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1. 发明专利

TWI298180B 半導體晶圓之蝕刻裝置(二) 失效
简体标题：半导体晶圆之蚀刻设备(二)
公开(公告)号：TWI298180B
公开(公告)日：2008-06-21
申请号：TW094123522
申请日：2005-07-12
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：宮崎正光 , 平山和也 , 福永壽也
IPC分类号： H01L
摘要：提供一種半導體晶圓之蝕刻裝置,在蝕刻半導體晶圓時,調整因半導體晶圓而發生之轉動流,而且抑制在半導體晶圓之外周附近之三次元擾流之發生,可令提高也包含半導體晶圓之外周部之平坦度。
在蝕刻裝置1之構造上,包括蝕刻槽2;及晶圓匣10,對於蝕刻槽2出入,收藏複數片半導體晶圓;在令在晶圓匣10之內部所收藏之半導體晶圓W轉動而進行蝕刻時,在本晶圓匣10內配設整流構件5,使得位於半導體晶圓W之前後或大致正下。因而,抑制在晶圓匣10內部轉動之半導體晶圓W之間發生之三次元擾流,可使得半導體晶圓W之外周部之平坦度變成良好。
简体摘要：提供一种半导体晶圆之蚀刻设备,在蚀刻半导体晶圆时,调整因半导体晶圆而发生之转动流,而且抑制在半导体晶圆之外周附近之三次元扰流之发生,可令提高也包含半导体晶圆之外周部之平坦度。在蚀刻设备1之构造上,包括蚀刻槽2;及晶圆匣10,对于蚀刻槽2出入,收藏复数片半导体晶圆;在令在晶圆匣10之内部所收藏之半导体晶圆W转动而进行蚀刻时,在本晶圆匣10内配设整流构件5,使得位于半导体晶圆W之前后或大致正下。因而,抑制在晶圆匣10内部转动之半导体晶圆W之间发生之三次元扰流,可使得半导体晶圆W之外周部之平坦度变成良好。

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