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21. 发明专利

TWI302344B 半導體晶圓之製造方法及製造裝置有权
简体标题：半导体晶圆之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TWI302344B
公开(公告)日：2008-10-21
申请号：TW095124462
申请日：2006-07-05
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：那須悠一 NASU, YUICHI , 加藤裕孝 KATOU, HIROTAKA , 楢原和宏 NARAHARA KAZUHIRO , 松永秀幸 MATSUNAGA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/24 , C23C16/52 , C30B25/105 , C30B29/06 , C30B35/005 , H01L21/67288 , H01L21/68742
摘要：本發明是關於一種半導體晶圓之製造方法及其製造裝製的發明,藉由本發明,當對半導體晶圓基板進行熱處理時,使其在移載製程的階段不產生翹曲,使半導體晶圓的品質乃至於由此所製造出來的半導體元件的品質為高品質。在本發明中,晶圓正面溫度和晶圓背面溫度的溫度差到達最大値的時序、在晶圓上產生翹曲的時序為,和提升銷或承座接觸之前(到達紅外線溫度區域的上限値600℃的時點之後的期間),執行移載裝置的移載處理,使提升銷和晶圓背面接觸。
简体摘要：本发明是关于一种半导体晶圆之制造方法及其制造装制的发明,借由本发明,当对半导体晶圆基板进行热处理时,使其在移载制程的阶段不产生翘曲,使半导体晶圆的品质乃至于由此所制造出来的半导体组件的品质为高品质。在本发明中,晶圆正面温度和晶圆背面温度的温度差到达最大値的时序、在晶圆上产生翘曲的时序为,和提升销或承座接触之前(到达红外线温度区域的上限値600℃的时点之后的期间),运行移载设备的移载处理,使提升销和晶圆背面接触。

22. 发明专利

TWI301858B 單結晶半導體之製造裝置及製造方法有权
简体标题：单结晶半导体之制造设备及制造方法
公开(公告)号：TWI301858B
公开(公告)日：2008-10-11
申请号：TW093138721
申请日：2004-12-14
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：稻垣宏 , 柴田昌弘 , 川島茂樹 , 福田信幸
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/22 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10S117/917 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1088
摘要： [課題] 使加熱器調整作業在種子結晶接觸熔液時與其
後,皆使投入加熱器之電力維持不變或幾乎不變,就能實現
被牽引出之單結晶無錯位化,而使加熱器調整作業簡易化,
減輕作業者的負擔。而且,使加熱器調整作業在種子結晶接
觸熔液時與其後,使投入底部側加熱器之電力維持一定水準
以上之高値,就能實現被牽引出之單結晶無錯位化,而避免
被牽引出之單結晶直徑變化很大。
[解決手段] 例如使用雜質硼B添加5E18atoms/cc而直
徑7mm之矽種子結晶(14)。依據添加到種子結晶(14)之
雜質濃度C與種子結晶(14)之尺寸(直徑D),求出錯位不
導入種子結晶中之容許溫度差��Tc(容許溫度差��Tc係100
℃)。當種子結晶(14)接觸熔液(5)時,投入底部加熱器
(19)之電力固定於35Kw,以磁鐵(20)施加磁場强度3000
(高斯)之磁場到熔液(5)。而且,以閉回路控制來控制投
入主加熱器(9)之電力,以使熔液(5)中與種子結晶(14)
接觸之接觸面達到目標溫度(例如1340℃)。因此,投入底
部加熱器(19)之電力與投入主加熱器(9)之電力分別係
35(Kw)及112(Kw)(第4圖之測試(4)),種子結晶(14)
接觸到熔液(5)時,種子結晶(14)與熔液(5)之溫度差
��T,係變成容許溫度差��Tc(100℃)以下之値(92.2℃)。
而且,當種子結晶(14)接觸到熔液(5)時,無須實施縮
頸處理,就能牽引單結晶矽。種子結晶(14)接觸到熔液(5)
後,在牽引單結晶矽中也持續控制投入主加熱器(9)之電
力(Kw),以使在投入底部加熱器(19)之電力(Kw)與種
子結晶接觸熔液時相同地維持35(Kw)之狀況下,使熔液(5)
之溫度變成目標溫度。對於熔液(5)則持續施加相同磁場
强度3000(高斯)之磁場。
简体摘要： [课题] 使加热器调整作业在种子结晶接触熔液时与其后,皆使投入加热器之电力维持不变或几乎不变,就能实现被牵引出之单结晶无错位化,而使加热器调整作业简易化, 减轻作业者的负担。而且,使加热器调整作业在种子结晶接触熔液时与其后,使投入底部侧加热器之电力维持一定水准以上之高値,就能实现被牵引出之单结晶无错位化,而避免被牵引出之单结晶直径变化很大。 [解决手段] 例如使用杂质硼B添加5E18atoms/cc而直径7mm之硅种子结晶(14)。依据添加到种子结晶(14)之杂质浓度C与种子结晶(14)之尺寸(直径D),求出错位不导入种子结晶中之容许温度差��Tc(容许温度差��Tc系100 ℃)。当种子结晶(14)接触熔液(5)时,投入底部加热器 (19)之电力固定于35Kw,以磁铁(20)施加磁场强度3000 (高斯)之磁场到熔液(5)。而且,以闭回路控制来控制投入主加热器(9)之电力,以使熔液(5)中与种子结晶(14) 接触之接触面达到目标温度(例如1340℃)。因此,投入底部加热器(19)之电力与投入主加热器(9)之电力分别系 35(Kw)及112(Kw)(第4图之测试(4)),种子结晶(14) 接触到熔液(5)时,种子结晶(14)与熔液(5)之温度差 ��T,系变成容许温度差��Tc(100℃)以下之値(92.2℃)。而且,当种子结晶(14)接触到熔液(5)时,无须实施缩颈处理,就能牵引单结晶硅。种子结晶(14)接触到熔液(5) 后,在牵引单结晶硅中也持续控制投入主加热器(9)之电力(Kw),以使在投入底部加热器(19)之电力(Kw)与种子结晶接触熔液时相同地维持35(Kw)之状况下,使熔液(5) 之温度变成目标温度。对于熔液(5)则持续施加相同磁场强度3000(高斯)之磁场。

23. 发明专利

TWI301160B 單結晶矽之製造方法、單結晶矽晶圓之製造方法、單結晶矽製造用晶種、單結晶矽晶棒、以及單結晶矽晶圓有权
简体标题：单结晶硅之制造方法、单结晶硅晶圆之制造方法、单结晶硅制造用晶种、单结晶硅晶棒、以及单结晶硅晶圆
公开(公告)号：TWI301160B
公开(公告)日：2008-09-21
申请号：TW092107719
申请日：2003-04-04
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：飯田哲廣 , 白石裕 , 末若良太 , 富岡純輔 TOMIOKA JUNSUKE
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/36 , Y10S117/902
摘要：【課題】
在CZ法中拉起晶種使單結晶矽成長時,藉由在粗的直
徑而可使滑移錯位除去,可拉出大口徑、大重量之單結晶
矽晶棒。
【解決手段】
使{111}結晶面之稜線方向8對軸方向9傾斜,使用
結晶方位10對軸方向9只傾斜既定角度��之晶種來製
造單結晶矽。
简体摘要：【课题】在CZ法中拉起晶种使单结晶硅成长时,借由在粗的直径而可使滑移错位除去,可拉出大口径、大重量之单结晶硅晶棒。【解决手段】使{111}结晶面之棱线方向8对轴方向9倾斜,使用 <110>结晶方位10对轴方向9只倾斜既定角度��之晶种来制造单结晶硅。

24. 发明专利

TW200833880A 半導體單結晶製造方法审中-公开
简体标题：半导体单结晶制造方法
公开(公告)号：TW200833880A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096135889
申请日：2007-09-27
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：橫山隆 , 琴岡敏朗 , 酒谷和幸
IPC分类号： C30B
摘要：暸解藉由冷卻器冷卻矽單結晶之能力變化時之變化量、與其他拉伸條件之修正量間的關係,並以簡單方法而穩定製造再現性佳且無缺陷之矽單結晶。在矽單結晶10之拉伸中計測冷卻器20之吸熱量Q,求出與吸熱量Q之計測値Q及參考値Qref之差Q-Qref對應之拉伸速度修正量Vq,並藉由此拉伸速度修正量Vq修正基礎値Vpg,以修正之拉伸速度V而拉伸矽單結晶10。
简体摘要：暸解借由冷却器冷却硅单结晶之能力变化时之变化量、与其他拉伸条件之修正量间的关系,并以简单方法而稳定制造再现性佳且无缺陷之硅单结晶。在硅单结晶10之拉伸中计测冷却器20之吸热量Q,求出与吸热量Q之计测値Q及参考値Qref之差Q-Qref对应之拉伸速度修正量Vq,并借由此拉伸速度修正量Vq修正基础値Vpg,以修正之拉伸速度V而拉伸硅单结晶10。

25. 发明专利

TW200831722A 半導體單結晶製造裝置及製造方法审中-公开
简体标题：半导体单结晶制造设备及制造方法
公开(公告)号：TW200831722A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096135888
申请日：2007-09-27
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：最勝寺俊昭 , 下村庫一 , 末若良太 , 海老大輔
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/14 , Y10T117/1068
摘要： [課題]無論CZ爐之筐體之構造、或爐內構件之構造、製造條件為何,不需多大勞力、時間,即可立刻找出冷卻器之最適設計値、最適配置,除了使矽單結晶製造裝置之設計作業、配置作業之速度提升之外,亦可減輕勞力。可以明瞭缺陷之發生行為與冷卻器之性能間存在何種關係,並可以設計並配置冷卻器以穩定製造無缺陷之矽單結晶。[解決手段]在以Q表示冷卻器20之吸熱量、r表示半導體結晶之半徑時,藉由能滿足r2/1100≦Q≦r2/400之條件的方式,設計並配置冷卻器20而製造矽單結晶10。另外,藉由能滿足r2.7/20500≦Q≦r2.7/19300之條件的方式,設計並配置冷卻器20而製造矽單結晶10。
简体摘要： [课题]无论CZ炉之筐体之构造、或炉内构件之构造、制造条件为何,不需多大劳力、时间,即可立刻找出冷却器之最适设计値、最适配置,除了使硅单结晶制造设备之设计作业、配置作业之速度提升之外,亦可减轻劳力。可以明了缺陷之发生行为与冷却器之性能间存在何种关系,并可以设计并配置冷却器以稳定制造无缺陷之硅单结晶。[解决手段]在以Q表示冷却器20之吸热量、r表示半导体结晶之半径时,借由能满足r2/1100≦Q≦r2/400之条件的方式,设计并配置冷却器20而制造硅单结晶10。另外,借由能满足r2.7/20500≦Q≦r2.7/19300之条件的方式,设计并配置冷却器20而制造硅单结晶10。

26. 发明专利

TWI297741B 單結晶拉引裝置及單結晶製造方法有权
简体标题：单结晶拉引设备及单结晶制造方法
公开(公告)号：TWI297741B
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：TW093102364
申请日：2004-02-03
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：田中英樹 , 金原崇浩 , 松隈伸 , 田村政利
IPC分类号： C30B , H01L
摘要： [課題] 本發明係使得製程時間變短、減少成本、穩定
地降低單結晶矽中之碳濃度。
[解決手段] 使熱遮蔽體8的上端接近CZ爐2的內壁,而
形成氬氣7在坩鍋3的上方不對流,在CZ爐2內所產生的碳
化合物氣體與氬氣一同從CZ爐2的下方排出。
简体摘要： [课题] 本发明系使得制程时间变短、减少成本、稳定地降低单结晶硅中之碳浓度。 [解决手段] 使热屏蔽体8的上端接近CZ炉2的内壁,而形成氩气7在坩锅3的上方不对流,在CZ炉2内所产生的碳化合物气体与氩气一同从CZ炉2的下方排出。

27. 发明专利

TW200818327A 矽晶圓之熱處理方法审中-公开
简体标题：硅晶圆之热处理方法
公开(公告)号：TW200818327A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096128979
申请日：2007-08-07
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：佐土原 , 中村浩三 , 芳野史朗
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/3225 , H01L22/12
摘要： [課題]決定不容易產生滑移位錯之熱處理條件,以該條件熱處理得到作為半導體裝置較佳的矽晶圓。[解決手段]提供一種由矽晶圓中的氧析出物之密度與尺寸及殘存固溶氧濃度,以預測晶圓之滑移强度之計算式計算强度,設計可不產生滑移位錯之熱處理之氧析出狀態,以不產生滑移位錯之熱處理條件之矽晶圓之熱處理方法。
简体摘要： [课题]决定不容易产生滑移位错之热处理条件,以该条件热处理得到作为半导体设备较佳的硅晶圆。[解决手段]提供一种由硅晶圆中的氧析出物之密度与尺寸及残存固溶氧浓度,以预测晶圆之滑移强度之计算式计算强度,设计可不产生滑移位错之热处理之氧析出状态,以不产生滑移位错之热处理条件之硅晶圆之热处理方法。

28. 发明专利

TW200809926A 用於在基板上形成膜之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于在基板上形成膜之设备及方法
公开(公告)号：TW200809926A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096118939
申请日：2007-05-28
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：廣澤敦彥 , 飯田昇 , 佐藤憲彥 , 永戶厚 , 龜井利之 , 錦戶浩一 , 中村元宜
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/52
摘要：在反應室20A氣體流入口40B內,供給來自多個氣體流路36A的反應氣體。在以氣體流入口40B為中心二分而成之一側範圍內,氣體流路36A個數係為5個以上。鄰接的氣體流路36A間的間距係為10毫米以上。在氣體流路36A上游配置持有多個縫隙穴38A的擋板38。使用定義氣體流路36A各氣體流量及晶圓28上膜成長速度分佈間關係的膜成長靈敏度資料,藉由回歸計算,以分別調整氣體流路36A的氣體流量。
简体摘要：在反应室20A气体流入口40B内,供给来自多个气体流路36A的反应气体。在以气体流入口40B为中心二分而成之一侧范围内,气体流路36A个数系为5个以上。邻接的气体流路36A间的间距系为10毫米以上。在气体流路36A上游配置持有多个缝隙穴38A的挡板38。使用定义气体流路36A各气体流量及晶圆28上膜成长速度分布间关系的膜成长灵敏度数据,借由回归计算,以分别调整气体流路36A的气体流量。

29. 发明专利

TWI290182B 矽單結晶中之氧氣析出情況預測方法、矽單結晶之製造參數決定方法、記憶有預測矽單結晶中之氧氣析出情況用之程式的記憶媒體有权
简体标题：硅单结晶中之氧气析出情况预测方法、硅单结晶之制造参数决定方法、记忆有预测硅单结晶中之氧气析出情况用之进程的记忆媒体
公开(公告)号：TWI290182B
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：TW094100998
申请日：2005-01-13
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：中村浩三 NAKAMURA, KOZO , 富岡純輔 , 赤城哲郎 , 芳野史朗
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225
摘要：〔課題〕本發明係藉由將對於氧析出而成為最重要之要素之熱施體濃度，反映於演算方法，來表現熱施體對於氧析出之效果，提高關於氧析出物之預測之可靠性。〔解決手段〕藉由將矽單結晶中之初期氧濃度和配合於矽單結晶進行結晶成長時之所承受之400℃開始至550℃間之熱履歷所發生之熱施體之濃度，進行特定，而在對於矽單結晶進行熱處理之狀態下，在其熱處理過程，求出在矽單結晶中之所發生之氧析出物之核發生速度。此外，藉由特定施加於矽單結晶之熱處理條件，以便於藉由演算而預測任意之熱處理條件之氧析出物之密度及氧析出量。
简体摘要：〔课题〕本发明系借由将对于氧析出而成为最重要之要素之热施体浓度，反映于演算方法，来表现热施体对于氧析出之效果，提高关于氧析出物之预测之可靠性。〔解决手段〕借由将硅单结晶中之初期氧浓度和配合于硅单结晶进行结晶成长时之所承受之400℃开始至550℃间之热履历所发生之热施体之浓度，进行特定，而在对于硅单结晶进行热处理之状态下，在其热处理过程，求出在硅单结晶中之所发生之氧析出物之核发生速度。此外，借由特定施加于硅单结晶之热处理条件，以便于借由演算而预测任意之热处理条件之氧析出物之密度及氧析出量。

30. 发明专利

TWI314593B 用來控制使用捷可拉夫斯基工法之單結晶製造裝置等包括浪費工時之時變系統的控制系統及方法有权
简体标题：用来控制使用捷可拉夫斯基工法之单结晶制造设备等包括浪费工时之时变系统的控制系统及方法
公开(公告)号：TWI314593B
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：TW095119148
申请日：2006-05-30
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：板東賢一 BANDOH KENICHI , 森本茂夫 MORIMOTO SHIGEO , 奧村卓司 OKUMURA TAKUJI , 長田哲 NAGATA SATOSHI , 田大 SHIMADA MASARU , 岡純輔 TOMIOKA JUNSUKE , 白石裕 SHIRAISHI YUTAKA , 玉健 KODAMA TAKESHI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要：以良好的精度來控制捷可拉夫斯基工法單結晶製造裝置(CZ裝置)等包括浪費工時之時變控制對象。
設定控制對象(CZ裝置)200的浪費工時、時間常數及程序增益。程序增益設定値作為包括既定之時變特性的控制對象200的狀態變數x,使用輸出値y及其一階和二階的時間微分値。非線性狀態預測器206根據目前的輸出値y、浪費工時、時間常數及程序增益的設定値,預測浪費工時後的將來時點的狀態變數値x(t+Ld)。增益排程滑動模式控制器212根據所預測的將來時點的狀態變數値x(t+Ld)、將來時點的輸出誤差z(t+Ld)、時間常數及程序增益的將來時點的設定値,進行增益排程滑動模式控制動作,決定對控制對象200的操作量uT。
简体摘要：以良好的精度来控制捷可拉夫斯基工法单结晶制造设备(CZ设备)等包括浪费工时之时变控制对象。设置控制对象(CZ设备)200的浪费工时、时间常数及进程增益。进程增益设置値作为包括既定之时变特性的控制对象200的状态变量x,使用输出値y及其一阶和二阶的时间微分値。非线性状态预测器206根据目前的输出値y、浪费工时、时间常数及进程增益的设置値,预测浪费工时后的将来时点的状态变量値x(t+Ld)。增益调度滑动模式控制器212根据所预测的将来时点的状态变量値x(t+Ld)、将来时点的输出误差z(t+Ld)、时间常数及进程增益的将来时点的设置値,进行增益调度滑动模式控制动作,决定对控制对象200的操作量uT。

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