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41. 发明专利

TW201042759A 具垂直通道存取電晶體的相變記憶胞 PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING VERTICAL CHANNEL ACCESS TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：具垂直信道存取晶体管的相变记忆胞 PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING VERTICAL CHANNEL ACCESS TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201042759A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW098132762
申请日：2009-09-28
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 林仲漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0004 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要：一種記憶體裝置及其製造方法。此裝置包括具有第一與第二區域的基底。第一區域包括第一場效應電晶體。第一場效應電晶體包括：基底內的被水平通道區隔開的第一與第二摻雜區；閘極，位於水平通道區上；第一介電層，覆蓋閘極。第二區域包括第二場效應電晶體。第二場效應電晶體包括：第一端，穿過第一介電層而延伸以接觸基底；第二端，位於第一端上且具有頂面；垂直通道區，將第一端與第二端隔開。第二場效應電晶體還包括位於第一介電層上且鄰近垂直通道區的閘極。閘極具有與第二端的頂面共面的頂面。第二介電層將閘極與垂直通道區隔開。
简体摘要：一种内存设备及其制造方法。此设备包括具有第一与第二区域的基底。第一区域包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管包括：基底内的被水平信道区隔开的第一与第二掺杂区；闸极，位于水平信道区上；第一介电层，覆盖闸极。第二区域包括第二场效应晶体管。第二场效应晶体管包括：第一端，穿过第一介电层而延伸以接触基底；第二端，位于第一端上且具有顶面；垂直信道区，将第一端与第二端隔开。第二场效应晶体管还包括位于第一介电层上且邻近垂直信道区的闸极。闸极具有与第二端的顶面共面的顶面。第二介电层将闸极与垂直信道区隔开。

42. 发明专利

TW201040963A 具有一電晶體、一電阻及一電容之相變化記憶體 ONE-TRANSISTOR, ONE RESISTOR, ONE CAPACITOR PHASE CHANGE MEMORY 审中-公开
简体标题：具有一晶体管、一电阻及一电容之相变化内存 ONE-TRANSISTOR, ONE RESISTOR, ONE CAPACITOR PHASE CHANGE MEMORY
公开(公告)号：TW201040963A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW098143197
申请日：2009-12-16
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾
IPC分类号： G11C , H01L
CPC分类号： G11C16/3431 , G11C11/404 , G11C11/4076 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0033 , G11C13/0069 , G11C14/0045 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
摘要：本發明揭露一種記憶裝置及操作此種裝置的方法。此處所描述之一記憶胞包含一電晶體與第一及第二存取線電性耦接。一可程式電阻記憶元件安置於沿著該第一及第二存取線之間的一電流路徑上。以及一電容與介於該第一及第二存取線之間的該電流路徑電性耦接。
简体摘要：本发明揭露一种记忆设备及操作此种设备的方法。此处所描述之一记忆胞包含一晶体管与第一及第二存取线电性耦接。一可进程电阻记忆组件安置于沿着该第一及第二存取线之间的一电流路径上。以及一电容与介于该第一及第二存取线之间的该电流路径电性耦接。

43. 发明专利

TWI331793B 用以製造一管狀相轉換記憶體之方法 METHOD OF MANUFACTURING A PIPE SHAPED PHASE CHANGE MEMORY 有权
简体标题：用以制造一管状相转换内存之方法 METHOD OF MANUFACTURING A PIPE SHAPED PHASE CHANGE MEMORY
公开(公告)号：TWI331793B
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：TW095141951
申请日：2006-11-13
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1691
摘要：一種記憶體單元元件包括一下電極，一包括相變化材料之管型組件及一與管型組件接觸之上電極。管型組件內側有電絕緣及熱絕緣材料。本發明亦揭露一包括一管型相變化記憶體之積體電路。 A memory cell device includes a bottom electrode, pipe shaped member comprising phase change material and a top electrode in contact with the pipe－shaped member. An electrically and thermally insulating material is inside the pipe－shaped member. An integrated circuit including an array of pipe－shaped phase change memory cells is decribed. 【創作特點】本發明包括記憶體元件及形成該等記憶體元件之方法，其中記憶體元件包括一下電極，一位於下電極上之填充層，一接觸窗從填充層上表面延伸至下電極上表面，及一在接觸窗裡面由例如相變化材料等可程式絕緣材料做成之共形層。共形層與下電極接觸，並沿著接觸窗側邊延伸至上表面，在接觸窗內形成一管狀構件。與共形層接觸之上電極重疊於填充層。電絕緣及熱絕緣材料填滿接觸窗的其餘部分。代表性的絕緣材料包括一實質透空材料，或一低導熱性固態材料，例如二氧化矽，或一遠小於二氧化矽導熱性之材料。
本發明亦包括一種製造管狀相變化記憶體單元之方法，包括形成具一上表面之下電極，及於電極上形成一填充層，其中一接觸窗從填充層上表面延伸至下電極上表面。在接觸窗內沉積一可程式絕緣材料之共形層，從下電極上表面沿著接觸窗側邊延伸至填充層上表面。最後，在填充層上形成一上電極與共形層接觸。在一具體實施例裡，形成一下電極的步驟及形成一填充層的步驟包括首先在讀取元件終端上形成填充層。然後，形成一接觸窗穿透填充層至終端。然後在接觸窗內填滿導體，以形成一導電插塞。然後將導體部份從接觸窗移除，使接觸窗裡面導電插塞之其餘部分做為下電極，因移除導電材料而曝露出之接觸窗部份作為其內沉積共形層之接觸窗。
本發明另揭露一種包括一記憶體陣列之積體電路，包括複數個以行列高密度陣列方式排列之記憶體元件及存取電晶體。存取電晶體包括位於一半底體基材內的源極及汲極區域，及一沿著記憶體單元列向耦接字元線之閘極。記憶體單元形成於積體電路之存取電晶體上的一層內，其中下電極與對應存取電晶體之汲極接觸。利用金屬化層在記憶體單元上形成位元線，與沿著陣列內記憶體單元行向記憶體元件上之上電極接觸。在一具體實施例裡，二列記憶體單元分享源極接觸窗，一共用源極線耦接源極接觸窗並且通常經陣列平行延伸至字元線。
本發明另提供一低重設電流之可靠記憶體單元結構，利用標準微影蝕刻沉積製程製得，不需要形成次微影蝕刻製程之特別技術。單元結構尤其適合於整合大型積體電路元件上之CMOS電路。
以下係詳細說明本發明之結構與方法。本發明內容說明章節目的並非在於定義本發明。本發明係由申請專利範圍所定義。舉凡本發明之實施例、特徵、觀點及優點等將可透過下列說明申請專利範圍及所附圖式獲得充分瞭解。
简体摘要：一种内存单元组件包括一下电极，一包括相变化材料之管型组件及一与管型组件接触之上电极。管型组件内侧有电绝缘及热绝缘材料。本发明亦揭露一包括一管型相变化内存之集成电路。 A memory cell device includes a bottom electrode, pipe shaped member comprising phase change material and a top electrode in contact with the pipe－shaped member. An electrically and thermally insulating material is inside the pipe－shaped member. An integrated circuit including an array of pipe－shaped phase change memory cells is decribed. 【创作特点】本发明包括内存组件及形成该等内存组件之方法，其中内存组件包括一下电极，一位于下电极上之填充层，一接触窗从填充层上表面延伸至下电极上表面，及一在接触窗里面由例如相变化材料等可进程绝缘材料做成之共形层。共形层与下电极接触，并沿着接触窗侧边延伸至上表面，在接触窗内形成一管状构件。与共形层接触之上电极重叠于填充层。电绝缘及热绝缘材料填满接触窗的其余部分。代表性的绝缘材料包括一实质透空材料，或一低导热性固态材料，例如二氧化硅，或一远小于二氧化硅导热性之材料。本发明亦包括一种制造管状相变化内存单元之方法，包括形成具一上表面之下电极，及于电极上形成一填充层，其中一接触窗从填充层上表面延伸至下电极上表面。在接触窗内沉积一可进程绝缘材料之共形层，从下电极上表面沿着接触窗侧边延伸至填充层上表面。最后，在填充层上形成一上电极与共形层接触。在一具体实施例里，形成一下电极的步骤及形成一填充层的步骤包括首先在读取组件终端上形成填充层。然后，形成一接触窗穿透填充层至终端。然后在接触窗内填满导体，以形成一导电插塞。然后将导体部份从接触窗移除，使接触窗里面导电插塞之其余部分做为下电极，因移除导电材料而曝露出之接触窗部份作为其内沉积共形层之接触窗。本发明另揭露一种包括一内存数组之集成电路，包括复数个以行列高密度数组方式排列之内存组件及存取晶体管。存取晶体管包括位于一半底体基材内的源极及汲极区域，及一沿着内存单元列向耦接字符线之闸极。内存单元形成于集成电路之存取晶体管上的一层内，其中下电极与对应存取晶体管之汲极接触。利用金属化层在内存单元上形成比特线，与沿着数组内内存单元行向内存组件上之上电极接触。在一具体实施例里，二列内存单元分享源极接触窗，一共享源极线耦接源极接触窗并且通常经数组平行延伸至字符线。本发明另提供一低重设电流之可靠内存单元结构，利用标准微影蚀刻沉积制程制得，不需要形成次微影蚀刻制程之特别技术。单元结构尤其适合于集成大型集成电路组件上之CMOS电路。以下系详细说明本发明之结构与方法。本发明内容说明章节目的并非在于定义本发明。本发明系由申请专利范围所定义。举凡本发明之实施例、特征、观点及优点等将可透过下列说明申请专利范围及所附图式获得充分了解。

44. 发明专利

TWI329922B 相轉換記憶元件及其製造方法 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD 有权
简体标题：相转换记忆组件及其制造方法 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI329922B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW095142165
申请日：2006-11-14
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 陳士弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/144 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要：一種相轉換記憶元件其包括一相轉換記憶細胞，此記憶細胞係光微影地形成並具有第一與第二電極、以及一相轉換導橋位於此二電極之間，此導橋並與此二電極之相對側邊電氣耦接。相轉換導橋具有一長度、一寬度、以及一厚度。此寬度、厚度、以及長度係小於用以形成相轉換記憶細胞之製程的最小光微影特徵尺寸。用以形成記憶細胞的光阻遮罩的尺寸可被縮小，以使得相轉換導橋的寬度與長度各自小於最小光微影特徵尺寸。
简体摘要：一种相转换记忆组件其包括一相转换记忆细胞，此记忆细胞系光微影地形成并具有第一与第二电极、以及一相转换导桥位于此二电极之间，此导桥并与此二电极之相对侧边电气耦接。相转换导桥具有一长度、一宽度、以及一厚度。此宽度、厚度、以及长度系小于用以形成相转换记忆细胞之制程的最小光微影特征尺寸。用以形成记忆细胞的光阻遮罩的尺寸可被缩小，以使得相转换导桥的宽度与长度各自小于最小光微影特征尺寸。

45. 发明专利

TWI326925B 用以製造一自我收斂記憶材料元件於記憶胞中之方法 METHOD FOR MAKING A SELF-CONVERGED MEMORY MATERIAL ELEMENT FOR MEMORY CELL 有权
简体标题：用以制造一自我收敛记忆材料组件于记忆胞中之方法 METHOD FOR MAKING A SELF-CONVERGED MEMORY MATERIAL ELEMENT FOR MEMORY CELL
公开(公告)号：TWI326925B
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW095147539
申请日：2006-12-18
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1683
摘要：一種在製造一記憶胞時生成之自收斂記憶材料元件，包括具有一底電極之一基底層以及一上層，該上層其具有一第三平坦化停止層於基底層之上、一第二層於第三層之上、以及一第一層於第二層之上。一微孔開口係形成穿透此上層以將底電極外露。第一層具有一凸懸部份延伸進入開口中。一介電材料係沈積於微孔開口中，以生成一自收斂空洞於此微孔開口中。一非等向性蝕刻形成了一介電材料側壁於微孔開口中，一電極孔係對準至此空洞而將底電極外露。一記憶材料係沈積於電極孔中而接觸至底電極，並向下平坦化至第三層以生成此記憶材料元件。
简体摘要：一种在制造一记忆胞时生成之自收敛记忆材料组件，包括具有一底电极之一基底层以及一上层，该上层其具有一第三平坦化停止层于基底层之上、一第二层于第三层之上、以及一第一层于第二层之上。一微孔开口系形成穿透此上层以将底电极外露。第一层具有一凸悬部份延伸进入开口中。一介电材料系沉积于微孔开口中，以生成一自收敛空洞于此微孔开口中。一非等向性蚀刻形成了一介电材料侧壁于微孔开口中，一电极孔系对准至此空洞而将底电极外露。一记忆材料系沉积于电极孔中而接触至底电极，并向下平坦化至第三层以生成此记忆材料组件。

46. 发明专利

TW201019470A 具有改善結構穩定性之記憶胞 MEMORY CELL HAVING IMPROVED MECHANICAL STABILITY 审中-公开
简体标题：具有改善结构稳定性之记忆胞 MEMORY CELL HAVING IMPROVED MECHANICAL STABILITY
公开(公告)号：TW201019470A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098111400
申请日：2009-04-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 奇夢達股份有限公司
发明人：漢普湯瑪斯D , 陳逸舟 , 菲利普蹇鮑里斯 , 龍翔瀾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/101 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1675
摘要：本發明揭露一種記憶胞及其製造方法。此處所描述之記憶胞包含一底電極包含一基底部份及一柱狀部份於該基底部份之上，該柱狀部份及該基底部分具有各自的外表面且該柱狀部分具有一寬度係小於該基底部份之寬度。一記憶元件於該底電極之該柱狀部分的一上表面之上以及一頂電極於該記憶元件之上。一介電間隔物與該柱狀部分的該外表面連接，該底電極之該基底部分的該外表面與該介電間隔物的一外表面自動對準。
简体摘要：本发明揭露一种记忆胞及其制造方法。此处所描述之记忆胞包含一底电极包含一基底部份及一柱状部份于该基底部份之上，该柱状部份及该基底部分具有各自的外表面且该柱状部分具有一宽度系小于该基底部份之宽度。一记忆组件于该底电极之该柱状部分的一上表面之上以及一顶电极于该记忆组件之上。一介电间隔物与该柱状部分的该外表面连接，该底电极之该基底部分的该外表面与该介电间隔物的一外表面自动对准。

47. 发明专利

TW201015714A 具有垂直二極體之積體電路 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING VERTICAL DIODE 审中-公开
简体标题：具有垂直二极管之集成电路 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING VERTICAL DIODE
公开(公告)号：TW201015714A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098120475
申请日：2009-06-18
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司 , 奇夢達北美公司
发明人：龍翔瀾 , 楊明 , 漢普湯瑪斯D , 畢平拉詹德南
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/2481 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/24 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要：本發明揭露一種積體電路，其包括基材、第一導線與垂直二極體。其中，基材包括隔離區域，第一導線係形成於基材內之隔離區域間，垂直二極體係形成於基材內。積體電路包括耦接至垂直二極體之接點以及耦接至接點之記憶元件，且第一導線可作為垂直二極體之一部分。
简体摘要：本发明揭露一种集成电路，其包括基材、第一导线与垂直二极管。其中，基材包括隔离区域，第一导线系形成于基材内之隔离区域间，垂直二极管系形成于基材内。集成电路包括耦接至垂直二极管之接点以及耦接至接点之记忆组件，且第一导线可作为垂直二极管之一部分。

48. 发明专利

TW201005936A 具有二極體存取裝置之完全自我對準微孔型記憶胞 FULLY SELF-ALIGNED PORE-TYPE MEMORY CELL HAVING DIODE ACCESS DEVICE 审中-公开
简体标题：具有二极管存取设备之完全自我对准微孔型记忆胞 FULLY SELF-ALIGNED PORE-TYPE MEMORY CELL HAVING DIODE ACCESS DEVICE
公开(公告)号：TW201005936A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW097128677
申请日：2008-07-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 林仲漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683 , Y10S438/90
摘要：本發明係關於一種記憶裝置及其製造方法。此處所述之記憶裝置包含複數個記憶胞。該等記憶胞中之每一記憶胞包含：一二極體，其包含有摻雜半導體材料、一介電間隔物，在該二極體上，且定義一開口，該介電間隔物具有與該二極體側邊自我對準之側邊。每一記憶胞更包含一記憶體元件，在該介電間隔物上以及包含在該開口內與該二極體之一頂表面接觸的一部份。
简体摘要：本发明系关于一种记忆设备及其制造方法。此处所述之记忆设备包含复数个记忆胞。该等记忆胞中之每一记忆胞包含：一二极管，其包含有掺杂半导体材料、一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有与该二极管侧边自我对准之侧边。每一记忆胞更包含一内存组件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管之一顶表面接触的一部份。

49. 发明专利

TWI319233B 相變化記憶細胞及其製造方法 PHASE CHANGE MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD 有权
简体标题：相变化记忆细胞及其制造方法 PHASE CHANGE MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI319233B
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW095147744
申请日：2006-12-19
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 劉瑞琛 , 陳士弘 , 陳逸舟
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關於一種相變化記憶細胞，此記憶細胞係為一相變化記憶裝置之一部分，此相變化記憶細胞包括：第一與第二電極；一相變化元件，與此第一與第二電極電氣耦合；此相變化元件之至少一部份包括一較高重置轉換溫度部分以及一較低重置轉換溫度部分；以及此較低重置轉換溫度部分包括一相變化區域，此相變化區域藉由通過電流以從大致結晶態轉換至大致非晶態之轉換溫度，係低於此較高重置變化溫度部分之轉換溫度。 A phase change memory cell, the memory cell being a part of a phase change memory device, comprising: first and second electrodes; a phase change element electrically coupling the first and second electrodes; at least a section of the phase change element comprising a higher reset transition temperature portion and a lower reset transition temperature portion; and the lower reset transition temperature portion comprising a phase change region which can be transitioned, by the passage of electrical current therethrough, from generally crystalline to generally amorphous states at a lower temperature than the higher reset transition temperature portion. 【創作特點】本發明係描述一種適用於大尺寸積體電路之相變化隨機存取記憶裝置(PCRAM)。
根據本發明之一目的，其係提供一種相變化記憶細胞，此記憶細胞係為一相變化記憶裝置之一部分，此相變化記憶細胞包括：第一與第二電極；一相變化元件，與此第一與第二電極電氣耦合；此相變化元件之至少一部份包括一較高重置轉換溫度部分以及一較低重置轉換溫度部分；以及此較低重置轉換溫度部分包括一相變化區域，此相變化區域藉由通過電流以從大致結晶態轉換至大致非晶態之轉換溫度，係低於此較高重置變化溫度部分之轉換溫度。
根據本發明之另一目的其係提供一種用以製造一相變化記憶細胞之方法，此記憶細胞係為一相變化記憶裝置之一部分，此方法包括：電氣耦合第一與第二電極以及一相變化元件，此相變化元件包括相變化材料；以及此電氣耦合步驟提供一較高重置轉換溫度部分與一較低重置轉換溫度部分，此較低重置轉換溫度部分生成一相變化區域其可藉由通過一電流於此二電極間而在大致結晶態與大致非晶態之間轉換。
本發明所述之方法，係有關於在PCRAM之一記憶細胞中形成導橋或其他相變化裝置，此方法可被用以製造其他用途之微小導橋。具有非常微小相變化結構之奈米科技裝置，係使用相變化材料以外的材料所提供，包括金屬、介電質、有機材料、半導體等。
以下係詳細說明本發明之結構與方法。本發明內容說明章節目的並非在於定義本發明。本發明係由申請專利範圍所定義。舉凡本發明之實施例、特徵、目的及優點等將可透過下列說明申請專利範圍及所附圖式獲得充分瞭解。
简体摘要：本发明系有关于一种相变化记忆细胞，此记忆细胞系为一相变化记忆设备之一部分，此相变化记忆细胞包括：第一与第二电极；一相变化组件，与此第一与第二电极电气耦合；此相变化组件之至少一部份包括一较高重置转换温度部分以及一较低重置转换温度部分；以及此较低重置转换温度部分包括一相变化区域，此相变化区域借由通过电流以从大致结晶态转换至大致非晶态之转换温度，系低于此较高重置变化温度部分之转换温度。 A phase change memory cell, the memory cell being a part of a phase change memory device, comprising: first and second electrodes; a phase change element electrically coupling the first and second electrodes; at least a section of the phase change element comprising a higher reset transition temperature portion and a lower reset transition temperature portion; and the lower reset transition temperature portion comprising a phase change region which can be transitioned, by the passage of electrical current therethrough, from generally crystalline to generally amorphous states at a lower temperature than the higher reset transition temperature portion. 【创作特点】本发明系描述一种适用于大尺寸集成电路之相变化随机存取记忆设备(PCRAM)。根据本发明之一目的，其系提供一种相变化记忆细胞，此记忆细胞系为一相变化记忆设备之一部分，此相变化记忆细胞包括：第一与第二电极；一相变化组件，与此第一与第二电极电气耦合；此相变化组件之至少一部份包括一较高重置转换温度部分以及一较低重置转换温度部分；以及此较低重置转换温度部分包括一相变化区域，此相变化区域借由通过电流以从大致结晶态转换至大致非晶态之转换温度，系低于此较高重置变化温度部分之转换温度。根据本发明之另一目的其系提供一种用以制造一相变化记忆细胞之方法，此记忆细胞系为一相变化记忆设备之一部分，此方法包括：电气耦合第一与第二电极以及一相变化组件，此相变化组件包括相变化材料；以及此电气耦合步骤提供一较高重置转换温度部分与一较低重置转换温度部分，此较低重置转换温度部分生成一相变化区域其可借由通过一电流于此二电极间而在大致结晶态与大致非晶态之间转换。本发明所述之方法，系有关于在PCRAM之一记忆细胞中形成导桥或其他相变化设备，此方法可被用以制造其他用途之微小导桥。具有非常微小相变化结构之奈米科技设备，系使用相变化材料以外的材料所提供，包括金属、介电质、有机材料、半导体等。以下系详细说明本发明之结构与方法。本发明内容说明章节目的并非在于定义本发明。本发明系由申请专利范围所定义。举凡本发明之实施例、特征、目的及优点等将可透过下列说明申请专利范围及所附图式获得充分了解。

50. 发明专利

TW480483B 非揮發性鐵電電容記憶體及其感測方法有权
简体标题：非挥发性铁电电容内存及其传感方法
公开(公告)号：TW480483B
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：TW089122380
申请日：2000-10-24
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：郭東政 , 龍翔瀾 , 陳旭順
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/22
摘要：本發明揭露一非揮發性鐵電電容記憶體陣列電路，包含多條字元線，多條位元線，多個接地之感測鐵電電容，多個輸出電晶體，多個記憶胞，每一個記憶胞包括一個空乏式金氧半場效電晶體和一個鐵電電容，每一個記憶胞內鐵電電容之一端連接到字元線，記憶胞內之空乏式金氧半場效電晶體位在鐵電電容與位元線間，以串接之方式連接鐵電電容之另一端與位元線，並透過位元線與感測電容相接，同時字元線連接該空乏式金氧半場效電晶體閘極。
简体摘要：本发明揭露一非挥发性铁电电容内存数组电路，包含多条字符线，多条比特线，多个接地之传感铁电电容，多个输出晶体管，多个记忆胞，每一个记忆胞包括一个空乏式金氧半场效应管和一个铁电电容，每一个记忆胞内铁电电容之一端连接到字符线，记忆胞内之空乏式金氧半场效应管位在铁电电容与比特线间，以串接之方式连接铁电电容之另一端与比特线，并透过比特线与传感电容相接，同时字符线连接该空乏式金氧半场效应管闸极。

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