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    • 38. 发明专利
    • 矽之蝕刻方法
    • 硅之蚀刻方法
    • TWI374494B
    • 2012-10-11
    • TW097138332
    • 2008-10-03
    • 積水化學工業股份有限公司
    • 石井徹哉中島節男大塚智弘功刀俊介佐藤崇
    • H01L
    • H01L21/3065
    • 本發明之課題在於提高矽之蝕刻速率。於氟系原料之CF4與Ar之混合氣體中添加露點達到10℃~40℃之量的水,於大氣壓下進行電漿化。將電漿化後之氣體與來自臭氧發生器13的含臭氧之氣體進行混合,獲得反應氣體。反應氣體包含1vol%以上之臭氧、COF2等非自由基之氟系中間物質、0.4vol%以上之HF等氟系反應物質,且氟原子數(F)與氫原子數(H)之比為(F)/(H)>1.8。將該反應氣體吹附至溫度為10℃~50℃之矽膜91(被處理物)上。
    • 本发明之课题在于提高硅之蚀刻速率。于氟系原料之CF4与Ar之混合气体中添加露点达到10℃~40℃之量的水,于大气压下进行等离子化。将等离子化后之气体与来自臭氧发生器13的含臭氧之气体进行混合,获得反应气体。反应气体包含1vol%以上之臭氧、COF2等非自由基之氟系中间物质、0.4vol%以上之HF等氟系反应物质,且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.8。将该反应气体吹附至温度为10℃~50℃之硅膜91(被处理物)上。