专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

TW200641519A 蝕刻遮罩特徵臨界尺寸之縮減 REDUCTION OF ETCH MASK FEATURE CRITICAL DIMENSIONS 审中-公开
简体标题：蚀刻遮罩特征临界尺寸之缩减 REDUCTION OF ETCH MASK FEATURE CRITICAL DIMENSIONS
公开(公告)号：TW200641519A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094144362
申请日：2005-12-14
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：黃興頌 HUANG, ZHISONG , 史沙加地 SADJADI, S. M. REZA , 傑弗瑞馬克斯 MARKS, JEFFREY
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144
摘要：提供一種用以藉由蝕刻層上之蝕刻遮罩來形成特徵於蝕刻堆疊中的蝕刻層中之方法，其中，該蝕刻遮罩具有具備側壁之蝕刻遮罩特徵，而在該處，該等蝕刻遮罩特徵具有一第一臨界尺寸。一循環之臨界尺寸縮減被實施以形成具有一比該第一臨界尺寸更小之第二臨界尺寸的沈積層特徵，各個循環包含一沈積階段及一蝕刻階段，沈積階段係用以沈積一沈積層於該等蝕刻遮罩特徵之包含垂直側壁的暴露表面上，蝕刻階段係用以回蝕該沈積層而留下一選擇性沈積於該等垂直側壁上。特徵被蝕刻於該蝕刻層之內，其中，該等蝕刻層特徵具有一比該第一臨界尺寸更小的第三臨界尺寸。
简体摘要：提供一种用以借由蚀刻层上之蚀刻遮罩来形成特征于蚀刻堆栈中的蚀刻层中之方法，其中，该蚀刻遮罩具有具备侧壁之蚀刻遮罩特征，而在该处，该等蚀刻遮罩特征具有一第一临界尺寸。一循环之临界尺寸缩减被实施以形成具有一比该第一临界尺寸更小之第二临界尺寸的沉积层特征，各个循环包含一沉积阶段及一蚀刻阶段，沉积阶段系用以沉积一沉积层于该等蚀刻遮罩特征之包含垂直侧壁的暴露表面上，蚀刻阶段系用以回蚀该沉积层而留下一选择性沉积于该等垂直侧壁上。特征被蚀刻于该蚀刻层之内，其中，该等蚀刻层特征具有一比该第一临界尺寸更小的第三临界尺寸。

42. 发明专利

TW200629668A 用於電漿處理系統之射頻(RF)接地開關 RF GROUND SWITCH FOR PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：用于等离子处理系统之射频(RF)接地开关 RF GROUND SWITCH FOR PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200629668A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094133570
申请日：2005-09-27
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞汀沙 DHINDSA, RAJ , 菲力斯科佐凱費希 KOZAKEVICH, FELIX , 艾瑞克藍斯 LENZ, ERIC , 魯希爾馬汀 MARTIN, RUSSELL
IPC分类号： H01R , C23F
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568
摘要：一種在電漿處理系統中用以選擇性地提供射頻(RF)接地路徑於電極與接地間之配置，該配置包含一射頻(RF)傳導路徑結構及一環狀結構，該環狀結構及該射頻(RF)傳導路徑結構具有彼此相關的兩個相對位置，該兩個相對位置之第一相對位置的特徵在於該環狀結構與該射頻(RF)傳導路徑結構電氣地耦接以提供一接地至該射頻(RF)傳導路徑結構，該兩個相對位置之第二相對位置的特徵在於該環狀結構係未與該射頻(RF)傳導路徑結構電氣地耦接。
简体摘要：一种在等离子处理系统中用以选择性地提供射频(RF)接地路径于电极与接地间之配置，该配置包含一射频(RF)传导路径结构及一环状结构，该环状结构及该射频(RF)传导路径结构具有彼此相关的两个相对位置，该两个相对位置之第一相对位置的特征在于该环状结构与该射频(RF)传导路径结构电气地耦接以提供一接地至该射频(RF)传导路径结构，该两个相对位置之第二相对位置的特征在于该环状结构系未与该射频(RF)传导路径结构电气地耦接。

43. 发明专利

TW200619873A 從被蝕刻晶圓剝離光阻的方法 METHOD FOR STRIPPING PHOTORESIST FROM ETCHED WAFER 审中-公开
简体标题：从被蚀刻晶圆剥离光阻的方法 METHOD FOR STRIPPING PHOTORESIST FROM ETCHED WAFER
公开(公告)号：TW200619873A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094125479
申请日：2005-07-27
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克哈德森 HUDSON, ERIC A. , 彼得西瑞葛利諾 CIRIGLIANO, PETER
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/427 , H01L21/31138
摘要：本案提供一種在低介電常數(k)(k＜3.0)介電層中形成一特性的方法。一低介電層係放置在基材上。一有圖案光阻罩係放置在該低k介電層上。至少一特性被蝕刻入該低k介電層。提供了一包含CO2的剝離氣體。一電漿被由該包含CO2的剝離氣體形成。該來自包含CO2的剝離氣體係用以剝離光阻罩。
简体摘要：本案提供一种在低介电常数(k)(k＜3.0)介电层中形成一特性的方法。一低介电层系放置在基材上。一有图案光阻罩系放置在该低k介电层上。至少一特性被蚀刻入该低k介电层。提供了一包含CO2的剥离气体。一等离子被由该包含CO2的剥离气体形成。该来自包含CO2的剥离气体系用以剥离光阻罩。

44. 发明专利

TW200618115A 均勻控制的蝕刻 ETCH WITH UNIFORMITY CONTROL 审中-公开
简体标题：均匀控制的蚀刻 ETCH WITH UNIFORMITY CONTROL
公开(公告)号：TW200618115A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094128974
申请日：2005-08-24
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：川口誠二 KAWAGUCHI, SEIJI , 竹下健二 TAKESHITA, KENJI
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：所提出者係一種在晶圓上形成半導體裝置之方法。蝕刻層係形成於晶圓上。光阻遮罩係形成於蝕刻層上。移除僅環繞晶圓的外緣之光阻遮罩，以曝露環繞晶圓的外緣之蝕刻層。提供包括含碳及氫分子的沈積氣體。電漿係自沈積氣體形成。聚合物層係沈積於環繞晶圓的外緣之曝露蝕刻層上，其中聚合物係自沈積氣體中的電漿形成。當消耗光阻遮罩及沈積於環繞晶圓的外緣之曝露蝕刻層上的聚合物時，經由光阻遮罩蝕刻蝕刻層。
简体摘要：所提出者系一种在晶圆上形成半导体设备之方法。蚀刻层系形成于晶圆上。光阻遮罩系形成于蚀刻层上。移除仅环绕晶圆的外缘之光阻遮罩，以曝露环绕晶圆的外缘之蚀刻层。提供包括含碳及氢分子的沉积气体。等离子系自沉积气体形成。聚合物层系沉积于环绕晶圆的外缘之曝露蚀刻层上，其中聚合物系自沉积气体中的等离子形成。当消耗光阻遮罩及沉积于环绕晶圆的外缘之曝露蚀刻层上的聚合物时，经由光阻遮罩蚀刻蚀刻层。

45. 发明专利

TW200614369A 最佳化電漿處理系統中的抗蝕刻性之方法與裝置 METHODS AND APPARATUS FOR THE OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：最优化等离子处理系统中的抗蚀刻性之方法与设备 METHODS AND APPARATUS FOR THE OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200614369A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094121944
申请日：2005-06-29
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：山口橫亞當斯 ADAMS, YOKO YAMAGUCHI , 喬治斯德傑科維克 STOJAKOVIC, GEORGE , 艾倫米勒 MILLER, ALAN J.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32862 , H01J37/32082 , H01L21/3065
摘要：敘述一種在具有一電漿處理腔室的一電漿處理系統中最佳化一基板材料的抗蝕刻性之方法。該方法包含：將預先塗敷氣體混合物流入該電漿處理腔室中，其中該預先塗敷氣體混合物對於一蝕刻劑氣體混合物具有親合性；由該預先塗敷氣體混合物觸發一第一電漿；以及導入包含有該基板材料的一基板。該方法亦包含：將該蝕刻劑氣體混合物流入該電漿處理腔室中；由該蝕刻劑氣體混合物觸發一第二電漿；以及藉該第二電漿蝕刻該基板。其中，該第一電漿在該電漿處理腔室的一組暴露表面上產生一預先塗敷殘餘物，且該基板材料的該抗蝕刻性仍保持。
简体摘要：叙述一种在具有一等离子处理腔室的一等离子处理系统中最优化一基板材料的抗蚀刻性之方法。该方法包含：将预先涂敷气体混合物流入该等离子处理腔室中，其中该预先涂敷气体混合物对于一蚀刻剂气体混合物具有亲合性；由该预先涂敷气体混合物触发一第一等离子；以及导入包含有该基板材料的一基板。该方法亦包含：将该蚀刻剂气体混合物流入该等离子处理腔室中；由该蚀刻剂气体混合物触发一第二等离子；以及藉该第二等离子蚀刻该基板。其中，该第一等离子在该等离子处理腔室的一组暴露表面上产生一预先涂敷残余物，且该基板材料的该抗蚀刻性仍保持。

46. 发明专利

TW200611363A 用於決定電漿處理系統中的終止點之方法及設備 METHODS AND APPARATUS FOR DETERMINING ENDPOINT IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：用于决定等离子处理系统中的终止点之方法及设备 METHODS AND APPARATUS FOR DETERMINING ENDPOINT IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200611363A
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW094121492
申请日：2005-06-27
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：都昡昊 DOH, HYUN-HO , 布萊恩麥克米林 MCMILLIN, BRIAN K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：一種用來在一電漿處理系統中決定一處理門檻值的方法被揭示。該方法包括將一基材曝露在一電漿處理中，包括一處理開始部分，一大致穩態部分，及處理末端部分。該方法亦包括在該大致穩態部分期間收集第一組資料；產生一第一統計模型分量其包含至少一選自由一方差分量及一餘差分量構成的組群中之統計模型；及收集一第二組資料。該方法更包括產生一第二統計模型，其包含該統計分量，其中如果該第一統計模型的統計模型分量實質上不同於該第二統計模型的統計模型分量的話，則該處理門檻值就已經實質上達到了。
简体摘要：一种用来在一等离子处理系统中决定一处理门槛值的方法被揭示。该方法包括将一基材曝露在一等离子处理中，包括一处理开始部分，一大致稳态部分，及处理末端部分。该方法亦包括在该大致稳态部分期间收集第一组数据；产生一第一统计模型分量其包含至少一选自由一方差分量及一余差分量构成的组群中之统计模型；及收集一第二组数据。该方法更包括产生一第二统计模型，其包含该统计分量，其中如果该第一统计模型的统计模型分量实质上不同于该第二统计模型的统计模型分量的话，则该处理门槛值就已经实质上达到了。

47. 发明专利

TW200610051A 以V-I探針偵測法來偵測電漿蝕刻終點的方法 A METHOD OF PLASMA ETCH ENDPOINT DETECTION USING A V-I PROBE DIAGNOSTICS 审中-公开
简体标题：以V-I探针侦测法来侦测等离子蚀刻终点的方法 A METHOD OF PLASMA ETCH ENDPOINT DETECTION USING A V-I PROBE DIAGNOSTICS
公开(公告)号：TW200610051A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：TW094109817
申请日：2005-03-29
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：亞門阿弗彥 AVOYAN, ARMEN , 凡可易斯戴沙巴 DASSAPA, FRANCOIS CHANDRASEKAR , 布萊恩麥克米林 MCMILLIN, BRIAN K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01L21/31116
摘要：本案揭示一種用以有效地監測電漿處理室的包括V–I探針之電漿處理控制系統，此處該探針可提供對射頻(RF)供給(例如，約2 MHz，約27 MHz，或約60 MHz)回應之電參數；一處理器，其經耦合到及／或包括一市售探針產品，其可對每一電參數提供諧波；及一控制器，經耦合到該處理器，且其可選出一電參數和一相伴的諧波用為電漿處理步驟的終點偵測。該電參數可包括電壓，相，和電流，且該電漿處埋應用可為介電質蝕刻。根據本發明具體實例的系統可特別適用於在製造環境中的介電質蝕刻。
简体摘要：本案揭示一种用以有效地监测等离子处理室的包括V–I探针之等离子处理控制系统，此处该探针可提供对射频(RF)供给(例如，约2 MHz，约27 MHz，或约60 MHz)回应之电参数；一处理器，其经耦合到及／或包括一市售探针产品，其可对每一电参数提供谐波；及一控制器，经耦合到该处理器，且其可选出一电参数和一相伴的谐波用为等离子处理步骤的终点侦测。该电参数可包括电压，相，和电流，且该等离子处埋应用可为介电质蚀刻。根据本发明具体实例的系统可特别适用于在制造环境中的介电质蚀刻。

48. 发明专利

TWI248668B 薄膜之電漿蝕刻時之端點偵測方法和裝置 METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING ENDPOINT DURING PLASMA ETCHING OF THIN FILMS 有权
简体标题：薄膜之等离子蚀刻时之端点侦测方法和设备 METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING ENDPOINT DURING PLASMA ETCHING OF THIN FILMS
公开(公告)号：TWI248668B
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW092129453
申请日：2003-10-23
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：布萊恩麥克米林 MCMILLIN, BRIAN K. , 艾瑞克哈德森 HUDSON, ERIC A. , 傑弗瑞馬克斯 MARKS, JEFFREY
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76829 , H01J37/32963 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L22/26
摘要：本發明揭示一種在蝕刻具有第一層澱積在端點產生層上之層堆疊的同時，用以控制電漿蝕刻處理之方法。該方法包括在監測橫越電漿處理室內部的光束之吸收率的同時，蝕刻穿過第一層及至少局部穿過端點產生層，其中端點產生層選自當蝕刻時在吸收率上產生可偵測變化之材料。端點產生層的特徵為第一特徵及第二特徵的至少其中之一。第一特徵係不足的厚度以充作蝕刻停止層，而第二特徵係對用於蝕刻穿過第一層的蝕刻劑之不足的選擇性以充作蝕刻停止層。該方法另外包括依據偵測可偵測變化產生端點信號。
简体摘要：本发明揭示一种在蚀刻具有第一层淀积在端点产生层上之层堆栈的同时，用以控制等离子蚀刻处理之方法。该方法包括在监测横越等离子处理室内部的光束之吸收率的同时，蚀刻穿过第一层及至少局部穿过端点产生层，其中端点产生层选自当蚀刻时在吸收率上产生可侦测变化之材料。端点产生层的特征为第一特征及第二特征的至少其中之一。第一特征系不足的厚度以充作蚀刻停止层，而第二特征系对用于蚀刻穿过第一层的蚀刻剂之不足的选择性以充作蚀刻停止层。该方法另外包括依据侦测可侦测变化产生端点信号。

49. 发明专利

TW200601452A 在電漿處理系統中,使基板蝕刻最佳化之方法 METHODS FOR THE OPTIMIZATION OF SUBSTRATE ETCHING IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：在等离子处理系统中,使基板蚀刻最优化之方法 METHODS FOR THE OPTIMIZATION OF SUBSTRATE ETCHING IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200601452A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094107343
申请日：2005-03-10
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：金智深 KIM, JISOO , 拜內特沃斯罕 WORSHAM, BINET , 顏必明 YEN, BI MING , 彼得羅威哈特 LOEWENHARDT, PETER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76813
摘要：本發明揭示一種在電漿處理系統中蝕刻基板之方法。該基板具有一半導體層、位於該半導體層上之第一阻隔層、位於該第一阻隔層上之低k層、位於該低k層上之第三硬遮罩層；位於該第三硬遮罩層上之第二硬遮罩層，以及位於該第二硬遮罩層上之第一硬遮罩層。該方法或者包括以第一蝕刻劑與第二蝕刻劑蝕刻該基板，其中該第一蝕刻劑對於第一硬遮罩層之第一硬遮罩材料、第三硬遮罩層之第三硬遮罩材料以及第一阻隔層之第一阻隔層材料具有低度選擇性，但是對於第二硬遮罩層之第二硬遮罩材料具有高度選擇性；且其中第二蝕刻劑對於該第一硬遮罩層之第一硬遮罩材料、該第三硬遮罩層之第三硬遮罩材料以及該第一阻隔層之第一阻隔層材料具有高度選擇性，且第二蝕刻劑對於該第二硬遮罩層之第二硬遮罩材料具有低度選擇性。
简体摘要：本发明揭示一种在等离子处理系统中蚀刻基板之方法。该基板具有一半导体层、位于该半导体层上之第一阻隔层、位于该第一阻隔层上之低k层、位于该低k层上之第三硬遮罩层；位于该第三硬遮罩层上之第二硬遮罩层，以及位于该第二硬遮罩层上之第一硬遮罩层。该方法或者包括以第一蚀刻剂与第二蚀刻剂蚀刻该基板，其中该第一蚀刻剂对于第一硬遮罩层之第一硬遮罩材料、第三硬遮罩层之第三硬遮罩材料以及第一阻隔层之第一阻隔层材料具有低度选择性，但是对于第二硬遮罩层之第二硬遮罩材料具有高度选择性；且其中第二蚀刻剂对于该第一硬遮罩层之第一硬遮罩材料、该第三硬遮罩层之第三硬遮罩材料以及该第一阻隔层之第一阻隔层材料具有高度选择性，且第二蚀刻剂对于该第二硬遮罩层之第二硬遮罩材料具有低度选择性。

50. 发明专利

TW200520089A 斜向蝕刻 ETCH WITH RAMPING 审中-公开
简体标题：斜向蚀刻 ETCH WITH RAMPING
公开(公告)号：TW200520089A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093128748
申请日：2004-09-22
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：凱倫賈克伯 JACOBS, KEREN , 艾倫艾波勒 EPPLER, AARON
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32082 , H01L21/31116
摘要：一種經由基板上的遮罩來蝕刻在蝕刻層中的形體特徵之方法。將基板放置在處理室內。將蝕刻電漿提供給處理室，其中，蝕刻電漿開始蝕刻。以蝕刻電漿來蝕刻蝕刻層中的形體特徵。在蝕刻形體特徵以使電漿參數最佳化的期間，隨著改變蝕刻深度來斜向設定至少一蝕刻電漿參數，並以經斜向設定之電漿來蝕刻形體特徵，直到使形體特徵蝕刻到形體特徵深度為止。
简体摘要：一种经由基板上的遮罩来蚀刻在蚀刻层中的形体特征之方法。将基板放置在处理室内。将蚀刻等离子提供给处理室，其中，蚀刻等离子开始蚀刻。以蚀刻等离子来蚀刻蚀刻层中的形体特征。在蚀刻形体特征以使等离子参数最优化的期间，随着改变蚀刻深度来斜向设置至少一蚀刻等离子参数，并以经斜向设置之等离子来蚀刻形体特征，直到使形体特征蚀刻到形体特征深度为止。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式