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21. 发明专利

TW201728636A 熱固化性樹脂膜、第一保護膜形成用片以及第一保護膜的形成方法审中-公开
简体标题：热固化性树脂膜、第一保护膜形成用片以及第一保护膜的形成方法
公开(公告)号：TW201728636A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105135054
申请日：2016-10-28
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： C08J5/18 , B32B27/00 , B32B7/06 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： B32B27/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/11
摘要：本發明之熱固化性樹脂膜係用於藉由貼附於半導體晶圓的具有凸塊之表面上並進行熱固化，而於前述表面上形成第一保護膜；於使固化前之該熱固化性樹脂膜以10℃/分之升溫速度升溫時，該膜的剪切速度1s-1時之黏度成為100000Pa．s以下之時間為500秒以上。第一保護膜形成用片具備第一支持片，於第一支持片的一個表面上具備該熱固化性樹脂膜。該熱固化性樹脂膜係藉由一面以0.1Pa以上之壓力加壓一面進行熱固化，而形成第一保護膜。
简体摘要：本发明之热固化性树脂膜系用于借由贴附于半导体晶圆的具有凸块之表面上并进行热固化，而于前述表面上形成第一保护膜；于使固化前之该热固化性树脂膜以10℃/分之升温速度升温时，该膜的剪切速度1s-1时之黏度成为100000Pa．s以下之时间为500秒以上。第一保护膜形成用片具备第一支持片，于第一支持片的一个表面上具备该热固化性树脂膜。该热固化性树脂膜系借由一面以0.1Pa以上之压力加压一面进行热固化，而形成第一保护膜。

22. 发明专利

TW201728438A 第一保護膜形成用片、第一保護膜形成方法以及半導體晶片的製造方法审中-公开
简体标题：第一保护膜形成用片、第一保护膜形成方法以及半导体芯片的制造方法
公开(公告)号：TW201728438A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105135055
申请日：2016-10-28
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： B32B7/02 , B32B27/00 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： B32B27/00 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要：本發明係關於一種第一保護膜形成用片，其係於第一基材上積層第一黏著劑層且於前述第一黏著劑層上積層固化性樹脂層而成，並且前述固化性樹脂層為用以藉由貼附於半導體晶圓的具有凸塊之表面上並進行固化而於前述表面上形成第一保護膜之層，前述固化性樹脂層的厚度與前述第一黏著劑層的厚度之和為110μm以上，且前述固化性樹脂層的厚度為20μm至100μm。
简体摘要：本发明系关于一种第一保护膜形成用片，其系于第一基材上积层第一黏着剂层且于前述第一黏着剂层上积层固化性树脂层而成，并且前述固化性树脂层为用以借由贴附于半导体晶圆的具有凸块之表面上并进行固化而于前述表面上形成第一保护膜之层，前述固化性树脂层的厚度与前述第一黏着剂层的厚度之和为110μm以上，且前述固化性树脂层的厚度为20μm至100μm。

23. 发明专利

TW201623505A 具有樹脂層的工件固定片审中-公开
简体标题：具有树脂层的工件固定片
公开(公告)号：TW201623505A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104130756
申请日：2015-09-17
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐伯尙哉 , SAIKI, NAOYA
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/10 , H01L21/683
CPC分类号： C09J201/00 , C09J7/20 , C09J133/04
摘要：本發明關於一種具有樹脂層的工件固定片，係於基材膜上具備黏著劑層，並於前述黏著劑層上具備硬化性樹脂層而成，前述黏著劑層含有包含烷基碳數為10~18之(甲基)丙烯酸烷酯之單體聚合而成的(甲基)丙烯酸烷酯聚合物，前述硬化性樹脂層含有聚合物成分(a)及硬化性成分(b)，且前述硬化性樹脂層之前述聚合物成分(a)及硬化性成分(b)之總含量相對於前述硬化性樹脂層之總量為95質量%以上。
简体摘要：本发明关于一种具有树脂层的工件固定片，系于基材膜上具备黏着剂层，并于前述黏着剂层上具备硬化性树脂层而成，前述黏着剂层含有包含烷基碳数为10~18之(甲基)丙烯酸烷酯之单体聚合而成的(甲基)丙烯酸烷酯聚合物，前述硬化性树脂层含有聚合物成分(a)及硬化性成分(b)，且前述硬化性树脂层之前述聚合物成分(a)及硬化性成分(b)之总含量相对于前述硬化性树脂层之总量为95质量%以上。

24. 发明专利

TWI643741B 固化性樹脂膜及第一保護膜形成用片有权
简体标题：固化性树脂膜及第一保护膜形成用片
公开(公告)号：TWI643741B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105135528
申请日：2016-11-02
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： B32B27/00 , H01L21/304 , H01L21/68

25. 发明专利

TWI641494B 第一保護膜形成用片、第一保護膜形成方法以及半導體晶片的製造方法有权
简体标题：第一保护膜形成用片、第一保护膜形成方法以及半导体芯片的制造方法
公开(公告)号：TWI641494B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105135055
申请日：2016-10-28
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： B32B7/02 , B32B27/00 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31

26. 发明专利

TWI638845B 熱固化性樹脂膜與第二保護膜形成膜的組件、熱固化性樹脂膜、第一保護膜形成用片以及半導體晶圓用第一保護膜的形成方法有权
简体标题：热固化性树脂膜与第二保护膜形成膜的组件、热固化性树脂膜、第一保护膜形成用片以及半导体晶圆用第一保护膜的形成方法
公开(公告)号：TWI638845B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW105135532
申请日：2016-11-02
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： C08J5/18 , B32B27/00 , B32B7/06 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31

27. 发明专利

TWI621646B 固化性樹脂膜、第一保護膜形成用片以及凸塊形成面保護方法有权
简体标题：固化性树脂膜、第一保护膜形成用片以及凸块形成面保护方法
公开(公告)号：TWI621646B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105135530
申请日：2016-11-02
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： C08J5/18 , C08L33/08 , C08K5/00 , C08K9/04 , B32B27/30 , B32B7/06 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L21/304

28. 发明专利

TW201738089A 第一保護膜形成用片审中-公开
简体标题：第一保护膜形成用片
公开(公告)号：TW201738089A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105135523
申请日：2016-11-02
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： B32B27/00 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： B32B27/00 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/11
摘要：本發明之第一保護膜形成用片係於第一基材上積層第一黏著劑層並於前述第一黏著劑層上積層固化性樹脂層而成，前述固化性樹脂層係用以藉由貼附於半導體晶圓中之具有凸塊之表面上並進行固化而於前述表面上形成第一保護膜之層，於前述第一黏著劑層上層壓前述固化性樹脂層並進行固化處理後之前述第一黏著劑層及前述固化性樹脂層之間的層間剝離力(1)大於在無鉛焊料SAC305的鏡面研磨面上層壓前述固化性樹脂層並進行化處理後之無鉛焊料SAC305的鏡面研磨面及前述固化性樹脂層之間的層間剝離力(2)，且前述層間剝離力(1)為2.0N/25mm至100N/25mm。
简体摘要：本发明之第一保护膜形成用片系于第一基材上积层第一黏着剂层并于前述第一黏着剂层上积层固化性树脂层而成，前述固化性树脂层系用以借由贴附于半导体晶圆中之具有凸块之表面上并进行固化而于前述表面上形成第一保护膜之层，于前述第一黏着剂层上层压前述固化性树脂层并进行固化处理后之前述第一黏着剂层及前述固化性树脂层之间的层间剥离力(1)大于在无铅焊料SAC305的镜面研磨面上层压前述固化性树脂层并进行化处理后之无铅焊料SAC305的镜面研磨面及前述固化性树脂层之间的层间剥离力(2)，且前述层间剥离力(1)为2.0N/25mm至100N/25mm。

29. 发明专利

TW201734163A 固化性樹脂膜及第一保護膜形成用片审中-公开
简体标题：固化性树脂膜及第一保护膜形成用片
公开(公告)号：TW201734163A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105135529
申请日：2016-11-02
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： C09J7/00 , C09J7/02 , H01L21/60
CPC分类号： C09J7/00 , C09J7/20 , C09J163/00 , H01L2224/11
摘要：對於本發明之固化性樹脂膜而言，將含有重量平均分子量為200至4000之環氧系熱固化性成分之固化性樹脂膜貼附於具有平均頂部高度h1為50μm至400μm、平均直徑為60μm至500μm、平均間距為100μm至800μm之複數個凸塊51之半導體晶圓5的表面5a，於100℃至200℃下以0.5小時至3小時進行加熱固化而形成第一保護膜1a，利用掃描式電子顯微鏡對其縱剖面進行觀察時，凸塊51間的中心位置之第一保護膜1a的平均厚度h3相對於凸塊51的平均頂部高度h1之比(h3/h1)、與和凸塊51接觸的位置之第一保護膜1a的平均厚度h2相對於凸塊51的平均頂部高度h1之比(h2/h1)為下式[{(h2/h1)-(h3/h1)}≦0.1]所表示之關係。
简体摘要：对于本发明之固化性树脂膜而言，将含有重量平均分子量为200至4000之环氧系热固化性成分之固化性树脂膜贴附于具有平均顶部高度h1为50μm至400μm、平均直径为60μm至500μm、平均间距为100μm至800μm之复数个凸块51之半导体晶圆5的表面5a，于100℃至200℃下以0.5小时至3小时进行加热固化而形成第一保护膜1a，利用扫描式电子显微镜对其纵剖面进行观察时，凸块51间的中心位置之第一保护膜1a的平均厚度h3相对于凸块51的平均顶部高度h1之比(h3/h1)、与和凸块51接触的位置之第一保护膜1a的平均厚度h2相对于凸块51的平均顶部高度h1之比(h2/h1)为下式[{(h2/h1)-(h3/h1)}≦0.1]所表示之关系。

30. 发明专利

TW201728640A 熱固化性樹脂膜與第二保護膜形成膜的組件、熱固化性樹脂膜、第一保護膜形成用片以及半導體晶圓用第一保護膜的形成方法审中-公开
简体标题：热固化性树脂膜与第二保护膜形成膜的组件、热固化性树脂膜、第一保护膜形成用片以及半导体晶圆用第一保护膜的形成方法
公开(公告)号：TW201728640A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105135532
申请日：2016-11-02
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明德 , SATO, AKINORI
IPC分类号： C08J5/18 , B32B27/00 , B32B7/06 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： B32B27/00 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要：對於本發明之熱固化性樹脂膜與第二保護膜形成膜的組件、熱固化性樹脂膜、第一保護膜形成用片及半導體晶圓用第一保護膜的形成方法而言，熱固化性樹脂膜1及第二保護膜形成膜2至少含有熱固化性成分，熱固化性樹脂膜1的藉由示差掃描熱量分析法所測定之發熱起始溫度為第二保護膜形成膜2的發熱起始溫度以上，熱固化性樹脂膜1及第二保護膜形成膜2的發熱峰溫度分別為100℃至200℃，熱固化性樹脂膜1與第二保護膜形成膜2的發熱峰溫度之差小於35℃。
简体摘要：对于本发明之热固化性树脂膜与第二保护膜形成膜的组件、热固化性树脂膜、第一保护膜形成用片及半导体晶圆用第一保护膜的形成方法而言，热固化性树脂膜1及第二保护膜形成膜2至少含有热固化性成分，热固化性树脂膜1的借由示差扫描热量分析法所测定之发热起始温度为第二保护膜形成膜2的发热起始温度以上，热固化性树脂膜1及第二保护膜形成膜2的发热峰温度分别为100℃至200℃，热固化性树脂膜1与第二保护膜形成膜2的发热峰温度之差小于35℃。

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