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31. 发明专利

TW201724550A 電氣模組之製造方法及電氣模組之製造裝置审中-公开
简体标题：电气模块之制造方法及电气模块之制造设备
公开(公告)号：TW201724550A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105130101
申请日：2016-09-14
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：鈴木壮一郎 , SUZUKI, SOICHIRO , 功刀俊介 , KUNUGI, SHUNSUKE
IPC分类号： H01L31/18 , B23K20/10 , H01L31/042
CPC分类号： H01G9/20 , Y02E10/50
摘要：本發明之電氣模組之製造方法之熔接步驟係自具備第1電極及第2電極且具有形成於該等2個電極之間之空間的電氣模組前驅體中之、形成有透明導電膜之第一基板之背面及形成有對向導電膜之第二基板之背面之至少一者賦予超音波振動，並使位於被賦予該超音波振動之部位之第一基板及第二基板的相互對向之板面抵接，而將該等第一基板及第二基板熔接，藉此將電氣模組前驅體熔接，於該熔接步驟中，利用冶具按壓賦予超音波振動之部分之附近。
简体摘要：本发明之电气模块之制造方法之熔接步骤系自具备第1电极及第2电极且具有形成于该等2个电极之间之空间的电气模块前驱体中之、形成有透明导电膜之第一基板之背面及形成有对向导电膜之第二基板之背面之至少一者赋予超音波振动，并使位于被赋予该超音波振动之部位之第一基板及第二基板的相互对向之板面抵接，而将该等第一基板及第二基板熔接，借此将电气模块前驱体熔接，于该熔接步骤中，利用冶具按压赋予超音波振动之部分之附近。

32. 发明专利

TW201703304A 半導體膜之製造方法、及染料敏化太陽電池审中-公开
简体标题：半导体膜之制造方法、及染料敏化太阳电池
公开(公告)号：TW201703304A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105105616
申请日：2016-02-25
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：功刀俊介 , KUNUGI, SHUNSUKE , 片桐友章 , KATAGIRI, TOMOAKI , 藤沼尙洋 , FUJINUMA, NAOHIRO
IPC分类号： H01L51/48 , H01L51/42 , C23C24/04 , B05D7/24
CPC分类号： B05D1/10 , B05D7/24 , C01G23/04 , C23C24/04 , H01G9/20 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： [1]一種半導體膜之製造方法，其於獲得使平均粒徑為1nm以上且未達100nm之範圍之半導體粒子分散至醇中而得之分散液後，使上述醇自上述分散液蒸發而將上述半導體粒子乾燥，藉此獲得上述半導體粒子彼此凝集而成之凝集粒子，藉由將上述凝集粒子吹送至基材，而於上述基材上製作半導體膜。[2]如上述製造方法，其中，於上述半導體粒子沈澱在上述醇中之狀態，使上述醇蒸發而將上述半導體粒子乾燥。[3]如上述製造方法，其中，以未達50℃之溫度使上述醇蒸發。[4]一種染料敏化太陽電池，其具備：使敏化染料吸附於藉由上述製造方法所獲得之半導體膜而成的光電極。
简体摘要： [1]一种半导体膜之制造方法，其于获得使平均粒径为1nm以上且未达100nm之范围之半导体粒子分散至醇中而得之分散液后，使上述醇自上述分散液蒸发而将上述半导体粒子干燥，借此获得上述半导体粒子彼此凝集而成之凝集粒子，借由将上述凝集粒子吹送至基材，而于上述基材上制作半导体膜。[2]如上述制造方法，其中，于上述半导体粒子沈淀在上述醇中之状态，使上述醇蒸发而将上述半导体粒子干燥。[3]如上述制造方法，其中，以未达50℃之温度使上述醇蒸发。[4]一种染料敏化太阳电池，其具备：使敏化染料吸附于借由上述制造方法所获得之半导体膜而成的光电极。

33. 发明专利

TWI560895B 電氣模組之製造方法及電氣模組有权
简体标题：电气模块之制造方法及电气模块
公开(公告)号：TWI560895B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW102130197
申请日：2013-08-23
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大塚智弘 , OOTSUKA, TOMOHIRO , 中嶋節男 , NAKAJIMA, SETSUO , 功刀俊介 , KUNUGI, SHUNSUKE , 中嶋秀康 , NAKAJIMA, HIDEYASU , 與口聰 , YOGUCHI, SATOSHI , 藤沼尙洋 , FUJINUMA, NAOHIRO
IPC分类号： H01L31/042 , H01M14/00
CPC分类号： H01G9/2081 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0024 , H01L51/0037 , H01L51/0097 , H01L2251/308 , Y02E10/542 , Y02P70/521

34. 发明专利

TW201622825A 粉體供給器、成膜裝置、及成膜方法审中-公开
简体标题：粉体供给器、成膜设备、及成膜方法
公开(公告)号：TW201622825A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104130711
申请日：2015-09-17
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：鈴木尊士 , SUZUKI, TAKASHI , 片桐友章 , KATAGIRI, TOMOAKI , 功刀俊介 , KUNUGI, SHUNSUKE
IPC分类号： B05B7/14 , B05D1/02 , C23C24/04
CPC分类号： C23C24/04
摘要：本發明之粉體供給器1具備：攪拌部3：攪拌原料物6；及氣溶膠化部4：引入經攪拌之原料物6及載體氣體，使原料物6氣溶膠化而生成氣溶膠62；於氣溶膠化部4之下游側設置有噴出氣溶膠62之噴出口53，於攪拌部3與氣溶膠化部4之間設置有間隔壁8，間隔壁8上形成有自攪拌部3側向氣溶膠化部4側擴大，將經攪拌之原料物6導出至氣溶膠化部4之導出孔8H。
简体摘要：本发明之粉体供给器1具备：搅拌部3：搅拌原料物6；及气溶胶化部4：引入经搅拌之原料物6及载体气体，使原料物6气溶胶化而生成气溶胶62；于气溶胶化部4之下游侧设置有喷出气溶胶62之喷出口53，于搅拌部3与气溶胶化部4之间设置有间隔壁8，间隔壁8上形成有自搅拌部3侧向气溶胶化部4侧扩大，将经搅拌之原料物6导出至气溶胶化部4之导出孔8H。

35. 发明专利

TWI494986B 蝕刻方法及裝置有权
简体标题：蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TWI494986B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW100110642
申请日：2011-03-28
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：功刀俊介 , KUNUGI, SHUNSUKE , 真弓聰 , MAYUMI, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32825 , H01L21/6708 , H01L21/6776 , H01L29/66765

36. 发明专利

TWI428983B 蝕刻方法及裝置有权
简体标题：蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TWI428983B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW100134852
申请日：2011-09-27
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：功刀俊介 , KUNUGI, SHUNSUKE , 真弓聰 , MAYUMI, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67173 , H01L21/6776

37. 发明专利

TW201251101A 製膜方法、製膜體、及色素增感太陽電池 FILM PRODUCING METHOD, MEMBRANE FORMING BODY AND DYE-SENSITISED SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：制膜方法、制膜体、及色素增感太阳电池 FILM PRODUCING METHOD, MEMBRANE FORMING BODY AND DYE-SENSITISED SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201251101A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101117977
申请日：2012-05-21
申请人：獨立行政法人產業技術總合研究所 , 積水化學工業股份有限公司
发明人：廣瀨伸吾 , 江塚幸敏 , 明渡純 , 功刀俊介 , 與口聰 , 中島節男
IPC分类号： H01L , H01M
CPC分类号： H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
摘要：本發明係一種製造無機物質之多孔質膜之方法,該方法係將無機物質之微粒子噴附至基材使上述基材與上述微粒子接合,並且使上述微粒子彼此接合,藉此於上述基材上製造無機物質之多孔質膜,上述微粒子係由具有不同平均粒徑之至少2種微粒子即小徑粒子與大徑粒子構成。根據本發明,可提供一種無需燒成步驟之由無機物質構成之多孔質膜之製膜方法、以該製膜方法製造之製膜體、及具備該製膜體之色素增感太陽電池。
简体摘要：本发明系一种制造无机物质之多孔质膜之方法,该方法系将无机物质之微粒子喷附至基材使上述基材与上述微粒子接合,并且使上述微粒子彼此接合,借此于上述基材上制造无机物质之多孔质膜,上述微粒子系由具有不同平均粒径之至少2种微粒子即小径粒子与大径粒子构成。根据本发明,可提供一种无需烧成步骤之由无机物质构成之多孔质膜之制膜方法、以该制膜方法制造之制膜体、及具备该制膜体之色素增感太阳电池。

38. 发明专利

TWI374494B 矽之蝕刻方法有权
简体标题：硅之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI374494B
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：TW097138332
申请日：2008-10-03
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：石井徹哉 , 中島節男 , 大塚智弘 , 功刀俊介 , 佐藤崇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明之課題在於提高矽之蝕刻速率。於氟系原料之CF4與Ar之混合氣體中添加露點達到10℃~40℃之量的水，於大氣壓下進行電漿化。將電漿化後之氣體與來自臭氧發生器13的含臭氧之氣體進行混合，獲得反應氣體。反應氣體包含1vol%以上之臭氧、COF2等非自由基之氟系中間物質、0.4vol%以上之HF等氟系反應物質，且氟原子數(F)與氫原子數(H)之比為(F)/(H)>1.8。將該反應氣體吹附至溫度為10℃~50℃之矽膜91(被處理物)上。
简体摘要：本发明之课题在于提高硅之蚀刻速率。于氟系原料之CF4与Ar之混合气体中添加露点达到10℃~40℃之量的水，于大气压下进行等离子化。将等离子化后之气体与来自臭氧发生器13的含臭氧之气体进行混合，获得反应气体。反应气体包含1vol%以上之臭氧、COF2等非自由基之氟系中间物质、0.4vol%以上之HF等氟系反应物质，且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.8。将该反应气体吹附至温度为10℃~50℃之硅膜91(被处理物)上。

39. 发明专利

TW201133619A 含有矽之膜之蝕刻方法审中-公开
简体标题：含有硅之膜之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201133619A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099128944
申请日：2010-08-27
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：功刀俊介 , 真弓聰 , 佐藤崇
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01J37/32825 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
摘要：本發明係一邊防止有機膜之隆起或剝離，一邊對含有矽之膜進行蝕刻。將實質上不含氫原子之蝕刻原料氣體導入至接近大氣壓之電漿空間23中，生成蝕刻氣體。使包含含有矽之膜92及有機膜93之被處理物90接觸蝕刻氣體。含有矽之膜92可藉由氧化氮(NOx)氧化。蝕刻原料氣體含有7~80體積％之不含氫原子之氟系原料、7~80體積％之氮(N2)、5~60體積％之氧(O2)。
简体摘要：本发明系一边防止有机膜之隆起或剥离，一边对含有硅之膜进行蚀刻。将实质上不含氢原子之蚀刻原料气体导入至接近大气压之等离子空间23中，生成蚀刻气体。使包含含有硅之膜92及有机膜93之被处理物90接触蚀刻气体。含有硅之膜92可借由氧化氮(NOx)氧化。蚀刻原料气体含有7~80体积％之不含氢原子之氟系原料、7~80体积％之氮(N2)、5~60体积％之氧(O2)。

40. 发明专利

TW201216361A 蝕刻方法及裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TW201216361A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100134852
申请日：2011-09-27
申请人：積水化學工業股份有限公司
发明人：功刀俊介 , 真弓聰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67173 , H01L21/6776
摘要：本發明之蝕刻方法及裝置使含矽物之蝕刻量之控制容易化。本發明之蝕刻方法於預處理步驟中，使含有第2氧化性反應成分之處理流體自預處理噴嘴42噴出而與被處理物9接觸。繼而，於蝕刻處理步驟中，一面利用移動機構20使被處理物9以於處理空間39內橫穿之方式移動，一面將含有氟系反應成分及第1氧化性反應成分之處理氣體供給至處理空間39而與被處理物9接觸。
简体摘要：本发明之蚀刻方法及设备使含硅物之蚀刻量之控制容易化。本发明之蚀刻方法于预处理步骤中，使含有第2氧化性反应成分之处理流体自预处理喷嘴42喷出而与被处理物9接触。继而，于蚀刻处理步骤中，一面利用移动机构20使被处理物9以于处理空间39内横穿之方式移动，一面将含有氟系反应成分及第1氧化性反应成分之处理气体供给至处理空间39而与被处理物9接触。

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