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31. 发明专利

TW201316545A 成長於矽基板上具低缺陷Ｎ型層之發光二極體失效
简体标题：成长于硅基板上具低缺陷Ｎ型层之发光二极管
公开(公告)号：TW201316545A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101120370
申请日：2012-06-07
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：陳振 , CHEN, ZHEN
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/007 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種垂直GaN型藍光LED，其具有一n型GaN層，其直接成長於低電阻層(LRL)上，而此層成長於一矽基板之上。在一個範例中，該LRL為一低片電阻GaN/AlGaN超晶格，具有厚度小於300nm的週期。在該超晶格上成長該n型GaN層，降低該n型層內的晶格缺陷密度。在形成該LED的該等磊晶層之後，一導電載體以晶圓接合至該結構。然後移除該矽基板。之後加入電極，並且切割該結構以形成完成的LED裝置。在某些範例中，某些或全部該LRL留在該完成的LED裝置內，如此該LRL也提供一電流擴散功能。在另一範例中，該LRL完整移除，如此該完成的LED裝置內沒有任何該LRL。
简体摘要：本发明揭示一种垂直GaN型蓝光LED，其具有一n型GaN层，其直接成长于低电阻层(LRL)上，而此层成长于一硅基板之上。在一个范例中，该LRL为一低片电阻GaN/AlGaN超晶格，具有厚度小于300nm的周期。在该超晶格上成长该n型GaN层，降低该n型层内的晶格缺陷密度。在形成该LED的该等磊晶层之后，一导电载体以晶圆接合至该结构。然后移除该硅基板。之后加入电极，并且切割该结构以形成完成的LED设备。在某些范例中，某些或全部该LRL留在该完成的LED设备内，如此该LRL也提供一电流扩散功能。在另一范例中，该LRL完整移除，如此该完成的LED设备内没有任何该LRL。

32. 发明专利

TW201314971A 發光裝置之加長型透鏡製造方法审中-公开
简体标题：发光设备之加长型透镜制造方法
公开(公告)号：TW201314971A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101122668
申请日：2012-06-25
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：雪克費區艾力克斯 , SHAIKEVITCH, ALEXANDER
IPC分类号： H01L33/58
CPC分类号： H01L33/58 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種發光裝置之加長型透鏡製造方法，其包括形成具有外部表面之加長型透鏡，以及施加光致發光材料於該透鏡之外部表面。
简体摘要：一种发光设备之加长型透镜制造方法，其包括形成具有外部表面之加长型透镜，以及施加光致发光材料于该透镜之外部表面。

33. 发明专利

TW201314946A 具多層導電性介入層之Ｎ型氮化鎵層失效
简体标题：具多层导电性介入层之Ｎ型氮化镓层
公开(公告)号：TW201314946A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101120373
申请日：2012-06-07
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：陳振 , CHEN, ZHEN , 付羿 , FU, YI
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/0655 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種垂直GaN型藍光LED，其具有一n型層，該層包括多層導電性介入層。該n型層包括複數個週期。該n型層的每一週期包含一氮化鎵(GaN)子層及一薄導電性摻雜矽的氮化鎵鋁(AlGaN：Si)介入子層。在一範例中，每一該氮化鎵子層的厚度大體上都超過100nm且小於1000nm，並且每一該摻雜矽的氮化鎵鋁介入子層的厚度小於25nm。該完整n型層的厚度至少2000nm。該摻雜矽的氮化鎵鋁介入子層提供壓縮拉力給該氮化鎵子層，藉此避免破裂。在形成該LED的該等磊晶層後，一導電載體以晶圓貼合至該結構，然後移除該矽基板，之後加入電極，並將該結構切割形成一完成的LED裝置。該等摻雜矽的氮化鎵鋁介入子層具有導電性，所以該完整n型層可保留成為該完成的LED裝置一部分。
简体摘要：本发明揭示一种垂直GaN型蓝光LED，其具有一n型层，该层包括多层导电性介入层。该n型层包括复数个周期。该n型层的每一周期包含一氮化镓(GaN)子层及一薄导电性掺杂硅的氮化镓铝(AlGaN：Si)介入子层。在一范例中，每一该氮化镓子层的厚度大体上都超过100nm且小于1000nm，并且每一该掺杂硅的氮化镓铝介入子层的厚度小于25nm。该完整n型层的厚度至少2000nm。该掺杂硅的氮化镓铝介入子层提供压缩拉力给该氮化镓子层，借此避免破裂。在形成该LED的该等磊晶层后，一导电载体以晶圆贴合至该结构，然后移除该硅基板，之后加入电极，并将该结构切割形成一完成的LED设备。该等掺杂硅的氮化镓铝介入子层具有导电性，所以该完整n型层可保留成为该完成的LED设备一部分。

34. 发明专利

TW200915631A 磊晶層之成長方法 METHOD FOR GROWING AN EPITAXIAL LAYER 审中-公开
简体标题：磊晶层之成长方法 METHOD FOR GROWING AN EPITAXIAL LAYER
公开(公告)号：TW200915631A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097136598
申请日：2008-09-24
申请人：普瑞光電股份有限公司 BRIDGELUX INC.
发明人：彭暉 PENG, HUI , 劉恆 LIU, HENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0066 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02387 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02538 , H01L21/02554 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L33/007 , H01L33/24 , Y10T428/24802
摘要：本發明提供一種成長磊晶層之方法及使用此方法獲得之元件。該方法首先提供一成長基板,係包含具有第一熱膨脹係數之一頂表面。一具有複數個開口之光罩係形成於該成長基板之該頂表面上。該成長基板之該頂表面經由該光罩之該等開口曝露出來。一第一材料之第一磊晶層係成長在該等開口曝露的該頂表面上,以形成該第一材料之分離島狀物。該光罩之相鄰開口中之該等分離島狀物係不互相接觸。該第一磊晶層具有第二熱膨脹係數。該第一及第二熱膨脹係數相差超過百分之五。該光罩具有使得該第一材料不會聚核在該光罩上之一光罩材料。
简体摘要：本发明提供一种成长磊晶层之方法及使用此方法获得之组件。该方法首先提供一成长基板,系包含具有第一热膨胀系数之一顶表面。一具有复数个开口之光罩系形成于该成长基板之该顶表面上。该成长基板之该顶表面经由该光罩之该等开口曝露出来。一第一材料之第一磊晶层系成长在该等开口曝露的该顶表面上,以形成该第一材料之分离岛状物。该光罩之相邻开口中之该等分离岛状物系不互相接触。该第一磊晶层具有第二热膨胀系数。该第一及第二热膨胀系数相差超过百分之五。该光罩具有使得该第一材料不会聚核在该光罩上之一光罩材料。

35. 发明专利

TWI569681B 模組化發光二極體燈泡有权
简体标题：模块化发光二极管灯泡
公开(公告)号：TWI569681B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW099110867
申请日：2010-04-08
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：漢司南葛倫 , HASNAIN, GHULAM
IPC分类号： H05B33/08 , H05B37/02 , F21V29/00
CPC分类号： H05B33/0815 , F21K9/232 , F21K9/238 , F21K9/64 , F21V3/12 , F21V17/002 , F21V17/164 , F21V23/005 , F21V23/0442 , F21V23/0457 , F21V29/74 , F21V29/85 , F21V29/90 , F21Y2115/10 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H05B33/0803 , H05B33/0869 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

36. 发明专利

TWI475731B 發光裝置之加長型透鏡製造方法有权
简体标题：发光设备之加长型透镜制造方法
公开(公告)号：TWI475731B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW101122668
申请日：2012-06-25
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：雪克費區艾力克斯 , SHAIKEVITCH, ALEXANDER
IPC分类号： H01L33/58
CPC分类号： H01L33/58 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

37. 发明专利

TW201448292A 在一互連結構中具有僅上側連接之封裝光子建置組塊审中-公开
简体标题：在一互链接构中具有仅上侧连接之封装光子建置组块
公开(公告)号：TW201448292A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103131816
申请日：2011-12-23
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX, INC.
发明人：衛斯特 R 史考特 , WEST, R. SCOTT
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/644 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/07811 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2933/0066 , H05K1/021 , H05K3/0061 , H05K2201/09145 , H05K2201/09845 , H05K2201/10106 , H05K2201/10409 , H01L2924/0665 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：使用標準化光子建置組塊來製造離散發光器以及陣列產品兩者。每一光子建置組塊具有安裝於一基板上之一或多個LED晶片。無電導體穿過該基板之上表面與下表面之間。該等光子建置組塊係由附接至一散熱片之一互連結構來支撐。每一光子建置組塊之基板之上表面上的著位墊附接至安置於該互連結構之一唇緣之下側上的接觸墊。在焊料回焊製程中，該等光子建置組塊在該互連結構內自對準。該互連結構上之導體經由該等接觸墊及著位墊電耦合至該等光子建置組塊中之LED晶粒。該互連結構之下表面與該等光子建置組塊之基板之下表面共面。
简体摘要：使用标准化光子建置组块来制造离散发光器以及数组产品两者。每一光子建置组块具有安装于一基板上之一或多个LED芯片。无电导体穿过该基板之上表面与下表面之间。该等光子建置组块系由附接至一散热片之一互链接构来支撑。每一光子建置组块之基板之上表面上的着位垫附接至安置于该互链接构之一唇缘之下侧上的接触垫。在焊料回焊制程中，该等光子建置组块在该互链接构内自对准。该互链接构上之导体经由该等接触垫及着位垫电耦合至该等光子建置组块中之LED晶粒。该互链接构之下表面与该等光子建置组块之基板之下表面共面。

38. 发明专利

TWI448645B 路燈應用之交流式發光二極體陣列模組有权
简体标题：路灯应用之交流式发光二极管数组模块
公开(公告)号：TWI448645B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW100141191
申请日：2011-11-11
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：史考特凱斯 , SCOTT, KEITH , 法摩陶德 , FARMER, TODD
IPC分类号： F21S8/08 , F21Y101/02
CPC分类号： F21V21/00 , F21S8/086 , F21W2131/103 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , Y02B20/72

39. 发明专利

TWI446600B 覆有一高效能導熱板之發光二極體陣列封裝有权
简体标题：覆有一高性能导热板之发光二极管数组封装
公开(公告)号：TWI446600B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW099118870
申请日：2010-06-10
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：李珍華 , LI, JIANHUA , 賀比寧瑞內 , HELBING, RENE , 胡大衛 , HUM, DAVID
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： H01L33/507 , F21K9/00 , F21K9/64 , F21V29/506 , F21V29/70 , F21V29/83 , F21V29/85 , H01L25/0753 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

40. 发明专利

TWI429109B 發光裝置之反射表面子組體製造方法有权
简体标题：发光设备之反射表面子组体制造方法
公开(公告)号：TWI429109B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099133836
申请日：2010-10-05
申请人：普瑞光電股份有限公司 , BRIDGELUX INC.
发明人：雪克費區艾力克斯 , SHAIKEVITCH, ALEX , 賀比寧瑞內 , HELBING, RENE
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： G02B5/02 , G02B5/08 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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