防蚀剂。防蚀剂较佳为如1H-1,2,4-三唑或苯并三唑等之含氮有机化合物、或是具有羧基的有机化合物，例如：丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、马来酸、邻苯二甲酸、苹果酸及酒石酸之类的二羧酸、以及如柠檬酸之类的三羧酸者。

42. 发明专利

TW201322449A 複合基板之製造方法审中-公开
简体标题：复合基板之制造方法
公开(公告)号：TW201322449A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101134878
申请日：2012-09-24
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED , 獨立行政法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：高田朋幸 , TAKADA, TOMOYUKI , 山田永 , YAMADA, HISASHI , 秦雅彥 , HATA, MASAHIKO , 前田辰郎 , MAEDA, TATSURO , 板谷太郎 , ITATANI, TARO , 安田哲二 , YASUDA, TETSUJI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02002 , H01L21/30612 , H01L21/76254 , H01L21/7813
摘要：本發明提供一種複合基板之製造方法，包括下列步驟：於半導體結晶層形成基板之上依序形成犧牲層及半導體結晶層，以使犧牲層之一部分露出的方式蝕刻半導體結晶層，使半導體結晶層分割成複數個分割體的步驟；使半導體結晶層形成基板之第1表面、與要相接於第1表面之轉貼對象基板的第2表面相對向，以貼合半導體結晶層形成基板與轉貼對象基板的步驟；使半導體結晶層形成基板及轉貼對象基板浸漬於蝕刻液而蝕刻犧牲層，以使半導體結晶層殘存於轉貼對象基板側之狀態，分離轉貼對象基板與半導體結晶層形成基板的步驟；其中，前述半導體結晶層包括GeXSi1-X(0
简体摘要：本发明提供一种复合基板之制造方法，包括下列步骤：于半导体结晶层形成基板之上依序形成牺牲层及半导体结晶层，以使牺牲层之一部分露出的方式蚀刻半导体结晶层，使半导体结晶层分割成复数个分割体的步骤；使半导体结晶层形成基板之第1表面、与要相接于第1表面之转贴对象基板的第2表面相对向，以贴合半导体结晶层形成基板与转贴对象基板的步骤；使半导体结晶层形成基板及转贴对象基板浸渍于蚀刻液而蚀刻牺牲层，以使半导体结晶层残存于转贴对象基板侧之状态，分离转贴对象基板与半导体结晶层形成基板的步骤；其中，前述半导体结晶层包括GeXSi1-X(0

43. 发明专利

TW201320198A 複合基板之製造方法及複合基板审中-公开
简体标题：复合基板之制造方法及复合基板
公开(公告)号：TW201320198A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101134881
申请日：2012-09-24
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED , 獨立行政法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：高田朋幸 , TAKADA, TOMOYUKI , 山田永 , YAMADA, HISASHI , 秦雅彥 , HATA, MASAHIKO , 前田辰郎 , MAEDA, TATSURO , 板谷太郎 , ITATANI, TARO , 安田哲二 , YASUDA, TETSUJI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/306 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02002 , H01L21/30612 , H01L21/76254 , H01L21/7813
摘要：本發明之複合基板之製造方法，係於半導體結晶層形成基板之上依序形成犧牲層及半導體結晶層，使半導體結晶層形成基板之第1表面、與要與第1表面相接之轉貼對象基板的第2表面相對向，以貼合半導體結晶層形成基板與轉貼對象基板，使半導體結晶層形成基板及轉貼對象基板之全部或一部分浸漬於蝕刻液而蝕刻犧牲層，以使半導體結晶層殘存於轉貼對象基板側之狀態，分離轉貼對象基板與半導體結晶層形成基板。此處，轉貼對象基板為具有非可撓性基板與有機物層，而該有機物層之表面為第2表面者。
简体摘要：本发明之复合基板之制造方法，系于半导体结晶层形成基板之上依序形成牺牲层及半导体结晶层，使半导体结晶层形成基板之第1表面、与要与第1表面相接之转贴对象基板的第2表面相对向，以贴合半导体结晶层形成基板与转贴对象基板，使半导体结晶层形成基板及转贴对象基板之全部或一部分浸渍于蚀刻液而蚀刻牺牲层，以使半导体结晶层残存于转贴对象基板侧之状态，分离转贴对象基板与半导体结晶层形成基板。此处，转贴对象基板为具有非可挠性基板与有机物层，而该有机物层之表面为第2表面者。

44. 发明专利

TW201318201A 固態發光元件之製作方法审中-公开
简体标题：固态发光组件之制作方法
公开(公告)号：TW201318201A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100137803
申请日：2011-10-18
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：余長治 , YU, CHING CHIN , 林孟毅 , LIN, MONG EA
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02664 , H01L21/30612 , H01L33/0079
摘要：一種固態發光元件之製作方法。形成多個間隔排列的凸出結構於第一基板上。形成一緩衝層於此些凸出結構上，緩衝層填滿於此些凸出結構之間的間隙。形成磊晶成長層於緩衝層上，以形成一第一半導體堆疊結構。將第一半導體堆疊結構倒置於一第二基板上，以使第一型半導體磊晶層接合第二基板，形成一第二半導體堆疊結構。以一第一蝕刻液蝕刻緩衝層，形成一第三半導體堆疊結構。以一第二蝕刻液滲入此些凸出結構之間的間隙中，使得此些凸出結構被蝕刻掉。將第一基板從第三半導體堆疊結構移除，以形成一第四半導體堆疊結構。
简体摘要：一种固态发光组件之制作方法。形成多个间隔排列的凸出结构于第一基板上。形成一缓冲层于此些凸出结构上，缓冲层填满于此些凸出结构之间的间隙。形成磊晶成长层于缓冲层上，以形成一第一半导体堆栈结构。将第一半导体堆栈结构倒置于一第二基板上，以使第一型半导体磊晶层接合第二基板，形成一第二半导体堆栈结构。以一第一蚀刻液蚀刻缓冲层，形成一第三半导体堆栈结构。以一第二蚀刻液渗入此些凸出结构之间的间隙中，使得此些凸出结构被蚀刻掉。将第一基板从第三半导体堆栈结构移除，以形成一第四半导体堆栈结构。

45. 发明专利

TW201218376A 半導體元件、其製造方法以及電力供應裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体组件、其制造方法以及电力供应设备 SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS
公开(公告)号：TW201218376A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100121216
申请日：2011-06-17
申请人：富士通股份有限公司
发明人：遠藤浩 , 今田忠紘 , 今西健治 , 吉川俊英
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/30612 , H01L21/30621 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/518 , H01L29/66462
摘要：一種半導體元件包括:一GaN電子傳輸層,其係設置在一基材上;一第一AlGaN電子供應層,其係設置在該GaN電子傳輸層上;一AlN電子供應層,其係設置在該第一AlGaN電子供應層上;一第二AlGaN電子供應層,其係設置在AlN電子供應層上;一閘極凹陷,其係設置在該第二AlGaN電子供應層及該AlN電子供應層中;及,一閘電極,其係設置在該閘極凹陷上。
简体摘要：一种半导体组件包括:一GaN电子传输层,其系设置在一基材上;一第一AlGaN电子供应层,其系设置在该GaN电子传输层上;一AlN电子供应层,其系设置在该第一AlGaN电子供应层上;一第二AlGaN电子供应层,其系设置在AlN电子供应层上;一闸极凹陷,其系设置在该第二AlGaN电子供应层及该AlN电子供应层中;及,一闸电极,其系设置在该闸极凹陷上。

46. 发明专利

TW201018746A 用於磊晶剝離之台面蝕刻方法與成分 MESA ETCH METHOD AND COMPOSITION FOR EPITAXIAL LIFT OFF 审中-公开
简体标题：用于磊晶剥离之台面蚀刻方法与成分 MESA ETCH METHOD AND COMPOSITION FOR EPITAXIAL LIFT OFF
公开(公告)号：TW201018746A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098134512
申请日：2009-10-12
申请人：奧塔裝置公司
发明人：艾契爾美利莎
IPC分类号： C23F , H01L
CPC分类号： H01L21/30617 , H01L21/30612 , H01L21/7806
摘要：本發明之實施例大體上係與蝕刻液之組成，以及利用該等溶液於磊晶剝離(ELO)製程期間從晶圓或基材移除材料的蝕刻方法相關。晶圓通常含有一配置其上的犧牲層以及配置在犧牲層上的磊晶材料。一實施例中，蝕刻製程包括以下步驟：部份移除犧牲層並曝露晶圓至非選擇性蝕刻液，以及隨後曝露晶圓至選擇性蝕刻液並移除剩餘的犧牲層且從基材剝去磊晶材料。選擇性蝕刻液可具有鎵砷/鋁砷之選擇性，該選擇性約600、1000、或1400以上。非選擇性蝕刻亦可為含有硫酸以及過氧化氫的水溶液
简体摘要：本发明之实施例大体上系与蚀刻液之组成，以及利用该等溶液于磊晶剥离(ELO)制程期间从晶圆或基材移除材料的蚀刻方法相关。晶圆通常含有一配置其上的牺牲层以及配置在牺牲层上的磊晶材料。一实施例中，蚀刻制程包括以下步骤：部份移除牺牲层并曝露晶圆至非选择性蚀刻液，以及随后曝露晶圆至选择性蚀刻液并移除剩余的牺牲层且从基材剥去磊晶材料。选择性蚀刻液可具有镓砷/铝砷之选择性，该选择性约600、1000、或1400以上。非选择性蚀刻亦可为含有硫酸以及过氧化氢的水溶液

47. 发明专利

TW200706697A 用於製造薄(鋁,銦,鎵)氮層之蝕刻技術 ETCHING TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF THIN (AL, IN, GA)N LAYERS 审中-公开
简体标题：用于制造薄(铝,铟,镓)氮层之蚀刻技术 ETCHING TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF THIN (AL, IN, GA)N LAYERS
公开(公告)号：TW200706697A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095113183
申请日：2006-04-13
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：詹姆士S 史貝克 SPECK, JAMES S. , 班哲明A 海斯克爾 HASKELL, BENJAMIN A. , P 摩根派帝森 PATTISON, P. MORGAN , 特洛伊J 貝克 BAKER, TROY J.
IPC分类号： C23F , H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/2654 , H01L21/26546 , H01L21/30612 , H01L33/0079 , H01L33/32
摘要：本發明係關於一種用於製造薄(鋁,銦,鎵)氮層之蝕刻技術。選擇一合適模板或基板且於一所要區域上植入異質離子以產生離子植入材料。接著,在該植入模板或基板上執行裝置結構之再成長。使該模板之頂部成長表面結合至一載體晶圓,產生一經結合模板/載體晶圓結構。移除該基板及任何殘餘材料而暴露該離子植入材料。接著,使該經結合模板/載體晶圓結構上之離子植入材料暴露於一合適蝕刻劑一段足以移除該離子植入材料之時間。
简体摘要：本发明系关于一种用于制造薄(铝,铟,镓)氮层之蚀刻技术。选择一合适模板或基板且于一所要区域上植入异质离子以产生离子植入材料。接着,在该植入模板或基板上运行设备结构之再成长。使该模板之顶部成长表面结合至一载体晶圆,产生一经结合模板/载体晶圆结构。移除该基板及任何残余材料而暴露该离子植入材料。接着,使该经结合模板/载体晶圆结构上之离子植入材料暴露于一合适蚀刻剂一段足以移除该离子植入材料之时间。

48. 发明专利

TW200535914A 製造一組半導體奈米線及包含一組奈米線之電氣裝置 FABRICATING A SET OF SEMICONDUCTING NANOWIRES, AND ELECTRIC DEVICE COMPRISING A SET OF NANOWIRES 审中-公开
简体标题：制造一组半导体奈米线及包含一组奈米线之电气设备 FABRICATING A SET OF SEMICONDUCTING NANOWIRES, AND ELECTRIC DEVICE COMPRISING A SET OF NANOWIRES
公开(公告)号：TW200535914A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW093139265
申请日：2004-12-17
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：愛瑞克佩托司安東尼瑪莉亞貝克 BAKKERS, ERIK PETRUS ANTONIUS MARIA , 路易斯菲利司芬得 FEINER, LOUIS FELIX , 阿巴拉罕魯道夫貝肯迪 BALKENENDE, ABRAHAM RUDOLF
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , G01N33/54373 , H01L21/02521 , H01L21/02645 , H01L21/02664 , H01L21/30612 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/66439 , H01L29/775 , Y10S977/721
摘要：一種製造一組具有要求線徑(d)之奈米線(10)之方法，包含以下步驟：提供一組預製半導體奈米線(10')，至少一預製半導體奈米線具有一大於該要求線徑(d)之線徑(d')；及藉由蝕刻以減少該至少一預製半導體奈米線(10')之線徑，蝕刻係由該至少一預製半導體奈米線(10')所吸收之光線予以誘導，光線之一光譜係經選擇，使得當該至少一預製半導體奈米線達到要求線徑(d)時，該至少一預製半導體奈米線之吸收即大幅減少。電氣裝置(100)可包含一組具有要求線徑(d)之奈米線(10)。設備(29)可用於執行本發明之方法。
简体摘要：一种制造一组具有要求线径(d)之奈米线(10)之方法，包含以下步骤：提供一组预制半导体奈米线(10')，至少一预制半导体奈米线具有一大于该要求线径(d)之线径(d')；及借由蚀刻以减少该至少一预制半导体奈米线(10')之线径，蚀刻系由该至少一预制半导体奈米线(10')所吸收之光线予以诱导，光线之一光谱系经选择，使得当该至少一预制半导体奈米线达到要求线径(d)时，该至少一预制半导体奈米线之吸收即大幅减少。电气设备(100)可包含一组具有要求线径(d)之奈米线(10)。设备(29)可用于运行本发明之方法。

49. 发明专利

TW201737395A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201737395A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106109425
申请日：2017-03-22
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：宮本廣信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO , 川口宏 , KAWAGUCHI, HIROSHI , 中山達峰 , NAKAYAMA, TATSUO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/318
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L29/0657 , H01L29/1033 , H01L29/1037 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41775 , H01L29/42356 , H01L29/42364 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要：本發明提供一種半導體裝置及半導體裝置的製造方法，提高半導體裝置（高電子遷移率電晶體）的特性。使具有緩衝層、通道層、電子供給層、平台型的罩蓋層、源極電極SE、汲極電極DE、覆蓋罩蓋層之閘極絕緣膜GI、及形成於其上之閘極電極GE的半導體裝置，成為下述構造。罩蓋層與閘極電極GE係以閘極絕緣膜GI分離；罩蓋層的汲極電極DE側及源極電極SE側之側面為推拔形。例如，罩蓋層（平台部）之側面的推拔角（θ1），為120度以上。若依此一構成，則達到TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown, 時依性介電崩潰）使用期限的改善效果，此外，達到導通電阻之變動的抑制效果。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及半导体设备的制造方法，提高半导体设备（高电子迁移率晶体管）的特性。使具有缓冲层、信道层、电子供给层、平台型的罩盖层、源极电极SE、汲极电极DE、覆盖罩盖层之闸极绝缘膜GI、及形成于其上之闸极电极GE的半导体设备，成为下述构造。罩盖层与闸极电极GE系以闸极绝缘膜GI分离；罩盖层的汲极电极DE侧及源极电极SE侧之侧面为推拔形。例如，罩盖层（平台部）之侧面的推拔角（θ1），为120度以上。若依此一构成，则达到TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown, 时依性介电崩溃）使用期限的改善效果，此外，达到导通电阻之变动的抑制效果。

50. 发明专利

TWI581319B 半導體裝置及製造方法有权
简体标题：半导体设备及制造方法
公开(公告)号：TWI581319B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104138017
申请日：2015-11-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：杜瑞茲布萊戴恩 , DURIEZ, BLANDINE , 阿法賴恩阿爾楊 , AFZALIAN, ARYAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/36 , H01L29/40 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66522 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2654 , H01L21/26546 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L29/20 , H01L29/66356 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/66977 , H01L29/7391 , H01L29/785

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