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31. 发明专利

TWI278107B 具有增大向外外觀之微透鏡的影像感測器及其製造方法 IMAGE SENSOR WITH ENLARGED OUTWARD APPEARANCE OF MICROLENS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：具有增大向外外观之微透镜的影像传感器及其制造方法 IMAGE SENSOR WITH ENLARGED OUTWARD APPEARANCE OF MICROLENS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI278107B
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW094125810
申请日：2005-07-29
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金是範 KIM, SI-BUM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G02B3/0018 , G02B3/0056 , H01L27/14627 , H01L27/14685
摘要：本發明提供一種具有增大向外外觀之微透鏡的影像感測器及其製造方法。該影像感測器包括：複數個微透鏡，其係以一特定間隔距離形成於一半導體基板上；及一保護層，其形成於該等微透鏡上，其中該保護層包括一第一氧化物層，其係以一電漿加強化學氣相沉積(PECVD)法形成，及一第二氧化物層，其係以一旋轉塗佈玻璃(SOG)法形成於該第一氧化物層上，以維持該等微透鏡間裂口上充分之階梯覆蓋性。
简体摘要：本发明提供一种具有增大向外外观之微透镜的影像传感器及其制造方法。该影像传感器包括：复数个微透镜，其系以一特定间隔距离形成于一半导体基板上；及一保护层，其形成于该等微透镜上，其中该保护层包括一第一氧化物层，其系以一等离子加强化学气相沉积(PECVD)法形成，及一第二氧化物层，其系以一旋转涂布玻璃(SOG)法形成于该第一氧化物层上，以维持该等微透镜间裂口上充分之阶梯覆盖性。

32. 发明专利

TWI272715B 影像感測器及其製造方法 IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：影像传感器及其制造方法 IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI272715B
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW091138006
申请日：2002-12-31
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：李源鎬 LEE, WON-HO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/1463
摘要：本發明之目的係提供，可抑制由於場氧化物層邊緣結晶缺陷產生的黑暗電流之影像感知器，及其製造方法。本發明提供之影像感測器，包括：一半導體基板；一包括一光二極體區域之活性區域，形成於該基板之預定區域中；一浮動擴散區域，具有一較該光二極體區域更小之區域，和具有一連接該光二極體區域和該浮動擴散區域之一瓶頸結構的通道區域；一場區域，用於電性隔離該活性區域；一場停止層，被形成於該場區域之下，藉經由一第一寬度朝向該活性區域擴張，具有較該場區域較寬之區域；及一閘極電極，係形成於基板上，藉覆蓋該通道區域和具有一側以一第二寬度重疊在在該光二極體接觸到該通道區域的一整側。
简体摘要：本发明之目的系提供，可抑制由于场氧化物层边缘结晶缺陷产生的黑暗电流之影像感知器，及其制造方法。本发明提供之影像传感器，包括：一半导体基板；一包括一光二极管区域之活性区域，形成于该基板之预定区域中；一浮动扩散区域，具有一较该光二极管区域更小之区域，和具有一连接该光二极管区域和该浮动扩散区域之一瓶颈结构的信道区域；一场区域，用于电性隔离该活性区域；一场停止层，被形成于该场区域之下，藉经由一第一宽度朝向该活性区域扩张，具有较该场区域较宽之区域；及一闸极电极，系形成于基板上，藉覆盖该信道区域和具有一侧以一第二宽度重叠在在该光二极管接触到该信道区域的一整侧。

33. 发明专利

TW200644228A 具有小型像素佈局的影像感測器 IMAGE SENSOR WITH COMPACT PIXEL LAYOUT 审中-公开
简体标题：具有小型像素布局的影像传感器 IMAGE SENSOR WITH COMPACT PIXEL LAYOUT
公开(公告)号：TW200644228A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW094138646
申请日：2005-11-03
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：賈洛斯洛韓尼克 HYNECEK, JAROSLAV
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14643
摘要：本發明提供固態影像感測器，具體而言，係具有三個或四個電晶體、高靈敏度、低雜訊及低暗電流之影像感測器像素。該等像素具有用於主動組件、共用列之光電二極體之獨立主動區域，且亦可含有一用以調整該靈敏度、訊雜比及動態範圍的電容器。該低暗電流係藉由使用鉸接光電二極體(pinnedphotodiode)而達成。
简体摘要：本发明提供固态影像传感器，具体而言，系具有三个或四个晶体管、高灵敏度、低噪声及低暗电流之影像传感器像素。该等像素具有用于主动组件、共享列之光电二极管之独立主动区域，且亦可含有一用以调整该灵敏度、信噪比及动态范围的电容器。该低暗电流系借由使用铰接光电二极管(pinnedphotodiode)而达成。

34. 发明专利

TW200640025A 能夠以調整對焦長度用於個別顏色之影像感測器及其製造方法 IMAGE SENSOR CAPABLE OF ADJUSTING FOCUSING LENGTH FOR INDIVIDUAL COLOR AND FABRICATION METHOD THEREOF 失效
简体标题：能够以调整对焦长度用于个别颜色之影像传感器及其制造方法 IMAGE SENSOR CAPABLE OF ADJUSTING FOCUSING LENGTH FOR INDIVIDUAL COLOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200640025A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW094147845
申请日：2005-12-30
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：柳尚旭 RYU, SANG-WOOK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627
摘要：本發明提供一影像感測器及其製造方法。該影像感測器包括：一形成於一基板中且接收一第一顏色之第一光電二極體；一形成於該基板中遠離該第一光電二極體，且接收波長大於該第一顏色之波長的一第二顏色之第二光電二極體；一形成於該基板中遠離該第一光電二極體與該第二光電二極體，且接收波長大於該第二顏色之波長的一第三顏色之第三光電二極體；及一形成於該基板上且具有不同的區域厚度之鈍化層，該等厚度之量值按以下順序增加：該鈍化層之一對應於一第一顏色區域之第一區域、該鈍化層之一對應於一第二顏色區域之第二區域及該鈍化層之一對應於一第三顏色區域之第三區域。
简体摘要：本发明提供一影像传感器及其制造方法。该影像传感器包括：一形成于一基板中且接收一第一颜色之第一光电二极管；一形成于该基板中远离该第一光电二极管，且接收波长大于该第一颜色之波长的一第二颜色之第二光电二极管；一形成于该基板中远离该第一光电二极管与该第二光电二极管，且接收波长大于该第二颜色之波长的一第三颜色之第三光电二极管；及一形成于该基板上且具有不同的区域厚度之钝化层，该等厚度之量值按以下顺序增加：该钝化层之一对应于一第一颜色区域之第一区域、该钝化层之一对应于一第二颜色区域之第二区域及该钝化层之一对应于一第三颜色区域之第三区域。

35. 发明专利

TW200630946A 解析度定標器 RESOLUTION SCALER 审中-公开
简体标题：分辨率定标器 RESOLUTION SCALER
公开(公告)号：TW200630946A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW094129852
申请日：2005-08-31
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：盧載承 NOH, JAI-SEUNG
IPC分类号： G09G
CPC分类号： G09G5/005 , G09G2340/0421 , H04N5/14 , H04N5/46 , H04N7/01 , H04N21/440263
摘要：本發明提供一種解析度定標器，其使用一移位加法器代替一乘法器來對一輸入解析度進行定標。該解析度定標器具有一計數器控制器及一像素定標器。該計數器控制器向該像素定標器輸出一權重。該像素定標器包括：一第一移位加法器，其用於藉由使複數個藉由對當前像素資料進行移位而產生之第一移位參數相加來輸出第一移位值；一第二移位加法器，其用於藉由使複數個藉由對先前像素資料進行移位而產生之第二移位參數相加來輸出該第二移位值；及一加法器，其用於藉由使該第一移位值與該第二移位值相加來輸出該經定標之像素資料。
简体摘要：本发明提供一种分辨率定标器，其使用一移位加法器代替一乘法器来对一输入分辨率进行定标。该分辨率定标器具有一计数器控制器及一像素定标器。该计数器控制器向该像素定标器输出一权重。该像素定标器包括：一第一移位加法器，其用于借由使复数个借由对当前像素数据进行移位而产生之第一移位参数相加来输出第一移位值；一第二移位加法器，其用于借由使复数个借由对先前像素数据进行移位而产生之第二移位参数相加来输出该第二移位值；及一加法器，其用于借由使该第一移位值与该第二移位值相加来输出该经定标之像素数据。

36. 发明专利

TW200627585A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200627585A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094144082
申请日：2005-12-13
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：趙振衍 CHO, JIN-YOUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法。該方法包括：形成一穿過一層間絕緣層之接觸插塞；在該層間絕緣層上連續地形成一下電極層、一介電層及一上電極層；圖案化該上電極層；圖案化該介電層及該下電極層，藉此獲得一電容器，該電容器包括一上電極、一圖案化介電層及一下電極；及連續地形成一與該接觸插塞相連之第一金屬互連線及與該電容器相連之第二金屬互連線。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法。该方法包括：形成一穿过一层间绝缘层之接触插塞；在该层间绝缘层上连续地形成一下电极层、一介电层及一上电极层；图案化该上电极层；图案化该介电层及该下电极层，借此获得一电容器，该电容器包括一上电极、一图案化介电层及一下电极；及连续地形成一与该接触插塞相连之第一金属互连接及与该电容器相连之第二金属互连接。

37. 发明专利

TW200610141A 互補金氧半導體影像感測器及其製造方法 CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：互补金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法 CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200610141A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：TW094107599
申请日：2005-03-11
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：趙東憲 CHO, DONG-HEON
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14627
摘要：本發明揭示一種互補金氧半導體(CMOS)裝置及其製造方法。該金氧半導體影像感測器包括：一光檢測器；形成於該光檢測器上之一微透鏡；形成於該微透鏡上以保護該微透鏡之一絕緣鈍化層；具有之一折射率低於該微透鏡的一氧化層，其形成於該微透鏡與該絕緣鈍化層之間。用於製造一互補金氧半導體影像感測器之方法包括以下步驟：於一基板上形成一光檢測器；於該光檢測器上形成一微透鏡；於該微透鏡上形成其折射率低於該微透鏡的一氧化層；以及於該氧化層上形成用於保護該微透鏡之一絕緣鈍化層。
简体摘要：本发明揭示一种互补金属氧化物半导体(CMOS)设备及其制造方法。该金属氧化物半导体影像传感器包括：一光检测器；形成于该光检测器上之一微透镜；形成于该微透镜上以保护该微透镜之一绝缘钝化层；具有之一折射率低于该微透镜的一氧化层，其形成于该微透镜与该绝缘钝化层之间。用于制造一互补金属氧化物半导体影像传感器之方法包括以下步骤：于一基板上形成一光检测器；于该光检测器上形成一微透镜；于该微透镜上形成其折射率低于该微透镜的一氧化层；以及于该氧化层上形成用于保护该微透镜之一绝缘钝化层。

38. 发明专利

TW200606705A 2位元二進位比較器及使用該比較器的二進位比較裝置 2-BIT BINARY COMPARATOR AND BINARY COMPARING DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题： 2比特二进制比较器及使用该比较器的二进制比较设备 2-BIT BINARY COMPARATOR AND BINARY COMPARING DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200606705A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094107608
申请日：2005-03-11
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：李龍燮 LEE, YONG-SUP
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F7/02
摘要：一種2位元二進位比較器，其包含：一比較單元，用於接收一第一位元與一第二位元，進而比較該第一位元與該第二位元；以及一致動單元，用於依照一致動信號來輸出該比較單元的比較結果，作為該2位元二進位比較器的輸出。
简体摘要：一种2比特二进制比较器，其包含：一比较单元，用于接收一第一比特与一第二比特，进而比较该第一比特与该第二比特；以及一致动单元，用于依照一致动信号来输出该比较单元的比较结果，作为该2比特二进制比较器的输出。

39. 发明专利

TW200604988A 顯示器驅動電路及其驅動方法 DISPLAY DRIVER CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：显示器驱动电路及其驱动方法 DISPLAY DRIVER CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200604988A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094107603
申请日：2005-03-11
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：李龍燮 LEE, YONG-SUP
IPC分类号： G09G
CPC分类号： G09G3/3685 , G09G3/2014
摘要：本發明揭示一種可以藉由對用於一顯示器驅動器IC的一PWM信號編碼而減小信號線路之數量的技術。用以根據一PWM信號而顯示一漸層於一顯示器螢幕上之顯示器驅動電路包括：一PWM信號產生器，其用以產生一PWM信號；一PWM編碼器，其用以編碼從該PWM信號產生器所產生的該PWM信號；一PWM解碼器，其用以將該編碼的PWM信號解碼成該PWM信號；一切換單元，其用以選擇性地輸出從該PWM解碼器所產生的該PWM信號；一資料儲存單元，其用於儲存用以切換該切換單元的一顯示器資料；與一SRAM解碼器，其用以依據從該資料儲存單元所輸出的該等顯示器資料而輸出一開／關信號至該切換單元。
简体摘要：本发明揭示一种可以借由对用于一显示器驱动器IC的一PWM信号编码而减小信号线路之数量的技术。用以根据一PWM信号而显示一渐层于一显示器屏幕上之显示器驱动电路包括：一PWM信号产生器，其用以产生一PWM信号；一PWM编码器，其用以编码从该PWM信号产生器所产生的该PWM信号；一PWM译码器，其用以将该编码的PWM信号译码成该PWM信号；一切换单元，其用以选择性地输出从该PWM译码器所产生的该PWM信号；一数据存储单元，其用于存储用以切换该切换单元的一显示器数据；与一SRAM译码器，其用以依据从该数据存储单元所输出的该等显示器数据而输出一开／关信号至该切换单元。

40. 发明专利

TW202018686A 用於減少電磁干擾之控制緩衝器及包含其之源驅動器审中-公开
简体标题：用于减少电磁干扰之控制缓冲器及包含其之源驱动器
公开(公告)号：TW202018686A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108126468
申请日：2019-07-26
申请人：韓商美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：成殷圭 , SEONG, EUN KYU , 金亨奎 , KIM, HYOUNG KYU
IPC分类号： G09G3/20 , H03K19/003 , H03K19/094
摘要：一種在一源驅動器中之控制緩衝器包含：一第一CMOS反相器，其經組態以輸出一開關信號以控制一開關之開啟及關閉；及一第一三態反相器，其連接至該第一CMOS反相器且經組態以選擇性地調整該控制緩衝器之一大小，其中取決於該控制緩衝器之該大小調整該開關信號之一轉換率。
简体摘要：一种在一源驱动器中之控制缓冲器包含：一第一CMOS反相器，其经组态以输出一开关信号以控制一开关之打开及关闭；及一第一三态反相器，其连接至该第一CMOS反相器且经组态以选择性地调整该控制缓冲器之一大小，其中取决于该控制缓冲器之该大小调整该开关信号之一转换率。

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