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41. 发明专利

TWI303542B 多層電路基板之內藏式平面電阻元件及其製造方法 FILM RESISTOR EMBEDDED IN A MULTIPLE-LAYER CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING THEREOF 失效
简体标题：多层电路基板之内藏式平面电阻组件及其制造方法 FILM RESISTOR EMBEDDED IN A MULTIPLE-LAYER CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING THEREOF
公开(公告)号：TWI303542B
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：TW095109606
申请日：2006-03-21
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：賴穎俊 LAI, YING-JIUNN , 徐欽山 SHYU, CHIN-SUN , 陳昌昇 CHEN, CHANG-SHENG , 卓威明 JOW, UEI-MING
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/167 , H01C1/14 , H01C7/003 , H05K3/4644 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H05K2203/1453
摘要：一種在多層電路基板內的電阻結構及其製造方法在此提出介紹。設計時將電阻材料塗佈於多層電路基板之任一層中,並形成兩個對稱電極於電阻材料區域之幾何中心位置。而兩電極各自獨立並位於電阻材料區域中,並由電阻材料所完全覆蓋,而各有一鑽孔分別在電阻電極的中心位置引出後連接至其他任一層金屬層上。此電阻結構可同時解決塗佈式電阻無法在高頻操作時維持穩定阻値,及塗佈材料時產生毛邊而影響阻値精準度的問題。
简体摘要：一种在多层电路基板内的电阻结构及其制造方法在此提出介绍。设计时将电阻材料涂布于多层电路基板之任一层中,并形成两个对称电极于电阻材料区域之几何中心位置。而两电极各自独立并位于电阻材料区域中,并由电阻材料所完全覆盖,而各有一钻孔分别在电阻电极的中心位置引出后连接至其他任一层金属层上。此电阻结构可同时解决涂布式电阻无法在高频操作时维持稳定阻値,及涂布材料时产生毛边而影响阻値精准度的问题。

42. 发明专利

TWI300942B 晶片阻抗器和其製造方法失效
简体标题：芯片阻抗器和其制造方法
公开(公告)号：TWI300942B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW095107041
申请日：2006-03-02
申请人：羅姆電子股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：塚田虎之 TSUKADA, TORAYUKI , 米田將記 YONEDA, MASAKI
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C1/148 , H01C1/032 , H01C1/14 , H01C7/003 , H01C17/006 , Y10T29/49099
摘要：晶片阻抗器(1),係具備有絕緣基板(2),和被形
成於此絕緣基板(2)之主面的主上面電極(4)。在絕緣
基板(2)之主面,被形成有具有重疊於主上面電極(4)
之上面的端部(5a)之阻抗膜(5)。阻抗膜(5),係經
由保護塗佈(7,8)而被覆蓋。於主上面電極(4)之上
面,被形成有補助上面電極(6)。補助上面電極(6),
係包含有重疊於阻抗膜(5)之端部(5a)上面的內部端
部(6a)。保護塗佈(7,8),係重疊於補助上面電極(
6)之內部端部(6a)而被構成。
简体摘要：芯片阻抗器(1),系具备有绝缘基板(2),和被形成于此绝缘基板(2)之主面的主上面电极(4)。在绝缘基板(2)之主面,被形成有具有重叠于主上面电极(4) 之上面的端部(5a)之阻抗膜(5)。阻抗膜(5),系经由保护涂布(7,8)而被覆盖。于主上面电极(4)之上面,被形成有补助上面电极(6)。补助上面电极(6), 系包含有重叠于阻抗膜(5)之端部(5a)上面的内部端部(6a)。保护涂布(7,8),系重叠于补助上面电极( 6)之内部端部(6a)而被构成。

43. 发明专利

TW200738087A 多層電路基板之內藏式平面電阻元件及其製造方法 FILM RESISTOR EMBEDDED IN A MULTIPLE-LAYER CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING THEREOF 失效
简体标题：多层电路基板之内藏式平面电阻组件及其制造方法 FILM RESISTOR EMBEDDED IN A MULTIPLE-LAYER CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING THEREOF
公开(公告)号：TW200738087A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095109606
申请日：2006-03-21
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：賴穎俊 LAI YING-JIUNN , 徐欽山 SHYU CHIN-SUN , 陳昌昇 CHEN CHANG-SHENG , 卓威明 JOW UEI-MING
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/167 , H01C1/14 , H01C7/003 , H05K3/4644 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H05K2203/1453
摘要：一種在多層電路基板內的電阻結構及其製造方法在此提出介紹。設計時將電阻材料塗佈於多層電路基板之任一層中,並形成兩個對稱電極於電阻材料區域之幾何中心位置。而兩電極各自獨立並位於電阻材料區域中,並由電阻材料所完全覆蓋,而各有一鑽孔分別在電阻電極的中心位置引出後連接至其他任一層金屬層上。此電阻結構可同時解決塗佈式電阻無法在高頻操作時維持穩定阻値,及塗佈材料時產生毛邊而影響阻値精準度的問題。
简体摘要：一种在多层电路基板内的电阻结构及其制造方法在此提出介绍。设计时将电阻材料涂布于多层电路基板之任一层中,并形成两个对称电极于电阻材料区域之几何中心位置。而两电极各自独立并位于电阻材料区域中,并由电阻材料所完全覆盖,而各有一钻孔分别在电阻电极的中心位置引出后连接至其他任一层金属层上。此电阻结构可同时解决涂布式电阻无法在高频操作时维持稳定阻値,及涂布材料时产生毛边而影响阻値精准度的问题。

44. 发明专利

TW200710888A 電子構件之外部電極形成之方法及裝置审中-公开
简体标题：电子构件之外部电极形成之方法及设备
公开(公告)号：TW200710888A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095115575
申请日：2006-05-02
申请人：村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：尾形克則 OGATA, KATSUNORI , 青木健一 AOKI, KENICHI
IPC分类号： H01G , H01C
CPC分类号： H01G4/005 , H01C1/14 , H01C1/144 , H01C17/281 , H01G4/228 , H01G9/008 , H01G13/006
摘要：本發明係有關於在電子構件端面多次塗佈電極糊料的情形,獲得可縮短生產時間之外部電極形成方法。在長度方向具有保持板數倍面積之平盤1上配置具有可上下滑動刮漿板之糊料槽4,以在刮漿板與平盤之間形成特定間隙之狀態,使平盤1每次移動相當於1張保持板之長度而將糊料膜展開於平盤上,並將保持於保持板H上之電子構件C之一端面浸漬該糊料膜,使電子構件之一端面附著電極糊料。藉由反復進行展開步驟和塗佈步驟,在電子構件之一端面多次塗佈電極糊料。
简体摘要：本发明系有关于在电子构件端面多次涂布电极煳料的情形,获得可缩短生产时间之外部电极形成方法。在长度方向具有保持板数倍面积之平盘1上配置具有可上下滑动刮浆板之煳料槽4,以在刮浆板与平盘之间形成特定间隙之状态,使平盘1每次移动相当于1张保持板之长度而将煳料膜展开于平盘上,并将保持于保持板H上之电子构件C之一端面浸渍该煳料膜,使电子构件之一端面附着电极煳料。借由反复进行展开步骤和涂布步骤,在电子构件之一端面多次涂布电极煳料。

45. 发明专利

TW200534297A 晶片電阻器及其製造方法 CHIP RESISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：芯片电阻器及其制造方法 CHIP RESISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200534297A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094102923
申请日：2005-01-31
申请人：羅沐股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：米田將記 YONEDA, MASAKI
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C17/281 , H01C1/14 , H01C3/12 , H01C7/003 , H01C17/006
摘要：晶片基板1之上面中，在鄰接其左右兩端面1a、1b的部位形成端子電極2，3，在此兩端子電極間的部位形成彎折狀的電阻膜4，前述兩端子電極的內側面2a、3a中，在鄰接前述晶片基板的其中一方或另一方之側面1c、1d的部位，一方面一體設置朝向其間之電阻膜而突出的凸處5，6，一方面使得一體設置在前述電阻膜兩端的細幅部7，8電氣連接於前述凸處而成的晶片電阻器，避免因前述電阻膜與前述兩端子電極之相互間的偏差，使耐波動特性降低。前述凸處5，6之左右兩側面中，與前述晶片基板之其中一方或另一方之側面相反側之向內的側面5b、6b，形成前述凸處之先端為狹小的傾斜面。
简体摘要：芯片基板1之上面中，在邻接其左右两端面1a、1b的部位形成端子电极2，3，在此两端子电极间的部位形成弯折状的电阻膜4，前述两端子电极的内侧面2a、3a中，在邻接前述芯片基板的其中一方或另一方之侧面1c、1d的部位，一方面一体设置朝向其间之电阻膜而突出的凸处5，6，一方面使得一体设置在前述电阻膜两端的细幅部7，8电气连接于前述凸处而成的芯片电阻器，避免因前述电阻膜与前述两端子电极之相互间的偏差，使耐波动特性降低。前述凸处5，6之左右两侧面中，与前述芯片基板之其中一方或另一方之侧面相反侧之向内的侧面5b、6b，形成前述凸处之先端为狭小的倾斜面。

46. 发明专利

TW200503010A 電鍍端點 PLATED TERMINATIONS 审中-公开
简体标题：电镀端点 PLATED TERMINATIONS
公开(公告)号：TW200503010A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093109808
申请日：2004-04-08
申请人： AVX公司 AVX CORPORATION
发明人：安德魯P 里特 RITTER, ANDREW P. , 羅博特海資坦二世 HEISTAND II, ROBERT , 約翰L 嘉凡尼 GALVAGNI, JOHN L. , 斯里阿姆達特葛魯 DATTAGURU, SRIRAM , 捷佛列A 哈恩 HORN, JEFFEREY A. , 里察A 萊敦 LADUE, RICHARD A.
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01C1/14 , C23C18/1605 , H01C7/008 , H01C7/10 , H01G4/005 , H01G4/232 , H01G4/30 , H05K1/11 , H05K3/46 , H05K3/4644
摘要：一種積層電子元件包括複數個介電層，該等介電層與複數個內部電極元素和複數個內部錨定凸片交錯。該等內部電極元素和錨定凸片有數個部份沿著位於一或多個對準行內的該電子元件的週邊曝露。每一曝露部份與一特定行內的其它曝露部份有一預定距離，使得能藉由將一或多種電鍍終端材料沉積於被選定的個別對準行之上，而形成橋接終端。可依照與其它曝露導電部份事先安排的關係來提供並曝露內部錨定凸片，以協助金屬化電鍍材料沿著一裝置的週邊凝核。可提供外部錨定凸片或區域，以形成延伸至該裝置上和／或下層表面的終端。可依有限的陶瓷材料比例形成被選定的該等導電元素，以增強耐久性，並且外部區域可較內部導電元素厚，並／或也可被包覆於上和／或下層元件表面內。是可能有各種可能的內部電極組態，包括被建構成用於對方向不敏感的元件裝設及用於高密度週邊終端指叉型電容器的組態。
简体摘要：一种积层电子组件包括复数个介电层，该等介电层与复数个内部电极元素和复数个内部锚定凸片交错。该等内部电极元素和锚定凸片有数个部份沿着位于一或多个对准行内的该电子组件的周边曝露。每一曝露部份与一特定行内的其它曝露部份有一预定距离，使得能借由将一或多种电镀终端材料沉积于被选定的个别对准行之上，而形成桥接终端。可依照与其它曝露导电部份事先安排的关系来提供并曝露内部锚定凸片，以协助金属化电镀材料沿着一设备的周边凝核。可提供外部锚定凸片或区域，以形成延伸至该设备上和／或下层表面的终端。可依有限的陶瓷材料比例形成被选定的该等导电元素，以增强耐久性，并且外部区域可较内部导电元素厚，并／或也可被包覆于上和／或下层组件表面内。是可能有各种可能的内部电极组态，包括被建构成用于对方向不敏感的组件装设及用于高密度周边终端指叉型电容器的组态。

47. 发明专利

TW456077B 具過電流保護之接線匣及其製作方法失效
简体标题：具过电流保护之接线匣及其制作方法
公开(公告)号：TW456077B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW089109491
申请日：2000-05-17
申请人：波恩斯股份有限公司
发明人：詹姆斯卡夫瑞
IPC分类号： H01R
CPC分类号： H01C7/13 , H01C1/14 , H01C13/02 , H02H9/026
摘要：一接線匣包括一陣列的導電聚合物正溫係數(PTC)元件其係由成形在第一及第二金屬箔層間的一層疊的一層導電聚合物PTC材料所形成。此第一箔層係藉由傳統的遮罩及蝕刻技術而被分開成一陣列的分散正電極，其等的任一個則定義出具有一預定跳閘電流的一單一之PTC過電流保護元件。此第二箔層係被保持完整不動並被此陣列中的此等PTC元件當作是一共用之接地極點而被共同使用。任一個分散的正電極係藉由一導電彈簧接觸指狀物來接觸。兩個或是多個接觸指狀物可被當作是單一接觸元件的部份而被形成或者是被連接在一起而去並聯兩個或是更多個元件,藉此提供了一個較由一單一元件所提供之更高的跳閘電流。
简体摘要：一接线匣包括一数组的导电聚合物正温系数(PTC)组件其系由成形在第一及第二金属箔层间的一层叠的一层导电聚合物PTC材料所形成。此第一箔层系借由传统的遮罩及蚀刻技术而被分开成一数组的分散正电极，其等的任一个则定义出具有一预定跳闸电流的一单一之PTC过电流保护组件。此第二箔层系被保持完整不动并被此数组中的此等PTC组件当作是一共享之接地极点而被共同使用。任一个分散的正电极系借由一导电弹簧接触指状物来接触。两个或是多个接触指状物可被当作是单一接触组件的部份而被形成或者是被连接在一起而去并联两个或是更多个组件,借此提供了一个较由一单一组件所提供之更高的跳闸电流。

48. 发明专利

TW388888B 熱敏電阻晶片和其製作方法失效
简体标题：热敏电阻芯片和其制作方法
公开(公告)号：TW388888B
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：TW086113904
申请日：1997-09-24
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：川瀨政彥 , 木本英伸 , 鬼頭範光 , 谷口幾哉
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C17/28 , H01C1/14 , H01C1/148 , H01C17/006
摘要：在熱敏電阻晶片元件兩端邊形成電極，每一電極有第一金屬層在熱敏電阻晶片元件形成並且第二金屬層以面積比第一金屬層小且在第一金屬層的一端上形成，因此使第一金屬層之相對另一端邊曝露。第三金屬層在第二金屬層上形成。一第四金屬層可在第一金屬層與第二金屬層之間形成。
简体摘要：在热敏电阻芯片组件两端边形成电极，每一电极有第一金属层在热敏电阻芯片组件形成并且第二金属层以面积比第一金属层小且在第一金属层的一端上形成，因此使第一金属层之相对另一端边曝露。第三金属层在第二金属层上形成。一第四金属层可在第一金属层与第二金属层之间形成。

49. 发明专利

TWI611434B 突波吸收元件有权
简体标题：突波吸收组件
公开(公告)号：TWI611434B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104111204
申请日：2015-04-08
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：多田清和 , TADA, KIYOKAZU , 大橋学 , OHASHI, MANABU
IPC分类号： H01C7/108 , H01C7/12
CPC分类号： H01C7/12 , G08B21/185 , H01C1/14 , H01C7/10

50. 发明专利

TWI562180B 具保險及示警機制之突波洩放器有权
简体标题：具保险及示警机制之突波泄放器
公开(公告)号：TWI562180B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104118346
申请日：2015-06-05
申请人：陳贊棋
发明人：陳贊棋
IPC分类号： H01H37/32 , H01H37/08 , H01H37/76
CPC分类号： H02H3/085 , H01C1/14 , H01C7/12 , H02H3/04

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