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41. 发明专利

TW201012315A 電漿處理裝置及電漿處理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW201012315A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW098119218
申请日：2009-06-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192 , H01J37/32229
摘要：提供一種具有特性阻抗在輸入側與輸出側不同的同軸管構造之電漿處理裝置。藉由微波來使氣體激發而電漿處理基板的微波電漿處理裝置（10）是具備：處理容器（100）；輸出微波的微波源（900）；使從微波源（900）輸出的微波傳送的第1同軸管（610）；在面向處理容器（100）的內側之狀態下與第1同軸管（610）鄰接，將傳送於第1同軸管（610）的微波放出至處理容器（100）內部的電介體板（305）。具有第1同軸管（610）的內部導體（610a）與外部導體（610b）的粗度的比沿著長度方向不一樣的構造。
简体摘要：提供一种具有特性阻抗在输入侧与输出侧不同的同轴管构造之等离子处理设备。借由微波来使气体激发而等离子处理基板的微波等离子处理设备（10）是具备：处理容器（100）；输出微波的微波源（900）；使从微波源（900）输出的微波发送的第1同轴管（610）；在面向处理容器（100）的内侧之状态下与第1同轴管（610）邻接，将发送于第1同轴管（610）的微波放出至处理容器（100）内部的电介体板（305）。具有第1同轴管（610）的内部导体（610a）与外部导体（610b）的粗度的比沿着长度方向不一样的构造。

42. 发明专利

TW200944071A 電漿處理裝置之頂板、電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备之顶板、等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW200944071A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098104401
申请日：2009-02-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野澤俊久
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32238
摘要：電漿處理裝置之電漿產生室係利用頂板(3)將其封閉。頂板(3)係於面向電漿產生室側的面設有凹部(3A)，且具備位於相反側的面之中心部之凹部(3B)。天線係被接合至頂板(3)上。天線連接著導波管。由導波管供給微波時，所供給之微波在天線間沿著徑向傳播，並從天線之槽孔被放射出去。頂板(3)內所傳播之微波具有偏振面，且整體形成圓偏振波。此時，於頂板(3)所具備之凹部(3A)的側面發生微波之共鳴吸收，且在凹部(3A)的內部以單一的模式傳播。在複數之凹部(3A)之各自的內部形成強電漿，並可形成安定之電漿模式於頂板(3)。
简体摘要：等离子处理设备之等离子产生室系利用顶板(3)将其封闭。顶板(3)系于面向等离子产生室侧的面设有凹部(3A)，且具备位于相反侧的面之中心部之凹部(3B)。天线系被接合至顶板(3)上。天线连接着导波管。由导波管供给微波时，所供给之微波在天线间沿着径向传播，并从天线之槽孔被放射出去。顶板(3)内所传播之微波具有偏振面，且整体形成圆偏振波。此时，于顶板(3)所具备之凹部(3A)的侧面发生微波之共鸣吸收，且在凹部(3A)的内部以单一的模式传播。在复数之凹部(3A)之各自的内部形成强等离子，并可形成安定之等离子模式于顶板(3)。

43. 发明专利

TW200809973A 微波導入裝置及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：微波导入设备及等离子处理设备
公开(公告)号：TW200809973A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096121873
申请日：2007-06-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田才忠 TIAN, CAI ZHONG , 石橋清隆 ISHIBASHI, KIYOTAKA , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 湯淺珠樹 YUASA, TAMAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32211
摘要：微波導入裝置92係具備,形成有槽孔96之平面天線構件94;及設置於平面天線構件94上之由電介質所形成之慢波構件98。於慢波構件98的上面的中央部中,形成有從該處所突出之突起型態的供電部100。供電部100係嵌合於同軸導波管108的外側導體108B內。同軸導波管108的中心導體108A,係通過供電部100的中心上所設置之貫通孔而連接於平面天線構件94。供電部100的側壁面垂直於慢波構件98的上面。由於可提升由不易加工的材料所構成之供電部100的加工精密度,因此可避免於外側導體108B與供電部100之間產生間隙,而能夠防止起因於該間隙之異常放電、非對稱電場分布、及微波反射率的增大等缺失之產生。
简体摘要：微波导入设备92系具备,形成有槽孔96之平面天线构件94;及设置于平面天线构件94上之由电介质所形成之慢波构件98。于慢波构件98的上面的中央部中,形成有从该处所突出之突起型态的供电部100。供电部100系嵌合于同轴导波管108的外侧导体108B内。同轴导波管108的中心导体108A,系通过供电部100的中心上所设置之贯通孔而连接于平面天线构件94。供电部100的侧壁面垂直于慢波构件98的上面。由于可提升由不易加工的材料所构成之供电部100的加工精密度,因此可避免于外侧导体108B与供电部100之间产生间隙,而能够防止起因于该间隙之异常放电、非对称电场分布、及微波反射率的增大等缺失之产生。

44. 发明专利

TWI283019B 基板之處理方法 METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE 失效
简体标题：基板之处理方法 METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI283019B
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：TW094132806
申请日：2005-09-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：陳立 CHEN, LEE , 神原弘光 KAMBARA, HIROMITSU , 西塚哲也 NISHIZUKA, TETSUYA , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 田才忠 TIAN, CAIZHONG
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32706 , H01J37/32211 , H01J37/3244 , H01L21/31116
摘要：一種處理基板的方法，包含：將該基板放置於一處理槽中，該處理槽具有一用以界定電漿空間之第一槽部分與一用以界定製程空間之第二槽部分；將第一氣體導入該電漿空間中，並將第二氣體導入該製程空間中。利用結合至該第一槽部分的電漿源，在該電漿空間中由該第一氣體形成電漿；以及在該製程空間中形成用以處理該基板的製程化學品，其係藉著設置一位於該第一槽部分與第二槽部分之間的格柵，如此該電漿可由該電漿空間擴散至該製程空間。
简体摘要：一种处理基板的方法，包含：将该基板放置于一处理槽中，该处理槽具有一用以界定等离子空间之第一槽部分与一用以界定制程空间之第二槽部分；将第一气体导入该等离子空间中，并将第二气体导入该制程空间中。利用结合至该第一槽部分的等离子源，在该等离子空间中由该第一气体形成等离子；以及在该制程空间中形成用以处理该基板的制程化学品，其系借着设置一位于该第一槽部分与第二槽部分之间的格栅，如此该等离子可由该等离子空间扩散至该制程空间。

45. 发明专利

TW200621095A 用以處理基板之電漿處理系統 PLASMA PROCESSING SYSTEM FOR TREATING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：用以处理基板之等离子处理系统 PLASMA PROCESSING SYSTEM FOR TREATING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200621095A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094133476
申请日：2005-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：陳立 CHEN, LEE , 神原弘光 KAMBARA, HIROMITSU , 西塚哲也 NISHIZUKA, TETSUYA , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 田才忠 TIAN, CAIZHONG
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32082 , H01J37/32192
摘要：一種用以處理基板之電漿處理系統，包含一處理槽，其包含一用以接收第一氣體並提供電漿空間之第一槽部分、與一用以接收第二氣體並提供製程空間之第二槽部分，該製程空間具有用以處理該基板之製程化學品。一基板支架與該處理槽之第二槽部分結合，並用以支持鄰近製程空間之該基板，一電漿源與該處理槽之第一槽部分結合，並用以在該電漿空間中形成電漿。一格柵位於該電漿空間與製程空間之間，並用以使電漿得以在該電漿空間與製程空間之間擴散，以由該第二氣體形成該製程化學品。
简体摘要：一种用以处理基板之等离子处理系统，包含一处理槽，其包含一用以接收第一气体并提供等离子空间之第一槽部分、与一用以接收第二气体并提供制程空间之第二槽部分，该制程空间具有用以处理该基板之制程化学品。一基板支架与该处理槽之第二槽部分结合，并用以支持邻近制程空间之该基板，一等离子源与该处理槽之第一槽部分结合，并用以在该等离子空间中形成等离子。一格栅位于该等离子空间与制程空间之间，并用以使等离子得以在该等离子空间与制程空间之间扩散，以由该第二气体形成该制程化学品。

46. 发明专利

TW200522143A 微波激勵型電漿處理設備 MICROWAVE- EXCITED PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：微波激励型等离子处理设备 MICROWAVE- EXCITED PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200522143A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093134502
申请日：2004-11-11
申请人：優貝克科技股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：田口洋治 TAGUCHI, YOJI , 吉田麻衣子 YOSHIDA, MAIKO , 草場康太 KUSABA, KOHTA , 篠原己拔 SHINOHARA, KIBATSU , 松尾宗和 MATSUO, MUNEKAZU , 渡邊一弘 WATANABE, TAZUHIRO
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192
摘要：一種微波激勵型電漿處理設備由於使用經矩形波導切割出來的多數狹縫，而顯示一寬壓力範圍及可應用之寬電力範圍，以作為放電並具有一分佈，以允許電場及磁場微波直接均勻地形成在微波天線下之微波引入窗下。該微波激勵處理特徵係特徵於具有四個由矩形波導壁面所切割出來之橢圓狹縫，該壁面係被保持與真空室的頂壁微波引入窗接觸，該四個橢圓狹縫係分別被安排沿著大致正方形之四側排列。
简体摘要：一种微波激励型等离子处理设备由于使用经矩形波导切割出来的多数狭缝，而显示一宽压力范围及可应用之宽电力范围，以作为放电并具有一分布，以允许电场及磁场微波直接均匀地形成在微波天线下之微波引入窗下。该微波激励处理特征系特征于具有四个由矩形波导壁面所切割出来之椭圆狭缝，该壁面系被保持与真空室的顶壁微波引入窗接触，该四个椭圆狭缝系分别被安排沿着大致正方形之四侧排列。

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