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41. 发明专利

TWI286798B 於多晶矽存在下蝕刻介電材料之方法 METHOD OF ETCHING A DIELECTRIC MATERIAL IN THE PRESENCE OF POLYSILICON 失效
简体标题：于多晶硅存在下蚀刻介电材料之方法 METHOD OF ETCHING A DIELECTRIC MATERIAL IN THE PRESENCE OF POLYSILICON
公开(公告)号：TWI286798B
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：TW092103460
申请日：2003-02-19
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：華吉 HUA JI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/28123 , H01L21/31111 , H01L21/76237 , H01L21/823878
摘要：本案係提供一種於多晶矽存在下蝕刻介電材料之方法，其係有利於以介電材料對多晶矽之高蝕刻選擇比(selectivity)蝕刻高積集多晶矽元件間之介電材料，以使其於極少的多晶矽損失下暴露出多晶矽，且可免於光阻層剝離。包含介面活性劑以及重量百分濃度大約為0％~10％的氟化胺之濕蝕刻溶液可用以濕蝕刻介電材料，以及降低多晶矽損失厚度、多晶矽薄膜電阻比率，與多晶矽蝕刻速率，而增加介電材料對多晶矽蝕刻選擇比。進一步地，本案更可滲透入高積集度元件之漸增地微小幾何結構裡，且可應用於一般與光阻結合之介電材料濕蝕刻製程。
简体摘要：本案系提供一种于多晶硅存在下蚀刻介电材料之方法，其系有利于以介电材料对多晶硅之高蚀刻选择比(selectivity)蚀刻高积集多晶硅组件间之介电材料，以使其于极少的多晶硅损失下暴露出多晶硅，且可免于光阻层剥离。包含界面活性剂以及重量百分浓度大约为0％~10％的氟化胺之湿蚀刻溶液可用以湿蚀刻介电材料，以及降低多晶硅损失厚度、多晶硅薄膜电阻比率，与多晶硅蚀刻速率，而增加介电材料对多晶硅蚀刻选择比。进一步地，本案更可渗透入高积集度组件之渐增地微小几何结构里，且可应用于一般与光阻结合之介电材料湿蚀刻制程。

42. 发明专利

TWI281215B 具不同不透明圖案之多重微影曝光 MULTIPLE PHOTOLITHOGRAPHIC EXPOSURES WITH DIFFERENT NON-CLEAR PATTERNS 失效
简体标题：具不同不透明图案之多重微影曝光 MULTIPLE PHOTOLITHOGRAPHIC EXPOSURES WITH DIFFERENT NON-CLEAR PATTERNS
公开(公告)号：TWI281215B
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：TW091124408
申请日：2002-10-22
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：約翰高斯 JOHN CAUCHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/203 , G03F7/70441 , G03F7/70466
摘要：一光阻層被曝光兩次或更多次。一次曝光是透過一普通之光罩所引導，而一次曝光則是透過一個修飾過之光罩所引導，其中該修飾過之光罩具有一延伸而超過該普通光罩之不透明區域凸出界線之不透明區域。透過該修飾過之光罩之曝光，可降低用於該普通光罩之曝光劑量，而因此減輕在該普通光罩中，不透明圖案靠近凸出區域之光阻過度曝光問題。
简体摘要：一光阻层被曝光两次或更多次。一次曝光是透过一普通之光罩所引导，而一次曝光则是透过一个修饰过之光罩所引导，其中该修饰过之光罩具有一延伸而超过该普通光罩之不透明区域凸出界线之不透明区域。透过该修饰过之光罩之曝光，可降低用于该普通光罩之曝光剂量，而因此减轻在该普通光罩中，不透明图案靠近凸出区域之光阻过度曝光问题。

43. 发明专利

TWI280609B 夾環定位機構 FASTENING MECHANISM OF CLAMP RING 失效
简体标题：夹环定位机构 FASTENING MECHANISM OF CLAMP RING
公开(公告)号：TWI280609B
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW094118073
申请日：2005-06-01
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：袁天民 YUAN, TIEN MIN , 江文鵬 CHIANG, WEN PENG , 楊昇航 YANG, SHENG HANG
IPC分类号： H01L
摘要：本案係為一種夾環定位機構，適用於一半導體製程反應室，該夾環定位機構包含：一夾環，其上具有一鎖固孔；一第一墊圈，係位於該夾環下方，其中央具有對應於該鎖固孔之一第一穿孔；一第二墊圈，係位於該夾環上方，其中央具有對應於該鎖固孔之一第二穿孔，該第二墊圈具有大體上呈碟片狀之第一端、由該第一端向下漸縮的第二端及介於該第一端與該第二端之間之墊圈本體，其中該墊圈本體之部分外緣恰與該鎖固孔的內緣接觸；以及一柱塞，係具有一貫穿部，依序穿過該第二墊圈的第二穿孔及該第一墊圈的第一穿孔，俾將該夾環鎖固於該第一墊圈與該第二墊圈之間。
简体摘要：本案系为一种夹环定位机构，适用于一半导体制程反应室，该夹环定位机构包含：一夹环，其上具有一锁固孔；一第一垫圈，系位于该夹环下方，其中央具有对应于该锁固孔之一第一穿孔；一第二垫圈，系位于该夹环上方，其中央具有对应于该锁固孔之一第二穿孔，该第二垫圈具有大体上呈盘片状之第一端、由该第一端向下渐缩的第二端及介于该第一端与该第二端之间之垫圈本体，其中该垫圈本体之部分外缘恰与该锁固孔的内缘接触；以及一柱塞，系具有一贯穿部，依序穿过该第二垫圈的第二穿孔及该第一垫圈的第一穿孔，俾将该夹环锁固于该第一垫圈与该第二垫圈之间。

44. 发明专利

TWI269409B 非揮發性積體記憶體元件內之內多晶矽氧化物(INTERPOLY OXIDES)的原子層沈積作用失效
简体标题：非挥发性积体内存组件内之内多晶硅氧化物(INTERPOLY OXIDES)的原子层沉积作用
公开(公告)号：TWI269409B
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：TW092103342
申请日：2003-02-18
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：章昌台 CHUCK JANG , 董忠 ZHONG DONG , 詹維瀚 VEI-HAN CHAN , 陳慶華 CHING-HWA CHEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02307 , H01L21/28211 , H01L21/28273 , H01L21/3162 , H01L21/31683 , H01L29/511
摘要：藉由原子層沈積作用來沈積氧化鋁以形成一高介電常數介電膜，作為一非揮發性記憶元件之該內多晶矽介電層。所增加之電容耦合可容許在浮置閘和控制閘之間使用一較厚的氧化物層，使得根據本發明所製作之該等記憶胞的品質可信度改進和使用壽命增長。
简体摘要：借由原子层沉积作用来沉积氧化铝以形成一高介电常数介电膜，作为一非挥发性记忆组件之该内多晶硅介电层。所增加之电容耦合可容许在浮置闸和控制闸之间使用一较厚的氧化物层，使得根据本发明所制作之该等记忆胞的品质可信度改进和使用寿命增长。

45. 发明专利

TW200644147A 晶圓推升裝置及其控制電路 WAFER LIFTING APPARATUS AND CONTROL CIRCUIT THEREFOR 审中-公开
简体标题：晶圆推升设备及其控制电路 WAFER LIFTING APPARATUS AND CONTROL CIRCUIT THEREFOR
公开(公告)号：TW200644147A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW094118419
申请日：2005-06-03
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：江文鵬 CHIANG, WEN PENG , 袁天民 YUAN, TIEN MIN
IPC分类号： H01L
摘要：本案係為一種晶圓推升裝置，其係適用於蝕刻機台，用以將晶圓推升或下降至預定位置，晶圓推升裝置係包含：滾珠軸承結構；複數個感測器，用以偵測滾珠軸承結構是否到達預定位置，並於偵測結果為是時產生感測信號；控制電路系統，其係與複數個感測器連接，用以接收複數個感測器所提供之感測信號以及蝕刻機台之程式所提供之觸發信號，並因應感測信號及觸發信號產生驅動信號；以及馬達，其係與滾珠軸承結構及控制電路系統連接，用以接收控制電路系統所輸入之驅動信號，並因應驅動信號之觸發而驅動滾珠軸承結構將晶圓推升或下降至預定位置。
简体摘要：本案系为一种晶圆推升设备，其系适用于蚀刻机台，用以将晶圆推升或下降至预定位置，晶圆推升设备系包含：滚珠轴承结构；复数个传感器，用以侦测滚珠轴承结构是否到达预定位置，并于侦测结果为是时产生传感信号；控制电路系统，其系与复数个传感器连接，用以接收复数个传感器所提供之传感信号以及蚀刻机台之进程所提供之触发信号，并因应传感信号及触发信号产生驱动信号；以及马达，其系与滚珠轴承结构及控制电路系统连接，用以接收控制电路系统所输入之驱动信号，并因应驱动信号之触发而驱动滚珠轴承结构将晶圆推升或下降至预定位置。

46. 发明专利

TW200644057A 深渠式超介面元件之硬遮罩結構 HARD MASK STRUCTURE FOR DEEP TRENCH SUPER-JUNCTION DEVICE 审中-公开
简体标题：深渠式超界面组件之硬遮罩结构 HARD MASK STRUCTURE FOR DEEP TRENCH SUPER-JUNCTION DEVICE
公开(公告)号：TW200644057A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW094118076
申请日：2005-06-01
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：謝興煌 HSIEH, HSING HUANG , 張建平 CHANG, CHIEN PING , 曾茂松 TSENG, MAO SONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66712 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L29/0634
摘要：本案為一種硬遮罩結構，應用於製造一超介面元件之深渠，其中該超介面元件包括一基板以及形成於該基板上之一磊晶層。該硬遮罩結構包含：一離子阻隔層，形成於該磊晶層上，以用於阻隔離子擴散至該磊晶層內；以及一沈積氧化層，形成於該離子阻隔層上，且與該離子阻隔層形成該硬遮罩結構，俾使該磊晶層透過該硬遮罩結構進行一蝕刻製程，以得到該超介面元件之深渠。本案之硬遮罩結構可以有效地防止離子擴散至磊晶層內，以避免元件電性異常。
简体摘要：本案为一种硬遮罩结构，应用于制造一超界面组件之深渠，其中该超界面组件包括一基板以及形成于该基板上之一磊晶层。该硬遮罩结构包含：一离子阻隔层，形成于该磊晶层上，以用于阻隔离子扩散至该磊晶层内；以及一沉积氧化层，形成于该离子阻隔层上，且与该离子阻隔层形成该硬遮罩结构，俾使该磊晶层透过该硬遮罩结构进行一蚀刻制程，以得到该超界面组件之深渠。本案之硬遮罩结构可以有效地防止离子扩散至磊晶层内，以避免组件电性异常。

47. 发明专利

TWI266152B 遮罩及其使用方法 MASK AND METHOD OF USING THE SAME 失效
公开(公告)号：TWI266152B
公开(公告)日：2006-11-11
申请号：TW092137531
申请日：2003-12-30
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：鄧志達 TENG, CHIH TA , 劉興村 LIU, SHIN TSUN
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70433 , G03F1/50
摘要：本案係為一種遮罩（mask），其係應用於微小化一結構性元件（structural device）之製程中。該遮罩包含形成該結構性元件之各層之複數個佈局圖案區域，且至少一層佈局圖案區域係依有規則的方式而配置在該光罩上。本案另包含一種曝光方法，其至少包括下列步驟：提供一光罩，該光罩包含形成一結構性元件之各層之複數個佈局圖案區域，且至少一層佈局圖案區域係依有規則的方式而配置在該光罩上；選擇其中一個佈局圖案區域，並遮蔽其他佈局圖案區域；以及使該光罩與一基底對準，並進行曝光以將該佈局圖案區域上的圖案轉移至該基底。
简体摘要：本案系为一种遮罩（mask），其系应用于微小化一结构性组件（structural device）之制程中。该遮罩包含形成该结构性组件之各层之复数个布局图案区域，且至少一层布局图案区域系依有守则的方式而配置在该光罩上。本案另包含一种曝光方法，其至少包括下列步骤：提供一光罩，该光罩包含形成一结构性组件之各层之复数个布局图案区域，且至少一层布局图案区域系依有守则的方式而配置在该光罩上；选择其中一个布局图案区域，并屏蔽其他布局图案区域；以及使该光罩与一基底对准，并进行曝光以将该布局图案区域上的图案转移至该基底。

48. 发明专利

TWI251310B 用於包含基板隔離區域上介電質側壁側向凹陷之非揮發性記憶體的製造方法 NONVOLATILE MEMORY FABRICATION METHODS COMPRISING LATERAL RECESSING OF DIELECTRIC SIDEWALLS AT SUBSTRATE ISOLATION REGIONS 有权
简体标题：用于包含基板隔离区域上介电质侧壁侧向凹陷之非挥发性内存的制造方法 NONVOLATILE MEMORY FABRICATION METHODS COMPRISING LATERAL RECESSING OF DIELECTRIC SIDEWALLS AT SUBSTRATE ISOLATION REGIONS
公开(公告)号：TWI251310B
公开(公告)日：2006-03-11
申请号：TW093121642
申请日：2004-07-20
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：丁逸 DING YI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42324 , H01L29/42328
摘要：一非揮發性記憶體單元之一浮接閘係自兩傳導層(410.1、410.2)形成。基板隔離區域內一介電質(210)及用以提供該浮接閘(410.1)之該兩傳導層中第一傳導層係形成，如此該介電質具有一裸露側壁。至少該側壁之頂部係裸露。然後，由該介電質側壁的裸露區域移除部分的介電質以便側向地凹陷該側壁。然後，用於該浮接閘之該第二傳導層(410.2)係形成。該介電質之該凹陷側壁可以讓第二傳導層側向延伸，因此增加該浮接閘和控制閘間電容耦合，以及改善閘耦合比。
简体摘要：一非挥发性内存单元之一浮接闸系自两传导层(410.1、410.2)形成。基板隔离区域内一介电质(210)及用以提供该浮接闸(410.1)之该两传导层中第一传导层系形成，如此该介电质具有一裸露侧壁。至少该侧壁之顶部系裸露。然后，由该介电质侧壁的裸露区域移除部分的介电质以便侧向地凹陷该侧壁。然后，用于该浮接闸之该第二传导层(410.2)系形成。该介电质之该凹陷侧壁可以让第二传导层侧向延伸，因此增加该浮接闸和控制闸间电容耦合，以及改善闸耦合比。

49. 发明专利

TW200539234A 回收晶圓之方法和該晶圓及其製法失效
简体标题：回收晶圆之方法和该晶圆及其制法
公开(公告)号：TW200539234A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW093114570
申请日：2004-05-21
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：林俊德 LIN, CHUN-TE , 陳達德 CHEN, TA-TE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23F1/16 , C23F1/20 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要：本案提供一種回收晶圓之方法和該晶圓及其製法，本案的晶圓係用於促進沉積製程品質，並且是為了減少回收晶圓的步驟和所使用的化學品種類而設計的晶圓。
简体摘要：本案提供一种回收晶圆之方法和该晶圆及其制法，本案的晶圆系用于促进沉积制程品质，并且是为了减少回收晶圆的步骤和所使用的化学品种类而设计的晶圆。

50. 发明专利

TW200537593A 一種光罩、其上之佈局結構及形成之方法 A MASK, LAYOUT THEREON AND METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：一种光罩、其上之布局结构及形成之方法 A MASK, LAYOUT THEREON AND METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200537593A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW093112975
申请日：2004-05-07
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：劉興村 LIU, SHIN TSUN , 林正堂 LIN, CHEN TANG , 彭克偉 PENG, KURO WEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F1/36
摘要：本案係為一種光罩、其上之佈局結構及形成之方法。本案應用於離子植入製程前，以定義一光阻層之圖案，本案顯然的進步包括避免因離子植入製程所造成之光阻層倒塌。本案於功率元件的技術領域中具有突出的技術特徵。
简体摘要：本案系为一种光罩、其上之布局结构及形成之方法。本案应用于离子植入制程前，以定义一光阻层之图案，本案显然的进步包括避免因离子植入制程所造成之光阻层倒塌。本案于功率组件的技术领域中具有突出的技术特征。

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