专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TWI534549B 圖型之形成方法及形成光阻下層膜用組成物有权
简体标题：图型之形成方法及形成光阻下层膜用组成物
公开(公告)号：TWI534549B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW099132830
申请日：2010-09-28
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：峯岸信也 , MINEGISHI, SHIN-YA , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHIN-YA , 中野孝德 , NAKANO, TAKANORI
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： B44C1/227 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0332 , H01L21/0334 , H01L21/0335 , H01L21/0337

22. 发明专利

TW201532224A 用於後段製程（ＢＥＯＬ）互連的有多色的光桶的自我對準通孔圖案化审中-公开
简体标题：用于后段制程（ＢＥＯＬ）互连的有多色的光桶的自我对准通孔图案化
公开(公告)号：TW201532224A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103137441
申请日：2014-10-29
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 布雷克威爾詹姆士 , BLACKWELL, JAMES M. , 梅爾斯艾倫 , MYERS, ALAN , 辛格肯瓦爾 , SINGH, KANWAL JIT
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/76816 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：描述用於後段製程(BEOL)互連的有多色的光桶的自我對準通孔圖案化。於一範例中，一種用於積體電路之互連結構包括配置在基底之上的該互連結構之第一層，該第一層包括在第一方向上的交替金屬線和電介質線之第一光柵。電介質線具有高於金屬線之最上表面的最上表面。互連結構之第二層被配置於互連結構之第一層上方，該第二層包括在第二方向(垂直於第一方向)上的交替金屬線和電介質線之第二光柵。該些電介質線具有低於該第二光柵的該些金屬線之最低表面的最低表面。該第二光柵之該些電介質線重疊並接觸，但係不同於該第一光柵之該些電介質線。第一和第二電介質區被配置於該第一光柵的該些金屬線與該第二光柵的該些金屬線之間、且於與該第一光柵之該些電介質線的上部分及該第二光柵之該些電介質線的下部分相同的平面中。第一電介質區係由第一交聯可光解材料所組成，而第二電介質區係由第二、不同的交聯可光解材料所組成。
简体摘要：描述用于后段制程(BEOL)互连的有多色的光桶的自我对准通孔图案化。于一范例中，一种用于集成电路之互链接构包括配置在基底之上的该互链接构之第一层，该第一层包括在第一方向上的交替金属线和电介质线之第一光栅。电介质线具有高于金属线之最上表面的最上表面。互链接构之第二层被配置于互链接构之第一层上方，该第二层包括在第二方向(垂直于第一方向)上的交替金属线和电介质线之第二光栅。该些电介质线具有低于该第二光栅的该些金属线之最低表面的最低表面。该第二光栅之该些电介质线重叠并接触，但系不同于该第一光栅之该些电介质线。第一和第二电介质区被配置于该第一光栅的该些金属线与该第二光栅的该些金属线之间、且于与该第一光栅之该些电介质线的上部分及该第二光栅之该些电介质线的下部分相同的平面中。第一电介质区系由第一交联可光解材料所组成，而第二电介质区系由第二、不同的交联可光解材料所组成。

23. 发明专利

TW201531813A 執行自對準微影蝕刻製程的方法以及積體晶片审中-公开
简体标题：运行自对准微影蚀刻制程的方法以及积体芯片
公开(公告)号：TW201531813A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103144821
申请日：2014-12-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃冠維 , HUANG, KUANWEI , 李佳穎 , LEE, CHIAYING , 梁明中 , LIANG, MINGCHUNG
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L27/11
摘要：本揭露書有關於一種進行自對準微影蝕刻(SALE)製程的方法。在某些實施方式中，此方法藉由下述進行：在具有多層結構的硬遮罩之基材上方形成間隙壁材料，而形成第一截斷層，上述多層結構的硬遮罩具有第一層及其下的第二層；以及形成反向材料於間隙壁材料上，而形成第二截斷層。形成被該第二截斷層斷開的多個第二開口，以在一多個位置暴露出第二層，所述位置對應於一自對準微影蝕刻設計層的多個第二形狀。形成被該第一截斷層斷開的多個第一開口，以在一多個位置上暴露出第二層，所述位置對應於自對準微影蝕刻設計層的多個第一形狀。依據上述多個第一開口和多個第二開口蝕刻第二層。
简体摘要：本揭露书有关于一种进行自对准微影蚀刻(SALE)制程的方法。在某些实施方式中，此方法借由下述进行：在具有多层结构的硬遮罩之基材上方形成间隙壁材料，而形成第一截断层，上述多层结构的硬遮罩具有第一层及其下的第二层；以及形成反向材料于间隙壁材料上，而形成第二截断层。形成被该第二截断层断开的多个第二开口，以在一多个位置暴露出第二层，所述位置对应于一自对准微影蚀刻设计层的多个第二形状。形成被该第一截断层断开的多个第一开口，以在一多个位置上暴露出第二层，所述位置对应于自对准微影蚀刻设计层的多个第一形状。依据上述多个第一开口和多个第二开口蚀刻第二层。

24. 发明专利

TW201527432A 含有含多酸之金屬的光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有含多酸之金属的光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201527432A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103134886
申请日：2014-10-07
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/09 , C08K3/22 , C08K5/56 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： C09D183/04 , C08G77/04 , C08G77/06 , C08G77/26 , C08G77/58 , C08G77/80 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08K2003/2244 , C08L83/04 , C08L85/00 , C09D1/00 , C09D5/00 , C09D5/006 , C09D7/61 , C09D183/08 , C09D183/14 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要：提供一種形成光阻下層膜的光阻下層膜形成組成物。一種組成物，其為含有(A)成份：異多酸或雜多酸或該些之鹽，或該些之組合，與(B)成份：聚矽氧烷、多氧化鉿或氧化鋯或該些之組合，以(A)成份與(B)成份之合計量為基準，(A)成份為含有0.1至85質量%的比例，的光阻下層膜形成組成物，該聚矽氧烷為下述式(1)：[化1]R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)所示水解性矽烷的水解縮合物，式(1)中(a+b)為0之水解性矽烷，於全水解性矽烷中為含有60至85莫耳%，該多氧化鉿為式(2)：[化2]Hf(R4)4 式(2)所示水解性鉿的水解縮合物，該氧化鋯為式(3)、式(4)：[化3]Zr(R5)4 式(3) ZrO(R6)2 式(4)所示水解性鋯，或該些之組合的水解縮合物。
简体摘要：提供一种形成光阻下层膜的光阻下层膜形成组成物。一种组成物，其为含有(A)成份：异多酸或杂多酸或该些之盐，或该些之组合，与(B)成份：聚硅氧烷、多氧化铪或氧化锆或该些之组合，以(A)成份与(B)成份之合计量为基准，(A)成份为含有0.1至85质量%的比例，的光阻下层膜形成组成物，该聚硅氧烷为下述式(1)：[化1]R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)所示水解性硅烷的水解缩合物，式(1)中(a+b)为0之水解性硅烷，于全水解性硅烷中为含有60至85莫耳%，该多氧化铪为式(2)：[化2]Hf(R4)4 式(2)所示水解性铪的水解缩合物，该氧化锆为式(3)、式(4)：[化3]Zr(R5)4 式(3) ZrO(R6)2 式(4)所示水解性锆，或该些之组合的水解缩合物。

25. 发明专利

TW201438098A 製造積體結構之方法及形成垂直堆疊記憶體單元之方法审中-公开
简体标题：制造积体结构之方法及形成垂直堆栈内存单元之方法
公开(公告)号：TW201438098A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102149120
申请日：2013-12-30
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：席賽克艾吉費瑪馬雅遜 , SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM , 威爾森亞隆R , WILSON, AARON R.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/11578 , H01L21/0334 , H01L21/0335 , H01L21/3065 , H01L21/3083 , H01L21/31144 , H01L27/11556 , H01L29/66825 , H01L29/7889
摘要：本發明之一些實施例包括形成垂直堆疊記憶體單元之方法。開口經形成以部分地延伸穿過交替電絕緣級及導電級之堆疊。沿該開口之側壁形成襯裏，且然後蝕刻該堆疊以使該開口延伸。該襯裏在該蝕刻期間至少部分地消耗且形成鈍化材料。在該蝕刻期間出現三個區，其中該等區中之一者為由該襯裏保護之該開口之上部區，該等區中之另一者為由鈍化材料保護但未由該襯裏保護之該開口之中間區，且該等區中之另一者為未由鈍化材料及該襯裏保護之該開口之下部區。空腔經形成以沿該開口之側壁延伸至該等導電級中。在該等空腔內形成電荷阻擋介電結構及電荷儲存結構。
简体摘要：本发明之一些实施例包括形成垂直堆栈内存单元之方法。开口经形成以部分地延伸穿过交替电绝缘级及导电级之堆栈。沿该开口之侧壁形成衬里，且然后蚀刻该堆栈以使该开口延伸。该衬里在该蚀刻期间至少部分地消耗且形成钝化材料。在该蚀刻期间出现三个区，其中该等区中之一者为由该衬里保护之该开口之上部区，该等区中之另一者为由钝化材料保护但未由该衬里保护之该开口之中间区，且该等区中之另一者为未由钝化材料及该衬里保护之该开口之下部区。空腔经形成以沿该开口之侧壁延伸至该等导电级中。在该等空腔内形成电荷阻挡介电结构及电荷存储结构。

26. 发明专利

TW201129872A 圖型之形成方法及形成抗蝕底層膜用組成物审中-公开
简体标题：图型之形成方法及形成抗蚀底层膜用组成物
公开(公告)号：TW201129872A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099132830
申请日：2010-09-28
申请人： JSR股份有限公司
发明人：峯岸信也 , 中藤慎也 , 中野孝德
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： B44C1/227 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0332 , H01L21/0334 , H01L21/0335 , H01L21/0337
摘要：本發明之目的係提供一種可形成具有作為抗反射膜之功能，同時圖型轉印性能及蝕刻耐性良好之光阻下層膜之光阻下層膜形成用組成物，及使用彼等之圖型形成方法。本發明之圖型形成方法具備下列步驟：(1)於被加工基板上，利用特定之光阻下層膜形成用組成物形成光阻下層膜之步驟，(1’)於光阻下層膜上形成中間層之步驟，(2)於形成中間層之光阻下層膜上塗佈光阻組成物，形成光阻被膜之步驟，(3)於光阻被膜上選擇性照射輻射線，使該光阻被膜曝光之步驟，(4)使經曝光之光阻被膜顯像，形成光阻圖型之步驟，及(5)使用光阻圖型作為遮罩，乾蝕刻中間層、光阻下層膜及被加工基板，於被加工基板上形成特定圖型之步驟。
简体摘要：本发明之目的系提供一种可形成具有作为抗反射膜之功能，同时图型转印性能及蚀刻耐性良好之光阻下层膜之光阻下层膜形成用组成物，及使用彼等之图型形成方法。本发明之图型形成方法具备下列步骤：(1)于被加工基板上，利用特定之光阻下层膜形成用组成物形成光阻下层膜之步骤，(1’)于光阻下层膜上形成中间层之步骤，(2)于形成中间层之光阻下层膜上涂布光阻组成物，形成光阻被膜之步骤，(3)于光阻被膜上选择性照射辐射线，使该光阻被膜曝光之步骤，(4)使经曝光之光阻被膜显像，形成光阻图型之步骤，及(5)使用光阻图型作为遮罩，干蚀刻中间层、光阻下层膜及被加工基板，于被加工基板上形成特定图型之步骤。

27. 发明专利

TWI292588B 用於形成半導體元件的方法及系統 METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：用于形成半导体组件的方法及系统 METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI292588B
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：TW092107133
申请日：2003-03-28
申请人：惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：卡爾 P. 陶西格 CARL PHILIP TAUSSIG , 梅彬 PING MEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0273 , H01L21/0334 , H01L21/0335 , H01L21/3085
摘要：本發明包括一種用來形成半導體元件的方法和系統。本發明係利用一壓印工具來產生三維阻抗結構，而使薄膜圖案化階層能在一單獨的成型步驟中被移轉至該阻抗物上，並在嗣後的處理步驟中依序地顯現。因此，在各接續的圖案化步驟之間的對準，將可由所製成的壓印工具之精確度來決定，而無關於製程中可能會發生的膨脹或收縮。本發明之第一態樣係為一種用來製成半導體元件的方法。該方法包含提供一基材[410]，沈積一第一材料層[415]於該基材[410]上，及形成一三維(3D)阻抗結構[420]於該基材[410]上，而該3D阻抗結構[420]包含多數不同的垂向高度遍佈該結構[420]。本發明的第二態樣為一用來製造半導體元件的系統，乃包含可在一撓性基材[410]上沈積一第一材料層[415]的裝置，可在該撓性基材[410]上沈積一阻抗層的裝置，可移轉一3D圖案於該阻抗層而在該撓性基材[410]上形成一3D阻抗層[420]的裝置，及可利用該3D阻抗層[420]來在該撓性基材[410]上形成一交叉點陣列[440]的裝置。
简体摘要：本发明包括一种用来形成半导体组件的方法和系统。本发明系利用一压印工具来产生三维阻抗结构，而使薄膜图案化阶层能在一单独的成型步骤中被移转至该阻抗物上，并在嗣后的处理步骤中依序地显现。因此，在各接续的图案化步骤之间的对准，将可由所制成的压印工具之精确度来决定，而无关于制程中可能会发生的膨胀或收缩。本发明之第一态样系为一种用来制成半导体组件的方法。该方法包含提供一基材[410]，沉积一第一材料层[415]于该基材[410]上，及形成一三维(3D)阻抗结构[420]于该基材[410]上，而该3D阻抗结构[420]包含多数不同的垂向高度遍布该结构[420]。本发明的第二态样为一用来制造半导体组件的系统，乃包含可在一挠性基材[410]上沉积一第一材料层[415]的设备，可在该挠性基材[410]上沉积一阻抗层的设备，可移转一3D图案于该阻抗层而在该挠性基材[410]上形成一3D阻抗层[420]的设备，及可利用该3D阻抗层[420]来在该挠性基材[410]上形成一交叉点数组[440]的设备。

28. 发明专利

TWI233645B 於一半導體裝置中形成一隔離膜之方法 METHOD OF FORMING AN ISOLATION FILM IN A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：于一半导体设备中形成一隔离膜之方法 METHOD OF FORMING AN ISOLATION FILM IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI233645B
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW092118217
申请日：2003-07-03
申请人：海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：李聖勳 SUNG HOON LEE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/76232
摘要：本發明揭示一種於一半導體裝置中形成一隔離膜之方法。在形成襯墊氧化膜與襯墊氮化膜之堆疊結構以將一半導體基板曝露於一隔離區域的程序中，在鄰近該基板表面之該襯墊氧化膜與該襯墊氮化膜之底部側壁上形成尾形突出部分，在蝕刻該基板時，使用該等突出部分當作抗蝕刻膜使一溝渠之頂角成圓形。因此，有可能防止電場集中於該溝渠頂角，抑制漏電之產生。因此，可改善該程序之可靠性及該裝置的電氣特性。
简体摘要：本发明揭示一种于一半导体设备中形成一隔离膜之方法。在形成衬垫氧化膜与衬垫氮化膜之堆栈结构以将一半导体基板曝露于一隔离区域的进程中，在邻近该基板表面之该衬垫氧化膜与该衬垫氮化膜之底部侧壁上形成尾形突出部分，在蚀刻该基板时，使用该等突出部分当作抗蚀刻膜使一沟渠之顶角成圆形。因此，有可能防止电场集中于该沟渠顶角，抑制漏电之产生。因此，可改善该进程之可靠性及该设备的电气特性。

29. 发明专利

TWI603380B 製造圖案化層的方法有权
简体标题：制造图案化层的方法
公开(公告)号：TWI603380B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105130191
申请日：2016-09-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：周國耀 , CHOU, KUO YAO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337

30. 发明专利

TW201736947A 用於橫向硬光罩凹槽減小的混合碳硬光罩审中-公开
简体标题：用于横向硬光罩凹槽减小的混合碳硬光罩
公开(公告)号：TW201736947A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106100691
申请日：2017-01-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鄺湯姆士容萬 , KWON, THOMAS JONGWAN , 程睿 , CHENG, RUI , 馬禮克亞伯希吉特巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 平爾萱 , PING, ER-XUAN , 安在洙 , AHN, JAESOO
IPC分类号： G03F1/80 , H01L21/033
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/02109 , H01L21/02115 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/32139 , H01L27/11582 , H01L28/00
摘要：本申請案之實施與改善之用於基板之圖案化及蝕刻的硬光罩材料及方法相關。複數個硬光罩可與圖案化及蝕刻處理結合使用以實現進階的裝置架構。在一實施中，第一硬光罩及第二硬光罩經設置於基板上，該基板具有各種設置於該基板上的材料層。在第一蝕刻處理期間可使用第二硬光罩以圖案化第一硬光罩。可在第一硬光罩上及第二硬光罩上沉積第三硬光罩，且可使用第二蝕刻處理以形成溝槽於材料層中。
简体摘要：本申请案之实施与改善之用于基板之图案化及蚀刻的硬光罩材料及方法相关。复数个硬光罩可与图案化及蚀刻处理结合使用以实现进阶的设备架构。在一实施中，第一硬光罩及第二硬光罩经设置于基板上，该基板具有各种设置于该基板上的材料层。在第一蚀刻处理期间可使用第二硬光罩以图案化第一硬光罩。可在第一硬光罩上及第二硬光罩上沉积第三硬光罩，且可使用第二蚀刻处理以形成沟槽于材料层中。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式