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31. 发明专利

TWI429073B 半導體結構及其形成方法有权
简体标题：半导体结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI429073B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101106354
申请日：2012-02-24
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹景琳 , CHAN, CHING LIN , 林鎮元 , LIN, CHEN YUAN , 林正基 , LIN, CHENG CHI , 連士進 , LIEN, SHIH CHIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/265

32. 发明专利

TW201349513A 具有增強崩潰電壓之蕭基特二極體审中-公开
简体标题：具有增强崩溃电压之萧基特二极管
公开(公告)号：TW201349513A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101117863
申请日：2012-05-18
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：呂晉賢 , LU, CHIN HSIEN , 杜碩倫 , TU, SHUO LUN , 張晉偉 , CHANG, CHIN WEI , 詹景琳 , CHAN, CHING LIN , 李明東 , LEE, MING TUNG
IPC分类号： H01L29/872 , H01L23/52
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露一種改良的蕭基特二極體結構及其製造方法。此蕭基特二極體結構具有p型主體區域在操作上可以夾住在高電壓n型區域中的電流路徑，以及場-平板結構在操作上可以將該蕭基特二極體的電場電位分配。N井區域佈植於該矽基板內的一p型磊晶層之上，且可以作為該蕭基特二極體的一陰極，以及N井區域佈植於該高電壓N井區域內可以作為該蕭基特二極體的陽極。此蕭基特二極體結構也可以作為一低端金氧半場效電晶體結構。
简体摘要：本发明揭露一种改良的萧基特二极管结构及其制造方法。此萧基特二极管结构具有p型主体区域在操作上可以夹住在高电压n型区域中的电流路径，以及场-平板结构在操作上可以将该萧基特二极管的电场电位分配。N井区域布植于该硅基板内的一p型磊晶层之上，且可以作为该萧基特二极管的一阴极，以及N井区域布植于该高电压N井区域内可以作为该萧基特二极管的阳极。此萧基特二极管结构也可以作为一低端金氧半场效应管结构。

33. 发明专利

TWI683438B 半導體元件有权
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TWI683438B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW106113149
申请日：2017-04-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹景琳 , CHAN, CHING-LIN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/772

34. 发明专利

TWI634659B 具有梯度植入區之半導體元件及其製造方法有权
简体标题：具有梯度植入区之半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI634659B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW104143026
申请日：2015-12-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹景琳 , CHING-LIN, CHAN , 林正基 , CHENG-CHI, LIN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/739 , H01L21/71 , H01L21/265

35. 发明专利

TW201711199A 具有閘極結構的半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：具有闸极结构的半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201711199A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104135678
申请日：2015-10-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：簡郁芩 , YU-CHIN, CHIEN , 詹景琳 , CHING-LIN, CHAN , 林正基 , CHENG-CHI, LIN
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/1087 , H01L29/402 , H01L29/4238 , H01L29/66325 , H01L29/66689 , H01L29/7393 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L29/8611
摘要：一種半導體元件，包括一基板、一高壓井、一高壓摻雜區、一汲極區、一源極區、一第一閘極結構及一第二閘極結構。基板具有第一導電型。高壓井具有第二導電型且配置於基板中。高壓摻雜區具有第一導電型且配置於高壓井中。汲極區配置於高壓井中且與高壓摻雜區隔開。源極區配置於高壓摻雜區中。第一閘極結構配置於高壓摻雜區之第一側部分上，位於源極區與汲極區之間。第二閘極結構配置於高壓摻雜區之第二側部分上，第二側部分相對於第一側部分。
简体摘要：一种半导体组件，包括一基板、一高压井、一高压掺杂区、一汲极区、一源极区、一第一闸极结构及一第二闸极结构。基板具有第一导电型。高压井具有第二导电型且配置于基板中。高压掺杂区具有第一导电型且配置于高压井中。汲极区配置于高压井中且与高压掺杂区隔开。源极区配置于高压掺杂区中。第一闸极结构配置于高压掺杂区之第一侧部分上，位于源极区与汲极区之间。第二闸极结构配置于高压掺杂区之第二侧部分上，第二侧部分相对于第一侧部分。

36. 发明专利

TW201637206A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201637206A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104116161
申请日：2015-05-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：簡郁芩 , CHIEN, YU-CHIN , 詹景琳 , CHAN, CHING-LIN
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/8248
CPC分类号： H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/1087 , H01L29/402 , H01L29/66325 , H01L29/66689 , H01L29/7393 , H01L29/7816 , H01L29/8611 , H01L29/8618
摘要：一種半導體元件包括具有第一電性的一基材、具有第二電性並形成於基材之中的一高壓井區、形成於高壓井區中的一漂移區、形成於高壓井區中且與漂移區隔離的一汲極，以及具有第一電性且形成在高壓井區中，且位於漂移區和汲極之間的一埋藏區。
简体摘要：一种半导体组件包括具有第一电性的一基材、具有第二电性并形成于基材之中的一高压井区、形成于高压井区中的一漂移区、形成于高压井区中且与漂移区隔离的一汲极，以及具有第一电性且形成在高压井区中，且位于漂移区和汲极之间的一埋藏区。

37. 发明专利

TWI553856B 半導體元件及其製作方法有权
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI553856B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW104116161
申请日：2015-05-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：簡郁芩 , CHIEN, YU-CHIN , 詹景琳 , CHAN, CHING-LIN
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/8248
CPC分类号： H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/1087 , H01L29/402 , H01L29/66325 , H01L29/66689 , H01L29/7393 , H01L29/7816 , H01L29/8611 , H01L29/8618

38. 发明专利

TWI548095B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI548095B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW103103046
申请日：2014-01-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹景琳 , CHAN, CHING LIN , 林正基 , LIN, CHENG CHI , 連士進 , LIEN, SHIH CHIN , 吳錫垣 , WU, SHYI YUAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

39. 发明专利

TWI544578B 具有金屬層之半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有金属层之半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI544578B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104114097
申请日：2015-05-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹景琳 , CHAN, CHING-LIN , 林正基 , LIN, CHENG-CHI , 簡郁芩 , CHIEN, YU-CHIN
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/063 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0878 , H01L29/1087 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/42368 , H01L29/66325 , H01L29/66689 , H01L29/7816

40. 发明专利

TW201620134A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW201620134A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103140921
申请日：2014-11-26
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹景琳 , CHAN, CHING-LIN , 林正基 , LIN, CHENG-CHI
IPC分类号： H01L29/772
摘要：一種半導體結構。半導體結構包括一第一摻雜區、一第二摻雜區、一場氧化層、一閘極結構以及一金屬層。第一摻雜區具有一第一導電型。第二摻雜區形成於第一摻雜區中，並具有相對於第一導電型的一第二導電型。場氧化層位於第一摻雜區上。閘極結構包括一第一閘極部分和一第二閘極部分，彼此係分隔開，其中第二閘極部分位於場氧化層上，且第二閘極部分係電性連接至一源極端。金屬層位於閘極結構之上，金屬層包括一第一金屬部分和一第二金屬部分，彼此係分隔開。
简体摘要：一种半导体结构。半导体结构包括一第一掺杂区、一第二掺杂区、一场氧化层、一闸极结构以及一金属层。第一掺杂区具有一第一导电型。第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的一第二导电型。场氧化层位于第一掺杂区上。闸极结构包括一第一闸极部分和一第二闸极部分，彼此系分隔开，其中第二闸极部分位于场氧化层上，且第二闸极部分系电性连接至一源极端。金属层位于闸极结构之上，金属层包括一第一金属部分和一第二金属部分，彼此系分隔开。

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