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    • 42. 发明专利
    • 晶圓級封裝方法與封裝結構
    • 晶圆级封装方法与封装结构
    • TW201338107A
    • 2013-09-16
    • TW101108031
    • 2012-03-09
    • 國立交通大學NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
    • 陳宗麟CHEN, TSUNG LIN練瑞虔LIEN, JUI CHIEN
    • H01L23/28H01L23/52
    • B81C1/00269B81C2203/0109B81C2203/019
    • 本發明提供一種晶圓級封裝方法與封裝結構,用以封裝第一晶圓與第二晶圓,第一晶圓具背面與定義有微機電元件的主動面,其包含下列步驟:於第一晶圓形成兩矽通孔,再形成第一連接件與第一接合環於主動面上,前者電性連接該些矽通孔之一者,後者圍繞微機電元件並電性連接該些矽通孔之另一者。於第二晶圓上形成電性連接的第二接合環與第二連接件。接著使第二晶圓面對第一晶圓之主動面,且第二接合環與第二連接件分別連接第一接合環與第一連接件。自第一晶圓之背面施加電壓於該些矽通孔,再施加外力使第二晶圓朝向第一晶圓擠壓以完成封裝。
    • 本发明提供一种晶圆级封装方法与封装结构,用以封装第一晶圆与第二晶圆,第一晶圆具背面与定义有微机电组件的主动面,其包含下列步骤:于第一晶圆形成两硅通孔,再形成第一连接件与第一接合环于主动面上,前者电性连接该些硅通孔之一者,后者围绕微机电组件并电性连接该些硅通孔之另一者。于第二晶圆上形成电性连接的第二接合环与第二连接件。接着使第二晶圆面对第一晶圆之主动面,且第二接合环与第二连接件分别连接第一接合环与第一连接件。自第一晶圆之背面施加电压于该些硅通孔,再施加外力使第二晶圆朝向第一晶圆挤压以完成封装。