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31. 发明专利

TW201545345A 線型架構之功率半導體元件审中-公开
简体标题：线型架构之功率半导体组件
公开(公告)号：TW201545345A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103117623
申请日：2014-05-20
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：涂高維 , TU, KAO WAY , 蔡依芸 , TSAI, YI YUN , 張淵舜 , CHANG, YUAN SHUN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/4238 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：一種線型架構之功率半導體元件，其包括基材、多個線型功率半導體晶胞與保護環結構。此基材之一表面定義有一活動區域與一終端區域，終端區域位於活動區域之外側。線型功率半導體晶胞排列於活動區域內。各個線型功率半導體晶胞分別包括一長條狀閘極導電結構。保護環結構位於終端區域內，並且包括至少一環狀導電結構。此環狀導電結構環繞這些線型功率半導體晶胞。環狀導電結構與長條狀閘極導電結構位於同一個導電層，且至少一個長條狀閘極導電結構與位於最內側之環狀導電結構相分離並透過一閘極金屬墊電性連接至此位於最內側之環狀導電結構。
简体摘要：一种线型架构之功率半导体组件，其包括基材、多个线型功率半导体晶胞与保护环结构。此基材之一表面定义有一活动区域与一终端区域，终端区域位于活动区域之外侧。线型功率半导体晶胞排列于活动区域内。各个线型功率半导体晶胞分别包括一长条状闸极导电结构。保护环结构位于终端区域内，并且包括至少一环状导电结构。此环状导电结构环绕这些线型功率半导体晶胞。环状导电结构与长条状闸极导电结构位于同一个导电层，且至少一个长条状闸极导电结构与位于最内侧之环状导电结构相分离并透过一闸极金属垫电性连接至此位于最内侧之环状导电结构。

32. 发明专利

TW201507153A 溝渠式閘極金氧半場效電晶體审中-公开
简体标题：沟渠式闸极金氧半场效应管
公开(公告)号：TW201507153A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103137400
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
摘要：一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體。磊晶層配置於基底上。主體層配置在磊晶層中。磊晶層中具有第一溝渠，主體層中具有第二溝渠，且第一溝渠配置於第二溝渠下方第一絕緣層配置於第一溝渠的表面上。第二絕緣層配置於第一溝渠中。第一導體層配置於第一絕緣層與第二絕緣層之間。第二導體層配置於第二溝渠中。第三絕緣層配置於第二導體層與主體層之間以及第二導體層與第一導體層之間。介電層配置於磊晶層上且覆蓋第二導體層。二摻雜區分別配置於第二溝渠兩側的主體層中。
简体摘要：一种沟渠式闸极金氧半场效应管。磊晶层配置于基底上。主体层配置在磊晶层中。磊晶层中具有第一沟渠，主体层中具有第二沟渠，且第一沟渠配置于第二沟渠下方第一绝缘层配置于第一沟渠的表面上。第二绝缘层配置于第一沟渠中。第一导体层配置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第二导体层配置于第二沟渠中。第三绝缘层配置于第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置于磊晶层上且覆盖第二导体层。二掺杂区分别配置于第二沟渠两侧的主体层中。

33. 发明专利

TWI470790B 溝渠式閘極金氧半場效電晶體有权
简体标题：沟渠式闸极金氧半场效应管
公开(公告)号：TWI470790B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101125354
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7827

34. 发明专利

TWI446125B 即時時鐘模組之封裝體及其封裝方法失效
简体标题：实时时钟模块之封装体及其封装方法
公开(公告)号：TWI446125B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW101118815
申请日：2012-05-25
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：姜健偉 , CHIANG, CHIEN WEI , 魏志璋 , WEI, CHIH CHANG
IPC分类号： G04F5/06 , H03H9/02 , H03L1/02

35. 发明专利

TW201403813A 溝渠式閘極金氧半場效電晶體审中-公开
简体标题：沟渠式闸极金氧半场效应管
公开(公告)号：TW201403813A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101125354
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7827
摘要：一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體。磊晶層配置於基底上。主體層配置在磊晶層中。磊晶層中具有第一溝渠，主體層中具有第二溝渠，且第一溝渠配置於第二溝渠下方。第一導體層配置於第一溝渠中。第一絕緣層配置於第一導體層與磊晶層之間。第二導體層配置於第二溝渠之側壁上。第二絕緣層配置於第二導體層與主體層之間以及第二導體層與第一導體層之間。介電層配置於磊晶層上並填滿第二溝渠。二摻雜區分別配置於第二溝渠之兩側的主體層中。
简体摘要：一种沟渠式闸极金氧半场效应管。磊晶层配置于基底上。主体层配置在磊晶层中。磊晶层中具有第一沟渠，主体层中具有第二沟渠，且第一沟渠配置于第二沟渠下方。第一导体层配置于第一沟渠中。第一绝缘层配置于第一导体层与磊晶层之间。第二导体层配置于第二沟渠之侧壁上。第二绝缘层配置于第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置于磊晶层上并填满第二沟渠。二掺杂区分别配置于第二沟渠之两侧的主体层中。

36. 发明专利

TW201403717A 溝槽式閘極金氧半場效電晶體的製造方法审中-公开
简体标题：沟槽式闸极金氧半场效应管的制造方法
公开(公告)号：TW201403717A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101125348
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/0223 , H01L21/28035 , H01L21/32133 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66666 , H01L29/66727 , H01L29/66734
摘要：一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體的製造方法。於基底上形成磊晶層。於磊晶層中形成溝渠。於磊晶層及溝渠的表面上順應性地形成第一絕緣層。於溝渠的底部形成第一導體層。移除部分第一絕緣層，以形成裸露出第一導體層上部的第二絕緣層。進行氧化製程，將第一導體層氧化成第三絕緣層，上述氧化製程同時於磊晶層的表面及溝渠的側壁上形成第四絕緣層。於溝渠中形成第二導體層。二主體層分別形成於溝渠兩側的磊晶層中。二摻雜區分別形成於溝渠之兩側的主體層中。
简体摘要：一种沟渠式闸极金氧半场效应管的制造方法。于基底上形成磊晶层。于磊晶层中形成沟渠。于磊晶层及沟渠的表面上顺应性地形成第一绝缘层。于沟渠的底部形成第一导体层。移除部分第一绝缘层，以形成裸露出第一导体层上部的第二绝缘层。进行氧化制程，将第一导体层氧化成第三绝缘层，上述氧化制程同时于磊晶层的表面及沟渠的侧壁上形成第四绝缘层。于沟渠中形成第二导体层。二主体层分别形成于沟渠两侧的磊晶层中。二掺杂区分别形成于沟渠之两侧的主体层中。

37. 发明专利

TW201348898A 即時時鐘模組之封裝體及其封裝方法失效
简体标题：实时时钟模块之封装体及其封装方法
公开(公告)号：TW201348898A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101118815
申请日：2012-05-25
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：姜健偉 , CHIANG, CHIEN WEI , 魏志璋 , WEI, CHIH CHANG
IPC分类号： G04F5/06 , H03H9/02 , H03L1/02
摘要：本發明揭露一種即時時鐘模組之封裝體及封裝方法。即時時鐘模組之封裝體包含控制電路晶粒以及溫度補償振盪器。採用陶瓷封裝的溫度補償振盪器再與控制電路晶粒共同封裝，以形成即時時鐘模組之封裝體。
简体摘要：本发明揭露一种实时时钟模块之封装体及封装方法。实时时钟模块之封装体包含控制电路晶粒以及温度补偿振荡器。采用陶瓷封装的温度补偿振荡器再与控制电路晶粒共同封装，以形成实时时钟模块之封装体。

38. 实用新型

TWM443341U 即時時鐘模組之封裝體 RTC MODULE PACKAGING OBJECT 失效
简体标题：实时时钟模块之封装体 RTC MODULE PACKAGING OBJECT
公开(公告)号：TWM443341U
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW101210090
申请日：2012-05-25
申请人：力祥半導體股份有限公司
发明人：姜健偉 , 魏志璋
IPC分类号： H03H
摘要：本創作揭露一種即時時鐘模組之封裝體。即時時鐘模組之封裝體包含控制電路晶粒以及溫度補償振盪器。採用陶瓷封裝的溫度補償振盪器再與控制電路晶粒共同封裝，以形成即時時鐘模組之封裝體。
简体摘要：本创作揭露一种实时时钟模块之封装体。实时时钟模块之封装体包含控制电路晶粒以及温度补偿振荡器。采用陶瓷封装的温度补偿振荡器再与控制电路晶粒共同封装，以形成实时时钟模块之封装体。

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