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21. 发明专利

TWI317458B 聚合物及包括該聚合物之光阻劑 POLYMERS AND PHOTORESISTS COMPRISING SAME 有权
简体标题：聚合物及包括该聚合物之光阻剂 POLYMERS AND PHOTORESISTS COMPRISING SAME
公开(公告)号：TWI317458B
公开(公告)日：2009-11-21
申请号：TW093105491
申请日：2004-03-03
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司
发明人：沙賓尼安東尼 , 張弢 , 李才永
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0757 , C08G77/24 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115
摘要：提供新穎聚合物，其具有非碳四價物種(矽、鈦、鍺、鋯、錫)以及提供含有此種聚合物之光可成像組成物。較佳聚合物為有機聚合物，例如一或多個聚合物重複單位包含碳原子。特佳為包含二氧化矽或二氧化鈦重複單位之聚合物，該聚合物高度有用於作為於如次300奈米及次200奈米之短波長成像之光阻劑之樹脂成分。 New polymers are provided that have non-carbon tetravalent species (Si, Ti, Ge, Zr, Sn) and photoimageable compositions that contain such polymers. Preferred polymers are organic, e.g. one or more polymer repeat units comprise carbon atom(s). Particularly pteferred are polymers that comprise SiQ2 or Tio2 repeat units and which can be highly useful as a resin component of resists imaged at short wavelengths such as sub-300 nm and sub-200 nm.
简体摘要：提供新颖聚合物，其具有非碳四价物种(硅、钛、锗、锆、锡)以及提供含有此种聚合物之光可成像组成物。较佳聚合物为有机聚合物，例如一或多个聚合物重复单位包含碳原子。特佳为包含二氧化硅或二氧化钛重复单位之聚合物，该聚合物高度有用于作为于如次300奈米及次200奈米之短波长成像之光阻剂之树脂成分。 New polymers are provided that have non-carbon tetravalent species (Si, Ti, Ge, Zr, Sn) and photoimageable compositions that contain such polymers. Preferred polymers are organic, e.g. one or more polymer repeat units comprise carbon atom(s). Particularly pteferred are polymers that comprise SiQ2 or Tio2 repeat units and which can be highly useful as a resin component of resists imaged at short wavelengths such as sub-300 nm and sub-200 nm.

22. 发明专利

TWI313791B 刺激敏感性組成物及化合物 STIMULATION SENSITIVE COMPOSITION AND COMPOUND 有权
简体标题：刺激敏感性组成物及化合物 STIMULATION SENSITIVE COMPOSITION AND COMPOUND
公开(公告)号：TWI313791B
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：TW092108245
申请日：2003-04-10
申请人：富士軟片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION
发明人：兒玉邦彥 KUNIHIKA KODAMA
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07D409/04 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2602/10 , C07D333/46 , G03F7/00 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/121 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , Y10S430/124
摘要：茲揭示一種刺激敏感性組成物,其包括:
(A)一種指定式表示之化合物,其可因外部刺激而產生酸或自由基。
简体摘要：兹揭示一种刺激敏感性组成物,其包括: (A)一种指定式表示之化合物,其可因外部刺激而产生酸或自由基。

23. 发明专利

TWI311235B 高分子化合物、含該高分子化合物之光阻組成物及溶解抑制劑失效
简体标题：高分子化合物、含该高分子化合物之光阻组成物及溶解抑制剂
公开(公告)号：TWI311235B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW092130281
申请日：2003-10-30
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：緖方壽幸 OGATA, TOSHIYUKI , 遠藤浩太朗 ENDO, KOTARO , 裕光 TSUJI, HIROMITSU , 吉田正昭 YOSHIDA, MASAAKI , 羽田英夫 HADA, HIDEO , 高須亮一 TAKASU, RYOICHI , 佐藤充 SATO, MITSURU
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0046 , C08F20/22 , G03F7/0397 , Y10S430/108
摘要：本發明提供:可用為下世代之微細加工用之光阻組成物之具有高透明性的高分子化合物;將該高分子化合物作為基幹聚合物使用的光阻組成物;以及從前述高分子化合物所構成的溶解抑制劑。詳言之,
為確保耐蝕刻性而使側鏈部分具有脂環式基之同時,使該脂環式基之環上之氫原子高度氟化,以對波長157nm之光確保吸收係數3.0��m-1以下之透明性。脂環式基較佳為作成多環式,而由氟的高度的取代係需要對環上之所有氫原子均加以取代,亦即作成全氟脂環式基。將此高分子化合物作為基幹聚合物以構成光阻組成物,再從該高分子化合物構成溶解抑制劑。
简体摘要：本发明提供:可用为下世代之微细加工用之光阻组成物之具有高透明性的高分子化合物;将该高分子化合物作为基干聚合物使用的光阻组成物;以及从前述高分子化合物所构成的溶解抑制剂。详言之, 为确保耐蚀刻性而使侧链部分具有脂环式基之同时,使该脂环式基之环上之氢原子高度氟化,以对波长157nm之光确保吸收系数3.0��m-1以下之透明性。脂环式基较佳为作成多环式,而由氟的高度的取代系需要对环上之所有氢原子均加以取代,亦即作成全氟脂环式基。将此高分子化合物作为基干聚合物以构成光阻组成物,再从该高分子化合物构成溶解抑制剂。

24. 发明专利

TW200922920A 含氟單體、含氟高分子化合物、光阻材料及圖型形成方法 FLUORINATED MONOMER, FLUORINATED POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：含氟单体、含氟高分子化合物、光阻材料及图型形成方法 FLUORINATED MONOMER, FLUORINATED POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200922920A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097128665
申请日：2008-07-29
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO , 西寬 NISHI, TSUNEHIRO , 渡邊武 WATANABE, TAKERU
IPC分类号： C07C , C08F , G03F , H01L
CPC分类号： C07C69/67 , C07C69/753 , C07C2601/08 , C07C2602/42 , C08F220/24 , C08F220/26 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：本發明揭示一種以式(1)表示之含氟單體:
097128665P01.bmp
(R^1表示H或C1~20之1價烴基,為1價烴基時,構成之-CH2-亦可經-O-或-C(=O)-取代;R^2表示H、氟原子、甲基或三氟甲基;R^3、R^4表示H或C1~8之1價烴基;或R^3、R^4亦可彼此鍵結且與其所鍵結之碳原子一起形成脂肪族烴環;A表示C1~6之2價烴基)。本發明之含氟單體係做為機能性材料、醫藥、農藥等原料用,其中也可使用為作為製造敏輻射線性光阻材料之基底樹脂的單體。使用本發明之高分子化合物作為敏輻射線性光阻材料之基底樹脂時,高解像度、膨潤抑制效果優異,可抑制朝液浸介質之水中之溶出及水之浸入,於作為光阻材料之基底樹脂之精密細微加工方面極為有效。
简体摘要：本发明揭示一种以式(1)表示之含氟单体: 097128665P01.bmp (R^1表示H或C1~20之1价烃基,为1价烃基时,构成之-CH2-亦可经-O-或-C(=O)-取代;R^2表示H、氟原子、甲基或三氟甲基;R^3、R^4表示H或C1~8之1价烃基;或R^3、R^4亦可彼此键结且与其所键结之碳原子一起形成脂肪族烃环;A表示C1~6之2价烃基)。本发明之含氟单体系做为机能性材料、医药、农药等原料用,其中也可使用为作为制造敏辐射线性光阻材料之基底树脂的单体。使用本发明之高分子化合物作为敏辐射线性光阻材料之基底树脂时,高解像度、膨润抑制效果优异,可抑制朝液浸介质之水中之溶出及水之浸入,于作为光阻材料之基底树脂之精密细微加工方面极为有效。

25. 发明专利

TWI308260B 含矽之高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：含硅之高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI308260B
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW093115133
申请日：2004-05-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0758 , C08F30/08 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/109 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/143
摘要：本發明係有關一種含有一般式(1)表示之重覆單位,及藉由酸提高鹼可溶性之單位之含矽之高分子化合物,(式中,R1為H或烷基,R2為單鍵或(-SiR10R11-R12-)b表示之二價連結基,R3-R9為H或烷基,R10、R11為烷基,R12為單鍵、O或伸烷基,a為正數,b為1~20之整數)。
本發明之光阻材料係感應高能量線,且波長300nm以下之感度、解像性、氧電漿蝕刻耐性優異。
简体摘要：本发明系有关一种含有一般式(1)表示之重复单位,及借由酸提高碱可溶性之单位之含硅之高分子化合物,(式中,R1为H或烷基,R2为单键或(-SiR10R11-R12-)b表示之二价链接基,R3-R9为H或烷基,R10、R11为烷基,R12为单键、O或伸烷基,a为正数,b为1~20之整数)。本发明之光阻材料系感应高能量线,且波长300nm以下之感度、解像性、氧等离子蚀刻耐性优异。

26. 发明专利

TWI304516B 光阻組成物、該光阻組成物用低分子化合物及高分子化合物失效
简体标题：光阻组成物、该光阻组成物用低分子化合物及高分子化合物
公开(公告)号：TWI304516B
公开(公告)日：2008-12-21
申请号：TW093110380
申请日：2004-04-14
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：緖方壽幸 OGATA, TOSHIYUKI , 遠藤浩太朗 ENDO, KOTARO , 裕光 TSUJI, HIROMITSU , 吉田正昭 YOSHIDA, MASAAKI , 佐藤充 SATO, MITSURU , 松丸省吾 MATSUMARU, SYOGO , 羽田英夫 HADA, HIDEO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07C43/126 , C07C43/162 , C07C43/1747 , C07C69/96 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , Y10S430/108
摘要：本發明係含有鹼可溶性部位(i),此鹼可溶性部位(i)之至少一部分以含鹵原子之縮醛系酸解離性溶解抑制基(ii)所保護之高分子化合物或/及低分子化合物,及含有該化合物之光阻組成物。可得到對於曝光光,特別是300 nm以下之波長光之透明性高,且斷面形狀良好之光阻圖案,可形成保存安定性高之光阻組成物。
简体摘要：本发明系含有碱可溶性部位(i),此碱可溶性部位(i)之至少一部分以含卤原子之缩醛系酸解离性溶解抑制基(ii)所保护之高分子化合物或/及低分子化合物,及含有该化合物之光阻组成物。可得到对于曝光光,特别是300 nm以下之波长光之透明性高,且断面形状良好之光阻图案,可形成保存安定性高之光阻组成物。

27. 发明专利

TW200846333A 光敏性化合物、光敏性組成物、形成光阻圖案的方法、及使用彼來製造裝置的方法 PHOTOSENSITIVE COMPOUND, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND DEVICE PRODUCTION PROCESS 失效
简体标题：光敏性化合物、光敏性组成物、形成光阻图案的方法、及使用彼来制造设备的方法 PHOTOSENSITIVE COMPOUND, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND DEVICE PRODUCTION PROCESS
公开(公告)号：TW200846333A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097103335
申请日：2008-01-29
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：伊藤俊樹 ITO, TOSHIKI , 山口貴子 YAMAGUCHI, TAKAKO
IPC分类号： C07D , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/039 , C07C37/055 , C08G8/28 , C08L61/14 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , C07C39/04
摘要：本發明係關於一種光敏性化合物,其一個分子具有二或多個下列通式(1)所示之結構單元:
097103335P01.bmp
其中R1至R5係選自氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、乙醯氧基、苯基、基、及部份或所有之氫原子經氟原子取代的烷基;及X為經取代或未經取代之伸苯基或經取代或未經取代之伸基。
简体摘要：本发明系关于一种光敏性化合物,其一个分子具有二或多个下列通式(1)所示之结构单元: 097103335P01.bmp 其中R1至R5系选自氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、乙酰氧基、苯基、基、及部份或所有之氢原子经氟原子取代的烷基;及X为经取代或未经取代之伸苯基或经取代或未经取代之伸基。

28. 发明专利

TW200844122A 具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法 SULFONIUM SALT HAVING POLYMERIZABLE ANION, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：具有聚合性阴离子之盐及高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法 SULFONIUM SALT HAVING POLYMERIZABLE ANION, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200844122A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096140431
申请日：2007-10-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 大橋正樹 OHASHI, MASAKI , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO , 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 渡邊武 WATANABE, TAKERU
IPC分类号： C08F , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F20/22 , C08F20/38 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/124 , Y10S430/126 , Y10S430/143
摘要：一種可感應高能量線或熱而發生通式(1a)所表示之重複單位之磺酸的高分子化合物,
096140431P01.bmp
(R^1為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。)本發明之具有聚合性陰離子之鹽,於經由高能量線照射而發生酸之情形中,可生成非常强之磺酸,故可有效率地切斷增强化學型光阻材料中之酸不穩定基,故非常適合製造作為感放射線光阻材料之基礎樹脂的單體。又,使用本發明之高分子化合物作為感放射線光阻材料之基礎樹脂使用時,可得到優良之高解析性與粗密依存性及曝光寬容度,故使用該高分子化合物作為光阻材料時,對於精密之微細加工極為有效。
简体摘要：一种可感应高能量线或热而发生通式(1a)所表示之重复单位之磺酸的高分子化合物, 096140431P01.bmp (R^1为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。)本发明之具有聚合性阴离子之盐,于经由高能量线照射而发生酸之情形中,可生成非常强之磺酸,故可有效率地切断增强化学型光阻材料中之酸不稳定基,故非常适合制造作为感放射线光阻材料之基础树脂的单体。又,使用本发明之高分子化合物作为感放射线光阻材料之基础树脂使用时,可得到优良之高解析性与粗密依存性及曝光宽容度,故使用该高分子化合物作为光阻材料时,对于精密之微细加工极为有效。

29. 发明专利

TWI300166B 聚合物、光阻組成物及形成圖案之方法 POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：聚合物、光阻组成物及形成图案之方法 POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI300166B
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：TW093131850
申请日：2004-10-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. , 中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：原田裕次 HARADA, YUJI , 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 河合義夫 KAWAI, YOSHIO , 子勝 SASAGO, MASARU , 遠藤政孝 ENDO, MASAYUKI , 岸村真治 KISHIMURA, SHINJI , 前田一彥 MAEDA, KAZUHIKO , 小森谷治彥 KOMORIYA, HARUHIKO , 山中一廣 YAMANAKA, KAZUHIRO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0046 , C08F220/24 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：本發明係關於一種包含式(1)部份結構的重複單元之聚
合物,其中R1是單鍵或伸烷基或氟伸烷基,R2及R3是H
或烷基或氟烷基,至少一個R2及R3包含至少一個氟原
子,其係作為基質樹脂用於調製光阻組成物,其優點包括
對波長高至200奈米的輻射具有高透明性、基板黏著性、
顯影劑親和性及耐乾蝕刻性。
简体摘要：本发明系关于一种包含式(1)部份结构的重复单元之聚合物,其中R1是单键或伸烷基或氟伸烷基,R2及R3是H 或烷基或氟烷基,至少一个R2及R3包含至少一个氟原子,其系作为基质树脂用于调制光阻组成物,其优点包括对波长高至200奈米的辐射具有高透明性、基板黏着性、显影剂亲和性及耐干蚀刻性。

30. 发明专利

TW200813638A 光阻保護膜材料及圖型之形成方法 RESIST TOP COAT COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：光阻保护膜材料及图型之形成方法 RESIST TOP COAT COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200813638A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096123092
申请日：2007-06-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：原田裕次 HARADA, YUJI , 山潤 HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/11 , C08F2/38 , C08F20/18 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/108
摘要：【【課題】】提供即使於光阻膜上形成保護膜時,亦可更加確實取得矩形之良好光阻圖型的光阻保護膜材料,以及使用此類材料形成圖型之方法。【【解決手段】】至少含有於聚合終端具有胺基或磺醯胺基之下述一般式(1)所示之高分子化合物為其特徵的光阻保護膜材料。以及,至少含有,於基板上形成光阻膜之步驟,和於該光阻膜上,使用前述光阻保護膜材料形成光阻保護膜之步驟、和曝光步驟、和使用顯像液予以顯像之步驟為其特徵之圖型的形成方法。
【化52】
096123092P01.bmp
简体摘要：【【课题】】提供即使于光阻膜上形成保护膜时,亦可更加确实取得矩形之良好光阻图型的光阻保护膜材料,以及使用此类材料形成图型之方法。【【解决手段】】至少含有于聚合终端具有胺基或磺酰胺基之下述一般式(1)所示之高分子化合物为其特征的光阻保护膜材料。以及,至少含有,于基板上形成光阻膜之步骤,和于该光阻膜上,使用前述光阻保护膜材料形成光阻保护膜之步骤、和曝光步骤、和使用显像液予以显像之步骤为其特征之图型的形成方法。【化52】 096123092P01.bmp

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