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21. 发明专利

TW201814885A 三維電容及其製造方法审中-公开
简体标题：三维电容及其制造方法
公开(公告)号：TW201814885A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105133248
申请日：2016-10-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8238
摘要：積體電路包含3D記憶體區塊與3D電容區塊。3D電容包括與複數個絕緣條交錯之複數個導電條的複數個堆疊，與第一終端連接至一或更多個堆疊中之連續階層中的導電條，藉此導電條作用為3D電容的第一極板。第二終端絕緣於第一終端，或連接至另一或其它堆疊中之連續階層中的導電條，或連接至複數個柱體。並未有插入的導電條設置在連續階層中的導電條之間。
简体摘要：集成电路包含3D内存区块与3D电容区块。3D电容包括与复数个绝缘条交错之复数个导电条的复数个堆栈，与第一终端连接至一或更多个堆栈中之连续阶层中的导电条，借此导电条作用为3D电容的第一极板。第二终端绝缘于第一终端，或连接至另一或其它堆栈中之连续阶层中的导电条，或连接至复数个柱体。并未有插入的导电条设置在连续阶层中的导电条之间。

22. 发明专利

TW201737454A 接觸墊結構及其製造方法审中-公开
简体标题：接触垫结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201737454A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106108234
申请日：2017-03-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：江昱維 , JIANG, YU-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 邱家榮 , CHIOU, CHIA-JUNG , 林志曜 , LIN, CHIH-YAO
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/11575 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要：一種接觸墊結構，包括交替堆疊的N層（N³6）絕緣層及N層導電層，且具有排成二維陣列的N個區域露出各導電層。當該些導電層由下至上編號為第1至第N導電層時，同列的區域中露出之導電層的編號Ln朝一行方向遞減，相鄰兩列的區域之間的Ln值差異固定，同行的區域中Ln由兩端向中央漸減，且相鄰兩行的區域之間的Ln值差異固定。
简体摘要：一种接触垫结构，包括交替堆栈的N层（N³6）绝缘层及N层导电层，且具有排成二维数组的N个区域露出各导电层。当该些导电层由下至上编号为第1至第N导电层时，同列的区域中露出之导电层的编号Ln朝一行方向递减，相邻两列的区域之间的Ln值差异固定，同行的区域中Ln由两端向中央渐减，且相邻两行的区域之间的Ln值差异固定。

23. 发明专利

TWI575660B 電路與形成其之方法有权
简体标题：电路与形成其之方法
公开(公告)号：TWI575660B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104118848
申请日：2015-06-11
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：邱家榮 , CHIOU, JIA RONG , 江昱維 , JIANG, YU-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522

24. 发明专利

TW201644006A 積體電路及其製作與操作方法审中-公开
简体标题：集成电路及其制作与操作方法
公开(公告)号：TW201644006A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104118065
申请日：2015-06-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 林立穎 , LIN, LEE-YIN
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , G11C11/063 , G11C11/56
摘要：一種積體電路包括含有記憶電晶體的立體NAND記憶體陣列、複數條位元線，不同的位元線耦接至立體NAND記憶體陣列的不同部位、以及位於半導體疊層中的複數個電晶體對。半導體疊層中的不同層包括複數個電晶體對中的不同的電晶體對。每一個電晶體對包含第一電晶體和第二電晶體。其中，第一電晶體包括第一和第三源極/汲極端點；第二電晶體包括第二和第三源極/汲極端點。第一源極/汲極端點電性耦接至一抹除電壓線。第二源極/汲極端點電性耦接至複數條寫入/讀取電壓線中相對應之一者。第三源極/汲極端點電性耦接至複數條位元線中相對應之一者。
简体摘要：一种集成电路包括含有记忆晶体管的三維NAND内存数组、复数条比特线，不同的比特线耦接至三維NAND内存数组的不同部位、以及位于半导体叠层中的复数个晶体管对。半导体叠层中的不同层包括复数个晶体管对中的不同的晶体管对。每一个晶体管对包含第一晶体管和第二晶体管。其中，第一晶体管包括第一和第三源极/汲极端点；第二晶体管包括第二和第三源极/汲极端点。第一源极/汲极端点电性耦接至一抹除电压线。第二源极/汲极端点电性耦接至复数条写入/读取电压线中相对应之一者。第三源极/汲极端点电性耦接至复数条比特线中相对应之一者。

25. 发明专利

TW201635607A 記憶體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201635607A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104108995
申请日：2015-03-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：江昱維 , JIANG, YU-WEI , 李冠儒 , LEE, GUAN-RU , 林烙躍 , LIN, LO-YUEN , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8239
摘要：一種記憶體元件，包括一多層堆疊結構(multi-layer stacks)以及一階梯狀開口。其中，多層堆疊結構具有相互堆疊的複數個絕緣層和複數個導電層。階梯狀開口沿第一方向延伸，將一部分的絕緣層和一部分的導電層暴露於外。其中，至少一個絕緣層具有相互分離的一第一暴露部分和一第二暴露部分；且至少一個導電層具有相互分離的一第三暴露部分和一第四暴露部分。
简体摘要：一种内存组件，包括一多层堆栈结构(multi-layer stacks)以及一阶梯状开口。其中，多层堆栈结构具有相互堆栈的复数个绝缘层和复数个导电层。阶梯状开口沿第一方向延伸，将一部分的绝缘层和一部分的导电层暴露于外。其中，至少一个绝缘层具有相互分离的一第一暴露部分和一第二暴露部分；且至少一个导电层具有相互分离的一第三暴露部分和一第四暴露部分。

26. 发明专利

TW201630161A 記憶體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：内存结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201630161A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104103970
申请日：2015-02-05
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L27/10
摘要：在此提供一種記憶體結構及其製造方法。這種記憶體結構包括一基板、複數堆疊、複數電荷捕捉層、複數通道層及複數閘極結構。堆疊設置於基板上。該些堆疊分別包括交替堆疊的複數導電長條及複數絕緣長條。電荷捕捉層交錯地設置於堆疊之每相鄰二者上。通道層分別設置於電荷捕捉層上。閘極結構分別設置於堆疊上並連接通道層。該些閘極結構分別包括一導電結構及一介電結構。導電結構包括一環狀部分。介電結構環繞導電結構的該環狀部分。
简体摘要：在此提供一种内存结构及其制造方法。这种内存结构包括一基板、复数堆栈、复数电荷捕捉层、复数信道层及复数闸极结构。堆栈设置于基板上。该些堆栈分别包括交替堆栈的复数导电长条及复数绝缘长条。电荷捕捉层交错地设置于堆栈之每相邻二者上。信道层分别设置于电荷捕捉层上。闸极结构分别设置于堆栈上并连接信道层。该些闸极结构分别包括一导电结构及一介电结构。导电结构包括一环状部分。介电结构环绕导电结构的该环状部分。

27. 发明专利

TWI541984B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI541984B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW104112476
申请日：2015-04-17
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：江昱維 , JIANG, YU-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247

28. 发明专利

TWI695493B 記憶體裝置及其製造方法有权
简体标题：内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI695493B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107138971
申请日：2018-11-02
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 呂函庭 , LUE, HANG-TING
IPC分类号： H01L27/11551

29. 发明专利

TWI686806B 記憶體裝置有权
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TWI686806B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108104790
申请日：2019-02-13
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 劉逸青 , LIU, YI-CHING
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/12

30. 发明专利

TWI626732B 具隔離擬置圖案之三維半導體元件有权
简体标题：具隔离拟置图案之三维半导体组件
公开(公告)号：TWI626732B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW106112299
申请日：2017-04-13
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 洪敏峰 , HUNG, MIN-FENG , 胡志瑋 , HU, CHIH-WEI
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/301

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