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31. 发明专利

TWI310222B 半導體晶圓之研磨方法有权
简体标题：半导体晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TWI310222B
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：TW095115591
申请日：2006-05-02
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：神田貴裕 , 三好康介 , 緖方和郎
IPC分类号： H01L
摘要：【課題】藉由不使矽晶圓的研磨作業途中中斷,而除去殘存於研磨布上的矽屑,可使晶圓之生產效率不會降低,在除去晶圓表面的刮傷、缺陷之同時,改善晶圓表面粗度。
【解決手段】在粗研磨製程與最終研磨製程之間,從儲存槽一邊將加工液供給於矽晶圓與研磨布之間,一邊將矽晶圓壓在研磨布側,實施研磨矽晶圓表面之化學研磨製程。實施本發明時,係並行水研磨製程,或是在水研磨製程中以加工液取代潤濕液來供給,來進行化學的研磨製程也可。又,在實施本發明時,藉由將供給於矽晶圓與研磨布之間的液體,從研磨懸浮液切換成加工液,來從粗研磨製程移往化學研磨製程也可。
简体摘要：【课题】借由不使硅晶圆的研磨作业途中中断,而除去残存于研磨布上的硅屑,可使晶圆之生产效率不会降低,在除去晶圆表面的刮伤、缺陷之同时,改善晶圆表面粗度。【解决手段】在粗研磨制程与最终研磨制程之间,从存储槽一边将加工液供给于硅晶圆与研磨布之间,一边将硅晶圆压在研磨布侧,实施研磨硅晶圆表面之化学研磨制程。实施本发明时,系并行水研磨制程,或是在水研磨制程中以加工液取代润湿液来供给,来进行化学的研磨制程也可。又,在实施本发明时,借由将供给于硅晶圆与研磨布之间的液体,从研磨悬浮液切换成加工液,来从粗研磨制程移往化学研磨制程也可。

32. 发明专利

TW200918653A 研磨用研磨漿之再生方法审中-公开
简体标题：研磨用研磨浆之再生方法
公开(公告)号：TW200918653A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097124207
申请日：2008-06-27
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：小佐佐和明 , 後藤勇
IPC分类号： C09K , B24B , H01L
CPC分类号： B24B57/00 , B24B37/0056
摘要： [課題]本發明所提供的研磨用研磨漿之再生方法,係可將在半導體晶圓的研磨步驟(特別係精整研磨步驟)中所使用之使用過研磨漿進行再生,將可大幅減少研磨漿使用量,俾降低半導體晶圓製造成本。[解決手段]本發明的研磨用研磨漿之再生方法,係由含膠態二氧化矽構成,將在半導體晶圓研磨步驟中所使用過的使用過研磨漿施行再生之研磨用研磨漿之再生方法,特徵在於將實施:在所回收的使用過研磨漿中添加分散劑,並抑制該使用過研磨漿膠化的步驟S7;對經添加分散劑的使用過研磨漿施行超音波照射,使膠化研磨漿及凝聚二氧化矽分散的步驟S8;以及將經超音波照射後的使用過研磨漿中之異物,利用過濾器去除的步驟S9。
简体摘要： [课题]本发明所提供的研磨用研磨浆之再生方法,系可将在半导体晶圆的研磨步骤(特别系精整研磨步骤)中所使用之使用过研磨浆进行再生,将可大幅减少研磨浆使用量,俾降低半导体晶圆制造成本。[解决手段]本发明的研磨用研磨浆之再生方法,系由含胶态二氧化硅构成,将在半导体晶圆研磨步骤中所使用过的使用过研磨浆施行再生之研磨用研磨浆之再生方法,特征在于将实施:在所回收的使用过研磨浆中添加分散剂,并抑制该使用过研磨浆胶化的步骤S7;对经添加分散剂的使用过研磨浆施行超音波照射,使胶化研磨浆及凝聚二氧化硅分散的步骤S8;以及将经超音波照射后的使用过研磨浆中之异物,利用过滤器去除的步骤S9。

33. 发明专利

TW200907126A 磊晶矽晶圓之製造方法與基板洗淨裝置审中-公开
简体标题：磊晶硅晶圆之制造方法与基板洗净设备
公开(公告)号：TW200907126A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097116620
申请日：2008-05-06
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：小佐佐和明 , 三好康介
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B33/12 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02049 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02658
摘要：【課題】提供可使去疵能力提高,且即使在基板表面上形成磊晶層也可防止層積缺陷產生之磊晶矽晶圓之製造方法。【解決手段】在藉由CZ法(捷克拉斯基法)來製造,摻雜氮後拉起之矽單晶切出而得到的基板上,形成磊晶層之磊晶矽晶圓之製造方法,係包括:在基板表面上以基板洗淨裝置1之曝氣槽11來噴射汽化的氟酸,來將該基板W表面洗淨之氟酸洗淨製程;以及在洗淨後之基板W的表面上形成磊晶層之磊晶層形成製程。
简体摘要：【课题】提供可使去疵能力提高,且即使在基板表面上形成磊晶层也可防止层积缺陷产生之磊晶硅晶圆之制造方法。【解决手段】在借由CZ法(捷克拉布斯基法)来制造,掺杂氮后拉起之硅单晶切出而得到的基板上,形成磊晶层之磊晶硅晶圆之制造方法,系包括:在基板表面上以基板洗净设备1之曝气槽11来喷射汽化的氟酸,来将该基板W表面洗净之氟酸洗净制程;以及在洗净后之基板W的表面上形成磊晶层之磊晶层形成制程。

34. 发明专利

TWI305806B 矽晶圓之製造方法有权
简体标题：硅晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI305806B
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW092125576
申请日：2003-09-17
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：前田進 , 稻垣宏 , 川島茂樹 , 黑昇榮 , 中村浩三 NAKAMURA, KOZO
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203
摘要： [課題]
藉由明確無磊晶缺陷區域��2的下限LN1,能夠以良好的成品率製造無磊晶缺陷的高品質磊晶矽晶圓。在包括磊晶缺陷區域��1的製造條件區域,以良好的成品率製造無磊晶缺陷的高品質磊晶矽晶圓。且即使用極薄膜形成磊晶成長層,也可以在無磊晶缺陷區域��1內,以良好的成品率製造無磊晶缺陷的高品質磊晶矽晶圓。
[解決手段]
當矽結晶中的硼濃度為1x1018atoms/cm3以上,控制矽結晶中的硼濃度與成長條件V/G,使之進入隨著硼濃度的升高,成長速度V慢慢下降之底線為下限(LN1)之無磊晶缺陷區域��2內,這樣來製造矽結晶。且在至少包括磊晶缺陷區域��1的製造條件區域,藉由控制矽結晶中的硼濃度與成長條件V/G,同時控制矽結晶的熱處理條件與矽結晶中的氧濃度,使OSF核不會成長為OSF缺陷,這樣來製造矽結晶。控制矽結晶中的硼濃度與成長條件V/G,使製造條件區域設定在無磊晶缺陷區域��1內的下限底線LN3近旁,來製造矽結晶。
简体摘要： [课题] 借由明确无磊晶缺陷区域��2的下限LN1,能够以良好的成品率制造无磊晶缺陷的高品质磊晶硅晶圆。在包括磊晶缺陷区域��1的制造条件区域,以良好的成品率制造无磊晶缺陷的高品质磊晶硅晶圆。且即使用极薄膜形成磊晶成长层,也可以在无磊晶缺陷区域��1内,以良好的成品率制造无磊晶缺陷的高品质磊晶硅晶圆。 [解决手段] 当硅结晶中的硼浓度为1x1018atoms/cm3以上,控制硅结晶中的硼浓度与成长条件V/G,使之进入随着硼浓度的升高,成长速度V慢慢下降之底线为下限(LN1)之无磊晶缺陷区域��2内,这样来制造硅结晶。且在至少包括磊晶缺陷区域��1的制造条件区域,借由控制硅结晶中的硼浓度与成长条件V/G,同时控制硅结晶的热处理条件与硅结晶中的氧浓度,使OSF核不会成长为OSF缺陷,这样来制造硅结晶。控制硅结晶中的硼浓度与成长条件V/G,使制造条件区域设置在无磊晶缺陷区域��1内的下限底线LN3近旁,来制造硅结晶。

35. 发明专利

TW200902774A 矽單結晶之製造方法审中-公开
简体标题：硅单结晶之制造方法
公开(公告)号：TW200902774A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW096125594
申请日：2007-07-13
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：琴岡敏朗 KOTOOKA TOSHIROU , 橫山隆 YOKOYAMA TAKASHI , 酒谷和幸 SAKATANI KAZUYOSHI , 最勝寺俊昭 SAISHOJI TOSHIAKI , 下村庫一 SHIMOMURA, KOICHI , 末若良太
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
摘要： [課題]提供一種穩定製造結晶缺陷較少之矽單結晶之方法、以及用以決定該穩定條件之方法。[解決手段]藉由CZ法將矽單結晶11上拉而進行製造的方法係當進行該上拉時,藉由以包圍矽單結晶11的方式所配置的冷卻器24、以包圍該冷卻器24之外側及下側的方式所配置的熱遮蔽體24,進行將矽單結晶11予以冷卻的冷卻步驟,且藉由事先調整自設在冷卻器24下側之熱遮蔽體23的下面至矽熔液13表面為止的距離(下稱為Ms),進行決定獲得結晶缺陷較少之矽單結晶11之上拉速度容許範圍的Ms調整步驟,而以該所決定之容許範圍內之上拉速度進行前述上拉。
简体摘要： [课题]提供一种稳定制造结晶缺陷较少之硅单结晶之方法、以及用以决定该稳定条件之方法。[解决手段]借由CZ法将硅单结晶11上拉而进行制造的方法系当进行该上拉时,借由以包围硅单结晶11的方式所配置的冷却器24、以包围该冷却器24之外侧及下侧的方式所配置的热屏蔽体24,进行将硅单结晶11予以冷却的冷却步骤,且借由事先调整自设在冷却器24下侧之热屏蔽体23的下面至硅熔液13表面为止的距离(下称为Ms),进行决定获得结晶缺陷较少之硅单结晶11之上拉速度容许范围的Ms调整步骤,而以该所决定之容许范围内之上拉速度进行前述上拉。

36. 发明专利

TW200846510A 半導體單結晶之製造方法审中-公开
简体标题：半导体单结晶之制造方法
公开(公告)号：TW200846510A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097103437
申请日：2008-01-30
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：下村庫一 , 琴岡敏朗 , 末若良太 , 最勝寺俊昭 , 橫山隆 , 酒谷和幸
IPC分类号： C30B
摘要：本發明的緣由是解決伴隨著結晶大口徑化所發生的問題,並可達成產能高、無結晶起因之微粒(crystal originated particle;COP)的半導體單結晶的拉晶成長。本發明的解決手段是以引入填隙型點缺陷優勢(I-rich)區的條件進行半導體單結晶10的拉晶成長之時,將冷卻器20配置於已從熔液5拉起的半導體單結晶10的周圍,並一面使用冷卻器20對半導體單結晶10進行冷卻、一面將磁場施加於熔液5,而以半導體單結晶10的拉晶速度V為0.4mm/min以上的條件,進行半導體單結晶10的拉晶。
简体摘要：本发明的缘由是解决伴随着结晶大口径化所发生的问题,并可达成产能高、无结晶起因之微粒(crystal originated particle;COP)的半导体单结晶的拉晶成长。本发明的解决手段是以引入填隙型点缺陷优势(I-rich)区的条件进行半导体单结晶10的拉晶成长之时,将冷却器20配置于已从熔液5拉起的半导体单结晶10的周围,并一面使用冷却器20对半导体单结晶10进行冷却、一面将磁场施加于熔液5,而以半导体单结晶10的拉晶速度V为0.4mm/min以上的条件,进行半导体单结晶10的拉晶。

37. 发明专利

TWI298180B 半導體晶圓之蝕刻裝置(二) 失效
简体标题：半导体晶圆之蚀刻设备(二)
公开(公告)号：TWI298180B
公开(公告)日：2008-06-21
申请号：TW094123522
申请日：2005-07-12
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：宮崎正光 , 平山和也 , 福永壽也
IPC分类号： H01L
摘要：提供一種半導體晶圓之蝕刻裝置,在蝕刻半導體晶圓時,調整因半導體晶圓而發生之轉動流,而且抑制在半導體晶圓之外周附近之三次元擾流之發生,可令提高也包含半導體晶圓之外周部之平坦度。
在蝕刻裝置1之構造上,包括蝕刻槽2;及晶圓匣10,對於蝕刻槽2出入,收藏複數片半導體晶圓;在令在晶圓匣10之內部所收藏之半導體晶圓W轉動而進行蝕刻時,在本晶圓匣10內配設整流構件5,使得位於半導體晶圓W之前後或大致正下。因而,抑制在晶圓匣10內部轉動之半導體晶圓W之間發生之三次元擾流,可使得半導體晶圓W之外周部之平坦度變成良好。
简体摘要：提供一种半导体晶圆之蚀刻设备,在蚀刻半导体晶圆时,调整因半导体晶圆而发生之转动流,而且抑制在半导体晶圆之外周附近之三次元扰流之发生,可令提高也包含半导体晶圆之外周部之平坦度。在蚀刻设备1之构造上,包括蚀刻槽2;及晶圆匣10,对于蚀刻槽2出入,收藏复数片半导体晶圆;在令在晶圆匣10之内部所收藏之半导体晶圆W转动而进行蚀刻时,在本晶圆匣10内配设整流构件5,使得位于半导体晶圆W之前后或大致正下。因而,抑制在晶圆匣10内部转动之半导体晶圆W之间发生之三次元扰流,可使得半导体晶圆W之外周部之平坦度变成良好。

38. 发明专利

TW200818329A 矽晶圓之熱處理方法审中-公开
简体标题：硅晶圆之热处理方法
公开(公告)号：TW200818329A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096130836
申请日：2007-08-21
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：中村浩三 NAKAMURA, KOZO , 志村誠一 SHIMURA, SEIICHI , 中島朋子 NAKAJIMA, TOMOKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/3225 , H01L21/67115
摘要：本發明提供一種矽晶圓之熱處理方法,其係於矽晶圓的RTP處理,抑制滑移位錯之熱處理方法,為防止至少在矽晶圓與急速加熱裝置之支持部接觸之部位及矽晶圓之最外周部之任一部位,在於急速加熱過程產生滑移位錯,於超過700℃未滿950℃之範圍之溫度範圍,設停止升溫10秒以上之步驟。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆之热处理方法,其系于硅晶圆的RTP处理,抑制滑移位错之热处理方法,为防止至少在硅晶圆与急速加热设备之支持部接触之部位及硅晶圆之最外周部之任一部位,在于急速加热过程产生滑移位错,于超过700℃未满950℃之范围之温度范围,设停止升温10秒以上之步骤。

39. 发明专利

TWI294924B 單結晶半導體之製造方法以及單結晶半導體之製造裝置有权
简体标题：单结晶半导体之制造方法以及单结晶半导体之制造设备
公开(公告)号：TWI294924B
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：TW092118822
申请日：2003-07-10
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：前田進 , 稻垣宏 , 川島茂樹 , 黑昇榮 , 中村浩三 KOZO NAKAMURA
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B15/22 , C30B15/36 , Y10S117/90 , Y10T117/1004
摘要：【課題】對於既存的裝置不需要作很大的改變，不會影響單結晶半導體的氧氣濃度、融液的溫度，不需要過度提高種結晶的溫度，這樣來拉引大口徑、大重量的單結晶半導體。【解決手段】預先設定容許溫度差△T與種結晶14的直徑D之間的關係L1、L2、L3，使接觸的種結晶14與融液5之溫度差為種結晶14中未導入轉位的容許溫度差△T。根據關係L1、L2、L3，來求得與所要接觸的種結晶14的直徑D相對應的容許溫度差△T。且，種結晶14與融液5接觸時，調整溫度，使種結晶14與融液5之溫度差在所求得的容許溫度差△T以下。
简体摘要：【课题】对于既存的设备不需要作很大的改变，不会影响单结晶半导体的氧气浓度、融液的温度，不需要过度提高种结晶的温度，这样来拉引大口径、大重量的单结晶半导体。【解决手段】预先设置容许温度差△T与种结晶14的直径D之间的关系L1、L2、L3，使接触的种结晶14与融液5之温度差为种结晶14中未导入转位的容许温度差△T。根据关系L1、L2、L3，来求得与所要接触的种结晶14的直径D相对应的容许温度差△T。且，种结晶14与融液5接触时，调整温度，使种结晶14与融液5之温度差在所求得的容许温度差△T以下。

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